KR100688594B1 - 축합환의 방향족 환을 포함하는 보호기를 가지는 감광성폴리머 및 이를 포함하는 레지스트 조성물 - Google Patents

축합환의 방향족 환을 포함하는 보호기를 가지는 감광성폴리머 및 이를 포함하는 레지스트 조성물 Download PDF

Info

Publication number
KR100688594B1
KR100688594B1 KR1020060104684A KR20060104684A KR100688594B1 KR 100688594 B1 KR100688594 B1 KR 100688594B1 KR 1020060104684 A KR1020060104684 A KR 1020060104684A KR 20060104684 A KR20060104684 A KR 20060104684A KR 100688594 B1 KR100688594 B1 KR 100688594B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
ring
resist composition
photosensitive polymer
hydrogen atom
aromatic ring
Prior art date
Application number
KR1020060104684A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20060118378A (ko
Inventor
최상준
강율
Original Assignee
삼성전자주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성전자주식회사 filed Critical 삼성전자주식회사
Priority to KR1020060104684A priority Critical patent/KR100688594B1/ko
Publication of KR20060118378A publication Critical patent/KR20060118378A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100688594B1 publication Critical patent/KR100688594B1/ko

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/039—Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists
    • G03F7/0392—Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists the macromolecular compound being present in a chemically amplified positive photoresist composition
    • G03F7/0395—Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists the macromolecular compound being present in a chemically amplified positive photoresist composition the macromolecular compound having a backbone with alicyclic moieties
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/0045—Photosensitive materials with organic non-macromolecular light-sensitive compounds not otherwise provided for, e.g. dissolution inhibitors
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/039—Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists
    • G03F7/0392—Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists the macromolecular compound being present in a chemically amplified positive photoresist composition
    • G03F7/0397—Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists the macromolecular compound being present in a chemically amplified positive photoresist composition the macromolecular compound having an alicyclic moiety in a side chain

Abstract

축합환의 방향족 환을 포함하는 보호기를 가지는 감광성 폴리머 및 이를 포함하는 레지스트 조성물에 관하여 개시한다. 본 발명에 따른 감광성 폴리머는, 폴리머 백본에 결합되는 보호기로서 산 존재 하에 쉽게 가수분해될 수 있고 다음 식으로 표시되는 축합환의 방향족 환을 포함하는, 산에 의해 분해 가능한 보호기를 포함한다.
Figure 112006077899583-pat00001
식중, R1은 수소 원자 또는 C1 ∼ C4의 알킬기이고, X는 수소 원자, 할로겐, 알킬기 또는 알콕시기이고, y는 1 ∼ 3의 정수이고, y = 2 이상일 때 상기 축합환의 방향족 환은 선형환 또는 분기상의 환으로 이루어진다.
측합환, 방향족 환, 감광성 폴리머, 보호기

