KR100301062B1 - 백본이 환상구조를 가지는 감광성 폴리머와 이를 포함하는 레지스트 조성물 - Google Patents
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- 239000000203 mixture Substances 0.000 title claims abstract description 50
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 title claims abstract description 48
- 125000004122 cyclic group Chemical group 0.000 title description 5
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims abstract description 17
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 17
- 125000005073 adamantyl group Chemical group C12(CC3CC(CC(C1)C3)C2)* 0.000 claims abstract description 13
- 150000001334 alicyclic compounds Chemical class 0.000 claims abstract description 13
- DTGKSKDOIYIVQL-WEDXCCLWSA-N (+)-borneol Chemical group C1C[C@@]2(C)[C@@H](O)C[C@@H]1C2(C)C DTGKSKDOIYIVQL-WEDXCCLWSA-N 0.000 claims abstract description 12
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 claims abstract description 11
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 claims abstract description 10
- 125000001495 ethyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 claims abstract description 9
- -1 2-hydroxyethyloxycarbonyl group Chemical group 0.000 claims abstract description 7
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 7
- 125000000954 2-hydroxyethyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])O[H] 0.000 claims abstract description 6
- 125000004029 hydroxymethyl group Chemical group [H]OC([H])([H])* 0.000 claims abstract description 6
- 150000001338 aliphatic hydrocarbons Chemical class 0.000 claims abstract description 4
- 125000002843 carboxylic acid group Chemical group 0.000 claims abstract description 4
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 claims abstract description 4
- UUEVFMOUBSLVJW-UHFFFAOYSA-N oxo-[[1-[2-[2-[2-[4-(oxoazaniumylmethylidene)pyridin-1-yl]ethoxy]ethoxy]ethyl]pyridin-4-ylidene]methyl]azanium;dibromide Chemical compound [Br-].[Br-].C1=CC(=C[NH+]=O)C=CN1CCOCCOCCN1C=CC(=C[NH+]=O)C=C1 UUEVFMOUBSLVJW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 4
- 125000000999 tert-butyl group Chemical group [H]C([H])([H])C(*)(C([H])([H])[H])C([H])([H])[H] 0.000 claims abstract description 4
- 125000005931 tert-butyloxycarbonyl group Chemical group [H]C([H])([H])C(OC(*)=O)(C([H])([H])[H])C([H])([H])[H] 0.000 claims abstract description 4
- 150000007530 organic bases Chemical class 0.000 claims description 10
- ZMANZCXQSJIPKH-UHFFFAOYSA-N Triethylamine Chemical group CCN(CC)CC ZMANZCXQSJIPKH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- IIFFFBSAXDNJHX-UHFFFAOYSA-N 2-methyl-n,n-bis(2-methylpropyl)propan-1-amine Chemical compound CC(C)CN(CC(C)C)CC(C)C IIFFFBSAXDNJHX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- GSEJCLTVZPLZKY-UHFFFAOYSA-N Triethanolamine Chemical compound OCCN(CCO)CCO GSEJCLTVZPLZKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 125000005074 adamantylmethyl group Chemical group 0.000 claims description 3
- 125000002868 norbornyl group Chemical group C12(CCC(CC1)C2)* 0.000 claims description 3
- YKGBNAGNNUEZQC-UHFFFAOYSA-N 6-methyl-n,n-bis(6-methylheptyl)heptan-1-amine Chemical compound CC(C)CCCCCN(CCCCCC(C)C)CCCCCC(C)C YKGBNAGNNUEZQC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 125000005520 diaryliodonium group Chemical group 0.000 claims description 2
- ZBCBWPMODOFKDW-UHFFFAOYSA-N diethanolamine Chemical compound OCCNCCO ZBCBWPMODOFKDW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 150000003871 sulfonates Chemical class 0.000 claims description 2
- 125000005409 triarylsulfonium group Chemical group 0.000 claims description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 24
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 23
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 23
- 239000000047 product Substances 0.000 description 20
- WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M tetramethylammonium hydroxide Chemical compound [OH-].C[N+](C)(C)C WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 20
- VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N n-Hexane Chemical compound CCCCCC VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 19
- FPYJFEHAWHCUMM-UHFFFAOYSA-N maleic anhydride Chemical compound O=C1OC(=O)C=C1 FPYJFEHAWHCUMM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 16
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 16
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 16
- 229920001897 terpolymer Polymers 0.000 description 13
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 description 12
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 11
- SXAMGRAIZSSWIH-UHFFFAOYSA-N 2-[3-[2-(2,3-dihydro-1H-inden-2-ylamino)pyrimidin-5-yl]-1,2,4-oxadiazol-5-yl]-1-(2,4,6,7-tetrahydrotriazolo[4,5-c]pyridin-5-yl)ethanone Chemical compound C1C(CC2=CC=CC=C12)NC1=NC=C(C=N1)C1=NOC(=N1)CC(=O)N1CC2=C(CC1)NN=N2 SXAMGRAIZSSWIH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 10
