JP4056208B2 - 縮合環の芳香族環を含む保護基を有する感光性ポリマー及びこれを含むレジスト組成物 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は感光性ポリマー及びレジスト組成物に係り、特に縮合環の芳香族環を含む保護基を有する感光性ポリマー及びこれを含むレジスト組成物に関する。
【0002】
【従来の技術】
半導体製造工程が複雑になり半導体素子の集積度が増加するにつれて微細パターン形成が要求される。さらに、半導体素子の容量が1ギガビット級以上の素子でデザインルールが0.2μm以下のパターンサイズを具現することにおいて、既存のKrFエクサイマーレーザー(248nm)用レジスト材料を用いた微細パターン形成技術がたくさん研究されている。このように既存の技術を用いた微細パターン形成技術において、一番深刻に作用している問題としてレジスト材料の乾式蝕刻に対する耐性を挙げられる。特に、リソグラフィー技術を適用することにおいてパターンが段々微細化されるほど、希望のパターンを形成しようとする下部膜質上に塗布されるレジスト膜の厚さが段々薄くなる。従って、リソグラフィー工程の後続工程の乾式蝕刻工程時、下部膜質とレジスト膜との蝕刻選択比を確保するためには乾式蝕刻に対する耐性を確保する必要がある。
【0003】
一般に、リソグラフィー工程を用いてレジストパターンを形成した後、後続の乾式蝕刻工程でプラズマガスを用いて、例えばシリコン酸化膜のような下部膜質に対して乾式工程を行なう時、前記レジストパターンは前記下部膜質に対してマスク層の役割をする。この際、前記レジストパターンの乾式蝕刻に対する耐性がよくない場合には、前記下部膜質を希望の形状で蝕刻し難いだけでなくパターンのCD(critical dimension)が変わるため、例えば大きいアスペクト比を有する深くて小さなコンタクトホールを希望の通りに形成することが不可能である。
【0004】
従って、近来にはレジスト膜を用いた乾式蝕刻時の問題点を乗り越えるためにハードマスクを使用する工程を用いている。しかし、ハードマスクを適用した工程は非常に複雑なだけでなく素子の製造コスト面でも非常に不利である。従って、実際素子を生産する立場ではハードマスクを適用することが望ましくないことと認識されている。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
本発明の目的は、前記従来の技術の問題点を解決しようとすることであって、製造コストが低いし乾式蝕刻に対する充分の耐性を提供できるポリマーを提供することにある。
【0006】
本発明の他の目的は、アスペクト比が大きい微細パターンを形成する場合にも下部膜質との優れた蝕刻選択比を提供して、乾式蝕刻に対する充分な耐性を提供できるレジスト組成物を提供することにある。
【0007】
【課題を解決するための手段】
前記目的を達成するために、本発明に係る感光性ポリマーは、次の式(3)または(7)の構造を有することを特徴とする:
【0008】
【化9】
【0009】
式中、R 1 は水素原子またはC 1 〜C 4 のアルキル基で、Yは水素原子、アルキル基、アルコキシ基またはtert−ブトキシカルボニルオキシ基で、Zは水素原子またはメチル基であり、lとmとnとは整数であって、l/(l+m+n)は0.05〜0.4で、n/(l+m+n)は0.1〜0.3で、yは1〜3の整数で、y=2以上のとき前記縮合環の芳香族環は線形環または分岐環である、
【0010】
【化10】
【0011】
式中、R 1 は水素原子またはC 1 〜C 4 のアルキル基で、R 2 は水素原子、ヒドロキシ基、カルボキシル基またはtert−ブチルエステル基で、Zは水素原子またはメチル基で、lとmとnとは整数であって、l/(l+m+n)は0.3〜0.6で、m/(l+m+n)は0.3〜0.5で、n/(l+m+n)は0.1〜0.4で、yは1〜3の整数で、y=2以上のとき前記縮合環の芳香族環は線形環または分岐環である。
【0012】
感光性ポリマーは、3,000〜50,000の重量平均分子量(Mw)を有することが好ましい。
【0029】
前記他の目的を達成するために、本発明に係るレジスト組成物は、(a)請求項1に記載の感光性ポリマーと、(b)光酸発生剤とを含むことを特徴とする:
【0032】
前記光酸発生剤(PAG)は、前記感光性ポリマーの質量を基準として0.5〜10質量%の量で含まれる。
【0033】
前記光酸発生剤は、トリアリールスルホニウム塩、ジアリールヨードニウム、スルホン酸塩またはその混合物である。
【0034】
本発明に係るレジスト組成物は有機塩基をさらに含むことができる。この時、前記有機塩基は、前記光酸発生剤の質量を基準として0.5〜50質量%の量で含まれる。
【0035】
前記有機塩基は、3次アミン、望ましくはトリエタノールアミン、トリイソブチルアミン、トリイソオクチルアミン、トリイソデシルアミンまたはその混合物である。
【0037】
本発明に係る感光性ポリマーに含まれる保護基は、多様な構造を有する縮合環の芳香族環を含むことができる。本発明に係る感光性ポリマーのバックボーンに結合可能な保護基の代表的な例を式(8)乃至式(14)に示す。
【0038】
【化17】
【0039】
【化18】
【0040】
【化19】
【0041】
【化20】
【0042】
【化21】
【0043】
【化22】
【0044】
【化23】
【0045】