Description

축합환의 방향족 환을 포함하는 보호기를 가지는 감광성 폴리머 및 이를 포함하는 레지스트 조성물{Photosensitive polymers having protective group including fused aromatic ring and resist compositions comprising the same}
본 발명은 감광성 폴리머 및 레지스트 조성물에 관한 것으로, 특히 축합환(縮合環)의 방향족 환(fused aromatic ring)을 포함하는 보호기를 가지는 감광성 폴리머 및 이를 포함하는 레지스트 조성물에 관한 것이다.
반도체 제조 공정이 복잡해지고 반도체 소자의 집적도가 증가함에 따라 미세한 패턴 형성이 요구된다. 더욱이, 반도체 소자의 용량이 1기가(Giga) 비트급 이상인 소자에서 디자인 룰이 0.2μm 이하인 패턴 사이즈를 구현하는 데 있어서, 기존의 KrF 엑시머 레이저(248nm)용 레지스트 재료를 이용한 미세 패턴 형성 기술들이 많이 연구되고 있다. 이와 같이 기존의 기술을 이용한 미세 패턴 형성 기술에 있어서 가장 심각하게 작용하고 있는 문제로서 레지스트 재료의 건식 식각에 대한 내성을 들 수 있다. 특히, 리소그래피 기술을 적용하는 데 있어서 패턴이 점차 미세화될수록 원하는 패턴을 형성하고자 하는 하부 막질 위에 도포되는 레지스트막의 두께가 점차 감소된다. 따라서, 리소그래피 공정의 후속 공정인 건식 식각 공정시 하 부 막질과 레지스트막과의 식각 선택비(selectivity)를 확보하기 위하여는 건식 시각에 대한 내성을 확보하는 것이 필요하다.
일반적으로, 리소그래피 공정을 이용하여 레지스트 패턴을 형성한 후, 후속의 건식 식각 공정에서 플라즈마 가스를 이용하여 예를 들면 실리콘 산화막과 같은 하부 막질에 대하여 건식 공정을 행할 때, 상기 레지스트 패턴은 상기 하부 막질에 대하여 마스크층 역할을 하게 된다. 이 때, 상기 레지스트 패턴의 건식 식각에 대한 내성이 좋지 않은 경우에는 상기 하부 막질을 원하는 형상으로 식각하는 것이 곤란할 뿐 만 아니라 패턴의 CD(critical dimension)가 변하기 때문에, 예를 들면 큰 아스펙트비(aspect ratio)를 가지는 깊고 작은 콘택홀을 원하는 바 대로 형성하는 것이 불가능하다.
따라서, 근래에는 레지스트막을 이용한 건식 식각시의 문제점을 극복하기 위하여 하드 마스크를 사용하는 공정을 이용하고 있다. 그러나, 하드마스크를 적용한 공정은 매우 복잡할 뿐 만 아니라 소자의 제조 단가 측면에서도 매우 불리하다. 따라서, 실제 소자를 생산하는 입장에서는 하드 마스크를 적용하는 것이 바람직하지 않은 것으로 인식되고 있다.
본 발명의 목적은 상기한 종래 기술의 문제점을 해결하고자 하는 것으로, 제조 단가가 저렴하면서 건식 식각에 대한 충분한 내성을 제공할 수 있는 폴리머들을 제공하는 것이다.
본 발명의 다른 목적은 아스펙트 비가 큰 미세 패턴을 형성하는 경우에도 하 부 막질과의 우수한 식각 선택비를 제공하여 건식 식각에 대한 충분한 내성을 제공할 수 있는 레지스트 조성물을 제공하는 것이다.
상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명에 따른 감광성 폴리머는 폴리머 백본에 결합되는 보호기(protecting group)로서 산 존재 하에 쉽게 가수분해될 수 있고 다음 식으로 표시되는 축합환(縮合環)의 방향족 환(fused aromatic ring)을 포함하는, 산에 의해 분해 가능한 보호기(acid labile protecting group)를 포함하는 것을 특징으로 한다.
Figure 112006077899583-pat00002
식중, R1은 수소 원자 또는 C1 ∼ C4의 알킬기이고, X는 수소 원자, 할로겐, 알킬기 또는 알콕시기이고, y는 1 ∼ 3의 정수이고, y = 2 이상일 때 상기 축합환의 방향족 환은 선형환(linear ring) 또는 분기상의 환(branched ring)으로 이루어진다.
본 발명에 따른 감광성 폴리머는 3,000 ∼ 200,000의 중량 평균 분자량(Mw)을 갖는다.
본 발명에 따른 감광성 폴리머는 화학식 1의 구조를 가질 수 있다.
Figure 112006077899583-pat00003
식중, R1 및 y는 상기 정의한 바와 같고, Z는 수소 원자 또는 메틸기이고, m/(m+n)은 0.05 ∼ 0.4이고, 중량 평균 분자량(Mw)은 3,000 ∼ 50,000이다.
또한, 본 발명에 따른 감광성 폴리머는 화학식 2의 구조를 가질 수 있다.
Figure 112006077899583-pat00004
식중, R1, y 및 Z는 상기 정의한 바와 같고, Y는 수소 원자, 알킬기, 알콕시기 또는 터트-부톡시카르보닐옥시기이고, l/(l+m+n)은 0.05 ∼ 0.4이고, n/(l+m+n)은 0.1 ∼ 0.3이고, 중량 평균 분자량(Mw)은 3,000 ∼ 50,000이다.
또한, 본 발명에 따른 감광성 폴리머는 화학식 3의 구조를 가질 수 있다.
Figure 112006077899583-pat00005
식중, R1 및 y는 상기 정의한 바와 같고, R2는 수소 원자, 메틸기, 에틸기 또는 터트-부틸기이고, Z1 및 Z2는 각각 수소 원자 또는 메틸기이고, l/(l+m+n)은 0.05 ∼ 0.4이고, n/(l+m+n)은 0.1 ∼ 0.3이고, 중량 평균 분자량(Mw)은 3,000 ∼ 50,000이다.
또한, 본 발명에 따른 감광성 폴리머는 화학식 4의 구조를 가질 수 있다.
Figure 112006077899583-pat00006
식중, R1, y 및 Z는 상기 정의한 바와 같고, m/(m+n)은 0.5 ∼ 0.7이고, n/(m+n)은 0.3 ∼ 0.5이고, 중량 평균 분자량(Mw)은 3,000 ∼ 50,000이다.
또한, 본 발명에 따른 감광성 폴리머는 화학식 5의 구조를 가질 수 있다.
Figure 112006077899583-pat00007
식중, R1, R2, y, Z1 및 Z2는 각각 상기 정의한 바와 같고, l/(l+m+n)은 0.3 ∼ 0.6이고, m/(l+m+n)은 0.3 ∼ 0.5이고, n/(l+m+n)은 0.1 ∼ 0.4이고, 중량 평균 분자량(Mw)은 3,000 ∼ 50,000이다.