- YJLUBHOZZTYQIP-UHFFFAOYSA-N 2-[5-[2-(2,3-dihydro-1H-inden-2-ylamino)pyrimidin-5-yl]-1,3,4-oxadiazol-2-yl]-1-(2,4,6,7-tetrahydrotriazolo[4,5-c]pyridin-5-yl)ethanone Chemical compound C1C(CC2=CC=CC=C12)NC1=NC=C(C=N1)C1=NN=C(O1)CC(=O)N1CC2=C(CC1)NN=N2 YJLUBHOZZTYQIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- CONKBQPVFMXDOV-QHCPKHFHSA-N 6-[(5S)-5-[[4-[2-(2,3-dihydro-1H-inden-2-ylamino)pyrimidin-5-yl]piperazin-1-yl]methyl]-2-oxo-1,3-oxazolidin-3-yl]-3H-1,3-benzoxazol-2-one Chemical compound C1C(CC2=CC=CC=C12)NC1=NC=C(C=N1)N1CCN(CC1)C[C@H]1CN(C(O1)=O)C1=CC2=C(NC(O2)=O)C=C1 CONKBQPVFMXDOV-QHCPKHFHSA-N 0.000 description 7
- YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N Dichloromethane Chemical compound ClCCl YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 6
- OZAIFHULBGXAKX-UHFFFAOYSA-N 2-(2-cyanopropan-2-yldiazenyl)-2-methylpropanenitrile Chemical compound N#CC(C)(C)N=NC(C)(C)C#N OZAIFHULBGXAKX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 5
- OZAIFHULBGXAKX-VAWYXSNFSA-N AIBN Substances N#CC(C)(C)\N=N\C(C)(C)C#N OZAIFHULBGXAKX-VAWYXSNFSA-N 0.000 description 4
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N Diethyl ether Chemical compound CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000003708 ampul Substances 0.000 description 4
- FYGUSUBEMUKACF-UHFFFAOYSA-N bicyclo[2.2.1]hept-2-ene-5-carboxylic acid Chemical compound C1C2C(C(=O)O)CC1C=C2 FYGUSUBEMUKACF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000008014 freezing Effects 0.000 description 4
- 238000007710 freezing Methods 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 4
- FAYMLNNRGCYLSR-UHFFFAOYSA-M triphenylsulfonium triflate Chemical compound [O-]S(=O)(=O)C(F)(F)F.C1=CC=CC=C1[S+](C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 FAYMLNNRGCYLSR-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 4
- PSGCQDPCAWOCSH-UHFFFAOYSA-N (4,7,7-trimethyl-3-bicyclo[2.2.1]heptanyl) prop-2-enoate Chemical compound C1CC2(C)C(OC(=O)C=C)CC1C2(C)C PSGCQDPCAWOCSH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- LUMNWCHHXDUKFI-UHFFFAOYSA-N 5-bicyclo[2.2.1]hept-2-enylmethanol Chemical compound C1C2C(CO)CC1C=C2 LUMNWCHHXDUKFI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N Ethyl acetate Chemical compound CCOC(C)=O XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000007872 degassing Methods 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 239000000376 reactant Substances 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 3
- RYHBNJHYFVUHQT-UHFFFAOYSA-N 1,4-Dioxane Chemical compound C1COCCO1 RYHBNJHYFVUHQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WTFUTSCZYYCBAY-SXBRIOAWSA-N 6-[(E)-C-[[4-[2-(2,3-dihydro-1H-inden-2-ylamino)pyrimidin-5-yl]piperazin-1-yl]methyl]-N-hydroxycarbonimidoyl]-3H-1,3-benzoxazol-2-one Chemical compound C1C(CC2=CC=CC=C12)NC1=NC=C(C=N1)N1CCN(CC1)C/C(=N/O)/C1=CC2=C(NC(O2)=O)C=C1 WTFUTSCZYYCBAY-SXBRIOAWSA-N 0.000 description 2
- CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-N Methacrylic acid Chemical compound CC(=C)C(O)=O CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000001732 carboxylic acid derivatives Chemical class 0.000 description 2
- 125000004218 chloromethyl group Chemical group [H]C([H])(Cl)* 0.000 description 2
- JFNLZVQOOSMTJK-UHFFFAOYSA-N norbornene Chemical compound C1C2CCC1C=C2 JFNLZVQOOSMTJK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LLHKCFNBLRBOGN-UHFFFAOYSA-N propylene glycol methyl ether acetate Chemical compound COCC(C)OC(C)=O LLHKCFNBLRBOGN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920006029 tetra-polymer Polymers 0.000 description 2
- KZEVSDGEBAJOTK-UHFFFAOYSA-N 1-(2,4,6,7-tetrahydrotriazolo[4,5-c]pyridin-5-yl)-2-[5-[2-[[3-(trifluoromethoxy)phenyl]methylamino]pyrimidin-5-yl]-1,3,4-oxadiazol-2-yl]ethanone Chemical compound N1N=NC=2CN(CCC=21)C(CC=1OC(=NN=1)C=1C=NC(=NC=1)NCC1=CC(=CC=C1)OC(F)(F)F)=O KZEVSDGEBAJOTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SMZOUWXMTYCWNB-UHFFFAOYSA-N 2-(2-methoxy-5-methylphenyl)ethanamine Chemical compound COC1=CC=C(C)C=C1CCN SMZOUWXMTYCWNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VWVRASTUFJRTHW-UHFFFAOYSA-N 2-[3-(azetidin-3-yloxy)-4-[2-(2,3-dihydro-1H-inden-2-ylamino)pyrimidin-5-yl]pyrazol-1-yl]-1-(2,4,6,7-tetrahydrotriazolo[4,5-c]pyridin-5-yl)ethanone Chemical compound O=C(CN1C=C(C(OC2CNC2)=N1)C1=CN=C(NC2CC3=C(C2)C=CC=C3)N=C1)N1CCC2=C(C1)N=NN2 VWVRASTUFJRTHW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IKOKHHBZFDFMJW-UHFFFAOYSA-N 2-[4-[2-(2,3-dihydro-1H-inden-2-ylamino)pyrimidin-5-yl]-3-(2-morpholin-4-ylethoxy)pyrazol-1-yl]-1-(2,4,6,7-tetrahydrotriazolo[4,5-c]pyridin-5-yl)ethanone Chemical compound C1C(CC2=CC=CC=C12)NC1=NC=C(C=N1)C=1C(=NN(C=1)CC(=O)N1CC2=C(CC1)NN=N2)OCCN1CCOCC1 IKOKHHBZFDFMJW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VNPMDUDIDCXVCH-UHFFFAOYSA-N 2-[4-[2-(2,3-dihydro-1H-inden-2-ylamino)pyrimidin-5-yl]-3-(3-piperazin-1-ylpropyl)pyrazol-1-yl]-1-(2,4,6,7-tetrahydrotriazolo[4,5-c]pyridin-5-yl)ethanone Chemical compound O=C(CN1C=C(C(CCCN2CCNCC2)=N1)C1=CN=C(NC2CC3=C(C2)C=CC=C3)N=C1)N1CCC2=C(C1)N=NN2 VNPMDUDIDCXVCH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WWSJZGAPAVMETJ-UHFFFAOYSA-N 2-[4-[2-(2,3-dihydro-1H-inden-2-ylamino)pyrimidin-5-yl]-3-ethoxypyrazol-1-yl]-1-(2,4,6,7-tetrahydrotriazolo[4,5-c]pyridin-5-yl)ethanone Chemical