式(8)乃至式(12)において、Rは水素原子またはC1〜C4のアルキル基である。本発明に係る感光性ポリマーを構成するバックボーンとして多様なものを使用でき、一番代表的なものとしてアクリレートバックボーン、メタクリレートバックボーン、ノルボルネンバックボーンを挙げられる。本発明に係る感光性ポリマーを構成できるモノマーまたはポリマーの各製造方法は、次に詳細に記述する本発明の具体的な実施例で例示する方法と同じ方法で容易に製造できる。
【0046】
本発明に係る感光性ポリマーは、酸により分解可能な縮合環の芳香族環を含んでいるので乾式蝕刻に対する強い耐性を提供でき、これより得られるレジスト組成物は露光部と非露光部においてアルカリ性現像液に対する溶解度差が非常に大きくてレジスト膜のコントラストを増加させられる。
【0047】
本発明に係るレジスト組成物は、実際にレジスト膜のパタニング時に用いられるエネルギー波長でKrF用またはArF用レジスト材料として非常に有用に使われることができる。
【0048】
【発明の実施の形態】
次に本発明の望ましい実施例に対して詳細に説明する。
【0049】
<実施例1>
1−ナフタリンメチルアクリレートの合成
【0050】
【化24】
【0051】
三口の丸底フラスコに水素化ナトリウム(50%−NaH,0.12モル)を無水テトラヒドロフラン(tetrahydrofuran; 以下、”THF”という)300mlと共に溶かした後、ここに1−ナフタリンメタノール(18g,0.11モル)を常温で徐々に滴下して約1時間反応させた。その後、得られた反応物に塩化アクリロイル(9g,0.1モル)を常温で徐々に滴下して約20時間反応させた。
【0052】
反応が終わった後、得られた反応物から過量のTHFを回転蒸発濃縮器を用いて除去し、過量の水に入れた後、ここに塩酸を入れて中和させた。その後、ジエチルエーテルを用いて抽出した。
【0053】
得られた抽出物をMgSO4を用いて乾燥させた後、溶剤を蒸発させ、得られた粗生成物からカラムクロマトグラフィー(n−ヘキサン:エチルアセテート=8:1)を用いて希望の生成物を得た。
【0054】
<実施例2>
1−ナフタリンメチルメタクリレートの合成
塩化メタクリロイルを使用して実施例1と同じ方法で希望の生成物を得た。(収率40%)
<実施例3>
9−アントラセンメチルアクリレートの合成
9−アントラセンメタノールと塩化アクリロイルを用いて実施例1と同じ方法で希望の生成物を得た。
【0055】
<実施例4>
9−アントラセンメチルメタクリレートの合成
9−アントラセンメタノールと塩化メタクリロイルを用いて実施例3と同じ方法で希望の生成物を得た。
【0056】
<実施例5>
1−ナフタリン−1−エチルアクリレートの合成
【0057】
【化25】
【0058】
三口の丸底フラスコに臭素化メチルマグネシウム(2モル−THF溶液、100ml)を無水THF 100mlと共に溶かした後、ここに1−ナフトアルデヒド(23g,0.15モル)を常温で徐々に滴下して約4時間反応させた。その後、得られた反応物に塩化アクリロイル(12g,0.13モル)を常温で徐々に滴下して約20時間反応させた。
【0059】
反応が終わった後、得られた反応物から過量のTHFを回転蒸発濃縮器を用いて除去し、過量の水に入れた後、ここに希釈硫酸を入れて中和させた。その後、ジエチルエーテルを用いて抽出した。
【0060】
得られた抽出物をMgSO4を用いて乾燥させた後、溶剤を蒸発させ、カラムクロマトグラフィー(n−ヘキサン:エチルアセテート=8:1)を用いて得られた粗生成物から希望の生成物を得た。(収率50%)
<実施例6>
1−ナフタリン−1−メチルメタクリレートの合成
塩化メタクリロイルを使用して実施例5と同じ方法で希望の生成物を得た。(収率40%)
<実施例7>
9−アントラセン−1−メチルアクリレートの合成
9−アントロアルデヒドと臭素化メチルマグネシウムを用いて実施例5と同じ方法で希望の生成物を得た。
【0061】
<実施例8>
9−アントラセン−1−メチルメタクリレートの合成
9−アントロアルデヒドと塩化メタクリロイルを用いて実施例7と同じ方法で希望の生成物を得た。
【0062】
<実施例9>
ホモポリマーの合成
実施例1で合成した1−ナフタリンメチルアクリレート(2g,9ミリモル)を無水THF10gに溶かした後、ここにAIBN(azobisisobutyronitril)(0.1g,6モル%)を共に入れて液体窒素(N2)を用いてパージした後、密封して約65℃の温度で約20時間重合させた。
【0063】
重合が終わった後、反応容器に少量のTHFを添加して希釈し、これを過量のn−ヘキサン(10倍)に滴下しながら徐々に沈殿させた。
【0064】
得られた沈殿物をガラスフィルターを用いてろ過した後、適当量のTHFに溶かし、過量のメタノール(10倍)で再沈殿させた後、得られた沈殿物を50℃で維持される真空オブンで約24時間乾燥させて希望の生成物を得た。(収率80%)
この際、得られた生成物の重量平均分子量(Mw)は21,000で、多分散度(Mw/Mn)は1.9であった。
【0065】
また、実施例2乃至実施例8で合成したモノマーを前記説明した方法と同じ方法で重合してそれぞれのホモポリマーを得ることができた。この際、得られた収率は70〜85%であった。
【0066】
<実施例10>
コポリマーの合成
【0067】
【化26】
【0068】
実施例1で合成した1−ナフタリンメチルアクリレート(2g,9ミリモル)と4−ヒドロキシスチレン(2.5g,21ミリモル)を無水THF 18gに溶かした後、ここにAIBN(0.3g,6モル%)を共に入れて液体窒素(N2)を用いて充分にパージした後、密封して約65℃の温度で約24時間重合させた。