또한, 본 발명에 따른 감광성 폴리머는 화학식 6의 구조를 가질 수 있다.
Figure 112006077899583-pat00008
식중, R1, y 및 Z는 상기 정의한 바와 같고, R2는 수소 원자, 히드록시기, 카르복실기 또는 터트-부틸 에스테르기이고, l/(l+m+n)은 0.3 ∼ 0.6이고, m/(l+m+n)은 0.3 ∼ 0.5이고, n/(l+m+n)은 0.1 ∼ 0.4이고, 중량 평균 분자량(Mw) 은 3,000 ∼ 50,000이다.
상기 다른 목적을 달성하기 위하여, 본 발명에 따른 레지스트 조성물은 (a) 폴리머 백본에 결합되는 보호기(protecting group)로서 산 존재 하에 쉽게 가수분해될 수 있고 다음 식으로 표시되는 축합환(縮合環)의 방향족 환(fused aromatic ring)을 포함하는, 산에 의해 분해 가능한 보호기(acid labile protecting group)를 포함하는 감광성 폴리머와, (b) PAG(photoacid generator)로 이루어지는 것을 특징으로 한다.
Figure 112006077899583-pat00009
식중, R1은 수소 원자 또는 C1 ∼ C4의 알킬기이고, X는 수소 원자, 할로겐, 알킬기 또는 알콕시기이고, y는 1 ∼ 3의 정수이고, y = 2 이상일 때 상기 축합환의 방향족 환은 선형환(linear ring) 또는 분기상의 환(branched ring)으로 이루어진다.
상기 PAG는 상기 감광성 폴리머의 중량을 기준으로 0.5 ∼ 10 중량%의 양으로 포함된다.
상기 PAG는 트리아릴술포늄염 (triarylsulfonium salts), 디아릴이오도늄염 (diaryliodonium salts), 술포네이트 (sulfonates) 또는 그 혼합물로 이루어진다.
본 발명에 따른 레지스트 조성물은 유기 염기를 더 포함할 수 있다. 이 때, 상기 유기 염기는 상기 PAG의 중량을 기준으로 0.5 ∼ 50 중량%의 양으로 포함된다.
상기 유기 염기는 3차 아민, 바람직하게는 트리에탄올아민, 트리이소부틸아민, 트리이소옥틸아민, 트리이소데실아민 또는 그 혼합물로 이루어질 수 있다.
또한, 상기 다른 목적을 달성하기 위하여 본 발명에 따른 레지스트 조성물은 화학식 1 내지 화학식 6에서 선택되는 어느 하나의 감광성 폴리머와, PAG로 이루어지는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 따른 감광성 폴리머에 포함되는 보호기는 다양한 구조를 가지는 축합환의 방향족 환을 포함할 수 있다. 본 발명에 따른 감광성 폴리머의 백본에 결합 가능한 보호기의 대표적인 예들을 화학식 7 내지 화학식 13에 나타내었다.
Figure 112006077899583-pat00010
Figure 112006077899583-pat00011
Figure 112006077899583-pat00012
Figure 112006077899583-pat00013
Figure 112006077899583-pat00014
Figure 112006077899583-pat00015
Figure 112006077899583-pat00016
화학식 7 내지 화학식 11에 있어서, R은 수소 원자 또는 C1 ∼ C4의 알킬기이다. 본 발명에 따른 감광성 폴리머를 구성하는 백본으로서 다양한 것을 사용할 수 있으며, 가장 대표적인 것으로서 아크릴레이트 백본, 메타크릴레이트 백본, 노 르보르넨 백본 등을 들 수 있다. 본 발명에 따른 감광성 폴리머들을 구성할 수 있는 모노머 또는 폴리머의 각 제조 방법은 다음에 상세히 기술하는 본 발명의 구체적인 실시예들에서 예시하는 방법과 같은 방법으로 용이하게 제조될 수 있다.
본 발명에 따른 감광성 폴리머는 산에 의해 분해 가능한 축합환의 방향족 환을 포함하고 있으므로 건식 식각에 대한 강한 내성을 제공할 수 있으며, 이로부터 얻어지는 레지스트 조성물은 노광부와 비노광부에 있어서 알칼리성 현상액에 대한 용해도 차이가 매우 커서 레지스트막의 콘트라스트를 증가시킬 수 있다.
본 발명에 따른 레지스트 조성물은 실제로 레지스트막의 패터닝시 사용되는 에너지 파장에서 KrF용 또는 ArF용 레지스트 재료로서 매우 유용하게 사용될 수 있다.
다음에, 본 발명의 바람직한 실시예들에 대하여 상세히 설명한다.
실시예 1
1-나프탈렌메틸 아크릴레이트의 합성
Figure 112006077899583-pat00017
3목(目) 둥근 플라스크(three-necked round-bottom flask)에 수소화나트륨 (50%-NaH, 0.12몰)을 무수 테트라히드로퓨란 (tetrahydrofuran; 이하, "THF"라 함)(300㎖)과 함께 녹인 후, 여기에 1-나프탈렌메탄올 (18g, 0.11몰)을 상온에서 천천히 떨어뜨리고 약 1 시간 동안 반응시켰다. 그 후, 얻어진 반응물에 염화 아크릴로일(9g, 0.1몰)을 상온에서 천천히 떨어뜨리고 약 20 시간 동안 반응시켰다.
반응이 끝난 후, 얻어진 반응물에서 과량의 THF를 회전증발 농축기(rotary evaporator)를 이용하여 제거하고, 과량의 물에 부어 넣은 후, 여기에 염산(HCl)을 넣어 중화시켰다. 그 후, 디에틸 에테르를 이용하여 추출하였다.
얻어진 추출물을 MgSO4를 이용하여 건조시킨 후 용제를 휘발시키고, 얻어진 조생성물(粗生成物)로부터 콜럼 크로마토그래피(column chromatography) (n-헥산:에틸 아세테이트 = 8:1)를 이용하여 원하는 생성물을 얻었다.
실시예 2
1-나프탈렌메틸 메타크릴레이트의 합성
염화 메타크릴로일을 사용하여 실시예 1에서와 같은 방법으로 원하는 생성물을 얻었다. (수율 40%)
실시예 3
9-안트라센메틸 아크릴레이트의 합성
9-안트라센메탄올과 염화 아크릴로일을 이용하여 실시예 1에서와 같은 방법으로 원하는 생성물을 얻었다.
실시예 4
9-안트라센메틸 메타크릴레이트의 합성
9-안트라센메탄올과 염화 메타크릴로일을 이용하여 실시예 3에서와 같은 방 법으로 원하는 생성물을 얻었다.
실시예 5
1-나프탈렌-1-에틸 아크릴레이트의 합성