compound C1C(CC2=CC=CC=C12)NC1=NC=C(C=N1)C=1C(=NN(C=1)CC(=O)N1CC2=C(CC1)NN=N2)OCC WWSJZGAPAVMETJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HVTQDSGGHBWVTR-UHFFFAOYSA-N 2-[4-[2-(2,3-dihydro-1H-inden-2-ylamino)pyrimidin-5-yl]-3-phenylmethoxypyrazol-1-yl]-1-morpholin-4-ylethanone Chemical compound C(C1=CC=CC=C1)OC1=NN(C=C1C=1C=NC(=NC=1)NC1CC2=CC=CC=C2C1)CC(=O)N1CCOCC1 HVTQDSGGHBWVTR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JQMFQLVAJGZSQS-UHFFFAOYSA-N 2-[4-[2-(2,3-dihydro-1H-inden-2-ylamino)pyrimidin-5-yl]piperazin-1-yl]-N-(2-oxo-3H-1,3-benzoxazol-6-yl)acetamide Chemical compound C1C(CC2=CC=CC=C12)NC1=NC=C(C=N1)N1CCN(CC1)CC(=O)NC1=CC2=C(NC(O2)=O)C=C1 JQMFQLVAJGZSQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OMIGHNLMNHATMP-UHFFFAOYSA-N 2-hydroxyethyl prop-2-enoate Chemical compound OCCOC(=O)C=C OMIGHNLMNHATMP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MGGVALXERJRIRO-UHFFFAOYSA-N 4-[2-(2,3-dihydro-1H-inden-2-ylamino)pyrimidin-5-yl]-2-[2-oxo-2-(2,4,6,7-tetrahydrotriazolo[4,5-c]pyridin-5-yl)ethyl]-1H-pyrazol-5-one Chemical compound C1C(CC2=CC=CC=C12)NC1=NC=C(C=N1)C=1C(=NN(C=1)CC(=O)N1CC2=C(CC1)NN=N2)O MGGVALXERJRIRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DFGKGUXTPFWHIX-UHFFFAOYSA-N 6-[2-[4-[2-(2,3-dihydro-1H-inden-2-ylamino)pyrimidin-5-yl]piperazin-1-yl]acetyl]-3H-1,3-benzoxazol-2-one Chemical compound C1C(CC2=CC=CC=C12)NC1=NC=C(C=N1)N1CCN(CC1)CC(=O)C1=CC2=C(NC(O2)=O)C=C1 DFGKGUXTPFWHIX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WOBHKFSMXKNTIM-UHFFFAOYSA-N Hydroxyethyl methacrylate Chemical compound CC(=C)C(=O)OCCO WOBHKFSMXKNTIM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- NYSZKSABNWRKEI-UHFFFAOYSA-N bis(1-adamantyloxymethyl) bicyclo[2.2.1]hept-5-ene-2,3-dicarboxylate Chemical compound C1C(C2)CC(C3)CC2CC13OCOC(=O)C1C(C=C2)CC2C1C(=O)OCOC1(C2)CC(C3)CC2CC3C1 NYSZKSABNWRKEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YCDDARWPZYLXTI-UHFFFAOYSA-N bis(ethoxymethyl) bicyclo[2.2.1]hept-5-ene-2,3-dicarboxylate Chemical compound C1C2C=CC1C(C(=O)OCOCC)C2C(=O)OCOCC YCDDARWPZYLXTI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FCYRSDMGOLYDHL-UHFFFAOYSA-N chloromethoxyethane Chemical compound CCOCCl FCYRSDMGOLYDHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004440 column chromatography Methods 0.000 description 1
- 239000006184 cosolvent Substances 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- FFUAGWLWBBFQJT-UHFFFAOYSA-N hexamethyldisilazane Chemical compound C[Si](C)(C)N[Si](C)(C)C FFUAGWLWBBFQJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 125000005395 methacrylic acid group Chemical group 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000010992 reflux Methods 0.000 description 1
- 230000007261 regionalization Effects 0.000 description 1
- 238000001226 reprecipitation Methods 0.000 description 1
- WLYAFXGMFIWIKE-UHFFFAOYSA-N tert-butyl 2-methylprop-2-enoate;methyl 2-methylprop-2-enoate;2-methylprop-2-enoic acid Chemical compound CC(=C)C(O)=O.COC(=O)C(C)=C.CC(=C)C(=O)OC(C)(C)C WLYAFXGMFIWIKE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
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- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
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- Y10S430/00—Radiation imagery chemistry: process, composition, or product thereof
- Y10S430/1053—Imaging affecting physical property or radiation sensitive material, or producing nonplanar or printing surface - process, composition, or product: radiation sensitive composition or product or process of making binder containing
- Y10S430/1055—Radiation sensitive composition or product or process of making
- Y10S430/114—Initiator containing
- Y10S430/115—Cationic or anionic
Abstract
백본(backbone)이 환상(環狀) 구조를 가지면서 지환식(脂環式) 화합물을 함유하는 감광성 폴리머와, 이로부터 얻어지는 레지스트 조성물에 관하여 개시한다. 본 발명에 따른 감광성 폴리머는 다음 식을 가지고, 중량 평균 분자량이 3,000 ∼ 100,000이다.
식중, R1, R2, R5는 각각 수소 또는 메틸기이고, R3는 메틸기, 에틸기, C3∼C20의 지방족 탄화수소, 또는 지환식 화합물이고, R4는 수소, 히드록시기, 히드록시메틸기, 카르본산기, 2-히드록시에틸옥시카르보닐기, 터트-부톡시카르보닐기, 또는 지환식 화합물이고, R6은 수소, 2-히드록시에틸기, 터트-부틸기, 이소보르닐기, 아다만틸기, 노르보르닐기, 또는 멘틸기이고, l/(l+m+n+p) = 0.1∼0.5이고, m/(l+m+n+p) = 0.3∼0.5이고, n/(l+m+n+p) = 0.0∼0.3이고, p/(l+m+n+p) = 0.0∼0.3이다.
Description
본 발명은 화학증폭형 레지스트 조성물에 관한 것으로, 특히 백본(backbone)이 환상(環狀) 구조를 가지는 감광성 폴리머와, 이로부터 얻어지는 ArF 엑시머 레이저용 레지스트 조성물에 관한 것이다.
반도체 제조 공정이 복잡해지고 반도체 소자의 집적도가 증가함에 따라 미세한 패턴 형성이 요구된다. 더욱이, 반도체 소자의 용량이 1기가(Giga) 비트급 이상인 소자에 있어서, 디자인 룰이 0.2μm 이하인 패턴 사이즈가 요구되고, 그에 따라 기존의 KrF 엑시머 레이저(248nm)를 이용한 레지스트 재료를 사용하는 데 한계가 있다. 따라서, 새로운 에너지 노광원인 ArF 엑시머 레이저(193nm)를 이용한 리소그래피 기술이 등장하였다.
이와 같은 ArF 엑시머 레이저를 이용한 리소그래피에 사용되는 레지스트 재료는 기존의 레지스트 재료에 비해 상용화하기에는 많은 문제점들이 있다. 가장 대표적인 문제점으로서 폴리머의 투과도(transmittance) 및 건식 식각에 대한 내성을들 수 있다.
지금까지 알려진 일반적인 ArF 레지스트로서 아크릴계 또는 메타크릴계 폴리머들이 주로 사용되어 왔다. 그 중에서, IBM사의 터폴리머 시스템인 폴리(메틸 메타크릴레이트 - 터트-부틸 메타크릴레이트 - 메타크릴산)이 대표적이다. 이러한 폴리머들의 심각한 문제는 건식 식각에 대한 내성이 매우 나쁘다는 것이다.
그에 따라, 건식 식각에 대한 내성을 증가시키기 위하여 건식 식각에 강한 내성을 갖는 물질인 지환식 화합물(alicyclic compound), 예를 들면 이소보르닐기(isobornyl group), 아다만틸기(adamantyl group), 트리시클로데카닐기(tricyclodecanyl group) 등을 폴리머의 백본(backbone)에 도입하는 방법을 사용하고 있다. 그러나, 이들은 여전히 건식 식각에 대한 내성이 약하다.