【0069】
重合が終わった後、反応容器に少量のTHFを添加して希釈し、これを過量のn−ヘキサン(10倍)に滴下しながら徐々に沈殿させた。
【0070】
得られた沈殿物をガラスフィルターを用いてろ過した後、適当量のTHFに溶かし、過量のメタノール(10倍)で再沈殿させた後、得られた沈殿物を50℃で維持される真空オブンで約24時間乾燥させて希望の生成物を得た。(収率85%)
この際、得られた生成物の重量平均分子量(Mw)は17,000で、多分散度(Mw/Mn)は2.0であった。
【0071】
<実施例11>
コポリマーの合成
【0072】
【化27】
【0073】
実施例5で合成した1−ナフタリン−1−エチルアクリレート(2.3g,10ミリモル)と無水マレイン酸(2g,20ミリモル)を無水THF 4gに溶かした後、ここにAIBN(0.25g,5モル%)を共に入れて液体窒素(N2)を用いて充分にパージした後、密封して約65℃の温度で約24時間重合させた。
【0074】
重合が終わった後、反応容器に少量のTHFを添加して希釈し、これを過量のn−ヘキサン(10倍)に滴下しながら徐々に沈殿させた。
【0075】
得られた沈殿物をガラスフィルターを用いてろ過した後、適当量のTHFに溶かし、過量のイソプロピルアルコール(10倍)で再沈殿させた後、得られた沈殿物を50℃で維持される真空オブンで約24時間乾燥させて希望の生成物を得た。(収率65%)
この際、得られた生成物の重量平均分子量(Mw)は11,000で、多分散度(Mw/Mn)は1.8であった。
【0076】
<実施例12>
コポリマーの合成
実施例1乃至実施例8で合成したモノマーを4−ヒドロキシスチレンまたは無水マレイン酸のようなコモノマーと共に実施例10または実施例11と同じ方法で重合してコポリマーを得ることができた。ここで、実施例1乃至実施例8で合成したモノマーの添加量は、それぞれの場合において全体モノマー濃度を基準として20〜50モル%程度の範囲とした。
【0077】
<実施例13>
ターポリマーの合成
【0078】
【化28】
【0079】
実施例1で合成した1−ナフタリンメチルアクリレート(2g,9ミリモル)、4−ヒドロキシスチレン(3.2g,27ミリモル)及びtert−ブトキシカルボニルオキシスチレン(2g,9ミリモル)を無水THF 30gに溶かした後、ここにAIBN(0.44g,6モル%)を共に入れて液体窒素(N2)を用いて充分にパージした後、密封して約65℃の温度で約24時間重合させた。
【0080】
重合が終わった後、反応容器に少量のTHFを添加して希釈し、これを過量のn−ヘキサン(10倍)に滴下しながら徐々に沈殿させた。
【0081】
得られた沈殿物をガラスフィルターを用いてろ過した後、適当量のTHFに溶かし、過量のメタノール(10倍)で再沈殿させた後、得られた沈殿物を50℃で維持される真空オブンで約24時間乾燥させて希望の生成物を得た。(収率81%)
この際、得られた生成物の重量平均分子量(Mw)は14,000で、多分散度(Mw/Mn)は1.8であった。
【0082】
<実施例14>
ターポリマーの合成
【0083】
【化29】
【0084】
実施例1で合成した1−ナフタリンメチルアクリレート(4.3g,20ミリモル)、無水マレイン酸(5.9g,60ミリモル)及びtert−ブチルアクリレート(1.3g,10ミリモル)を無水THF 30gに溶かした後、ここにAIBN(0.74g,5モル%)を共に入れて液体窒素(N2)を用いて充分にパージした後、密封して約65℃の温度で約24時間重合させた。
【0085】
重合が終わった後、反応容器に少量のTHFを添加して希釈し、これを過量のn−ヘキサン(10倍)に滴下しながら徐々に沈殿させた。
【0086】
得られた沈殿物をガラスフィルターを用いてろ過した後、適当量のTHFに溶かし、過量のイソプロピルアルコール(10倍)で再沈殿させた後、得られた沈殿物を50℃で維持される真空オブンで約24時間乾燥させて希望の生成物を得た(収率71%)。
【0087】
この際、得られた生成物の重量平均分子量(Mw)は12,500で、多分散度(Mw/Mn)は1.9であった。
【0088】
<実施例15>
ターポリマーの合成
実施例1乃至実施例8で合成したモノマーを4−ヒドロキシスチレンコモノマー(第1コモノマー)と、例えばtert−ブチルアクリレート、tert−ブチルメタクリレート、tert−ブトキシカルボニルオキシスチレンのように多い保護基を有するコモノマー(第2コモノマー)と共に実施例13でと同じ方法で重合してターポリマーを得ることができた。ここで、実施例1乃至実施例8で合成したモノマーの添加量は、それぞれの場合において全体モノマー濃度を基準として10〜40モル%程度の範囲とした(収率70〜80%)。
【0089】
<実施例16>
ターポリマーの合成
実施例1乃至実施例8で合成したモノマーを無水マレイン酸コモノマー(第1コモノマー)と、例えばtert−ブチルアクリレート、tert−ブチルメタクリレート、ノルボルネン誘導体、tert−ブトキシカルボニルオキシスチレンのように多い保護基を有するコモノマー(第2コモノマー)と共に実施例13でと同じ方法で重合してターポリマーを得ることができた。ここで、実施例1乃至実施例8で合成したモノマーの添加量は、それぞれの場合において全体モノマー濃度を基準として10〜40モル%程度の範囲とした(収率60〜75%)。
【0090】
<実施例17>
レジスト組成物の製造