Figure 112006077899583-pat00018
3목(目) 둥근 플라스크에 브롬화 메틸마그네슘 (2몰-THF 용액, 100㎖)을 무수 THF (100㎖)와 함께 녹인 후, 여기에 1-나프트알데히드 (23g, 0.15몰)을 상온에서 천천히 떨어뜨리고 약 4 시간 동안 반응시켰다. 그 후, 얻어진 반응물에 염화 아크릴로일(12g, 0.13몰)을 상온에서 천천히 떨어뜨리고 약 20 시간 동안 반응시켰다.
반응이 끝난 후, 얻어진 반응물에서 과량의 THF를 회전증발 농축기(rotary evaporator)를 이용하여 제거하고, 과량의 물에 부어 넣은 후, 여기에 묽은 황산(diluted H2SO4)을 넣어 중화시켰다. 그 후, 디에틸 에테르를 이용하여 추출하였다.
얻어진 추출물을 MgSO4를 이용하여 건조시킨 후 용제를 휘발시키고, 콜럼 크로마토그래피(column chromatography) (n-헥산:에틸 아세테이트 = 8:1)를 이용하여 얻어진 조생성물(粗生成物)로부터 원하는 생성물을 얻었다. (수율 50%)
실시예 6
1-나프탈렌-1-에틸 메타크릴레이트의 합성
염화 메타크릴로일을 사용하여 실시예 5에서와 같은 방법으로 원하는 생성물을 얻었다. (수율 40%)
실시예 7
9-안트라센-1-에틸 아크릴레이트의 합성
9-안트르알데히드와 브롬화 메틸마그네슘을 이용하여 실시예 5에서와 같은 방법으로 원하는 생성물을 얻었다.
실시예 8
9-안트라센-1-에틸 메타크릴레이트의 합성
9-안트르알데히드와 염화 메타크릴로일을 이용하여 실시예 7에서와 같은 방법으로 원하는 생성물을 얻었다.
실시예 9
호모폴리머의 합성
실시예 1에서 합성한 1-나프탈렌메틸 아크릴레이트 (2g, 9밀리몰)를 무수 THF (10g)에 녹인 후, 여기에 AIBN (azobisisobutyronitril) (0.1g, 6 몰%)을 함께 넣고 액체 질소(liquid nitrogen: N2)를 이용하여 퍼지(purge)한 후 밀봉하여 약 65℃의 온도에서 약 20 시간 동안 중합시켰다.
중합이 끝난 후, 반응 용기에 소량의 THF를 첨가하여 희석한 후, 이를 과량 의 n-헥산 (10배)에 떨어뜨리면서 천천히 침전시켰다.
얻어진 침전물을 글라스 필터(glass filter)를 이용하여 거른 다음, 적당량의 THF에 녹이고, 과량의 메탄올 (10배)에서 재침전시킨 후, 얻어진 침전물을 50℃로 유지되는 진공 오븐(vacuum oven)에서 약 24 시간 동안 건조시켜서 원하는 생성물을 얻었다. (수율 80%)
이 때, 얻어진 생성물의 중량 평균 분자량(Mw)은 21,000이었고, 다분산도(Mw/Mn)는 1.9이었다.
또한, 실시예 2 내지 실시예 8에서 합성한 모노머들을 상기 설명한 방법과 같은 방법으로 중합하여 각각의 호모폴리머들을 얻을 수 있었다. 이 때 얻어진 수율은 70 ∼ 85%이었다.
실시예 10
코폴리머의 합성
Figure 112006077899583-pat00019
실시예 1에서 합성한 1-나프탈렌메틸 아크릴레이트 (2g, 9밀리몰)와 4-히드록시스티렌 (2.5g, 21밀리몰)을 무수 THF (18g)에 녹인 후, 여기에 AIBN (0.3g, 6 몰%)을 함께 넣고 액체 질소(N2)를 이용하여 충분히 퍼지한 후 밀봉하여 약 65℃의 온도에서 약 24 시간 동안 중합시켰다.
중합이 끝난 후, 반응 용기에 소량의 THF를 첨가하여 희석한 후, 이를 과량의 n-헥산 (10배)에 떨어뜨리면서 천천히 침전시켰다.
얻어진 침전물을 글라스 필터(glass filter)를 이용하여 거른 다음, 적당량의 THF에 녹이고, 과량의 n-헥산 (10배)에서 재침전시킨 후, 얻어진 침전물을 50℃로 유지되는 진공 오븐에서 약 24 시간 동안 건조시켜서 원하는 생성물을 얻었다. (수율 85%)
이 때, 얻어진 생성물의 중량 평균 분자량(Mw)은 17,000이었고, 다분산도(Mw/Mn)는 2.0이었다.
실시예 11
코폴리머의 합성
Figure 112006077899583-pat00020
실시예 5에서 합성한 1-나프탈렌-1-에틸 아크릴레이트 (2.3g, 10밀리몰)와 무수 말레인산 (2g, 20밀리몰)을 무수 THF (4g)에 녹인 후, 여기에 AIBN (0.25g, 5 몰%)을 함께 넣고 액체 질소(N2)를 이용하여 충분히 퍼지한 후 밀봉하여 약 65℃의 온도에서 약 24 시간 동안 중합시켰다.
중합이 끝난 후, 반응 용기에 소량의 THF를 첨가하여 희석한 후, 이를 과량 의 n-헥산 (10배)에 떨어뜨리면서 천천히 침전시켰다.
얻어진 침전물을 글라스 필터(glass filter)를 이용하여 거른 다음, 적당량의 THF에 녹이고, 과량의 이소프로필 알콜 (10배)에서 재침전시킨 후, 얻어진 침전물을 50℃로 유지되는 진공 오븐에서 약 24 시간 동안 건조시켜서 원하는 생성물을 얻었다. (수율 65%)
이 때, 얻어진 생성물의 중량 평균 분자량(Mw)은 11,000이었고, 다분산도(Mw/Mn)는 1.8이었다.
실시예 12
코폴리머의 합성
실시예 1 내지 실시예 8에서 합성한 모노머들을 4-히드록시스티렌 또는 무수 말레인산과 같은 코모노머(comonomer)와 함께 실시예 10 또는 실시예 11에서와 같은 방법으로 중합하여 코폴리머들을 얻을 수 있었다. 여기서, 실시예 1 내지 실시예 8에서 합성한 모노머의 첨가량은 각각의 경우에 있어서 전체 모노머 농도를 기준으로 20 ∼ 50 몰% 정도의 범위로 하였다.
실시예 13
터폴리머의 합성
Figure 112006077899583-pat00021
실시예 1에서 합성한 1-나프탈렌메틸 아크릴레이트 (2g, 9밀리몰), 4-히드록시스티렌 (3.2g, 27밀리몰) 및 터트-부톡시카르보닐옥시스티렌 (2g, 9밀리몰)을 무수 THF (30g)에 녹인 후, 여기에 AIBN (0.44g, 6 몰%)을 함께 넣고 액체 질소(N2)를 이용하여 충분히 퍼지한 후 밀봉하여 약 65℃의 온도에서 약 24 시간 동안 중합시켰다.
중합이 끝난 후, 반응 용기에 소량의 THF를 첨가하여 희석한 후, 이를 과량의 n-헥산 (10배)에 떨어뜨리면서 천천히 침전시켰다.