따라서, 본 발명의 목적은 건식 식각에 대한 내성이 충분히 확보될 수 있도록 폴리머의 백본(backbone)이 환상(環狀) 구조를 가지면서 지환식(脂環式) 화합물을 함유하는 감광성 폴리머를 제공하는 것이다.
본 발명의 다른 목적은 ArF 엑시머 레이저를 이용하는 리소그래피 공정에서 건식 식각에 대한 내성을 강화할 수 있도록 상기한 감광성 폴리머를 포함하는 레지스트 조성물을 제공하는 것이다.
상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명은 다음 식을 가지고, 중량 평균 분자량이 3,000 ∼ 100,000인 감광성 폴리머를 제공한다.
식중, R1, R2, R5는 각각 수소 또는 메틸기이고, R3는 메틸기, 에틸기, C3∼C20의 지방족 탄화수소, 또는 지환식 화합물이고, R4는 수소, 히드록시기, 히드록시메틸기, 카르본산기, 2-히드록시에틸옥시카르보닐기, 터트-부톡시카르보닐기, 또는 지환식 화합물이고, R6은 수소, 2-히드록시에틸기, 터트-부틸기, 이소보르닐기, 아다만틸기, 노르보르닐기, 또는 멘틸기이고, l/(l+m+n+p) = 0.1∼0.5이고, m/(l+m+n+p) = 0.3∼0.5이고, n/(l+m+n+p) = 0.0∼0.3이고, p/(l+m+n+p) = 0.0∼0.3이다.
바람직하게는, 상기 R3는 아다만틸기, 아다만틸메틸기, 노르보르닐기, 노르보르닐메틸기, 이소보르닐기, 멘틸기, 이소멘틸기, 또는 에틸기이다.
또한 바람직하게는, 상기 R4는 이소보르닐옥시카르보닐기이다.
상기 다른 목적을 달성하기 위하여, 본 발명은 상기 식을 가지고, 중량 평균 분자량이 3,000 ∼ 100,000인 감광성 폴리머와, PAG(photoacid generator)로 구성되는 레지스트 조성물을 제공한다.
바람직하게는, 상기 PAG는 상기 폴리머의 중량을 기준으로 1 ∼ 15 중량%의양으로 포함된다.
상기 PAG로서 트리아릴술포늄염 (triarylsulfonium salts), 디아릴이오도늄염 (diaryliodonium salts), 술포네이트 (sulfonates) 또는 그 혼합물을 사용할 수 있다.
본 발명에 따른 레지스트 조성물은 유기 염기를 더 포함할 수 있다. 이 때, 상기 유기 염기는 상기 폴리머의 중량을 기준으로 0.01 ∼ 2.0 중량%의 양으로 포함되는 것이 바람직하다.
상기 유기 염기로서 트리에틸아민, 트리이소부틸아민, 트리이소옥틸아민, 디에탄올아민, 트리에탄올아민 또는 그 혼합물을 사용할 수 있다.
본 발명에 의하면, 백본(backbone)이 환상(環狀) 구조를 가지면서 지환식(脂環式) 화합물을 함유하는 감광성 폴리머를 제공함으로써, 건식 식각에 대한 충분한 내성을 확보할 수 있다.
다음에, 본 발명의 바람직한 실시예들에 대하여 상세히 설명한다.
실시예 1
2,3-디-멘톡시메틸옥시카르보닐 5-노르보르넨의 합성
5-노르보르넨-2-카르본산 (0.11몰)과 트리에틸아민 (0.12몰)을 염화 메틸렌(150mL)하에서 반응시키고, 여기에 클로로메틸 멘틸 에테르 (0.1몰)를 천천히 떨어뜨린 후, 얻어진 반응물을 환류 상태하에서 약 12시간 동안 반응시켰다.
반응이 끝난 후, 반응물을 과량의 물에 부어 넣고, HCl을 이용하여 중화시켰다. 그 후, 염화 메틸렌을 이용하여 추출하고, 얻어진 추출물로부터 콜럼 크로마토그래피 (column chromatography) (에틸 아세테이트:헥산 = 1:3)를 이용하여 생성물을 분리하였다. (수율 75%)
실시예 2
2,3-디-아다만톡시메틸옥시카르보닐 5-노르보르넨의 합성
클로로메틸 아다만틸 에테르 (0.1몰)를 사용하여 실시예 1에서와 같은 방법으로 반응시키고 생성물을 분리하였다.
실시예 3
2,3-디-이소보르닐옥시메틸옥시카르보닐 5-노르보르넨의 합성
클로로메틸 이소보르닐 에테르 (0.1몰)를 사용하여 실시예 1에서와 같은 방법으로 반응시키고 생성물을 분리하였다.
실시예 4
2,3-디-에톡시메틸옥시카르보닐 5-노르보르넨의 합성
클로로메틸 에틸 에테르 (0.1몰)를 사용하여 실시예 1에서와 같은 방법으로 반응시키고 생성물을 분리하였다.
실시예 5
코폴리머의 합성
실시예 5-1
코폴리머의 합성 (R = 멘틸)
실시예 1에서 합성한 모노머 (26g, 50밀리몰)와 무수 말레인산 (4.9g, 50밀리몰)을 AIBN(azobis(isobutyronitrile)) (0.17g)과 함께 무수 디옥산 (16g)에 녹인 후, 앰풀을 이용하여 동결 방법으로 디가싱을 실시하였다. 그 후, 반응물을 70℃의 온도에서 약 24시간 동안 중합시켰다.
중합이 끝난 후, 반응물을 과량의 n-헥산에 천천히 떨어뜨리면서 침전시키고, 침전물을 다시 THF에 녹이고, 보조 용제(co-solvent) (n-헥산:이소프로필알콜 = 8:2)에서 재침전을 실시하여 폴리머를 얻었다. (수율 40%)
이 때, 얻어진 생성물의 중량 평균 분자량(Mw)은 12,600이었고, 다분산도는 1.8이었다.
실시예 5-2
코폴리머의 합성 (R = 아다만틸)
실시예 2에서 합성한 모노머 (50밀리몰)와 무수 말레인산 (4.9g, 50밀리몰)을 사용하여 실시예 5-1에서와 같은 방법으로 중합한 다음, 실시예 5-1에서와 동일한 침전 방식을 이용하여 폴리머를 얻었다.
이 때, 얻어진 생성물의 중량 평균 분자량(Mw)은 13,700이었고, 다분산도는 1.9이었다.
실시예 5-3
코폴리머의 합성 (R = 이소보르닐)
실시예 3에서 합성한 모노머 (50밀리몰)와 무수 말레인산 (4.9g, 50밀리몰)을 사용하여 실시예 5-1에서와 같은 방법으로 중합한 다음, 실시예 5-1에서와 동일한 침전 방식을 이용하여 폴리머를 얻었다.
이 때, 얻어진 생성물의 중량 평균 분자량(Mw)은 13,300이었고, 다분산도는 2.0이었다.