実施例9で合成したそれぞれのホモポリマー1gを各々PAGのトリフェニルスルホニウムトリフレート0.03gと共にプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート(propylene glycol monomethyl ether acetate: PGMEA)8g溶液に溶かした後、ここに有機塩基のトリイソブチルアミン3〜10mgを添加して完全に溶かした。
【0091】
その後、前記溶液を1.0μm及び0.2μmメンブランフィルターを用いてろ過してレジスト組成物を得た。その後、複数のシリコンウェーハを準備し、前記シリコンウェーハを各々ヘキサメチルジシラザン(hexamethyldisilazane:HMDS)で処理した後、それぞれのシリコンウェーハ上に前記レジスト組成物を各々約3000〜4000Åの厚さでコーティングした。
【0092】
レジスト組成物がコーティングされた前記各ウェーハを120〜140℃の温度範囲で60〜90秒間プレベーキングし、特定のエクサイマーレーザーのステッパを用いて露光した後、120〜140℃の温度範囲で60〜90秒間PEB(post-exposure baking)を実施した。
【0093】
その後、前記ウェーハをIPA(isopropyl alcohol)及び2.38重量%テトラメチルアンモニウムヒドロキシド(tetramethylammonium hydroxide: TMAH)の混合溶液(30重量%IPA含有)を使用してディッピング方式で現像した。
【0094】
<実施例18>
レジスト組成物の製造
実施例10で合成したそれぞれのホモポリマー1gをPAGのトリフェニルスルホニウムトリフレート0.02gと共にPGMEA溶液7gに溶かした後、ここに有機塩基のトリイソブチルアミン2mgを添加して完全に溶かした。
【0095】
その後、前記溶液を1.0μm及び0.2μmメンブランフィルターを用いてろ過してレジスト組成物を得た。その後、HMDSで表面処理したシリコンウェーハ上に前記レジスト組成物を各々約4000Åの厚さでコーティングした。
【0096】
レジスト組成物がコーティングされた前記各ウェーハを130℃で90秒間プレベーキングし、KrFエクサイマーレーザーのステッパ(NA=0.45、σ=0.75)を用いて露光した後、120℃で90秒間PEBを実施した。
【0097】
その後、前記ウェーハを2.38重量%のTMAH溶液を使用して60秒間パドル方式で現像してレジストパターンを形成した。その結果、露光ドーズ量を約35〜40mJ/cm2とした時280nm(1:1ラインアンドスペース)パターンが得られることを確認した。
【0098】
<実施例19>
レジスト組成物の製造
実施例11で合成したコポリマー1gをPAGのトリフェニルスルホニウムトリフレート0.02gと共にPGMEA溶液9gに溶かした後、ここに有機塩基のトリイソブチルアミン2mgを添加して完全に溶かした。
【0099】
その後、前記溶液を1.0μm及び0.2μmメンブランフィルターを用いてろ過してレジスト組成物を得た。その後、HMDSで表面処理したシリコンウェーハ上に前記レジスト組成物を各々約2500Åの厚さでコーティングした。
【0100】
レジスト組成物がコーティングされた前記各ウェーハを130℃で90秒間プレベーキングし、ArFエクサイマーレーザーのステッパ(NA=0.60、σ=0.75)を用いて露光した後、120℃で90秒間PEBを実施した。
【0101】
その後、前記ウェーハを2.38重量%のTMAH溶液を使用して60秒間パドル方式で現像してレジストパターンを形成した。その結果、露光ドーズ量を約35〜40mJ/cm2とした時220nm(1:1ラインアンドスペース)パターンが得られることを確認した。
【0102】
<実施例20>
レジスト組成物の製造
実施例13で合成したターポリマー1gをPAGのトリフェニルスルホニウムトリフレート0.02gと共にPGMEA溶液7gに溶かした後、ここに有機塩基のトリイソデシルアミン3mgを添加して完全に溶かした。
【0103】
その後、前記溶液を1.0μm及び0.2μmメンブランフィルターを用いてろ過してレジスト組成物を得た。その後、HMDSで表面処理したシリコンウェーハ上に前記レジスト組成物を各々約4000Åの厚さでコーティングした。
【0104】
レジスト組成物がコーティングされた前記ウェーハを115℃で90秒間プレベーキングし、KrFエクサイマーレーザーのステッパ(NA=0.45、σ=0.75)を用いて露光した後、110℃で90秒間PEBを実施した。
【0105】
その後、前記ウェーハを2.38重量%のTMAH溶液を使用して60秒間パドル方式で現像してレジストパターンを形成した。その結果、露光ドーズ量を約25〜30mJ/cm2とした時280nm(1:1ラインアンドスペース)パターンが得られることを確認した。
【0106】
<実施例21>
レジスト組成物の製造
実施例14で合成したターポリマー1gをPAGのトリフェニルスルホニウムトリフレート0.02gと共にPGMEA溶液9gに溶かした後、ここに有機塩基のトリイソデシルアミン3mgを添加して完全に溶かした。
【0107】
その後、前記溶液を1.0μm及び0.2μmメンブランフィルターを用いてろ過してレジスト組成物を得た。その後、HMDSで表面処理したシリコンウェーハ上に前記レジスト組成物を各々約2500Åの厚さでコーティングした。
【0108】
レジスト組成物がコーティングされた前記ウェーハを130℃で90秒間プレベーキングし、ArFエクサイマーレーザーのステッパ(NA=0.60、σ=0.75)を用いて露光した後、120℃で90秒間PEBを実施した。