얻어진 침전물을 글라스 필터(glass filter)를 이용하여 거른 다음, 적당량의 THF에 녹이고, 과량의 n-헥산 (10배)에서 재침전시킨 후, 얻어진 침전물을 50℃로 유지되는 진공 오븐에서 약 24 시간 동안 건조시켜서 원하는 생성물을 얻었다. (수율 81%)
이 때, 얻어진 생성물의 중량 평균 분자량(Mw)은 14,000이었고, 다분산도(Mw/Mn)는 1.8이었다.
실시예 14
터폴리머의 합성
Figure 112006077899583-pat00022
실시예 1에서 합성한 1-나프탈렌메틸 아크릴레이트 (4.3g, 20밀리몰), 무수 말레인산 (5.9g, 60밀리몰) 및 터트-부틸 아크릴레이트 (1.3g, 10밀리몰)를 무수 THF (12g)에 녹인 후, 여기에 AIBN (0.74g, 5 몰%)을 함께 넣고 액체 질소(N2)를 이용하여 충분히 퍼지한 후 밀봉하여 약 65℃의 온도에서 약 24 시간 동안 중합시켰다.
중합이 끝난 후, 반응 용기에 소량의 THF를 첨가하여 희석한 후, 이를 과량의 n-헥산 (10배)에 떨어뜨리면서 천천히 침전시켰다.
얻어진 침전물을 글라스 필터(glass filter)를 이용하여 거른 다음, 적당량의 THF에 녹이고, 과량의 이소프로필 알콜 (10배)에서 재침전시킨 후, 얻어진 침전물을 50℃로 유지되는 진공 오븐에서 약 24 시간 동안 건조시켜서 원하는 생성물을 얻었다. (수율 71%)
이 때, 얻어진 생성물의 중량 평균 분자량(Mw)은 12,500이었고, 다분산도(Mw/Mn)는 1.9이었다.
실시예 15
터폴리머의 합성
실시예 1 내지 실시예 8에서 합성한 모노머들을 4-히드록시스티렌 코모노머(제1 코모노머)와, 예를 들면 터트-부틸 아크릴레이트, 터트-부틸 메타크릴레이트, 터트-부톡시카르보닐옥시스티렌 등과 같이 여러가지 다른 보호기(protecting group)를 가지는 코모노머(제2 코모노머)와 함께 실시예 13에서와 같은 방법으로 중합하여 터폴리머들을 얻을 수 있었다. 여기서, 실시예 1 내지 실시예 8에서 합성한 모노머의 첨가량은 각각의 경우에 있어서 전체 모노머 농도를 기준으로 10 ∼ 40 몰% 정도의 범위로 하였다. (수율 70 ∼ 80%)
실시예 16
터폴리머의 합성
실시예 1 내지 실시예 8에서 합성한 모노머들을 무수 말레인산 코모노머(제1 코모노머)와, 예를 들면 터트-부틸 아크릴레이트, 터트-부틸 메타크릴레이트, 노르보르넨 유도체, 터트-부톡시카르보닐옥시스티렌 등과 같이 여러가지 다른 보호기(protecting group)를 가지는 코모노머(제2 코모노머)와 함께 실시예 13에서와 같은 방법으로 중합하여 터폴리머들을 얻을 수 있었다. 여기서, 실시예 1 내지 실시예 8에서 합성한 모노머의 첨가량은 각각의 경우에 있어서 전체 모노머 농도를 기준으로 10 ∼ 40 몰% 정도의 범위로 하였다. (수율 60 ∼ 75%)
실시예 17
레지스트 조성물의 제조
실시예 9에서 합성한 각각의 호모폴리머(1g)들을 각각 PAG인 트리페닐술포늄 트리플레이트 (triphenylsulfonium triflate) (0.03g)와 함께 프로필렌 글리콜 모노메틸 에테르 아세테이트 (propylene glycol monomethyl ether acetate: PGMEA) (8g) 용액에 녹인 후, 여기에 유기 염기인 트리이소부틸아민 (triisobutylamine) (3 ∼ 10mg)을 첨가하여 완전히 녹였다.
그 후, 상기 용액을 1.0μm 및 0.2μm 멤브레인 필터(membrane filters)를 이용하여 걸러서 레지스트 조성물들을 얻었다. 그 후, 복수의 실리콘 웨이퍼를 준비하고, 상기 실리콘 웨이퍼들을 각각 헥사메틸디실라잔 (hexamethyldisilazane: HMDS)으로 처리한 후, 각각의 실리콘 웨이퍼상에 상기 레지스트 조성물들을 각각 약 3000 ∼ 4000 Å의 두께로 코팅하였다.
레지스트 조성물이 코팅된 상기 각 웨이퍼를 120 ∼ 140℃의 온도 범위에서 60 ∼ 90초 동안 프리베이킹(pre-baking)하고, 특정한 엑시머 레이저의 스테퍼를 이용하여 노광한 후, 120 ∼ 140℃의 온도 범위에서 60 ∼ 90초 동안 PEB(post-exposure baking)를 실시하였다.
그 후, 상기 웨이퍼를 IPA(isopropyl alcohol) 및 2.38 중량% 테트라메틸암모늄 히드록사이드(tetramethylammonium hydroxide: TMAH)의 혼합 용액 (30 중량% IPA 함유)을 사용하여 딥핑(dipping) 방식으로 현상하였다.
실시예 18
레지스트 조성물의 제조
실시예 10에서 합성한 코폴리머(1g)를 PAG인 트리페닐술포늄 트리플레이트 (0.02g)와 함께 PGMEA 용액(7g)에 녹인 후, 여기에 유기 염기인 트리이소부틸아민 (2mg)을 첨가하여 완전히 녹였다.
그 후, 상기 용액을 1.0μm 및 0.2μm 멤브레인 필터(membrane filters)를 이용하여 걸러서 레지스트 조성물을 얻었다. 그 후, HMDS로 표면 처리한 실리콘 웨이퍼상에 상기 레지스트 조성물을 약 4000 Å의 두께로 코팅하였다.
레지스트 조성물이 코팅된 상기 웨이퍼를 130℃에서 90초 동안 프리베이킹하 고, KrF 엑시머 레이저의 스테퍼 (NA = 0.45, σ = 0.75)를 이용하여 노광한 후, 120℃에서 90초 동안 PEB를 실시하였다.
그 후, 상기 웨이퍼를 2.38 중량% TMAH 용액을 사용하여 60초 동안 퍼들(puddle) 방식으로 현상하여 레지스트 패턴을 형성하였다. 그 결과, 노광 도즈량을 약 35 ∼ 40 mJ/cm2으로 하였을 때 280nm (1:1 라인 앤드 스페이스) 패턴이 얻어지는 것을 확인하였다.
실시예 19
레지스트 조성물의 제조
실시예 11에서 합성한 코폴리머(1g)를 PAG인 트리페닐술포늄 트리플레이트 (0.02g)와 함께 PGMEA 용액(9g)에 녹인 후, 여기에 유기 염기인 트리이소부틸아민 (2mg)을 첨가하여 완전히 녹였다.
그 후, 상기 용액을 1.0μm 및 0.2μm 멤브레인 필터(membrane filters)를 이용하여 걸러서 레지스트 조성물을 얻었다. 그 후, HMDS로 표면 처리한 실리콘 웨이퍼상에 상기 레지스트 조성물을 약 2500 Å의 두께로 코팅하였다.
