KR100787852B1 - 극자외선 및 심자외선용 감광성 고분자 및 이를 포함하는포토레지스트 조성물 - Google Patents

극자외선 및 심자외선용 감광성 고분자 및 이를 포함하는포토레지스트 조성물 Download PDF

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Abstract

극자외선(extreme UV) 및 심자외선(deep UV)에 감응하여 우수한 미세패턴을 형성할 수 있고, 현상 후 라인 에지 러프니스(LER)을 크게 감소시켜, 형성된 패턴의 선폭 안정성을 개선할 수 있는 감광성 고분자 및 이를 포함하는 포토레지스트 조성물이 개시된다. 상기 극자외선 및 심자외선용 감광성 고분자는 하기 화학식 1로 표시되는 반복단위를 포함한다.
[화학식 1]
Figure 112006057393603-pat00001
상기 화학식 1에서, R1 및 R1'는 각각 독립적으로 수소, 메틸기 또는 트리플로오로메틸기이며, R2는 탄소수 4 내지 12의 고리 화합물이고, R3은
Figure 112006057393603-pat00002
이며, 여기서 Ra 및 Rb는 각각 독립적으로 탄소수 1 내지 10의 알킬기, 탄소수 6 내지 10의 아릴기 또는 탄소수 7 내지 12의 아릴알킬기이고, 상기 Ra 및 Rb는 서로 연결되어 고리를 형성할 수 있으며, a 및 b는 상기 감광성 고분자를 구성하는 전체 반복 단위에 대한 각 반복단위의 몰%로서, 각각 독립적으로 1~99몰% 및 1~99몰%이다.
감광성 고분자, 포토레지스트, 선폭 안정성, 극자외선, 심자외선

Description

극자외선 및 심자외선용 감광성 고분자 및 이를 포함하는 포토레지스트 조성물{Photosensitive polymer and photoresist composition including the same for Extreme UV and Deep UV}
도 1 및 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 감광성 고분자의 GPC(Gel Permeation Chromatography) 분석도.
본 발명은 극자외선 및 심자외선용 감광성 고분자 및 이를 포함하는 포토레지스트 조성물에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 극자외선(extreme UV) 및 심자외선(deep UV)에 감응하여 우수한 미세패턴을 형성할 수 있고, 현상 후 라인 에지 러프니스(LER)을 크게 감소시켜, 형성된 패턴의 선폭 안정성을 개선할 수 있는 감광성 고분자 및 이를 포함하는 포토레지스트 조성물에 관한 것이다.
최근의 반도체 개발 속도는 눈부신 발전을 거듭하여 반도체 집적회로소자의 고집적화에 따라, 종래의 노광기술인 I-line(파장=365nm), KrF(파장=248nm) 및 ArF(파장=193nm)로서 달성하지 못하는 미세 패턴의 형성을 요구하고 있다. 기존의 256 메가 비트급의 기억용량을 가진 다이나믹 랜덤 액서스 메모리(이하 DRAM이라함) 등의 용량에 비하여 고용량인 기가 비트급 DRAM의 개발에는 보다 높은 해상도의 패턴이 요구되며, 이를 충족시키기 위하여 차세대 리소그래피 기술(Next Generation Lithography: NGL)의 연구가 활발히 이루어지고 있으며, 이중의 하나로 각광 받는 기술이 극자외선 리소그래피(Extreme UV lithography: EUVL)이다. 일반적으로, 반도체 제조를 위한 포토리소그래피(photolithography) 공정에 있어서, 포토레지스트 조성물의 작용기전은 하기와 같다. 즉, (ⅰ)반도체 회로기판의 표면에 도포된 포토레지스트막에 반도체 회로 설계도를 새겨 놓은 포토마스크를 통해 노광원의 빛을 조사하여, 포토마스크의 잠상을 레지스트막에 전사시키고, (ⅱ)잠상이 전사된 포토레지스트막을 가열하여 노광부의 산을 활성화함으로서, (ⅲ)포토레지스트용 매트릭스 감광성 고분자의 주쇄 또는 측쇄를 해중합(depolymerization) 또는 탈보호(deprotection)하거나, 매트릭스 감광성 고분자를 가교결합시켜, (ⅳ)노광부와 비노광부 간의 현상액에 대한 용해도차를 크게 하고, (ⅴ)현상공정 등의 후속 공정을 거쳐 소정의 포토레지스트 패턴을 형성한다.
한편, 상기한 바와 같이 0.25㎛ 선폭보다 미세한 포토레지스트 패턴을 형성하기 위하여, 포토리소그래피 공정에서 250nm 미만의 단파장 노광원인 KrF(248nm) 및 ArF(193nm) 엑사이머 레이저 등의 심자외선(deep ultra violet) 노광원이 사용 되고 있으므로, 상기 노광원 하에서 사용되는 포토레지스트 조성물은 (ⅰ)노광되는 빛에 대한 투명성이 우수하여야 할뿐만 아니라, (ⅱ)반도체 회로 기판에 대한 접착성이 우수하여야 하고, (ⅲ)식각내성이 우수하여야 하고, (ⅳ)포토레지스트 패턴에 라인 에지 러프니스(Line Edge Roughness: LER), 탑로스(top loss), 슬로프(slope) 등의 패턴 손상 현상이 발생하지 않아야 하고, (ⅴ)2.38중량% 테트라메틸암모늄 히드록사이드(TMAH) 수용액 등 통상적인 현상액에 대한 현상이 용이해야 하며, (ⅵ)열적 안전성이 우수해야한다. 특히 포토레지스트의 열적 성질은 그 해상력이나 광화학적 성질과는 크게 관계가 없지만, 공정에 있어서 매우 중요한 성질이다. 형성된 포토레지스트 패턴은 에칭이나 이온 주입 등의 공정에서 마스킹제로 사용되는데, 이때의 가혹한 조건을 견디게 하기 위해 통상 현상공정 후의 열처리를 통하여 포토레지스트 패턴을 강화시킨다. 포토레지스트를 높은 열로 가열하면 레진끼리 가교결합을 일으켜 분자량이 커지고 내화학성, 내열성 등이 좋아지지만, 너무 높은 온도에서 처리하거나 레진의 열적 성질이 약할 경우 포토레지스트 패턴이 미처 경화되기 전에 흘러 버리는(flowing) 문제가 발생한다.