【0109】
その後、前記ウェーハを2.38重量%のTMAH溶液を使用して60秒間パドル方式で現像してレジストパターンを形成した。その結果、露光ドーズ量を約7〜13mJ/cm2とした時200nm(1:1ラインアンドスペース)パターンが得られることを確認した。
【0110】
露光メカニズム
本発明に係る感光性ポリマーの露光メカニズムは次の通りである。
【0111】
【化30】
【0112】
式中、R1及びyは前に定義した通りである。前記露光メカニズムで分かるように、本発明に係る感光性ポリマーのバックボーンにエステル基の形態で置換されている縮合環の芳香族環でα−位置の炭素陽イオンが安定化しているので、前記感光性ポリマーに結合されている保護基は酸(H+)存在下に容易に加水分解できる。従って、前記感光性ポリマーを含むレジスト組成物から得られたレジスト膜のパタニング時、前記レジスト膜の露光部と非露光部においてアルカリ性現像液に対する溶解度差が非常に大きくて、前記レジスト膜のコントラストを高められる。
【0113】
【発明の効果】
本発明に係る感光性ポリマーは、そのバックボーンに乾式蝕刻に対して強い耐性を提供できる縮合環の芳香族環を含む置換基が結合している。したがって、本発明に係る感光性ポリマーは乾式蝕刻に対する強い耐性を提供でき、これより得られるレジスト組成物は、露光部と非露光部において、アルカリ性現像液に対する溶解度差が非常に大きくてレジスト膜のコントラストを高められる。
【0114】
本発明に係る感光性ポリマーの置換基に含まれている縮合環の芳香族環は、乾式蝕刻に対する強い耐性を提供する以外にも酸により分解可能な保護基としての役割をする。本発明に係る感光性ポリマーに含まれた縮合環の芳香族環基はUV吸収特性を有しているので、本発明に係る感光性ポリマーから得られるレジスト組成物は、実際にレジスト膜のパタニング時に用いられるエネルギー波長でKrF用またはArF用レジスト材料として非常に有用に使える。
【0115】
また、本発明に係る感光性ポリマーに含まれている酸により分解可能な縮合環の芳香族環基は、その種類によって実際にレジスト膜のパタニング時に用いられるエネルギー波長で多様な吸光度を示す。したがって、前記エネルギー波長領域で非常に強い吸光度を示す種類の芳香族環基を有する感光性ポリマーから得られるレジスト組成物はBARL(bottom anti-reflective layer)材料として使うことが可能である。特に、次世代ArFリソグラフィーの使用に適したBARL用材料としての役割を期待できる。
【0116】
したがって、酸により分解可能な縮合環の芳香族環基を保護基として有する本発明に係る感光性ポリマーから得られるレジスト組成物は、既存のリソグラフィー技術をそのまま用いながらその技術的限界を乗り越えることを可能にし、かつ既存のリソグラフィー技術から次世代素子の開発を加速化できる。
【0117】
以上、本発明を望ましい実施例を挙げて詳細に説明したが、本発明は前記実施例に限定されず、本発明の技術的思想の範囲内で当分野で通常の知識を有する者によっていろいろな変形が可能である。
Claims (9)
- 次の式(3)または(7)の構造を有することを特徴とする感光性ポリマー:
- 3,000〜50,000の重量平均分子量(Mw)を有することを特徴とする請求項1に記載の感光性ポリマー。
- (a) 請求項1に記載の感光性ポリマーと、
(b) 光酸発生剤とを含むことを特徴とするレジスト組成物。 - 前記光酸発生剤は、前記感光性ポリマーの質量を基準として0.5〜10質量%の量で含まれることを特徴とする請求項3に記載のレジスト組成物。
- 前記光酸発生剤は、トリアリールスルホニウム塩、ジアリールヨードニウム、スルホン酸塩またはその混合物であることを特徴とする請求項3に記載のレジスト組成物。
- 有機塩基をさらに含むことを特徴とする請求項3に記載のレジスト組成物。
- 前記有機塩基は、前記光酸発生剤の質量を基準として0.5〜50質量%の量で含まれることを特徴とする請求項6に記載のレジスト組成物。
- 前記有機塩基は、3次アミンであることを特徴とする請求項6に記載のレジスト組成物。
- 前記有機塩基は、トリエタノールアミン、トリイソブチルアミン、トリイソオクチルアミン、トリイソデシルアミンまたはその混合物であることを特徴とする請求項8に記載のレジスト組成物。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020000053152A KR100734249B1 (ko) | 2000-09-07 | 2000-09-07 | 축합환의 방향족 환을 포함하는 보호기를 가지는 감광성폴리머 및 이를 포함하는 레지스트 조성물 |
KR00P53152 | 2000-09-07 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2002088124A JP2002088124A (ja) | 2002-03-27 |
JP4056208B2 true JP4056208B2 (ja) | 2008-03-05 |
Family
ID=19687983
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2000299878A Expired - Fee Related JP4056208B2 (ja) | 2000-09-07 | 2000-09-29 | 縮合環の芳香族環を含む保護基を有する感光性ポリマー及びこれを含むレジスト組成物 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6753125B2 (ja) |