레지스트 조성물이 코팅된 상기 웨이퍼를 130℃에서 90초 동안 프리베이킹하고, ArF 엑시머 레이저의 스테퍼 (NA = 0.60, σ = 0.75)를 이용하여 노광한 후, 120℃에서 90초 동안 PEB를 실시하였다.
그 후, 상기 웨이퍼를 2.38 중량% TMAH 용액을 사용하여 60초 동안 퍼들(puddle) 방식으로 현상하여 레지스트 패턴을 형성하였다. 그 결과, 노광 도즈량 을 약 8 ∼ 15 mJ/cm2으로 하였을 때 220nm (1:1 라인 앤드 스페이스) 패턴이 얻어지는 것을 확인하였다.
실시예 20
레지스트 조성물의 제조
실시예 13에서 합성한 터폴리머(1g)를 PAG인 트리페닐술포늄 트리플레이트 (0.02g)와 함께 PGMEA 용액(7g)에 녹인 후, 여기에 유기 염기인 트리이소데실아민 (3mg)을 첨가하여 완전히 녹였다.
그 후, 상기 용액을 1.0μm 및 0.2μm 멤브레인 필터(membrane filters)를 이용하여 걸러서 레지스트 조성물을 얻었다. 그 후, HMDS로 표면 처리한 실리콘 웨이퍼상에 상기 레지스트 조성물을 약 4000 Å의 두께로 코팅하였다.
레지스트 조성물이 코팅된 상기 웨이퍼를 115℃에서 90초 동안 프리베이킹하고, KrF 엑시머 레이저의 스테퍼 (NA = 0.45, σ = 0.75)를 이용하여 노광한 후, 110℃에서 90초 동안 PEB를 실시하였다.
그 후, 상기 웨이퍼를 2.38 중량% TMAH 용액을 사용하여 60초 동안 퍼들(puddle) 방식으로 현상하여 레지스트 패턴을 형성하였다. 그 결과, 노광 도즈량을 약 25 ∼ 30 mJ/cm2으로 하였을 때 280nm (1:1 라인 앤드 스페이스) 패턴이 얻어지는 것을 확인하였다.
실시예 21
레지스트 조성물의 제조
실시예 14에서 합성한 터폴리머(1g)를 PAG인 트리페닐술포늄 트리플레이트 (0.02g)와 함께 PGMEA 용액(9g)에 녹인 후, 여기에 유기 염기인 트리이소데실아민 (3mg)을 첨가하여 완전히 녹였다.
그 후, 상기 용액을 1.0μm 및 0.2μm 멤브레인 필터(membrane filters)를 이용하여 걸러서 레지스트 조성물을 얻었다. 그 후, HMDS로 표면 처리한 실리콘 웨이퍼상에 상기 레지스트 조성물을 약 2500 Å의 두께로 코팅하였다.
레지스트 조성물이 코팅된 상기 웨이퍼를 130℃에서 90초 동안 프리베이킹하고, ArF 엑시머 레이저의 스테퍼 (NA = 0.60, σ = 0.75)를 이용하여 노광한 후, 120℃에서 90초 동안 PEB를 실시하였다.
그 후, 상기 웨이퍼를 2.38 중량% TMAH 용액을 사용하여 60초 동안 퍼들(puddle) 방식으로 현상하여 레지스트 패턴을 형성하였다. 그 결과, 노광 도즈량을 약 7 ∼ 13 mJ/cm2으로 하였을 때 200nm (1:1 라인 앤드 스페이스) 패턴이 얻어지는 것을 확인하였다.
노광 메카니즘
본 발명에 따른 감광성 폴리머의 노광 메카니즘은 다음과 같다.
Figure 112006077899583-pat00023
식중, R1 및 y는 앞에서 정의한 바와 같다. 상기 노광 메카니즘에서 알 수 있는 바와 같이, 본 발명에 따른 감광성 폴리머의 백본에 에스테르기(ester group)의 형태로 치환되어 있는 축합환의 방향족 환에서 α-위치의 탄소양이온(carbocation)이 안정화되어 있으므로 상기 감광성 폴리머에 결합되어 있는 보호기는 산(H+) 존재 하에 쉽게 가수분해(hydrolysis)될 수 있다. 따라서, 상기 감광성 폴리머를 포함하는 레지스트 조성물로부터 얻어진 레지스트막의 패터닝시 상기 레지스트막의 노광부(exposed area)와 비노광부(unexposed area)에 있어서 알칼리성 현상액에 대한 용해도 차이가 매우 커서, 상기 레지스트막의 콘트라스트를 증가시킬 수 있다.
본 발명에 따른 감광성 폴리머는 그 백본에 건식 식각에 대하여 강한 내성을 제공할 수 있는 축합환의 방향족 환을 포함하는 치환기가 결합되어 있다. 따라서, 본 발명에 따른 감광성 폴리머는 건식 식각에 대한 강한 내성을 제공할 수 있으며, 이로부터 얻어지는 레지스트 조성물은 노광부와 비노광부에 있어서 알칼리성 현상액에 대한 용해도 차이가 매우 커서 레지스트막의 콘트라스트를 증가시킬 수 있다.
본 발명에 따른 감광성 폴리머의 치환기에 포함되어 있는 축합환의 방향족 환은 건식 식각에 대한 강한 내성을 제공하는 것 외에도 산에 의해 분해 가능한 보호기(acid-labile protecting group)로서의 역할을 한다. 본 발명에 따른 감광성 폴리머에 포함된 축합환의 방향족 환 기(group)는 UV 흡수 특성을 가지고 있으므 로, 본 발명에 따른 감광성 폴리머로부터 얻어지는 레지스트 조성물은 실제로 레지스트막의 패터닝시 사용되는 에너지 파장에서 KrF용 또는 ArF용 레지스트 재료로서 매우 유용하게 사용될 수 있다.
또한, 본 발명에 따른 감광성 폴리머에 포함되어 있는 산에 의해 분해 가능한 축합환의 방향족 환 기(group)는 그 종류에 따라 실제로 레지스트막의 패터닝시 사용되는 에너지 파장에서 다양한 흡광도를 나타낸다. 따라서, 상기 에너지 파장 영역에서 매우 강한 흡광도를 나타내는 종류의 방향족 환 기를 가지는 감광성 폴리머로부터 얻어지는 레지스트 조성물은 BARL(bottom anti-reflective layer) 재료로 사용되는 것이 가능하다. 특히, 차세대 ArF 리소그래피에 사용하기 적합한 BARL용 재료로서의 역할을 기대할 수 있다.
따라서, 산에 의해 분해 가능한 축합환의 방향족 환 기를 보호기로 가지는 본 발명에 따른 감광성 폴리머로부터 얻어지는 레지스트 조성물은 기존의 리소그래피 기술을 그대로 이용하면서 그 기술적 한계를 극복하는 것을 가능하게 하며, 더불어 기존의 리소그래피 기술로부터 차세대 소자의 개발을 가속화할 수 있다.
이상, 본 발명을 바람직한 실시예를 들어 상세하게 설명하였으나, 본 발명은 상기 실시예에 한정되지 않고, 본 발명의 기술적 사상의 범위 내에서 당 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의하여 여러가지 변형이 가능하다.