실시예 5-4
코폴리머의 합성 (R = 에틸)
실시예 4에서 합성한 모노머 (50밀리몰)와 무수 말레인산 (4.9g, 50밀리몰)을 사용하여 실시예 5-1에서와 같은 방법으로 중합한 다음, 실시예 5-1에서와 동일한 침전 방식을 이용하여 폴리머를 얻었다.
이 때, 얻어진 생성물의 중량 평균 분자량(Mw)은 12,700이었고, 다분산도는 1.8이었다.
실시예 6
터폴리머의 합성
실시예 6-1
터폴리머의 합성 (R
1
= 멘틸, R
2
= 히드록시메틸)
실시예 1에서 합성한 모노머 (13g, 25밀리몰)와, 5-노르보르넨-2-메탄올 (3.1g, 25밀리몰)과, 무수 말레인산 (4.9g, 50밀리몰)을 AIBN (0.17g)과 함께 무수 디옥산 (10g)에 녹인 다음, 앰풀을 이용하여 동결 방법으로 디가싱을 실시하고, 반응물을 70℃의 온도에서 약 24시간 동안 중합시켰다.
중합이 끝난 후, 반응물을 과량의 n-헥산에 천천히 떨어뜨리면서 침전시킨 다음, 침전물을 다시 THF에 녹이고, 보조 용제 (n-헥산:이소프로필알콜 = 10:1)에서 재침전을 실시하여 폴리머를 얻었다. (수율 40%)
이 때, 얻어진 생성물의 중량 평균 분자량(Mw)은 12,600이었고, 다분산도는 1.8이었다.
실시예 6-2
터폴리머의 합성 (R
1
= 멘틸, R
2
= 카르본산)
실시예 1에서 합성한 모노머 (40밀리몰)와, 5-노르보르넨-2-카르본산 (10밀리몰)과, 무수 말레인산 (50밀리몰)을 사용하여 실시예 6-1에서와 같은 방법으로중합한 다음, 실시예 6-1에서와 동일한 침전 방식을 이용하여 폴리머를 얻었다.
이 때, 얻어진 생성물의 중량 평균 분자량(Mw)은 13,700이었고, 다분산도는 1.9이었다.
실시예 6-3
터폴리머의 합성 (R
1
= 아다만틸, R
2
= 히드록시메틸)
실시예 2에서 합성한 모노머 (30밀리몰)와, 5-노르보르넨-2-메탄올 (20밀리몰)과, 무수 말레인산 (50밀리몰)을 사용하여 실시예 6-1에서와 같은 방법으로 중합한 다음, 실시예 6-1에서와 동일한 침전 방식을 이용하여 폴리머를 얻었다.
이 때, 얻어진 생성물의 중량 평균 분자량(Mw)은 13,300이었고, 다분산도는 2.0이었다.
실시예 6-4
터폴리머의 합성 (R
1
= 아다만틸, R
2
= 카르본산)
실시예 2에서 합성한 모노머 (40밀리몰)와, 5-노르보르넨-2-카르본산 (10밀리몰)과, 무수 말레인산 (50밀리몰)을 사용하여 실시예 6-1에서와 같은 방법으로 중합한 다음, 실시예 6-1에서와 동일한 침전 방식을 이용하여 폴리머를 얻었다.
이 때, 얻어진 생성물의 중량 평균 분자량(Mw)은 13,700이었고, 다분산도는 1.9이었다.
실시예 7
터폴리머의 합성
실시예 7-1
터폴리머의 합성 (R
1
= 멘틸, R
2
, R
3
= 수소)
실시예 1에서 합성한 모노머 (26g, 50밀리몰)와, 아크릴산 (0.7g, 10밀리몰)과, 무수 말레인산 (4.9g, 50밀리몰)을 AIBN (0.18g)과 함께 무수 디옥산 (32g)에 녹인 다음, 앰풀을 이용하여 동결 방법으로 디가싱을 실시하고, 반응물을 70℃의 온도에서 약 24시간 동안 중합시켰다.
중합이 끝난 후, 반응물을 과량의 n-헥산에 천천히 떨어뜨리면서 침전시킨 다음, 침전물을 다시 THF에 녹이고, 보조 용제 (n-헥산:이소프로필알콜 = 10:1)에서 재침전을 실시하여 폴리머를 얻었다. (수율 50%)
이 때, 얻어진 생성물의 중량 평균 분자량(Mw)은 12,600이었고, 다분산도는 2.2이었다.
실시예 7-2
터폴리머의 합성 (R
1
= 멘틸, R
2
= 수소, R
3
= 2-히드록시에틸)
실시예 1에서 합성한 모노머 (40밀리몰)와, 2-히드록시에틸 아크릴레이트 (20밀리몰)와, 무수 말레인산 (40밀리몰)을 사용하여 실시예 7-1에서와 같은 방법으로 중합한 다음, 실시예 7-1에서와 동일한 침전 방식을 이용하여 폴리머를 얻었다.
이 때, 얻어진 생성물의 중량 평균 분자량(Mw)은 13,700이었고, 다분산도는 2.0이었다.
실시예 7-3
터폴리머의 합성 (R
1
= 아다만틸, R
2
= 메틸, R
3
= 수소)
실시예 2에서 합성한 모노머 (40밀리몰)와, 메타크릴산 (10밀리몰)과, 무수 말레인산 (40밀리몰)을 사용하여 실시예 7-1에서와 같은 방법으로 중합한 다음, 실시예 7-1에서와 동일한 침전 방식을 이용하여 폴리머를 얻었다.
이 때, 얻어진 생성물의 중량 평균 분자량(Mw)은 13,300이었고, 다분산도는 2.2이었다.
실시예 7-4
터폴리머의 합성 (R
1
= 아다만틸, R
2
= 메틸, R
3
= 2-히드록시에틸)
실시예 2에서 합성한 모노머 (40밀리몰)와, 2-히드록시에틸 메타크릴레이트 (30밀리몰)와, 무수 말레인산 (40밀리몰)을 사용하여 실시예 7-1에서와 같은 방법으로 중합한 다음, 실시예 7-1에서와 동일한 침전 방식을 이용하여 폴리머를 얻었다.
이 때, 얻어진 생성물의 중량 평균 분자량(Mw)은 13,700이었고, 다분산도는 2.1이었다.
실시예 7-5
터폴리머의 합성 (R
1
= 이소보르닐, R
2
= 메틸, R
3
= 수소)
실시예 3에서 합성한 모노머 (40밀리몰)와, 메타크릴산 (15밀리몰)과, 무수 말레인산 (40밀리몰)을 사용하여 실시예 7-1에서와 같은 방법으로 중합한 다음, 실시예 7-1에서와 동일한 침전 방식을 이용하여 폴리머를 얻었다.
이 때, 얻어진 생성물의 중량 평균 분자량(Mw)은 13,700이었고, 다분산도는 2.0이었다.
실시예 7-6
터폴리머의 합성 (R
1
= 에틸, R
2
= 수소, R
3
= 이소보르닐)
실시예 4에서 합성한 모노머 (40밀리몰)와, 이소보르닐 아크릴레이트 (10밀리몰)와, 무수 말레인산 (40밀리몰)을 사용하여 실시예 7-1에서와 같은 방법으로 중합한 다음, 실시예 7-1에서와 동일한 침전 방식을 이용하여 폴리머를 얻었다.
이 때, 얻어진 생성물의 중량 평균 분자량(Mw)은 13,700이었고, 다분산도는 2.3이었다.
실시예 8
테트라폴리머의 합성
실시예 4에서 합성한 모노머 (7.5g, 25밀리몰)와, 5-노르보르넨-2-메탄올 (3.1g, 25밀리몰)과, 이소보르닐 아크릴레이트 (2.1g, 10밀리몰)와, 무수 말레인산 (4.9g, 50밀리몰)을 AIBN (0.18g)과 함께 무수 디옥산 (20g)에 녹인 다음, 앰풀을 이용하여 동결 방법으로 디가싱을 실시하고, 반응물을 70℃의 온도에서 약 24시간동안 중합시켰다.
중합이 끝난 후, 반응물을 과량의 n-헥산에 천천히 떨어뜨리면서 침전시킨 다음, 침전물을 다시 THF에 녹이고, 보조 용제 (n-헥산:이소프로필알콜 = 9:1)에서 재침전을 실시하여 폴리머를 얻었다. (수율 45%)
이 때, 얻어진 생성물의 중량 평균 분자량(Mw)은 12,600이었고, 다분산도는 2.2이었다.
실시예 9
테트라폴리머의 합성
실시예 4에서 합성한 모노머 (30밀리몰)와, 5-노르보르넨-2-카르본산 (20밀리몰)과, 이소보르닐 아크릴레이트 (10밀리몰)와, 무수 말레인산 (50밀리몰)을 실시예 8에서와 같은 방법으로 중합한 다음, 실시예 8에서와 동일한 침전 방식을 이용하여 폴리머를 얻었다.
이 때, 얻어진 생성물의 중량 평균 분자량(Mw)은 12,300이었고, 다분산도는 2.3이었다.
실시예 10
레지스트 조성물을 이용한 패턴 형성 공정
이하의 실시예들에서는 패턴 형성 공정에 사용되는 레지스트 조성물을 제조하기 위하여, 다음과 같은 공정을 이용한다.
실시예 5 내지 실시예 9에서 합성한 폴리머들중에서 선택된 하나의 폴리머 (1.0g)를 PAG (photoacid generator)인 트리페닐술포늄 트리플레이트 (20mg)와, 유기 염기인 트리이소부틸아민 (2mg)과 함께 프로필렌 글리콜 모노메틸 에테르 아세테이트(PGMEA) (6.0g) 용액에 완전히 용해시킨다. 그 후, 상기 용액을 0.2μm 멤브레인 필터(membrane filter)를 이용하여 걸러서 레지스트 조성물을 얻는다.
상기와 같은 방법에 의하여 얻어진 레지스트 조성물을 이용하여 패턴을 형성하기 위하여 다음과 같은 공정을 이용한다.
상면에 실리콘 산화막이 형성되어 있는 실리콘 웨이퍼를 준비하고, 상기 실리콘 웨이퍼를 헥사메틸디실라잔(HMDS)으로 처리한다. 그 후, 상기 실리콘 산화막 위에 상기 레지스트 조성물을 약 0.4μm의 두께로 코팅한다.
레지스트 조성물이 코팅된 상기 실리콘 웨이퍼를 100 ∼ 130℃의 온도 범위에서 60 ∼ 120초 동안 프리베이킹(pre-baking)하고, 개구수(NA)가 0.45인 KrF 엑시머 레이저 또는 개구수(NA)가 0.6인 ArF 엑시머 레이저를 이용하여 노광한 후, 100 ∼ 140℃의 온도 범위에서 60 ∼ 120초 동안 PEB(post-exposure baking)를 실시한다.
그 후, 2.38 중량% 테트라메틸암모늄 히드록사이드 (tetramethylammonium hydroxide: TMAH) 용액을 사용하여 약 20 ∼ 60초 동안 현상한다. 그 결과 얻어진 레지스트 패턴을 마스크로 사용하고, 특정한 에칭 가스를 사용하여 상기 실리콘 산화막을 에칭한다. 이어서, 스트립퍼(stripper)를 사용하여 웨이퍼상에 남아 있는 레지스트 패턴을 제거하여 원하는 실리콘 산화막 패턴을 형성한다.
다음에, 실시예 10에서와 같은 방법으로 레지스트 조성물을 제조한 후 이를 이용하여 패턴을 형성한 구체적인 예들을 설명한다.
실시예 10-1
실시예 5-4에서 합성한 폴리머 (1.0g)를 사용하여 실시예 10에서와 같은 방법으로 레지스트 조성물을 제조하고 얻어진 레지스트 조성물을 웨이퍼상에 코팅하였다.
그 후, 상기 레지스트 조성물이 코팅된 웨이퍼를 110℃의 온도에서 90초 동안 프리베이킹하고, 개구수(NA)가 0.45인 KrF 엑시머 레이저를 이용하여 노광한 후, 110℃의 온도에서 90초 동안 PEB를 실시하였다.
그 후, 2.38 중량% TMAH 용액을 사용하여 약 60초 동안 현상하여 레지스트 패턴을 형성하였다.
노광 도즈량을 약 23mJ/cm2으로 하였을 때 0.5μm 라인 앤드 스페이스 패턴이 얻어지는 것을 확인하였다.
실시예 10-2
실시예 6-1에서 합성한 폴리머 (1.0g)와, PAG인 트리페닐술포늄 트리플레이트 (30mg)와, 유기 염기인 트리에탄올아민 (3mg)을 사용하여 실시예 10에서와 같은 방법으로 레지스트 조성물을 제조하고 얻어진 레지스트 조성물을 웨이퍼상에 코팅하였다.
그 후, 상기 레지스트 조성물이 코팅된 웨이퍼를 110℃의 온도에서 90초 동안 프리베이킹하고, 개구수(NA)가 0.45인 KrF 엑시머 레이저를 이용하여 노광한 후, 120℃의 온도에서 90초 동안 PEB를 실시하였다.
그 후, 2.38 중량% TMAH 용액을 사용하여 약 60초 동안 현상하여 레지스트패턴을 형성하였다.
그 결과, 노광 도즈량을 약 21mJ/cm2으로 하였을 때 0.4μm 라인 앤드 스페이스 패턴이 얻어지는 것을 확인하였다.
실시예 10-3
실시예 6-4에서 합성한 폴리머 (1.0g)를 사용하여 실시예 10에서와 같은 방법으로 레지스트 조성물을 제조하고 얻어진 레지스트 조성물을 웨이퍼상에 코팅하였다.
그 후, 상기 레지스트 조성물이 코팅된 상기 웨이퍼를 110℃의 온도에서 90초 동안 프리베이킹하고, 개구수(NA)가 0.6인 ArF 엑시머 레이저를 이용하여 노광한 후, 110℃의 온도에서 90초 동안 PEB를 실시하였다.
그 후, 2.38 중량% TMAH 용액을 사용하여 약 60초 동안 현상하여 레지스트 패턴을 형성하였다.
그 결과, 노광 도즈량을 약 11mJ/cm2으로 하였을 때 0.3μm 라인 앤드 스페이스 패턴이 얻어지는 것을 확인하였다.
실시예 10-4
실시예 7-2에서 합성한 폴리머 (1.0g)를 사용하여 실시예 10에서와 같은 방법으로 레지스트 조성물을 제조하고 얻어진 레지스트 조성물을 웨이퍼상에 코팅하였다.
그 후, 상기 레지스트 조성물이 코팅된 상기 웨이퍼를 120℃의 온도에서 90초 동안 프리베이킹하고, 개구수(NA)가 0.6인 ArF 엑시머 레이저를 이용하여 노광한 후, 120℃의 온도에서 90초 동안 PEB를 실시하였다.
그 후, 2.38 중량% TMAH 용액을 사용하여 약 45초 동안 현상하여 레지스트 패턴을 형성하였다.
노광 도즈량을 약 14mJ/cm2으로 하였을 때 0.3μm 라인 앤드 스페이스 패턴이 얻어지는 것을 확인하였다.
실시예 10-5
실시예 7-3에서 합성한 폴리머 (1.0g)를 사용하여 실시예 10에서와 같은 방법으로 레지스트 조성물을 제조하고 얻어진 레지스트 조성물을 웨이퍼상에 코팅하였다.
그 후, 상기 레지스트 조성물이 코팅된 상기 웨이퍼를 120℃의 온도에서 90초 동안 프리베이킹하고, 개구수(NA)가 0.6인 ArF 엑시머 레이저를 이용하여 노광한 후, 120℃의 온도에서 90초 동안 PEB를 실시하였다.
그 후, 2.38 중량% TMAH 용액을 사용하여 약 60초 동안 현상하여 레지스트 패턴을 형성하였다.
그 결과, 노광 도즈량을 약 13mJ/cm2으로 하였을 때 0.3μm 라인 앤드 스페이스 패턴이 얻어지는 것을 확인하였다.
실시예 10-6
실시예 8에서 합성한 폴리머 (1.0g)와, PAG인 트리페닐술포늄 트리플레이트(30mg)와, 유기 염기인 트리에탄올아민 (3mg)을 사용하여 실시예 10에서와 같은 방법으로 레지스트 조성물을 제조하고 얻어진 레지스트 조성물을 웨이퍼상에 코팅하였다.
그 후, 상기 레지스트 조성물이 코팅된 상기 웨이퍼를 110℃의 온도에서 90초 동안 프리베이킹하고, 개구수(NA)가 0.45인 KrF 엑시머 레이저를 이용하여 노광한 후, 120℃의 온도에서 90초 동안 PEB를 실시하였다.
그 후, 2.38 중량% TMAH 용액을 사용하여 약 60초 동안 현상하여 레지스트 패턴을 형성하였다.
그 결과, 노광 도즈량을 약 21mJ/cm2으로 하였을 때 0.5μm 라인 앤드 스페이스 패턴이 얻어지는 것을 확인하였다.
실시예 10-7
실시예 9에서 합성한 폴리머 (1.0g)와, PAG인 트리페닐술포늄 트리플레이트 (30mg)와, 유기 염기인 트리이소부틸아민 (3mg)을 사용하여 실시예 10에서와 같은 방법으로 레지스트 조성물을 제조하고 얻어진 레지스트 조성물을 웨이퍼상에 코팅하였다.
그 후, 상기 레지스트 조성물이 코팅된 상기 웨이퍼를 110℃의 온도에서 90초 동안 프리베이킹하고, 개구수(NA)가 0.45인 KrF 엑시머 레이저를 이용하여 노광한 후, 120℃의 온도에서 90초 동안 PEB를 실시하였다.
그 후, 2.38 중량% TMAH 용액을 사용하여 약 60초 동안 현상하여 레지스트 패턴을 형성하였다.
그 결과, 노광 도즈량을 약 25mJ/cm2으로 하였을 때 0.4μm 라인 앤드 스페이스 패턴이 얻어지는 것을 확인하였다.
본 발명에 따른 감광성 폴리머는 백본(backbone)이 환상 구조를 가지면서 지환식(脂環式) 화합물을 함유하고 있으므로, 건식 식각에 대한 내성을 충분히 확보할 수 있다.
또한, 레지스트 조성물의 접착 특성을 강화시키기 위하여 여러가지 코모노머(comonomer)를 도입하여 공중합체를 형성함으로써, 하부 막질에 대한 접착력을 향상시킬 수 있고, 일반적인 현상액, 예를 들면 2.38중량% TMAH 용액을 사용하여 레지스트 패턴을 형성하는 것이 가능하다.
따라서, 본 발명에 따른 폴리머로 이루어지는 레지스트 조성물은 건식 식각에 대한 충분한 내성을 확보할 수 있고, 어떠한 형태의 리소그래피 공정에 적용하더라도 매우 우수한 리소그래피 퍼포먼스를 나타낼 수 있으며, 향후 차세대 반도체 소자를 제조하는 데 매우 유용하게 사용될 수 있다.
이상, 본 발명을 바람직한 실시예를 들어 상세하게 설명하였으나, 본 발명은 상기 실시예에 한정되지 않고, 본 발명의 기술적 사상의 범위 내에서 당 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의하여 여러가지 변형이 가능하다.
Claims (11)
- 다음 식을 가지고, 중량 평균 분자량이 3,000 ∼ 100,000인 감광성 폴리머.식중, R1, R2, R5는 각각 수소 또는 메틸기이고, R3는 메틸기, 에틸기, C3∼C20의 지방족 탄화수소, 또는 지환식 화합물이고, R4는 수소, 히드록시기, 히드록시메틸기, 카르본산기, 2-히드록시에틸옥시카르보닐기, 터트-부톡시카르보닐기, 또는 지환식 화합물이고, R6은 수소, 2-히드록시에틸기, 터트-부틸기, 이소보르닐기, 아다만틸기, 노르보르닐기, 또는 멘틸기이고, l/(l+m+n+p) = 0.1∼0.5이고, m/(l+m+n+p) = 0.3∼0.5이고, n/(l+m+n+p) = 0.0∼0.3이고, p/(l+m+n+p) = 0.0∼0.3임.
- 제1항에 있어서, 상기 R3는 아다만틸기, 아다만틸메틸기, 노르보르닐기, 노르보르닐메틸기, 이소보르닐기, 멘틸기, 이소멘틸기, 또는 에틸기인 감광성 폴리머.
- 제1항에 있어서, 상기 R4는 이소보르닐옥시카르보닐기인 감광성 폴리머.
- (a) 다음 식을 가지고, 중량 평균 분자량이 3,000 ∼ 100,000인 감광성 폴리머와,식중, R1, R2, R5는 각각 수소 또는 메틸기이고, R3는 메틸기, 에틸기, C3∼C20의 지방족 탄화수소, 또는 지환식 화합물이고, R4는 수소, 히드록시기, 히드록시메틸기, 카르본산기, 2-히드록시에틸옥시카르보닐기, 터트-부톡시카르보닐기, 또는 지환식 화합물이고, R6은 수소, 2-히드록시에틸기, 터트-부틸기, 이소보르닐기, 아다만틸기, 노르보르닐기, 또는 멘틸기이고, l/(l+m+n+p) = 0.1∼0.5이고, m/(l+m+n+p) = 0.3∼0.5이고, n/(l+m+n+p) = 0.0∼0.3이고, p/(l+m+n+p) = 0.0∼0.3임.(b) PAG(photoacid generator)로 구성되는 레지스트 조성물.
- 제4항에 있어서, 상기 R3는 아다만틸기, 아다만틸메틸기, 노르보르닐기, 노르보르닐메틸기, 이소보르닐기, 멘틸기, 이소멘틸기, 또는 에틸기인 레지스트 조성물.
- 제4항에 있어서, 상기 R4는 이소보르닐옥시카르보닐기인 레지스트 조성물.
- 제4항에 있어서, 상기 PAG는 상기 폴리머의 중량을 기준으로 1 ∼ 15 중량%의 양으로 포함되는 레지스트 조성물.
- 제4항에 있어서, 상기 PAG는 트리아릴술포늄염 (triarylsulfonium salts), 디아릴이오도늄염 (diaryliodonium salts), 술포네이트 (sulfonates) 또는 그 혼합물인 레지스트 조성물.
- 제4항에 있어서, 유기 염기를 더 포함하는 레지스트 조성물.
- 제9항에 있어서, 상기 유기 염기는 상기 폴리머의 중량을 기준으로 0.01 ∼ 2.0 중량%의 양으로 포함되는 레지스트 조성물.
- 제9항에 있어서, 상기 유기 염기는 트리에틸아민, 트리이소부틸아민, 트리이소옥틸아민, 디에탄올아민, 트리에탄올아민 또는 그 혼합물인 레지스트 조성물.
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1019990031059A KR100301062B1 (ko) | 1999-07-29 | 1999-07-29 | 백본이 환상구조를 가지는 감광성 폴리머와 이를 포함하는 레지스트 조성물 |
US09/539,138 US6270942B1 (en) | 1999-07-29 | 2000-03-30 | Photosensitive polymer having cyclic backbone and resist composition comprising the same |
JP2000231005A JP4567158B2 (ja) | 1999-07-29 | 2000-07-31 | 感光性ポリマーおよびこれを含むレジスト組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1019990031059A KR100301062B1 (ko) | 1999-07-29 | 1999-07-29 | 백본이 환상구조를 가지는 감광성 폴리머와 이를 포함하는 레지스트 조성물 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20010011605A KR20010011605A (ko) | 2001-02-15 |
KR100301062B1 true KR100301062B1 (ko) | 2001-09-22 |
Family
ID=19605571
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1019990031059A KR100301062B1 (ko) | 1999-07-29 | 1999-07-29 | 백본이 환상구조를 가지는 감광성 폴리머와 이를 포함하는 레지스트 조성물 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6270942B1 (ko) |
JP (1) | JP4567158B2 (ko) |
KR (1) | KR100301062B1 (ko) |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6808859B1 (en) * | 1996-12-31 | 2004-10-26 | Hyundai Electronics Industries Co., Ltd. | ArF photoresist copolymers |
KR100301065B1 (ko) * | 1999-08-16 | 2001-09-22 | 윤종용 | 백본이 환상 구조를 가지는 감광성 폴리머와 이를 포함하는 레지스트 조성물 |
KR100546105B1 (ko) * | 1999-11-03 | 2006-01-24 | 주식회사 하이닉스반도체 | 신규의 포토레지스트용 중합체 및 이를 함유하는포토레지스트 조성물 |
TW574622B (en) * | 2000-05-05 | 2004-02-01 | Ibm | Copolymer photoresist with improved etch resistance |
KR20050090415A (ko) * | 2002-12-25 | 2005-09-13 | 이데미쓰 고산 가부시키가이샤 | 아다만테인 유도체 및 그의 제조 방법 |
JP4580165B2 (ja) * | 2002-12-25 | 2010-11-10 | 出光興産株式会社 | アダマンタン誘導体及びその製造方法 |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
RU2194295C2 (ru) * | 1996-03-07 | 2002-12-10 | З Би. Эф. Гудрич Кампэни | Фоторезистная композиция и полимер |
KR100261022B1 (ko) * | 1996-10-11 | 2000-09-01 | 윤종용 | 화학증폭형 레지스트 조성물 |
KR100225956B1 (ko) * | 1997-01-10 | 1999-10-15 | 김영환 | 아민을 도입한 에이알에프 감광막 수지 |
KR100195583B1 (ko) * | 1997-04-08 | 1999-06-15 | 박찬구 | 양성 포토레지스트 제조용 공중합체 및 이를 함유하는 화학증폭형 양성 포토레지스트 조성물 |
JP3994486B2 (ja) * | 1997-04-14 | 2007-10-17 | 住友化学株式会社 | 化学増幅型ポジ型レジスト組成物およびそのための共重合体 |
KR100403325B1 (ko) * | 1998-07-27 | 2004-03-24 | 주식회사 하이닉스반도체 | 포토레지스트중합체및이를이용한포토레지스트조성물 |
KR100301053B1 (ko) * | 1998-09-21 | 2001-09-22 | 윤종용 | 화학증폭형 포토레지스트용 감광성 중합체 및 이를 포함하는 화학 증폭형 포토레지스트 조성물 |
KR100271420B1 (ko) * | 1998-09-23 | 2001-03-02 | 박찬구 | 화학증폭형 양성 포토레지스트 조성물 |
-
1999
- 1999-07-29 KR KR1019990031059A patent/KR100301062B1/ko not_active IP Right Cessation
-
2000
- 2000-03-30 US US09/539,138 patent/US6270942B1/en not_active Expired - Lifetime
- 2000-07-31 JP JP2000231005A patent/JP4567158B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20010011605A (ko) | 2001-02-15 |
US6270942B1 (en) | 2001-08-07 |
JP2001081140A (ja) | 2001-03-27 |
JP4567158B2 (ja) | 2010-10-20 |
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---|---|---|---|
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