JP (1) | JP4056208B2 (ja) |
KR (1) | KR100734249B1 (ja) |
Families Citing this family (40)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20030215736A1 (en) * | 2002-01-09 | 2003-11-20 | Oberlander Joseph E. | Negative-working photoimageable bottom antireflective coating |
US7070914B2 (en) * | 2002-01-09 | 2006-07-04 | Az Electronic Materials Usa Corp. | Process for producing an image using a first minimum bottom antireflective coating composition |
KR101003211B1 (ko) * | 2002-09-30 | 2010-12-21 | 니폰 제온 가부시키가이샤 | 감방사선성 수지 조성물, 및 수지 패턴막과 그것의 형성 방법 |
DE102004046405A1 (de) * | 2004-09-24 | 2006-04-06 | Infineon Technologies Ag | Copolymer, Zusammensetzung enthaltend das Copolymer und Verfahren zur Strukturierung eines Substrats unter Verwendung der Zusammensetzung |
EP1825325A4 (en) * | 2004-12-16 | 2010-05-26 | Ibm | LOW BREAKING INDEX POLYMERS AS UNDERLAYS FOR SILICONE PHOTORE LISTS |
US7326523B2 (en) * | 2004-12-16 | 2008-02-05 | International Business Machines Corporation | Low refractive index polymers as underlayers for silicon-containing photoresists |
JP4602807B2 (ja) * | 2005-03-18 | 2010-12-22 | Jsr株式会社 | スチレン系重合体およびその製造方法並びに屈折率変換材料および光−熱エネルギー変換蓄積材料 |
JP4697443B2 (ja) * | 2005-09-21 | 2011-06-08 | 信越化学工業株式会社 | ポジ型レジスト材料並びにこれを用いたパターン形成方法 |
EP1835341B1 (en) * | 2006-03-14 | 2009-06-24 | FUJIFILM Corporation | Positive resist composition and pattern forming method using the same |
TWI475323B (zh) * | 2006-03-14 | 2015-03-01 | Fujifilm Corp | 正型光阻組成物及使用它之圖案形成方法 |
JP4909768B2 (ja) * | 2006-03-14 | 2012-04-04 | 富士フイルム株式会社 | ポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法 |
TWI460535B (zh) * | 2007-03-12 | 2014-11-11 | 羅門哈斯電子材料有限公司 | 酚系聚合物及含該酚系聚合物之光阻 |
JP5039571B2 (ja) * | 2007-03-30 | 2012-10-03 | 富士フイルム株式会社 | レジスト組成物及びこれを用いたパターン形成方法 |
US20090042133A1 (en) * | 2007-08-10 | 2009-02-12 | Zhong Xiang | Antireflective Coating Composition |
JP5282385B2 (ja) * | 2007-09-18 | 2013-09-04 | 川崎化成工業株式会社 | ラジカル重合性組成物 |
KR100944227B1 (ko) * | 2007-12-17 | 2010-02-24 | 제일모직주식회사 | 방향족 산 분해성 기를 갖는 (메타)아크릴레이트 화합물 및감광성 고분자 및 레지스트 조성물 |
JP5237173B2 (ja) * | 2008-06-03 | 2013-07-17 | 信越化学工業株式会社 | 重合性化合物、高分子化合物及びポジ型レジスト材料並びにこれを用いたパターン形成方法 |
US8329387B2 (en) | 2008-07-08 | 2012-12-11 | Az Electronic Materials Usa Corp. | Antireflective coating compositions |