따라서 본 발명의 목적은 극자외선 및 심자외선의 노광원 하에서, 패턴의 선폭 안정성을 크게 개선한 감광성 고분자 및 이를 포함하는 포토레지스트 조성물을 제공하는 것이다.
본 발명의 다른 목적은 상기 감광성 고분자의 제조방법 및 상기 포토레지스 트 조성물을 사용한 포토레지스트 패턴의 형성 방법을 제공하는 것이다.
상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명은 하기 화학식 1로 표시되는 반복단위를 포함하는 극자외선 및 심자외선용 감광성 고분자를 제공한다.
[화학식 1]
Figure 112006057393603-pat00003
상기 화학식 1에서, R1 및 R1'는 각각 독립적으로 수소, 메틸기 또는 트리플로오로메틸기이며, R2는 탄소수 4 내지 12의 고리 화합물이고, R3은
Figure 112006057393603-pat00004
이며, 여기서 Ra 및 Rb는 각각 독립적으로 탄소수 1 내지 10의 알킬기, 탄소수 6 내지 10의 아릴기 또는 탄소수 7 내지 12의 아릴알킬기이고, 상기 Ra 및 Rb는 서로 연결되어 고리를 형성할 수 있으며, a 및 b는 상기 감광성 고분자를 구성하는 전체 반복 단위에 대한 각 반복단위의 몰%로서, 각각 독립적으로 1~99몰% 및 1~99몰%이다.
또한 본 발명은 상기 감광성 고분자를 포함하는 포토레지스트 조성물 및 이를 이용한 포토레지스트 패턴의 형성방법을 제공한다.
이하, 본 발명을 더욱 상세히 설명하면 다음과 같다.
본 발명에 따른 감광성 고분자는 하기 화학식 1로 표시되는 반복단위를 포함한다.
Figure 112006057393603-pat00005
상기 화학식 1에서, R1 및 R1'는 각각 독립적으로 수소, 메틸기 또는 트리플로오로메틸기이며, R2는 탄소수 4 내지 12의 고리 화합물이고, 바람직하게는 탄소수 4 내지 12의 락톤(lactone)기 또는 히드록시기로 치환된 사이크로알킬기이며, R3은
Figure 112006057393603-pat00006
이며, 여기서 Ra 및 Rb는 각각 독립적으로 탄소수 1 내지 10의 알킬기, 탄소수 6 내지 10의 아릴기 또는 탄소수 7 내지 12의 아릴알킬기이고, 상기 Ra 및 Rb는 서로 연결되어 고리를 형성할 수 있으며, a 및 b는 상기 감광성 고분자를 구성하는 전체 반복 단위에 대한 각 반복단위의 몰%로서, 각각 독립적으로 1~99몰% 및 1~99몰%이다.(여기서, 굴곡선 표시(
Figure 112006057393603-pat00007
)는 결합위치를 나타내며, 하기의 화학식에서도 동일하게 적용된다.)
상기 R2의 바람직한 예로는
Figure 112006057393603-pat00008
,
Figure 112006057393603-pat00009
,
Figure 112006057393603-pat00010
,
Figure 112006057393603-pat00011
,
Figure 112006057393603-pat00012
,
Figure 112006057393603-pat00013
,
Figure 112006057393603-pat00014
등을 예시할 수 있고, 상기 R3의 바람직한 예로는
Figure 112006057393603-pat00015
,
Figure 112006057393603-pat00016
,
Figure 112006057393603-pat00017
등의 옥심(oxime) 유도체를 예시할 수 있다.
본 발명에 따른 감광성 고분자의 바람직한 예로는 하기 화학식 2 및 3으로 표시되는 감광성 고분자를 예시할 수 있고, 더욱 바람직하게는 화학식 2a 및 3a로 표시되는 감광성 고분자를 예시할 수 있다.
Figure 112006057393603-pat00018
상기 화학식 2에서, R1, R1', R2 및 R3은 상기 화학식 1에서 정의한 바와 같고, R1''는 수소, 메틸기 또는 트리플로오로메틸기이며, R4는 광 및 산에 반응하지 않는 비활성기인 벤젠 유도체, 바람직하게는
Figure 112007054103486-pat00019
(여기서, R5는 수소 또는 탄소수 1 내지 10의 알킬기로서, 메틸기, t-부틸기, -C(CH2CH3)3 또는 -C(CH(CH3)CH3)3이다.)이고, a, b 및 c는 상기 감광성 고분자를 구성하는 전체 반복 단위에 대한 상기 반복단위의 몰%로서, 각각 독립적으로 1~98몰%, 1~98몰%, 1~98몰%이다.
Figure 112006057393603-pat00020
상기 화학식 2a에서, R1, R1', R1'', a, b 및 c는 상기 화학식 2에서 정의한 바와 같다.
Figure 112006057393603-pat00021
상기 화학식 3에서, R1, R1', R2, R3는 상기 화학식 1에서 정의한 바와 같고,
R1'''는 수소, 메틸기 또는 트리플로오로메틸기이며, R6은 산에 의해 분해되는 탈보호기를 갖는 탄소수 4 내지 22의 탄화수소기, 바람직하게는 탄소수 4 내지 22의 알킬기 또는 사이크로알킬기이고, a, b 및 c는 상기 감광성 고분자를 구성하는 전체 반복 단위에 대한 상기 반복단위의 몰%로서, 각각 독립적으로 1~98몰%, 1~98몰%, 1~98몰%이다.
또한, 상기 R6의 바람직한 예로는
Figure 112006057393603-pat00022
,
Figure 112006057393603-pat00023
,
Figure 112006057393603-pat00024
,
Figure 112006057393603-pat00025
,
Figure 112006057393603-pat00026
,
Figure 112006057393603-pat00027
,
Figure 112006057393603-pat00028
,
Figure 112006057393603-pat00029
,
Figure 112006057393603-pat00030
,
Figure 112006057393603-pat00031
등을 예시할 수 있다.
Figure 112006057393603-pat00032
상기 화학식 3a에서, R1, R1', R1''', a, b 및 c는 상기 화학식 3에서 정의한 바와 같다.
본 발명에 따른 상기 화학식 1의 감광성 고분자는 블록 공중합체 또는 랜덤 공중합체일 수 있으며, 중량평균분자량(Mw)은 3,000 내지 100,000, 바람직하게는 3,000 내지 30,000이며, 분산도(Polydispersity)는 1.01 내지 3.0인 것이 바람직하다. 상기 중량평균분자량, 분산도가 상기 범위를 벗어나면, 포토레지스트막의 물성이 저하되거나, 포토레지스트막의 형성이 곤란하고, 패턴의 콘트라스트가 저하될 우려가 있다. 본 발명에 따른 상기 감광성 고분자는 광반응에 의하여 현상액에 용해될 수 있는 탈보호기를 가지고 있기 때문에 패턴의 선폭 안정성을 개선시킬 수 있다. 레지스트의 감도를 향상시키기 위하여 널리 사용되는 화학 증폭형 레지스트는, 노광에 의하여 광산 발생제(PAG; Photoacid generator)에서 산이 발생되면, 발생된 산이 노광후 가열(PEB; Post Exposure Bake)과정에서 산 반응성 물질의 촉매로 작용하여 화학반응을 증폭시킴으로써, 노광부와 비노광부의 용해도 차이를 유발하는 원리를 이용한다. 따라서 노광부에서의 산 확산도는 선폭 안정성을 결정짓는 중요한 변수이다. 반면, 본 발명에 따른 감광성 고분자는 산 확산 등의 반응에 의한 탈보호 반응이 주된 메카니즘이 아니라, 광화학 반응에 의하여 고분자에 연결된 보호기가 해리되고, 이러한 해리작용으로 주쇄 고분자는 알카리 용해 가능한 구조로 변화되어, 노광부와 비노광부의 용해도 차이를 유발시킴으로써, 패턴의 선폭 안정성을 향상시키는 원리를 이용한다. 상기 해리 작용은 고분자를 구성하는 모노머 중에서, 화학식 R2가 포함된 모노머의 N-O 결합이 주입된 빛 에너지에 의하여 분해되어 일어나게 된다.
본 발명에 따른 감광성 고분자의 제조는 a)하기 화학식 4, 5, 6 또는 4, 5, 7로 표시되는 단량체를 중합용매에 용해시키고, b)상기 혼합물 용액에 중합 개시제를 첨가하고, c)상기 개시제가 첨가된 혼합물 용액을 질소 또는 아르곤 분위기 하에서 60 내지 70℃ 온도에서 4 내지 24시간 동안 반응시켜서 제조할 수 있다. 바람직하게는, 상기 중합반응은 라디칼 중합반응, 용액 중합반응, 벌크 중합반응 또는 금속 촉매를 이용한 중합반응으로 수행할 수 있다. 또한 상기 제조방법은 상기 (c)반응 결과물을 디에틸에테르, 헥산, 석유에테르(petroleum ether), 메탄올, 에탄올 또는 이소프로판올을 포함하는 저급 알코올, 물, 이들의 혼합물 등을 사용하여 결정 정제하는 단계를 포함할 수도 있다.
Figure 112006057393603-pat00033
Figure 112006057393603-pat00034
Figure 112006057393603-pat00035
Figure 112006057393603-pat00036
상기 화학식 4, 5, 6 및 7에서, R1, R1', R1'', R1''', R2, R3 , R4, R6은 상기 화학식 2 및 3에서 정의한 바와 같다.
상기 중합반응의 중합용매로는 당 업계에서 통상적으로 알려진 중합용매를 광범위하게 사용할 수 있고, 비한정적으로는 사이크로헥사논, 사이크로펜타논, 테트라히드로퓨란, 디메틸포름아미드, 디메틸설폭사이드, 디옥산, 메틸에틸케톤, 벤젠, 톨루엔 및 자일렌 또는 이들의 혼합물을 사용할 수 있으며, 상기 중합개시제 역시 당업계에서 통상적으로 알려진 중합개시제를 광범위하게 사용할 수 있고, 비한정적으로는 벤조일퍼옥사이드, 2,2'-아조비스이소부티로니트릴(AIBN), 아세틸퍼옥사이드, 라우릴퍼옥사이드, t-부틸퍼아세테이트, t-부틸하이드로퍼옥사이드, 디-t-부틸퍼옥사이드 또는 이들의 혼합물을 사용할 수 있다.
본 발명에 따른 포토레지스트 조성물은, 상기 화학식 1로 표시되는 반복 단 위를 포함하는 감광성 고분자 및 유기 용매를 포함하며, 필요에 따라 광산 발생제 및 각종 첨가제를 더욱 포함할 수 있다. 상기 화학식 1로 표시되는 반복 단위를 포함하는 감광성 고분자의 함량은 전체 포토레지스트 조성물에 대하여 0.1 내지 30중량%인 것이 바람직하며, 1 내지 15중량%이면 더욱 바람직하다. 만일 상기 감광성 고분자의 함량이 0.1중량% 미만인 경우에는 코팅 후 남게 되는 레지스트층이 너무 얇아 원하는 두께의 패턴을 형성하기 어렵고, 30중량%를 초과하면 코팅 균일성이 저하될 우려가 있다. 본 발명에 따른 포토레지스트 조성물의 나머지 성분을 구성하는 유기용매로는 포토레지스트 조성물의 제조에 통상적으로 사용되는 다양한 유기 용매를 광범위하게 사용할 수 있으며, 비한정적인 예로는 에틸렌글리콜모노메틸에틸, 에틸렌글리콜모노에틸에테르, 에틸렌글리콜모노메틸에테르, 디에틸렌글리콜모노에틸에테르, 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트(PGMEA), 톨루엔, 크실렌, 메틸에틸케톤, 시클로헥산온, 2-히드록시프로피온에틸, 2-히드록시 2-메틸프로피온산에틸, 에톡시초산에틸, 히드록시초산에틸, 2-히드록시 3-메틸부탄산메틸, 3-메톡시 2- 메칠프로피온산메틸, 3-에톡시프로피온산에틸, 3-메톡시 2-메틸프로피온산에틸, 초산에틸, 초산부틸 및 이들의 혼합물을 예시할 수 있다.
또한, 본 발명에 따른 포토레지스트 조성물은 필요에 따라 광산 발생제를 더욱 포함할 수 있으며, 상기 광산 발생제는 노광에 의해 H+등 산 성분을 생성하여, 화학증폭 작용을 유도하는 것으로서, 빛에 의해 산을 발생할 수 있는 화합물이면 무엇이든 사용할 수 있으며, 바람직하게는 유기술폰산 등의 황화염계 화합물, 오니 움염 등의 오니움염계 화합물 및 이들의 혼합물을 사용할 수 있다. 광산발생제의 비한정적인 예로서는 157nm 및 193nm에서 흡광도가 적은 프탈이미도트리플루오로메탄술포네이트, 디니트로벤질토실레이트, n-데실디술폰, 나프틸이미도트리플루오로메탄술포네이트, 디페닐요도염 헥사플루오로포스페이트, 디페닐요도염 헥사플루오로 아르세네이트, 디페닐요도염 헥사플루오로 안티모네이트, 디페닐파라메톡시페닐설포늄 트리플레이트, 디페닐파라톨루에닐설포늄 트리플레이트, 디페닐파라이소부틸페닐설포늄 트리플레이트, 트리페닐설포늄 헥사플루오로 아르세네이트, 트리페닐설포늄 헥사플루오로 안티모네이트, 트리페닐설포늄 트리플레이트, 디부틸나프틸설포늄 트리플레이트 및 이들의 혼합물을 예시할 수 있다. 상기 광산발생제의 함량은 상기 감광성 고분자 100중량부에 대해 0.1 내지 20중량부인 것이 바람직하다. 만일 0.1중량부 미만인 경우에는 포토레지스트 조성물의 빛에 대한 민감도가 저하되어 보호기의 탈보호가 곤란할 염려가 있고, 20중량부를 초과하면 광산발생제에서 다량의 산이 발생하여 레지스트 패턴의 단면이 불량해질 염려가 있다.
또한, 본 발명에 따른 포토레지스트 조성물은 필요에 따라 유기염기를 더욱 포함할 수 있으며, 상기 유기염기의 비한정적인 예로는 트리에틸아민, 트리이소부틸아민, 트리이소옥틸아민, 디에탄올아민, 트리에탄올아민 및 이들의 혼합물을 예시할 수 있다. 상기 유기염기의 함량은 전체 포토레지스트 조성물에 대하여 0.01 내지 10중량부인 것이 바람직하다. 유기염기의 함량이 0.01중량부 미만이면 레지스트 패턴에 티탑(t-top) 현상이 발생할 염려가 있고, 유기염기의 함량이 10중량부를 초과하면 포토레지스트 조성물의 감도가 떨어져 공정진행률이 저하될 염려가 있다.
본 발명에 따른 포토레지스트 조성물은 상기 감광성 고분자, 유기용매 및 필요에 따라 광산 발생제 및 각종 첨가제를 배합하고, 필요에 따라 필터로 여과하여 제조할 수 있다.
본 발명에 따른 포토레지스트 조성물을 이용하여, 포토레지스트 패턴을 형성하기 위해서는, 먼저, 실리콘 웨이퍼, 알루미늄 기판 등의 기판에 스핀 코터 등을 이용하여 상기 포토레지스트 조성물을 도포하여 포토레지스트막을 형성하고, 상기 포토레지스트막을 소정 패턴으로 노광한 다음, 노광된 포토레지스트 패턴을 노광 후 가열하고, 현상하는 통상의 포토리소그래피 공정으로 포토레지스트 패턴을 형성한 후, 원하는 패턴을 갖는 반도체 소자를 제공할 수 있다. 상기 노광 공정은 KrF 뿐만 아니라 ArF, F2, EUV(Extreme Ultra Violet), VUV(Vacuum Ultra Violet), E-빔, X-선, 이머젼 리소그래피(Immersion lithography) 또는 이온빔을 이용할 수 있고, 1 내지 100mJ/cm2의 노광에너지로 수행하는 것이 바람직하다. 또한 상기 현상 공정에 사용되는 현상액으로는 수산화나트륨, 수산화칼륨, 탄산나트륨, 테트라메틸암모늄 히드록사이드(TMAH) 등의 알칼리성 화합물을 0.01 내지 10중량%의 농도로 용해시킨 알칼리 수용액을 사용할 수 있으며, 필요에 따라 상기 현상액에 메탄올, 에탄올 등과 같은 수용성 유기용매 및 계면활성제를 적정량 첨가하여 사용할 수도 있다. 또한 이와 같은 현상 공정을 수행한 후에는 초순수로 기판을 세정하는 세정 공정을 더욱 수행할 수도 있다.
이하, 구체적인 실시예를 통하여 본 발명을 더욱 상세히 설명한다. 하기 실시예는 본 발명을 더욱 구체적으로 설명하기 위한 것으로서, 본 발명의 범위가 하기 실시예에 의하여 한정되는 것은 아니다.
[실시예 1-1] 화학식 2a로 표시되는 감광성 고분자 제조
A. 하기 화학식 8로 표시되는 단량체 제조
교반봉이 장착된 500mL 4개구 플라스크에, 용매로 테트라하이드로푸란(THF) 200g을 첨가하고, N-하이드록시-1,8-나프탈이미드 63.96g(0.3몰)을 주입하고, 트리에틸아민 31.37g(0.31몰)을 서서히 첨가하여 상온에서 10분간 교반 후, 메타크리로일크로라이드 32.41g(0.31몰)을 온도가 20℃를 넘지 않도록 유지하며 서서히 첨가한 후, 상온을 유지하며 5시간 동안 반응시켰다. 반응이 완결된 후, 디에틸에테르 100.00g을 첨가하여 반응시 생성된 염화물을 여과를 통하여 제거하였고, 여과액을 상온에 보관하였다. 다음으로 여과액에 다시 디에틸에테르 200g과 물 500g을 첨가하여 디에틸에테르 층을 분리하였다. 분리된 유기층을 물 300g으로 3회 추출하고, 물층을 디에틸에테르 50g으로 추출하여 유기층에 혼합하였다. 분리 수득된 유기층을 마그네슘설페이트로 1일 동안 건조시킨 후, 증발기로 유기용제를 제거하여, 하기 화학식 8로 표시되는 맑은 노랑색의 단량체를 92%의 수율로 얻었다{분자량 =281.26, 1H-NMR (CDCl3) : δ=1.93 (CH3), 5.58 (H), 6.15 (H), 7.5~8.0 (6CH)}.
Figure 112006057393603-pat00037
B. 화학식 2a로 표시되는 감광성 고분자 제조
환류 냉각기가 부착된 500mL 4개구 플라스크에, 온도조절장치 및 질소 투입기를 부착한 후, 테트라하이드로푸란(THF) 300mL을 투입하고 질소를 가하여 30분간 교반하였다. 반응기에 상기 화학식 6a로 표시되는 단량체 70.315g, 감마부티로락토메타크릴레이트 38.29g, 스티렌 2.61g 및 아조비스(이소부티로니트릴)(AIBN) 3.13g를 넣고, 40℃의 질소 분위기하에서 30분간 교반한 후, 온도를 70℃로 상승시켜서 반응물을 24시간 동안 중합 반응시켰다. 중합반응이 완결된 후, 온도를 상온으로 낮추고, 반응액을 헥산 3L에 침적시켜 침전물을 수득하였다. 다음으로 수득된 침전물을 여과하고, 2L의 헥산으로 수회 세척하고, 진공건조 시켰다. 건조된 고분자를 포함한 플라스크에 메탄올 300mL를 첨가하고, 30% NH4OH 수용액 50mL를 첨가한 후, 50℃에서 천천히 교반시켜 고분자를 완전히 용해시키고, 30분간 더욱 교반하였다. 용해된 용액을 1.5L의 물에 침적시켜 침전물을 얻은 후, 침전물을 여과하고 2L의 순수로 수회 세척하고, 2일 동안 진공 건조시켜 화학식 2a로 표시되는 감광성 고분자 83.27g(수율:74.87%)을 제조하였다{GPC 분석: 분자량(Mw): 12,600, 다분산도(Pd): 1.95}. 도 1은 화학식 2a로 표시되는 감광성 고분자의 GPC(Gel permeation chromatography) 분석도이다.
상기 감광성 고분자(화학식 2a)의 합성과정을 하기 반응식 1에 정리하여 나타내었다.
Figure 112006057393603-pat00038
[실시예 1-2] 화학식 3a로 표시되는 감광성 고분자 제조
환류 냉각기가 부착된 500mL 4개구 플라스크에, 온도조절장치 및 질소 투입기를 부착한 후, 테트라하이드로푸란(THF) 300mL을 투입하고 질소를 가하여 30분간 교반하였다. 반응기에 상기 실시예 1-1의 A에서 제조한 상기 화학식 8로 표시되는 단량체 28.13g, 감마부티로락토메타크릴레이트 51.32g, 에틸아다멘틸메타크릴레이 트 24.84g 및 아조비스(이소부티로니트릴)(AIBN) 3.14g를 넣고, 40℃의 질소 분위기하에서 30분간 교반한 후, 온도를 70℃로 상승시켜서 반응물을 24시간 동안 중합 반응시켰다. 중합반응이 완결된 후, 온도를 상온으로 낮추고, 반응액을 헥산 3L에 침적시켜 침전물을 수득하였다. 다음으로 수득된 침전물을 여과하고, 2L의 헥산으로 수회 세척하고 진공건조 시켰다. 건조된 고분자를 포함한 플라스크에 메탄올 300mL를 첨가하고, 30% NH4OH 수용액 50mL를 첨가한 후, 50℃에서 천천히 교반시켜 고분자를 완전히 용해시키고, 30분간 더욱 교반하였다. 용해된 용액을 1.5L의 물에 침적시켜 침전물을 얻은 후, 침전물을 여과하고 2L의 순수로 수회 세척하고, 2일 동안 진공 건조시켜 화학식 3a로 표시되는 감광성 고분자 76.37g(수율:73.23%)을 제조하였다{GPC 분석: 분자량(Mw): 22,300, 다분산도(Pd): 1.92}. 도 2는 화학식 3a로 표시되는 감광성 고분자의 GPC(Gel permeation chromatography) 분석도이다.
상기 감광성 고분자(화학식 3a)의 합성과정을 하기 반응식 2에 정리하여 나타내었다.
Figure 112006057393603-pat00039
[실시예 2-1] 상기 실시예 1-1에서 제조한 감광성 고분자를 포함하는 포토레지스트 조성물 제조
상기 실시예 1-1에서 제조한 감광성 고분자(화학식 2a) 2.5g, 트리페닐설포늄 트리플레이트 0.08g 및 트리에탄올아민 0.03g을 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트(PGMEA) 30g에 녹인 후, 0.20㎛ 필터로 여과시켜 포토레지스트 조성물을 제조하였다.
[실시예 2-2] 상기 실시예 1-2에서 제조한 감광성 고분자를 포함하는 포토레지스트 조성물 제조
상기 실시예 1-2에서 제조한 감광성 고분자(화학식 3a) 2.5g과 트리페닐설포늄 트리플레이트 0.08g 및 트리에탄올아민 0.03g을 프로필렌글리콜모노메틸에테르 아세테이트(PGMEA) 30g에 녹인 후, 0.20㎛ 필터로 여과시켜 포토레지스트 조성물을 제조하였다.
[비교예 1] 하기 화학식 9로 표시되는 감광성 고분자를 포함하는 포토레지스트 조성물 제조
하기 화학식 9의 감광성 고분자(분자량(Mw): 21,500, 다분산도(Pd): 2.01) 2.5g, 트리페닐설포늄 트리플레이트 0.08g 및 트리에탄올아민 0.03g을 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트(PGMEA) 30g에 녹인 후, 0.20㎛ 필터로 여과시켜 포토레지스트 조성물을 제조하였다.
Figure 112006057393603-pat00040
[실시예 3-1 내지 3-2, 비교예 2] 포토레지스트 조성물을 사용한 노광(ArF) 패턴형성
상기 실시예 2-1, 2-2 및 비교예 1에서 제조한 포토레지스트 조성물을 0.3㎛의 두께로 헥사메틸디실라잔(HMDS)으로 처리된 실리콘 웨이퍼의 피식각층 상부에 스핀 코팅하여 포토레지스트 박막을 제조한 후, 100℃(또는 120℃)의 오븐 또는 열판에서 90초 동안 소프트 열처리를 하고, 개구수가 0.6인 ArF 레이저 노광장비를 이용하여 최적노광에너지(EOP)로 노광한 후, 100℃(또는 120℃)에서 90초 동안 다시 가열(bake)하였다. 가열된 웨이퍼를 2.38 중량% 테트라메틸암모늄하이드록사이드(TMAH) 수용액에 30초 동안 침지하여 현상함으로서, 0.15㎛의 동일 라인 및 스페이스 패턴을 형성하였다. 얻어진 포토레지스트 패턴의 선폭 변화를 조사하여, 그 결과를 하기 표 1에 나타내었다.
해상도(nm) 선폭변화크기(nm)
실시예 3-1(화학식 2a) 150 3.2
실시예 3-2(화학식 3a) 150 3.3
비교예 2(화학식 9) 150 5.2
상기 표 1로부터 본 발명에 따른 감광성 고분자(화학식 2a 및 화학식 3a)를 포함하는 포토레지스트 조성물은 통상적인 화학증폭용 감광성 고분자(화학식 9)를 포함하는 포토레지스트 조성물보다 ArF 노광원 하에서, 선폭 안정성이 우수함을 알 수 있다.
[실시예 4-1 내지 4-2, 비교예 3] 포토레지스트 조성물을 사용한 노광(EUV) 패턴형성
상기 실시예 2-1, 2-2 및 비교예 1에서 제조한 포토레지스트 조성물을 0.1㎛의 두께로 헥사메틸디실라잔(HMDS)으로 처리된 실리콘 웨이퍼의 피식각층 상부에 스핀 코팅하여 포토레지스트 박막을 제조하고, EUV 노광장비를 이용한 것을 제외하고는 상기 실시예 3-1과 동일한 방법으로 50nm 동일 라인 및 스페이스 패턴을 형성하였다. 얻어진 포토레지스트 패턴의 선폭 변화를 조사하여, 그 결과를 하기 표 2에 나타내었다.
해상도(nm) 선폭변화크기(nm)
실시예 4-1(화학식 2a) 50 3.6
실시예 4-2(화학식 3a) 50 3.2
비교예 3(화학식 9) 50 5.2
상기 표 2로부터, 본 발명에 따른 감광성 고분자(화학식 2a 및 화학식 3a)를 포함하는 포토레지스트 조성물은 통상적인 화학증폭용 감광성 고분자(화학식 9)를 포함하는 포토레지스트 조성물보다 EUV 노광원 하에서, 선폭 안정성이 우수함을 알 수 있다.
이상 상술한 바와 같이, 본 발명에 따른 감광성 고분자 및 이를 포함하는 포토레지스트 조성물은 극자외선 및 심자외선을 이용한 노광 후, 현상 처리 시 얻어지는 선폭의 변화가, 기존의 미세 패턴을 얻기 위해 사용된 화학증폭형 레지스트에 비하여 안정적이다.

Claims (12)

  1. 하기 화학식 1로 표시되는 반복단위를 포함하는 극자외선 및 심자외선용 감광성 고분자.
    [화학식 1]
    Figure 112006057393603-pat00041
    상기 화학식 1에서, R1 및 R1'는 각각 독립적으로 수소, 메틸기 또는 트리플로오로메틸기이며, R2는 탄소수 4 내지 12의 고리 화합물이고, R3은
    Figure 112006057393603-pat00042
    이며, 여기서 Ra 및 Rb는 각각 독립적으로 탄소수 1 내지 10의 알킬기, 탄소수 6 내지 10의 아릴기 또는 탄소수 7 내지 12의 아릴알킬기이고, 상기 Ra 및 Rb는 서로 연결되어 고리를 형성할 수 있으며, a 및 b는 상기 감광성 고분자를 구성하는 전체 반복 단위에 대한 각 반복단위의 몰%로서, 각각 독립적으로 1~99몰% 및 1~99몰%이다.
  2. 제 1항에 있어서, 상기 R2는
    Figure 112006057393603-pat00043
    ,
    Figure 112006057393603-pat00044
    ,
    Figure 112006057393603-pat00045
    ,
    Figure 112006057393603-pat00046
    ,
    Figure 112006057393603-pat00047
    ,
    Figure 112006057393603-pat00048
    및
    Figure 112006057393603-pat00049
    로 이루어진 군으로부터 선택되고, R3은
    Figure 112006057393603-pat00050
    ,
    Figure 112006057393603-pat00051
    및
    Figure 112006057393603-pat00052
    로 이루어진 군으로부터 선택되는 것인 감광성 고분자.
  3. 제 1항에 있어서, 상기 감광성 고분자는 하기 화학식 2 및 3으로 표시되는 것으로부터 선택되는 것인 감광성 고분자.
    [화학식 2]
    Figure 112007054103486-pat00053
    상기 화학식 2에서, R1, R1', R2 및 R3은 상기 화학식 1에서 정의한 바와 같고, R1''는 수소, 메틸기 또는 트리플로오로메틸기이며, R4는 광 및 산에 반응하지 않는 비활성기인 벤젠 유도체이며, a, b 및 c는 상기 감광성 고분자를 구성하는 전체 반복 단위에 대한 상기 반복단위의 몰%로서, 각각 독립적으로 1~98몰%, 1~98몰%, 1~98몰%이다.
    [화학식 3]
    Figure 112007054103486-pat00054
    상기 화학식 3에서, R1, R1', R2, R3는 상기 화학식 1에서 정의한 바와 같고,
    R1'''는 수소, 메틸기 또는 트리플로오로메틸기이며, R6은 산에 의해 분해되는 탈보호기를 갖는 탄소수 4 내지 22의 알킬기 또는 사이크로알킬기이며, a, b 및 c는 상기 감광성 고분자를 구성하는 전체 반복 단위에 대한 상기 반복단위의 몰%로서, 각각 독립적으로 1~98몰%, 1~98몰%, 1~98몰%이다.
  4. 제 3항에 있어서, 상기 R4는
    Figure 112006057393603-pat00055
    (여기서, R5는 수소, 메틸기, t-부틸기, -C(CH2CH3)3 또는 -C(CH(CH3)CH3)3이다.)이고, R6은
    Figure 112006057393603-pat00056
    ,
    Figure 112006057393603-pat00057
    , ,
    Figure 112006057393603-pat00059
    ,
    Figure 112006057393603-pat00060
    ,
    Figure 112006057393603-pat00061
    ,
    Figure 112006057393603-pat00062
    ,
    Figure 112006057393603-pat00063
    ,
    Figure 112006057393603-pat00064
    및
    Figure 112006057393603-pat00065
    로 이루어진 군으로부터 선택되는 것인 감광성 고분자.
  5. 제 3항에 있어서, 상기 감광성 고분자는 하기 화학식 2a 및 3a로 표시되는 것으로부터 선택되는 것인 감광성 고분자
    [화학식 2a]
    Figure 112007054103486-pat00066
    상기 화학식 2a에서, R1, R1', R1'', a, b 및 c는 상기 화학식 2에서 정의한 바와 같다.
    [화학식 3a]
    Figure 112007054103486-pat00067
    상기 화학식 3a에서, R1, R1', R1''', a, b 및 c는 상기 화학식 3에서 정의한 바와 같다.
  6. 하기 화학식 1로 표시되는 반복 단위를 포함하는 감광성 고분자 및 유기용매를 포함하는 포토레지스트 조성물.
    [화학식 1]
    Figure 112006057393603-pat00068
    상기 화학식 1에서, R1 및 R1'는 각각 독립적으로 수소, 메틸기 또는 트리플로오로메틸기이며, R2는 탄소수 4 내지 12의 고리 화합물이고, R3은
    Figure 112006057393603-pat00069
    이며, 여기서 Ra 및 Rb는 각각 독립적으로 탄소수 1 내지 10의 알킬기, 탄소수 6 내지 10의 아릴기 또는 탄소수 7 내지 12의 아릴알킬기이고, 상기 Ra 및 Rb는 서로 연결되어 고리를 형성할 수 있으며, a 및 b는 상기 감광성 고분자를 구성하는 전체 반복 단위에 대한 각 반복단위의 몰%로서, 각각 독립적으로 1~99몰% 및 1~99몰%이다.
  7. 제 6항에 있어서, 상기 포토레지스트 조성물은 전체 포토레지스트 조성물에 대하여 0.1 내지 30중량%의 감광성 고분자 및 나머지 유기용매로 이루어진 것인 포토레지스트 조성물.
  8. 제 6항에 있어서, 상기 포토레지스트 조성물은 광산 발생제를 더욱 포함하며, 상기 광산발생제의 함량은 상기 감광성 고분자 100중량부에 대해 0.1 내지 20중량부인 것인 포토레지스트 조성물.
  9. 제 6항에 있어서, 상기 유기용매는 에틸렌글리콜모노메틸에틸, 에틸렌글리콜모노에틸에테르, 에틸렌글리콜모노메틸에테르, 디에틸렌글리콜모노에틸에테르, 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트(PGMEA), 톨루엔, 크실렌, 메틸에틸케톤, 시클로헥산온, 2-히드록시프로피온에틸, 2-히드록시 2-메틸프로피온산에틸, 에톡시초산에틸, 히드록시초산에틸, 2-히드록시 3-메틸부탄산메틸, 3-메톡시 2- 메칠프로피온산메틸, 3-에톡시프로피온산에틸, 3-메톡시 2-메틸프로피온산에틸, 초산에틸, 초산부틸 및 이들의 혼합물로 구성되는 군으로부터 선택되는 것인 포토레지스트 조성물.
  10. 제 8항에 있어서, 상기 광산 발생제는 프탈이미도트리플루오로메탄술포네이트, 디니트로벤질토실레이트, n-데실디술폰, 나프틸이미도트리플루오로메탄술포네이트, 디페닐요도염 헥사플루오로포스페이트, 디페닐요도염 헥사플루오로 아르세네이트, 디페닐요도염 헥사플루오로 안티모네이트, 디페닐파라메톡시페닐설포늄 트리플레이트, 디페닐파라톨루에닐설포늄 트리플레이트, 디페닐파라이소부틸페닐설포늄 트리플레이트, 트리페닐설포늄 헥사플루오로 아르세네이트, 트리페닐설포늄 헥사플루오로 안티모네이트, 트리페닐설포늄 트리플레이트, 디부틸나프틸설포늄 트리플레이트 및 이들의 혼합물로 구성되는 군으로부터 선택되는 것인 포토레지스트 조성물.
  11. 하기 화학식 1로 표시되는 반복 단위를 포함하는 감광성 고분자 및 유기용매를 포함하는 포토레지스트 조성물을 기판에 도포하여 포토레지스트막을 형성하는 단계; 및
    상기 포토레지스트막을 소정 패턴으로 노광한 다음, 노광된 포토레지스트 패턴을 노광 후 가열하고, 현상하는 단계를 포함하는 포토레지스트 패턴의 형성방법.
    [화학식 1]
    Figure 112006057393603-pat00070
    상기 화학식 1에서, R1 및 R1'는 각각 독립적으로 수소, 메틸기 또는 트리플로오로메틸기이며, R2는 탄소수 4 내지 12의 고리 화합물이고, R3은
    Figure 112006057393603-pat00071
    이며, 여기서 Ra 및 Rb는 각각 독립적으로 탄소수 1 내지 10의 알킬기, 탄소수 6 내지 10의 아릴기 또는 탄소수 7 내지 12의 아릴알킬기이고, 상기 Ra 및 Rb는 서로 연결되어 고리를 형성할 수 있으며, a 및 b는 상기 감광성 고분자를 구성하는 전체 반복 단위에 대한 각 반복단위의 몰%로서, 각각 독립적으로 1~99몰% 및 1~99몰%이다.
  12. 제 11항에 있어서, 상기 포토레지스트 조성물은 광산 발생제를 더욱 포함하는 것인 포토레지스트 패턴의 형성방법.
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Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5835532A (ja) 1981-08-28 1983-03-02 Pilot Pen Co Ltd:The 感光性材料
JPS59154443A (ja) 1983-02-22 1984-09-03 Dainippon Ink & Chem Inc 感光性組成物
KR20050120269A (ko) * 2004-06-18 2005-12-22 주식회사 하이닉스반도체 수용성 네가티브 포토레지스트 중합체 및 이를 포함하는조성물
KR20050120270A (ko) * 2004-06-18 2005-12-22 주식회사 하이닉스반도체 수용성 네가티브 포토레지스트 중합체 및 이를 포함하는조성물

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5835532A (ja) 1981-08-28 1983-03-02 Pilot Pen Co Ltd:The 感光性材料
JPS59154443A (ja) 1983-02-22 1984-09-03 Dainippon Ink & Chem Inc 感光性組成物
KR20050120269A (ko) * 2004-06-18 2005-12-22 주식회사 하이닉스반도체 수용성 네가티브 포토레지스트 중합체 및 이를 포함하는조성물
KR20050120270A (ko) * 2004-06-18 2005-12-22 주식회사 하이닉스반도체 수용성 네가티브 포토레지스트 중합체 및 이를 포함하는조성물

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