Claims (10)

  1. 축합환(縮合環)의 방향족 환(fused aromatic ring)을 포함하고 중량 평균 분자량(Mw)이 3,000 ∼ 50,000인 다음 식의 구조를 가지는 감광성 폴리머.
    Figure 112006077899583-pat00024
    식중, R1은 수소 원자 또는 C1 ∼ C4의 알킬기이고,
    y는 1 ∼ 3의 정수이고, y = 2 이상일 때 상기 축합환의 방향족 환은 선형환(linear ring) 또는 분기상의 환(branched ring)으로 이루어지고,
    Z는 수소 원자 또는 메틸기이고,
    l/(l+m)은 0.5 ∼ 0.7임.
  2. 제1항에 있어서, 다음 식의 구조를 가지는 것을 특징으로 하는 감광성 폴리머.
    Figure 112006077899583-pat00025
    식중, R2는 수소 원자, 메틸기, 에틸기 또는 터트-부틸기이고, Z1 및 Z2는 각각 수소 원자 또는 메틸기이고, l/(l+m+n)은 0.3 ∼ 0.6이고, m/(l+m+n)은 0.3 ∼ 0.5이고, n/(l+m+n)은 0.1 ∼ 0.4임.
  3. (a) 축합환(縮合環)의 방향족 환(fused aromatic ring)을 포함하고 중량 평균 분자량(Mw)이 3,000 ∼ 50,000인 다음 식의 구조를 가지는 감광성 폴리머와,
    Figure 112006077899583-pat00026
    식중, R1은 수소 원자 또는 C1 ∼ C4의 알킬기이고,
    y는 1 ∼ 3의 정수이고, y = 2 이상일 때 상기 축합환의 방향족 환은 선형환(linear ring) 또는 분기상의 환(branched ring)으로 이루어지고,
    Z는 수소 원자 또는 메틸기이고,
    l/(l+m)은 0.5 ∼ 0.7임.
    (b) PAG(photoacid generator)로 이루어지는 것을 특징으로 하는 레지스트 조성물.
  4. 제3항에 있어서, 상기 PAG는 상기 감광성 폴리머의 중량을 기준으로 0.5 ∼ 10 중량%의 양으로 포함되는 것을 특징으로 하는 레지스트 조성물.
  5. 제3항에 있어서, 상기 PAG는 트리아릴술포늄염 (triarylsulfonium salts), 디아릴이오도늄염 (diaryliodonium salts), 술포네이트 (sulfonates) 또는 그 혼합물로 이루어지는 것을 특징으로 하는 레지스트 조성물.
  6. 제3항에 있어서, 유기 염기를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 레지스트 조성물.
  7. 제6항에 있어서, 상기 유기 염기는 상기 PAG의 중량을 기준으로 0.5 ∼ 50 중량%의 양으로 포함되는 것을 특징으로 하는 레지스트 조성물.
  8. 제6항에 있어서, 상기 유기 염기는 3차 아민으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 레지스트 조성물.
  9. 제8항에 있어서, 상기 유기 염기는 트리에탄올아민, 트리이소부틸아민, 트리이소옥틸아민, 트리이소데실아민 또는 그 혼합물로 이루어지는 것을 특징으로 하는 레지스트 조성물.
  10. 제3항에 있어서,
    상기 감광성 폴리머는 다음 식으로 표시되는 것을 특징으로 하는 레지스트 조성물.
    Figure 112006077899583-pat00027
    식중, R2는 수소 원자, 메틸기, 에틸기 또는 터트-부틸기이고, Z1 및 Z2는 각각 수소 원자 또는 메틸기이고, l/(l+m+n)은 0.3 ∼ 0.6이고, m/(l+m+n)은 0.3 ∼ 0.5이고, n/(l+m+n)은 0.1 ∼ 0.4임.
KR1020060104684A 2006-10-26 2006-10-26 축합환의 방향족 환을 포함하는 보호기를 가지는 감광성폴리머 및 이를 포함하는 레지스트 조성물 KR100688594B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020060104684A KR100688594B1 (ko) 2006-10-26 2006-10-26 축합환의 방향족 환을 포함하는 보호기를 가지는 감광성폴리머 및 이를 포함하는 레지스트 조성물

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020060104684A KR100688594B1 (ko) 2006-10-26 2006-10-26 축합환의 방향족 환을 포함하는 보호기를 가지는 감광성폴리머 및 이를 포함하는 레지스트 조성물

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020000053152A Division KR100734249B1 (ko) 2000-09-07 2000-09-07 축합환의 방향족 환을 포함하는 보호기를 가지는 감광성폴리머 및 이를 포함하는 레지스트 조성물

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20060118378A KR20060118378A (ko) 2006-11-23
KR100688594B1 true KR100688594B1 (ko) 2007-03-02

Family

ID=37705575

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020060104684A KR100688594B1 (ko) 2006-10-26 2006-10-26 축합환의 방향족 환을 포함하는 보호기를 가지는 감광성폴리머 및 이를 포함하는 레지스트 조성물

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR100688594B1 (ko)

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR19980018491A (ko) * 1996-08-07 1998-06-05 무네유키 마사유키 반사방지막 재료용 조성물
JPH10186647A (ja) * 1996-10-07 1998-07-14 Shipley Co Llc 染色されたフォトレジストとその方法及びそれからなる工業製品
JPH10204328A (ja) * 1996-06-11 1998-08-04 Shipley Co Llc 反射防止コーティング組成物
KR19990074078A (ko) * 1998-03-06 1999-10-05 박찬구 양성 포토레지스트 제조용 중합체 및 이를 함유하는 화학증폭형양성 포토레지스트의 조성물

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10204328A (ja) * 1996-06-11 1998-08-04 Shipley Co Llc 反射防止コーティング組成物
KR19980018491A (ko) * 1996-08-07 1998-06-05 무네유키 마사유키 반사방지막 재료용 조성물
JPH10186647A (ja) * 1996-10-07 1998-07-14 Shipley Co Llc 染色されたフォトレジストとその方法及びそれからなる工業製品
KR19990074078A (ko) * 1998-03-06 1999-10-05 박찬구 양성 포토레지스트 제조용 중합체 및 이를 함유하는 화학증폭형양성 포토레지스트의 조성물

Also Published As

Publication number Publication date
KR20060118378A (ko) 2006-11-23

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100734249B1 (ko) 축합환의 방향족 환을 포함하는 보호기를 가지는 감광성폴리머 및 이를 포함하는 레지스트 조성물
KR100442865B1 (ko) 플루오르화된 에틸렌 글리콜기를 가지는 감광성 폴리머 및이를 포함하는 화학증폭형 레지스트 조성물
KR101202402B1 (ko) 스피로 환형 케탈기를 가지는 포토레지스트용 모노머, 폴리머 및 이를 포함하는 포토레지스트 조성물
JP3805988B2 (ja) アルキルビニールエーテルの共重合体を含む感光性ポリマー及びこれを含むレジスト組成物
US6777162B2 (en) Photosensitive polymer and photoresist composition thereof
KR100281902B1 (ko) 백본이 환상 구조를 가지는 감광성 폴리머 및 이를 포함하는 레지스트 조성물
KR100557554B1 (ko) 불소가 치환된 벤질 카르복실레이트 그룹을 포함하는단량체 및 이를 함유한 포토레지스트 중합체
KR100301065B1 (ko) 백본이 환상 구조를 가지는 감광성 폴리머와 이를 포함하는 레지스트 조성물
KR100281903B1 (ko) 백본이 환상 구조를가지는 감광성 폴리머 및 이를 포함하는 레지스트 조성물
KR101207446B1 (ko) 포토레지스트용 폴리머 및 이를 포함하는 포토레지스트조성물
TW200935171A (en) Photoresist composition with high etching resistance
KR100301062B1 (ko) 백본이 환상구조를 가지는 감광성 폴리머와 이를 포함하는 레지스트 조성물
KR100688594B1 (ko) 축합환의 방향족 환을 포함하는 보호기를 가지는 감광성폴리머 및 이를 포함하는 레지스트 조성물
JP4045210B2 (ja) アダマンチルアルキルビニルエーテルの共重合体を含む感光性ポリマー及びこれを含むレジスト組成物
KR101190527B1 (ko) 포토레지스트용 폴리머 및 이를 포함하는 포토레지스트조성물
KR100505716B1 (ko) 아다만틸알킬 비닐 에테르의 공중합체를 포함하는 감광성폴리머 및 이를 포함하는 레지스트 조성물
US20030224289A1 (en) Photosensitive polymers and resist compositions containing the same
KR100585067B1 (ko) 백본이 환상 구조를 가지는 감광성 폴리머와 이를 포함하는 감광성 코폴리머
KR101158024B1 (ko) 포토레지스트용 폴리머 및 이를 포함하는 포토레지스트조성물
KR100688486B1 (ko) 프로텍팅 그룹이 있는 감광성 중합체 및 이를 포함하는포토레지스트 조성물
KR20030057948A (ko) 히드록시 그룹을 구비하는 불소치환 알킬 노르보넨카르복실산 에스테르 모노머를 포함하는 감광성 폴리머 및이를 포함하는 레지스트 조성물
KR20010076843A (ko) 백본이 환상구조를 가지는 감광성 폴리머를 포함하는레지스트 조성물
KR20010054675A (ko) 감광성 중합체 및 이를 포함하는 화학 증폭형포토레지스트 조성물
KR20030023198A (ko) 알킬옥시메틸에테르 구조의 보호기를 함유하는 감광성폴리머 및 이를 포함하는 레지스트 조성물
KR20040039008A (ko) 플루오르를 함유하는 감광성 폴리머 및 이를 포함하는화학증폭형 레지스트 조성물

Legal Events

Date Code Title Description
A107 Divisional application of patent
A201 Request for examination
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20100216

Year of fee payment: 4

LAPS Lapse due to unpaid annual fee