US8221965B2 (en) * | 2008-07-08 | 2012-07-17 | Az Electronic Materials Usa Corp. | Antireflective coating compositions |
JP5548406B2 (ja) | 2008-08-22 | 2014-07-16 | 東京応化工業株式会社 | ポジ型レジスト組成物、レジストパターン形成方法、高分子化合物 |
US20100092894A1 (en) * | 2008-10-14 | 2010-04-15 | Weihong Liu | Bottom Antireflective Coating Compositions |
JP5463963B2 (ja) * | 2009-03-09 | 2014-04-09 | 信越化学工業株式会社 | ポジ型レジスト材料並びにこれを用いたパターン形成方法 |
JP5407941B2 (ja) * | 2009-03-09 | 2014-02-05 | 信越化学工業株式会社 | ポジ型レジスト材料並びにこれを用いたパターン形成方法 |
JP5244657B2 (ja) | 2009-03-10 | 2013-07-24 | 東京応化工業株式会社 | ポジ型レジスト組成物、レジストパターン形成方法、高分子化合物 |
JP5264575B2 (ja) | 2009-03-11 | 2013-08-14 | 東京応化工業株式会社 | ポジ型レジスト組成物およびレジストパターン形成方法 |
JP5462681B2 (ja) * | 2009-11-11 | 2014-04-02 | 東京応化工業株式会社 | ポジ型レジスト組成物、レジストパターン形成方法、高分子化合物、化合物 |
US8507192B2 (en) * | 2010-02-18 | 2013-08-13 | Az Electronic Materials Usa Corp. | Antireflective compositions and methods of using same |
JP5534205B2 (ja) * | 2010-08-27 | 2014-06-25 | 日産化学工業株式会社 | 感光性レジスト下層膜形成組成物及びレジストパターンの形成方法 |
US8609319B2 (en) * | 2010-10-01 | 2013-12-17 | Jsr Corporation | Radiation-sensitive resin composition and resist film formed using the same |
JP5663409B2 (ja) * | 2011-06-07 | 2015-02-04 | 富士フイルム株式会社 | 感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、並びにそれを用いた感活性光線性又は感放射線性膜及びパターン形成方法 |
JP6002378B2 (ja) | 2011-11-24 | 2016-10-05 | 東京応化工業株式会社 | 高分子化合物の製造方法 |
US8795947B2 (en) | 2012-03-22 | 2014-08-05 | Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. | Resist composition and method of forming resist pattern |
US8795948B2 (en) | 2012-03-22 | 2014-08-05 | Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. | Resist composition, method of forming resist pattern and polymeric compound |
JP2013209573A (ja) * | 2012-03-30 | 2013-10-10 | Nippon Steel & Sumikin Chemical Co Ltd | アクリル樹脂組成物及びその硬化物 |
JP5582424B2 (ja) * | 2012-07-04 | 2014-09-03 | 川崎化成工業株式会社 | ラジカル重合性組成物の重合方法及びその重合物 |
JP5954269B2 (ja) * | 2013-07-10 | 2016-07-20 | 信越化学工業株式会社 | ポジ型レジスト材料及びこれを用いたパターン形成方法 |
KR102227564B1 (ko) * | 2014-01-20 | 2021-03-15 | 삼성디스플레이 주식회사 | 포토레지스트 조성물 |
JP7243180B2 (ja) * | 2017-12-25 | 2023-03-22 | 東ソー株式会社 | 光架橋性重合体、絶縁層及びこれを含む有機トランジスタデバイス |
GB201903420D0 (en) * | 2019-03-13 | 2019-04-24 | Nanotronix Inc | Photoresist |
CN114690557A (zh) | 2020-12-31 | 2022-07-01 | 罗门哈斯电子材料有限责任公司 | 光致抗蚀剂组合物及图案形成方法 |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4117239A (en) * | 1973-11-19 | 1978-09-26 | Xerox Corporation | Process for preparation of 2-anthryl and substituted 2-anthryl functional monomers and polymers |
