KR100281903B1 - 백본이 환상 구조를가지는 감광성 폴리머 및 이를 포함하는 레지스트 조성물 - Google Patents

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Abstract

백본이 환상구조를 가지는 감광성 폴리머 및 이를 포함하는 레지스트 조성물에 관하여 개시한다. 본 발명은 (a) 화학 증폭형 레지스트에 사용되는 다음 식을 가지는 감광성 폴리머와,
식중, R1은 C7∼ C20의 지환식(脂環式) 지방족 탄화수소이고, R2및 R4는 각각 C1∼ C7의 지방족 탄화수소이고, R3및 R5는 각각 수소 또는 메틸기이고, R6는 수소 또는 2-히드록시에틸기이고, p/(p+q+r+s) = 0.1∼0.5, q/(p+q+r+s) = 0.1∼0.5, r/(p+q+r+s) = 0.0∼0.5, s/(p+q+r+s) = 0.01∼0.5임.
(b) PAG(photoacid generator)로 구성되는 레지스트 조성물을 제공한다.

Description

백본이 환상구조를 가지는 감광성 폴리머 및 이를 포함하는 레지스트 조성물
본 발명은 화학증폭형 레지스트 조성물에 관한 것으로, 특히 백본(backbone)이 환상(環狀) 구조를 가지는 감광성 폴리머 및 이를 포함하는 ArF 엑시머 레이저용 레지스트 조성물에 관한 것이다.
반도체 제조 공정이 복잡해지고 반도체 소자의 집적도가 증가함에 따라 미세한 패턴 형성이 요구된다.
더욱이, 반도체 소자의 용량이 1기가(Giga) 비트 급 이상인 소자에 있어서, 디자인 룰이 0.2μm 이하인 패턴 사이즈가 요구되고, 그에 따라 기존의 KrF 엑시머 레이저(248nm)를 이용한 레지스트 재료를 사용하는 데 한계가 있다. 따라서, 새로운 에너지 노광원인 ArF 엑시머 레이저(193nm)를 이용한 리소그래피 기술이 등장하였다.
이와 같은 ArF 엑시머 레이저를 이용한 리소그래피에 사용되는 레지스트 재료로서 일반적으로 아크릴계 또는 메타크릴계 폴리머들이 주로 사용되어 왔다. 그러나, 이와 같은 폴리머들은 건식 식각에 대한 내성이 매우 약하다. 그에 따라, 건식 식각에 대한 내성을 증가시키기 위하여 건식 식각에 강한 내성을 갖는 물질인 지환식 화합물(alicyclic compound), 예를 들면 이소보르닐기(isobornyl group), 아다만틸기(adamantyl group), 트리시클로데카닐기(tricyclodecanyl group) 등을 폴리머의 백본(backbone)에 도입한 것도 사용되고 있으나, 여전히 건식 식각에 대한 내성이 약하다.
따라서, 본 발명의 목적은 건식 식각에 대한 내성이 충분히 확보될 수 있도록 폴리머의 백본(backbone)이 환상(環狀) 구조를 가지면서 지환식(脂環式) 화합물을 함유하는 감광성 폴리머를 제공하는 것이다.
본 발명의 다른 목적은 ArF 엑시머 레이저를 이용하는 리소그래피에 사용하기 적합하도록 상기한 감광성 폴리머를 포함하는 레지스트 조성물을 제공하는 것이다.
도 1은 본 발명에 따라 제조된 이소보르닐 히드록시메틸아크릴레이트의 에테르 다이머에 대한13C-NMR 스펙트럼 분석 결과이다.
도 2는 본 발명에 따라 제조된 t-부틸 히드록시메틸아크릴레이트의 에테르 다이머에 대한1H-NMR 스펙트럼 분석 결과이다.
도 3은 본 발명에 따른 터폴리머에 대한 FT-IR 스펙트럼 분석 결과이다.
상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명은 화학 증폭형 레지스트에 사용되는 다음 식을 가지는 감광성 폴리머를 제공한다.
식중, R1은 C7∼ C20의 지환식(脂環式) 지방족 탄화수소이고, R2및 R4는 각각 C1∼ C7의 지방족 탄화수소이고, R3및 R5는 각각 수소 또는 메틸기이고, R6는 수소 또는 2-히드록시에틸기이고, p/(p+q+r+s) = 0.1∼0.5, q/(p+q+r+s) = 0.1∼0.5, r/(p+q+r+s) = 0.0∼0.5, s/(p+q+r+s) = 0.01∼0.5이다.
상기 폴리머는 5,000 ∼ 100,000의 중량 평균 분자량을 갖는다.
R1은 아다만틸, 노르보닐 및 이소보르닐기로 이루어지는 군에서 선택되는 어느 하나이다.
R2및 R4는 각각 메틸, 에틸, t-부틸, 테트라히드로피라닐 및 1-알콕시에틸기로 이루어지는 군에서 선택되는 어느 하나이며, 바람직하게는 R2및 R4는 각각 1-에톡시에틸기이다.
상기 다른 목적을 달성하기 위하여 본 발명은,
(a) 화학 증폭형 레지스트에 사용되는 다음 식을 가지는 감광성 폴리머와,
식중, R1은 C7∼ C20의 지환식(脂環式) 지방족 탄화수소이고, R2및 R4는 각각 C1∼ C7의 지방족 탄화수소이고, R3및 R5는 각각 수소 또는 메틸기이고, R6는 수소 또는 2-히드록시에틸기이고, p/(p+q+r+s) = 0.1∼0.5, q/(p+q+r+s) = 0.1∼0.5, r/(p+q+r+s) = 0.0∼0.5, s/(p+q+r+s) = 0.01∼0.5임.
(b) PAG(photoacid generator)로 구성되는 레지스트 조성물을 제공한다.
상기 레지스트 조성물은 상기 폴리머의 중량을 기준으로 1 ∼ 15 중량%의 PAG를 포함한다.
상기 PAG는 트리아릴술포늄염(triarylsulfonium salts), 디아릴이오도늄염(diaryliodonium salts) 및 술포네이트(sulfonates)로 이루어지는 군에서 선택되는 어느 하나 또는 그 혼합물이다.
바람직하게는, 상기 PAG는 트리페닐술포늄 트리플레이트, 트리페닐술포늄 노나플레이트, 트리페닐술포늄 안티모네이트, 디페닐이오도늄 트리플레이트, 디페닐이오도늄 안티모네이트, 메톡시디페닐이오도늄 트리플레이트, 디-t-부틸디페닐이오도늄 트리플레이트, 2,6-디니트로벤질 술포네이트, 피로갈롤 트리스(알킬술포네이트) 및 N-히드록시숙신이미드 트리플레이트로 이루어지는 군에서 선택되는 어느 하나 또는 그 혼합물이다.
본 발명에 따른 레지스트 조성물은 유기 염기를 더 포함한다.
상기 레지스트 조성물은 상기 폴리머의 중량을 기준으로 0.01 ∼ 2.0 중량%의 유기 염기를 포함한다.
상기 유기 염기는 트리에틸아민, 트리이소부틸아민, 트리이소옥틸아민, 디에탄올아민 및 트리에탄올아민으로 이루어지는 군에서 선택되는 어느 하나 또는 그 혼합물이다.
본 발명에 의하면, 폴리머의 백본이 환상(環狀) 구조를 가지면서 지환식(脂環式) 화합물을 함유하는 감광성 폴리머를 제공함으로써, 이를 포함하는 레지스트 조성물의 건식 식각에 대한 내성을 확보할 수 있다. 또한, 본 발명에 따른 폴리머의 구조가 아크릴레이트 폴리머를 바탕으로 하고 있으므로, 이를 포함하는 레지스트 조성물의 투과도를 향상시킬 수 있다. 따라서, 본 발명에 따른 폴리머로부터 얻어진 레지스트 조성물에 의하여 우수한 리소그래피 퍼포먼스를 얻을 수 있다.
다음에, 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 첨부 도면을 참조하여 상세히 설명한다.
실시예 1
아다만틸 히드록시메틸 아크릴레이트의 에테르 다이머(ether dimer)의 합성
아다만틸 히드록시메틸 아크릴레이트의 에테르 다이머의 합성 반응은 다음의 화학식 1로 표시될 수 있다.
화학식 1에서, R은 아다만틸기(adamantyl group)이다.
둥근 플라스크 내에서 아다만틸 아크릴레이트(ADA)(62g, 0.3mol), 파라포름알데히드(PFA)(9.0g, 0.3mol) 및 1,4-디아자바이시클로[2,2,2]옥탄(DABCO)(4.5g)을 혼합한 후, 얻어진 혼합물에 t-부탄올(18.0g)을 가하고, 85℃의 온도에서 6일동안 반응시켰다.
반응이 끝난 후 얻어진 생성물을 과량의 메탄올에 붓고, 6시간동안 교반하였다. 그 후, 생성된 침전물을 거르고 건조시켜서 원하는 생성물을 회수하였다(수율 32g).
얻어진 생성물에 대한 NMR(unclear magnetic resonance) 분석 결과는 다음과 같았다.
1H-NMR(CDCl3, ppm): 6.2(s, 1H), 5.8(s, 1H), 4.2(s, 1H), 2.2(s, 9H), 1.7(s, 6H)
실시예 2
이소보르닐 히드록시메틸아크릴레이트의 에테르 다이머의 합성
둥근 플라스크 내에서 이소보르닐 아크릴레이트(IBA)(125g, 0.6mol), 파라포름알데히드(PFA)(18g, 0.6mol) 및 1,4-디아자바이시클로[2,2,2]옥탄(DABCO)(9.0g)을 혼합한 후, 얻어진 혼합물에 t-부탄올(40g)을 가하고, 90℃의 온도에서 6일동안 반응시켰다.
반응이 끝난 후, 얻어진 생성물을 과량의 물에 붓고, HCl을 이용하여 중화시킨 후, 디에틸 에테르를 이용하여 추출하였다. 얻어진 추출물을 MgSO4를 이용하여 건조시켰다.
과잉의 용제를 휘발시킨 후, 조생성물(粗生成物)을 n-헥산/메틸렌 클로라이드 용액을 이용하여 재결정시켜서 생성물을 분리하였다(수율 65%).
얻어진 생성물에 대한 NMR(unclear magnetic resonance) 분석 결과는 다음과 같았다.
1H-NMR(aceton-d6, ppm): 6.2(s, 1H), 5.9(s, 1H), 4.7(t, 1H),
4.2(s, 2H), 1.8(m, 5H), 1.2(m, 2H),
1.1(s, 3H), 0.9(d, 6H)
13C-NMR(aceton-d6, ppm): 166(C=O), 139(C=CH2), 126(=CH2), 82(OCH),
70(OCH2), 21(CH3)
여기서,13C-NMR 스펙트럼 분석 결과는 도 1에 나타내었다.
실시예 3
t-부틸 히드록시메틸아크릴레이트의 에테르 다이머의 합성
둥근 플라스크 내에서 t-부틸 아크릴레이트(77g, 0.6mol), 파라포름알데히드(PFA)(18.0g, 0.6mol) 및 1,4-디아자바이시클로[2,2,2]옥탄(DABCO)(9.0g)을 혼합한 후, 얻어진 혼합물에 t-부탄올(40g)을 가하고, 90℃의 온도에서 6일동안 반응시켰다.
반응이 끝난 후, 반응물에 톨루엔을 첨가하고 3시간 동안 환류시켰다. 그 후, 반응물을 과량의 물에 붓고, HCl을 이용하여 중화시킨 후, 디에틸 에테르를 이용하여 추출하였다. 콜럼 크로마토그래피(column chromatography)(헥산 : 디에틸 에테르 = 9 : 1)를 이용하여 얻어진 추출물로부터 생성물을 분리하였다(수율 65%).
얻어진 생성물에 대한 FT-IR(Fourier transform infrared) 분광분석 결과 및 NMR 분석 결과는 다음과 같았다.
FT-IR(NaCl, cm-1): 2979(C-H, t-부틸), 1710(C=O, 에스테르),
1639(C-H, 비닐), 1369, 1154
1H-NMR(aceton-d6, ppm): 6.2(s, 1H), 5.8(s, 1H), 4.2(s, 2H),
1.5(s, 9H)
여기서,1H-NMR 스펙트럼 분석 결과는 도 2에 나타내었다.
실시예 4
1-에톡시에틸 히드록시메틸 아크릴레이트의 에테르 다이머의 합성
둥근 플라스크 내에서 1-에톡시에틸 아크릴레이트(87g, 0.6mol), 파라포름알데히드(PFA)(18.0g, 0.6mol) 및 1,4-디아자바이시클로[2,2,2]옥탄(DABCO)(9.0g)을 혼합한 후, 얻어진 혼합물에 t-부탄올(36g)을 가하고, 90℃의 온도에서 6일동안 반응시켰다.
반응이 끝난 후, 반응물에 톨루엔을 첨가하고 3시간 동안 환류시켰다. 그 후, 반응물을 과량의 물에 붓고, HCl을 이용하여 중화시킨 후, 디에틸 에테르를 이용하여 추출하였다. 얻어진 추출물을 MgSO4를 이용하여 건조시켰다.
과잉의 용제를 휘발시킨 후, 조생성물(粗生成物)을 n-헥산 용액을 이용하여 재결정시켜서 생성물을 분리하였다(수율 60%).
실시예 5
에테르 다이머의 코폴리머 합성
본 실시예에 따른 코폴리머의 합성 반응은 다음의 화학식 2와 같다.
화학식 2에서, R1은 아다만틸기이고, R2는 t-부틸기이다.
실시예 1에서 합성한 에테르 다이머(4.5g, 10mmol)와 실시예 3에서 합성한 에테르 다이머(3.0g, 10mmol)를 AIBN(azobisisobutyronitrile)(0.3g)과 함께 무수 벤젠(65mL)에 녹인 다음, 질소 가스를 이용하여 2시간 동안 퍼지하고, 65℃의 온도에서 약 48시간 동안 중합시켰다.
중합이 끝난 후, 반응물을 과량의 메탄올(10배)에 천천히 떨어뜨리면서 침전시키고, 침전물을 50℃로 유지되는 진공 오븐(vacuum oven) 내에서 24시간 동안 건조시켰다(수율 70%).
이 때, 얻어진 생성물의 중량 평균 분자량은 13,400이었고, 다분산도(polydispersity)는 2.4이었다.
실시예 6
에테르 다이머의 코폴리머 합성
본 실시예에 따른 코폴리머의 합성 반응은 화학식 2와 같으며, 단 화학식 2에서 R1은 아다만틸기이고, R2는 1-에톡시에틸기이다.
실시예 1에서 합성한 에테르 다이머(4.5g, 10mmol)와 실시예 4에서 합성한 에테르 다이머(3.3g, 10mmol)를 AIBN(0.3g)과 함께 무수 벤젠(65mL)에 녹인 다음, 질소 가스를 이용하여 2시간 동안 퍼지하고, 65℃의 온도에서 약 48시간 동안 중합시켰다.
중합이 끝난 후, 반응물을 과량의 n-헥산(10배)에 천천히 떨어뜨리면서 침전시키고, 침전물을 50℃로 유지되는 진공 오븐(vacuum oven) 내에서 24시간 동안 건조시켰다(수율 73%).
이 때, 얻어진 생성물의 중량 평균 분자량은 14,500이었고, 다분산도는 2.5이었다.
실시예 7
에테르 다이머의 코폴리머 합성
본 실시예에 따른 코폴리머의 합성 반응은 화학식 2와 같으며, 단 화학식 2에서 R1은 이소보르닐기이고, R2는 1-에톡시에틸기이다.
실시예 2에서 합성한 에테르 다이머(4.6g, 10mmol)와 실시예 4에서 합성한 에테르 다이머(3.3g, 10mmol)를 AIBN(0.3g)과 함께 무수 벤젠(65mL)에 녹인 다음, 실시예 6에서와 같은 방법으로 폴리머를 제조하였다(수율 70%).
이 때, 얻어진 생성물의 중량 평균 분자량은 13,600이었고, 다분산도(polydispersity)는 2.4이었다.
실시예 8
터폴리머 합성
본 실시예에 따른 터폴리머의 합성 반응은 다음의 화학식 3과 같다.
화학식 3에서, R1은 아다만틸기이고, R2는 1-에톡시에틸기이다.
실시예 1에서 합성한 에테르 다이머(18.2g, 40mmol), 실시예 4에서 합성한 에테르 다이머(10g, 30mmol), 및 메타크릴산(2.6g, 30mmol)을 AIBN(1.3g)과 함께 무수 THF(tetrahydrofuran)(240mL)에 녹인 다음, 질소 가스를 이용하여 2시간 동안 퍼지하고, 환류 상태에서 약 24시간 동안 중합시켰다.
중합이 끝난 후, 반응물을 과량의 n-헥산에 천천히 떨어뜨리면서 침전시키고, 침전물을 글라스 필터(glass filter)를 이용하여 여과시켰다. 그 후, 이 여과물을 다시 THF에 녹이고 n-헥산에서 재침전시켜서 침전물을 거른 후, 50℃로 유지되는 진공 오븐 내에서 24시간 동안 건조시켰다(수율 65%).
이 때, 얻어진 생성물의 중량 평균 분자량은 15,400이었고, 다분산도는 2.4이었다.
실시예 9
터폴리머 합성
본 실시예에 따른 터폴리머의 합성 반응은 화학식 3과 같으며, 단 화학식 3에서 R1은 이소보르닐기이고, R2는 1-에톡시에틸기이다.
실시예 2에서 합성한 에테르 다이머(18.4g, 40mmol), 실시예 4에서 합성한 에테르 다이머(10g, 30mmol), 및 아크릴산(2.2g, 30mmol)을 AIBN(1.3g)과 함께 무수 THF(tetrahydrofuran)(240mL)에 녹인 다음, 실시예 8에서와 같은 방법으로 폴리머를 제조하였다(수율 68%).
이 때, 얻어진 생성물의 중량 평균 분자량은 14,400이었고, 다분산도는 2.4이었다.
실시예 10
터폴리머 합성
본 실시예에 따른 터폴리머의 합성 반응은 다음의 화학식 4와 같다.
화학식 4에서, R1은 이소보르닐기이고, R2는 t-부틸기이다.
실시예 2에서 합성한 에테르 다이머(18.2g, 40mmol), t-부틸 메타크릴레이트(3.6g, 25mmol), 및 메타크릴산(3.0g, 35mmol)을 AIBN(1.3g)과 함께 무수 THF(tetrahydrofuran)(200mL)에 녹인 다음, 질소 가스를 이용하여 2시간 동안 퍼지하고, 환류 상태에서 약 24시간 동안 중합시켰다.
중합이 끝난 후, 반응물을 과량의 n-헥산에 천천히 떨어뜨리면서 침전시키고, 침전물을 글라스 필터(glass filter)를 이용하여 여과시켰다. 그 후, 이 여과물을 다시 THF에 녹이고 n-헥산에서 재침전시켜서 침전물을 거른 후, 50℃로 유지되는 진공 오븐 내에서 24시간 동안 건조시켰다(수율 65%).
이 때, 얻어진 생성물의 중량 평균 분자량은 13,700이었고, 다분산도는 2.2이었다.
실시예 11
터폴리머 합성
본 실시예에 따른 터폴리머의 합성 반응은 화학식 4와 같으며, 단 화학식 4에서 R1은 이소보르닐기이고, R2는 테트라히드로피라닐기이다.
실시예 2에서 합성한 에테르 다이머(18.2g, 40mmol), 테트라히드로피라닐 메타크릴레이트(5.1g, 30mmol), 및 메타크릴산(2.6g, 30mmol)을 사용하여 실시예 10에서와 같은 방법으로 폴리머를 제조하였다(수율 70%).
이 때, 얻어진 생성물의 중량 평균 분자량은 13,400이었고, 다분산도는 2.4이었다.
얻어진 생성물에 대한 FT-IR 스펙트럼(HBr)을 도 3에 나타내었다.
실시예 12
테트라폴리머 합성
본 실시예에 따른 테트라폴리머의 합성 반응은 다음의 화학식 5와 같다.
화학식 5에서, R1은 이소보르닐기이고, R2는 1-에톡시에틸기이다.
실시예 2에서 합성한 에테르 다이머(14g, 30mmol), 실시예 4에서 합성한 에테르 다이머(10g, 30mmol), 메타크릴산(1.7g, 20mmol) 및 2-히드록시에틸 메타크릴레이트(2.7g, 20mmol)를 AIBN(1.3g)과 함께 무수 THF(220mL)에 녹인 다음, 질소 가스를 이용하여 2시간 동안 퍼지하고, 환류 상태에서 약 24시간 동안 중합시켰다.
중합이 끝난 후, 반응물을 과량의 n-헥산에 천천히 떨어뜨리면서 침전시키고, 침전물을 글라스 필터(glass filter)를 이용하여 여과시켰다. 그 후, 이 여과물을 다시 THF에 녹이고 n-헥산에서 재침전시켜서 침전물을 거른 후, 50℃로 유지되는 진공 오븐 내에서 24시간 동안 건조시켰다(수율 70%).
이 때, 얻어진 생성물의 중량 평균 분자량은 12,600이었고, 다분산도는 2.2이었다.
실시예 13
레지스트 조성물
실시예 5에서 합성한 코폴리머[m/(m+n)=0.5, 중량 평균 분자량=13,400](1.0g)를 PAG(photoacid generator)인 트리페닐술포늄 트리플레이트(0.03g)와 함께 프로필렌 글리콜 모노메틸 에테르 아세테이트(PGMEA)(7.0g) 용액에 완전히 용해시켰다. 그 후, 상기 용액을 0.2μm 멤브레인 필터(membrane filter)를 이용하여 걸러서 레지스트 조성물을 얻었다. 그 후, 이 레지스트 조성물을 헥사메틸디실라잔(HMDS)으로 처리한 실리콘 웨이퍼상에 약 0.45μm의 두께로 코팅하였다.
레지스트 조성물이 코팅된 상기 웨이퍼를 130℃의 온도에서 90초동안 프리베이킹(pre-baking)하고, 개구수(NA)가 0.45인 KrF 엑시머 레이저를 이용하여 노광한 후, 140℃의 온도에서 90초동안 PEB(post-exposure baking)를 실시하였다.
그 후, 이소프로필 알콜(IPA)(25wt%)과 2.38 중량%의 테트라메틸암모늄 히드록사이드(tetramethylammonium hydroxide: TMAH) 용액과의 혼합 용액을 사용하여 현상하였다.
실시예 14
레지스트 조성물
실시예 7에서 합성한 코폴리머[m/(m+n)=0.5, 중량 평균 분자량=13,600](1.0g)를 PAG인 트리페닐술포늄 트리플레이트(0.03g)와 함께 PGMEA(7.0g) 용액에 완전히 용해시켰다. 그 후, 상기 용액을 0.2μm 멤브레인 필터를 이용하여 걸러서 레지스트 조성물을 얻었다. 그 후, 이 레지스트 조성물을 HMDS로 처리한 실리콘 웨이퍼상에 약 0.45μm의 두께로 코팅하였다.
레지스트 조성물이 코팅된 상기 웨이퍼를 130℃의 온도에서 90초동안 프리베이킹하고, 개구수(NA)가 0.45인 KrF 엑시머 레이저를 이용하여 노광한 후, 140℃의 온도에서 90초동안 PEB를 실시하였다.
이소프로필 알콜(IPA)(20wt%)과 2.38 중량%의 테트라메틸암모늄 히드록사이드(tetramethylammonium hydroxide: TMAH) 용액과의 혼합 용액을 사용하여 현상하였다.
실시예 15
레지스트 조성물
실시예 8에서 합성한 터폴리머[x/(x+y+z)=0.4, y/(x+y+z)=0.3, 중량 평균 분자량=15,400](1.0g)를 PAG인 트리페닐술포늄 트리플레이트(0.02g) 및 트리이소부틸 아민(2mg)과 함께 PGMEA(7.0g) 용액에 완전히 용해시켰다. 그 후, 상기 용액을 0.2μm 멤브레인 필터를 이용하여 걸러서 레지스트 조성물을 얻었다. 그 후, 이 레지스트 조성물을 HMDS로 처리한 실리콘 웨이퍼상에 약 0.45μm의 두께로 코팅하였다.
레지스트 조성물이 코팅된 상기 웨이퍼를 110℃의 온도에서 90초동안 프리베이킹(pre-baking)하고, 개구수(NA)가 0.6인 ArF 엑시머 레이저를 이용하여 노광한 후, 120℃의 온도에서 90초동안 PEB를 실시하였다.
그 후, 2.38 중량% TMAH 용액으로 현상하였다. 그 결과, 노광 도즈량을 약 17mJ/cm2으로 하였을 때 0.30μm 라인 앤드 스페이스 패턴이 얻어지는 것을 확인하였다.
실시예 16
레지스트 조성물
실시예 9에서 합성한 터폴리머[x/(x+y+z)=0.4, y/(x+y+z)=0.3, 중량 평균 분자량=14,400](1.0g)를 PAG인 트리페닐술포늄 트리플레이트(0.01g) 및 N-히드록시숙신이미드 트리플레이트(0.01g)와 함께 PGMEA(7.0g) 용액에 용해시켰다. 얻어진 용액에 유기 염기로서 트리이소부틸아민(2mg)을 넣어 완전히 녹인 후, 얻어진 용액을 0.2μm 멤브레인 필터를 이용하여 걸러서 레지스트 조성물을 얻었다. 그 후, 이 레지스트 조성물을 HMDS로 처리한 실리콘 웨이퍼상에 약 0.45μm의 두께로 코팅하였다.
레지스트 조성물이 코팅된 상기 웨이퍼를 110℃의 온도에서 90초동안 프리베이킹(pre-baking)하고, 개구수(NA)가 0.6인 ArF 엑시머 레이저를 이용하여 노광한 후, 120℃의 온도에서 90초동안 PEB를 실시하였다.
그 후, 2.38 중량% TMAH 용액으로 현상하였다. 그 결과, 노광 도즈량을 약 21mJ/cm2으로 하였을 때 0.30μm 라인 앤드 스페이스 패턴이 얻어지는 것을 확인하였다.
실시예 17
레지스트 조성물
실시예 10에서 합성한 터폴리머[x/(x+y+z)=0.40, y/(x+y+z)=0.25, 중량 평균 분자량=13,700](1.0g)를 PAG인 트리페닐술포늄 트리플레이트(0.01g) 및 N-히드록시숙신이미드 트리플레이트(0.02g)와 함께 PGMEA(7.0g) 용액에 용해시켰다. 얻어진 용액에 유기 염기로서 트리에탄올아민(3mg)을 넣어 완전히 녹인 후, 얻어진 용액을 0.2μm 멤브레인 필터를 이용하여 걸러서 레지스트 조성물을 얻었다. 그 후, 이 레지스트 조성물을 HMDS로 처리한 실리콘 웨이퍼상에 약 0.45μm의 두께로 코팅하였다.
레지스트 조성물이 코팅된 상기 웨이퍼를 130℃의 온도에서 90초동안 프리베이킹하고, 개구수(NA)가 0.6인 ArF 엑시머 레이저를 이용하여 노광한 후, 140℃의 온도에서 90초동안 PEB를 실시하였다.
그 후, 2.38 중량% TMAH 용액을 사용하여 약 60초 동안 현상하였다. 그 결과, 노광 도즈량을 약 23mJ/cm2으로 하였을 때 0.30μm 라인 앤드 스페이스 패턴이 얻어지는 것을 확인하였다.
실시예 18
레지스트 조성물
실시예 11에서 합성한 터폴리머[x/(x+y+z)=0.40, y/(x+y+z)=0.30, 중량 평균 분자량=13,400](1.0g)를 PAG인 트리페닐술포늄 트리플레이트(0.02g) 및 유기 염기인 트리에탄올아민(2mg)과 함께 PGMEA(7.0g) 용액에 완전히 용해시켰다. 얻어진 용액을 0.2μm 멤브레인 필터를 이용하여 걸러서 레지스트 조성물을 얻었다. 그 후, 이 레지스트 조성물을 HMDS로 처리한 실리콘 웨이퍼상에 약 0.45μm의 두께로 코팅하였다.
레지스트 조성물이 코팅된 상기 웨이퍼를 100℃의 온도에서 90초동안 프리베이킹하고, 개구수(NA)가 0.6인 ArF 엑시머 레이저를 이용하여 노광한 후, 110℃의 온도에서 90초동안 PEB를 실시하였다.
그 후, 2.38 중량% TMAH 용액을 사용하여 약 60초 동안 현상하였다. 그 결과, 노광 도즈량을 약 16mJ/cm2으로 하였을 때 0.30μm 라인 앤드 스페이스 패턴이 얻어지는 것을 확인하였다.
실시예 19
레지스트 조성물
실시예 11에서 합성한 터폴리머[x/(x+y+z)=0.40, y/(x+y+z)=0.30, 중량 평균 분자량=13,400](1.0g)를 PAG인 트리페닐술포늄 노나플레이트(0.02g) 및 유기 염기인 트리이소부틸아민(2mg)과 함께 PGMEA(7.0g) 용액에 완전히 용해시켰다. 그 후, 실시예 18에서와 같은 처리를 행한 결과, 노광 도즈량을 약 18mJ/cm2으로 하였을 때 0.30μm 라인 앤드 스페이스 패턴이 얻어지는 것을 확인하였다.
실시예 20
레지스트 조성물
실시예 12에서 합성한 테트라폴리머[p/(p+q+r+s)=0.30, q/(p+q+r+s)=0.30, r/(p+q+r+s)=0.20, 중량 평균 분자량=12,600](1.0g)를 PAG인 트리페닐술포늄 트리플레이트(0.02g) 및 유기 염기인 트리에탄올아민(2mg)과 함께 PGMEA(7.0g) 용액에 완전히 용해시켰다. 얻어진 용액을 0.2μm 멤브레인 필터를 이용하여 걸러서 레지스트 조성물을 얻었다. 그 후, 이 레지스트 조성물을 HMDS로 처리한 실리콘 웨이퍼상에 약 0.45μm의 두께로 코팅하였다.
레지스트 조성물이 코팅된 상기 웨이퍼를 110℃의 온도에서 90초동안 프리베이킹하고, 개구수(NA)가 0.6인 ArF 엑시머 레이저를 이용하여 노광한 후, 120℃의 온도에서 90초동안 PEB를 실시하였다.
그 후, 2.38 중량% TMAH 용액을 사용하여 약 60초 동안 현상하였다. 그 결과, 노광 도즈량을 약 17mJ/cm2으로 하였을 때 0.30μm 라인 앤드 스페이스 패턴이 얻어지는 것을 확인하였다.
본 발명에 의하면, 폴리머의 백본이 환상(環狀) 구조를 가지면서 지환식(脂環式) 화합물을 함유하는 감광성 폴리머를 제공함으로써, 이를 포함하는 레지스트 조성물의 건식 식각에 대한 내성을 확보할 수 있다. 또한, 본 발명에 따른 폴리머는 아크릴레이트 폴리머를 그 기본 구조로 하고 있으므로, 이를 포함하는 레지스트 조성물의 투과도를 향상시킬 수 있다. 이와 같은 감광성 폴리머는 히드록시메틸 아크릴레이트 유도체의 에테르 다이머를 공중합함으로써 얻어진 것으로서, 이와 같은 폴리머로부터 얻어진 레지스트 조성물에 의하여 우수한 리소그래피 퍼포먼스를 얻을 수 있다. 따라서, 본 발명에 따른 레지스트 조성물은 향후 차세대 반도체 소자를 만드는 데 매우 유용하게 사용될 수 있다.
이상, 본 발명을 바람직한 실시예를 들어 상세하게 설명하였으나, 본 발명은 상기 실시예에 한정되지 않고, 본 발명의 기술적 사상의 범위 내에서 당 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의하여 여러가지 변형이 가능하다.

Claims (16)

  1. 화학 증폭형 레지스트에 사용되는 다음 식을 가지는 감광성 폴리머.
    식중, R1은 C7∼ C20의 지환식(脂環式) 지방족 탄화수소이고, R2및 R4는 각각 C1∼ C7의 지방족 탄화수소이고, R3및 R5는 각각 수소 또는 메틸기이고, R6는 수소 또는 2-히드록시에틸기이고, p/(p+q+r+s) = 0.1∼0.5, q/(p+q+r+s) = 0.1∼0.5, r/(p+q+r+s) = 0.0∼0.5, s/(p+q+r+s) = 0.01∼0.5임.
  2. 제1항에 있어서, 상기 폴리머는 5,000 ∼ 100,000의 중량 평균 분자량을 갖는 감광성 폴리머.
  3. 제1항에 있어서, R1은 아다만틸, 노르보닐 및 이소보르닐기로 이루어지는 군에서 선택되는 어느 하나인 감광성 폴리머.
  4. 제1항에 있어서, R2및 R4는 각각 메틸, 에틸, t-부틸, 테트라히드로피라닐 및 1-알콕시에틸기로 이루어지는 군에서 선택되는 어느 하나인 감광성 폴리머.
  5. 제1항에 있어서, R2및 R4는 각각 1-에톡시에틸기인 감광성 폴리머.
  6. (a) 화학 증폭형 레지스트에 사용되는 다음 식을 가지는 감광성 폴리머와,
    식중, R1은 C7∼ C20의 지환식(脂環式) 지방족 탄화수소이고, R2및 R4는 각각 C1∼ C7의 지방족 탄화수소이고, R3및 R5는 각각 수소 또는 메틸기이고, R6는 수소 또는 2-히드록시에틸기이고, p/(p+q+r+s) = 0.1∼0.5, q/(p+q+r+s) = 0.1∼0.5, r/(p+q+r+s) = 0.0∼0.5, s/(p+q+r+s) = 0.01∼0.5임.
    (b) PAG(photoacid generator)로 구성되는 레지스트 조성물.
  7. 제6항에 있어서, 상기 폴리머는 5,000 ∼ 100,000의 중량 평균 분자량을 갖는 레지스트 조성물.
  8. 제6항에 있어서, R1은 아다만틸, 노르보닐 및 이소보르닐기로 이루어지는 군에서 선택되는 어느 하나인 레지스트 조성물.
  9. 제6항에 있어서, R2및 R4는 각각 메틸, 에틸, t-부틸, 테트라히드로피라닐 및 1-알콕시에틸기로 이루어지는 군에서 선택되는 어느 하나인 레지스트 조성물.
  10. 제6항에 있어서, R2및 R4는 각각 1-에톡시에틸기인 레지스트 조성물.
  11. 제6항에 있어서, 상기 폴리머의 중량을 기준으로 1 ∼ 15 중량%의 PAG를 포함하는 레지스트 조성물.
  12. 제6항에 있어서, 상기 PAG는 트리아릴술포늄염(triarylsulfonium salts), 디아릴이오도늄염(diaryliodonium salts) 및 술포네이트(sulfonates)로 이루어지는 군에서 선택되는 어느 하나 또는 그 혼합물인 레지스트 조성물.
  13. 제6항에 있어서, 상기 PAG는 트리페닐술포늄 트리플레이트, 트리페닐술포늄 노나플레이트, 트리페닐술포늄 안티모네이트, 디페닐이오도늄 트리플레이트, 디페닐이오도늄 안티모네이트, 메톡시디페닐이오도늄 트리플레이트, 디-t-부틸디페닐이오도늄 트리플레이트, 2,6-디니트로벤질 술포네이트, 피로갈롤 트리스(알킬술포네이트) 및 N-히드록시숙신이미드 트리플레이트로 이루어지는 군에서 선택되는 어느 하나 또는 그 혼합물인 레지스트 조성물.
  14. 제6항에 있어서, 유기 염기를 더 포함하는 레지스트 조성물.
  15. 제14항에 있어서, 상기 폴리머의 중량을 기준으로 0.01 ∼ 2.0 중량%의 유기 염기를 포함하는 레지스트 조성물.
  16. 제14항에 있어서, 상기 유기 염기는 트리에틸아민, 트리이소부틸아민, 트리이소옥틸아민, 디에탄올아민 및 트리에탄올아민으로 이루어지는 군에서 선택되는 어느 하나 또는 그 혼합물인 레지스트 조성물.
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Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6576408B2 (en) * 1998-04-29 2003-06-10 Brewer Science, Inc. Thermosetting anti-reflective coatings comprising aryl urethanes of hydroxypropyl cellulose
US6927011B2 (en) 2000-07-12 2005-08-09 Mitsubishi Rayon Co., Ltd. Resins for resists and chemically amplifiable resist compositions
US6936398B2 (en) * 2001-05-09 2005-08-30 Massachusetts Institute Of Technology Resist with reduced line edge roughness
JP4110398B2 (ja) * 2003-03-07 2008-07-02 信越化学工業株式会社 α位メチル基に酸素置換基を有する脂環含有メタクリレート化合物
JP4142973B2 (ja) 2003-03-28 2008-09-03 株式会社日本触媒 硬化性樹脂組成物およびその用途
JP5496534B2 (ja) * 2009-03-31 2014-05-21 株式会社日本触媒 α−（不飽和アルコキシアルキル）アクリレートの製造方法
JP5520116B2 (ja) * 2009-03-31 2014-06-11 株式会社日本触媒 α−（不飽和アルコキシアルキル）アクリレート組成物及びその製造方法
JP5615123B2 (ja) * 2010-10-12 2014-10-29 株式会社日本触媒 重合体およびその用途
JP6438882B2 (ja) * 2013-07-22 2018-12-19 株式会社クラレ 共重合体の製造方法
JPWO2021111912A1 (ko) * 2019-12-04 2021-06-10

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4999410A (en) * 1987-08-18 1991-03-12 University Of Southern Mississippi Acrylate ester ether derivatives
DE4142909A1 (de) * 1991-12-24 1993-07-01 Basf Ag Oxadimethacryl-verbindungen und verfahren zu ihrer herstellung
DE4201844A1 (de) * 1992-01-24 1993-10-14 Basf Ag Lösliche Polymerisate
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