US5178982A (en) * | 1989-08-21 | 1993-01-12 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Electrophotographic light-sensitive material |
JPH0524951A (ja) * | 1991-07-24 | 1993-02-02 | Unitika Ltd | 成形体表面の親水加工法 |
US5886102A (en) * | 1996-06-11 | 1999-03-23 | Shipley Company, L.L.C. | Antireflective coating compositions |
US7147983B1 (en) * | 1996-10-07 | 2006-12-12 | Shipley Company, L.L.C. | Dyed photoresists and methods and articles of manufacture comprising same |
KR100252061B1 (ko) * | 1998-04-20 | 2000-06-01 | 윤종용 | 포토레지스트용 중합체, 이를 포함하는 포토레지스트 조성물 및이의 제조방법 |
US6316165B1 (en) * | 1999-03-08 | 2001-11-13 | Shipley Company, L.L.C. | Planarizing antireflective coating compositions |
KR100395904B1 (ko) * | 1999-04-23 | 2003-08-27 | 주식회사 하이닉스반도체 | 유기 반사방지 중합체 및 그의 제조방법 |
US6890448B2 (en) * | 1999-06-11 | 2005-05-10 | Shipley Company, L.L.C. | Antireflective hard mask compositions |
KR100721182B1 (ko) * | 2000-06-30 | 2007-05-23 | 주식회사 하이닉스반도체 | 유기반사방지막 조성물 및 그의 제조방법 |
-
2000
- 2000-09-07 KR KR1020000053152A patent/KR100734249B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2000-09-29 JP JP2000299878A patent/JP4056208B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2001
- 2001-06-25 US US09/888,912 patent/US6753125B2/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2002088124A (ja) | 2002-03-27 |
KR20020023432A (ko) | 2002-03-29 |
US20020076641A1 (en) | 2002-06-20 |
US6753125B2 (en) | 2004-06-22 |
KR100734249B1 (ko) | 2007-07-02 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20041215 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20070629 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20070703 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20070919 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20071204 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20071211 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101221 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101221 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111221 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111221 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121221 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121221 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131221 Year of fee payment: 6 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |