KR20040004837A - 말단에 산을 함유하는 감광성 폴리머 및 레지스트 조성물 - Google Patents

말단에 산을 함유하는 감광성 폴리머 및 레지스트 조성물 Download PDF

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Abstract

말단에 산을 함유하는 감광성 폴리머 및 레지스트 조성물에 관하여 개시한다. 본 발명에 따른 감광성 폴리머는 다음 식으로 표시되는 말단을 가진다.
식중, X는 탄소, 시아노기 또는 니트로기를 포함하는 3차 탄소, 에스테르 또는 에테르이고, q는 1 내지 10의 정수이다.

Description

말단에 산을 함유하는 감광성 폴리머 및 레지스트 조성물{Photosensitive polymer having acid-containing terminal and resist composition}
본 발명은 화학증폭형 레지스트 조성물에 관한 것으로, 특히 산을 포함하는 라디칼 개시제를 사용하여 중합된 감광성 폴리머와 이로부터 얻어지는 레지스트 조성물에 관한 것이다.
반도체 제조 공정이 복잡해지고 반도체 소자의 집적도가 증가함에 따라 미세한 패턴 형성이 요구된다. 더욱이, 반도체 소자의 용량이 1기가(Giga) 비트급 이상인 소자에 있어서, 디자인 룰이 0.2μm 이하인 패턴 사이즈가 요구되고, 그에 따라 기존의 KrF 엑시머 레이저(248nm)를 이용한 레지스트 재료를 사용하는 데 한계가 있다. 따라서, 새로운 에너지 노광원인 ArF 엑시머 레이저(193nm)를 이용한 리소그래피 기술이 등장하였다.
이와 같은 ArF 엑시머 레이저를 이용한 리소그래피에 사용되는 레지스트 재료는 기존의 레지스트 재료에 비해 상용화하기에는 많은 문제점들이 있다. 가장 대표적인 문제점으로서 폴리머의 투과도(transmittance) 및 건식 식각에 대한 내성을 들 수 있다.
지금까지 알려진 일반적인 ArF 레지스트 조성물은 아크릴계 또는 메타크릴계 폴리머들을 주로 이용하여 왔다. 그 중, 대표적인 것으로 다음과 같은 구조의 메타크릴레이트 코폴리머가 있다.
상기 구조의 코폴리머의 메타크릴레이트 백본에는 건식 식각에 대한 내성을 증가시키기 위한 아다만틸기(adamantyl group)와 접착 특성을 개선하기 위한 락톤기(lactone group)를 도입하였다. 그 결과, 레지스트의 해상도 및 초점심도(depth of focus)의 측면에서는 우수한 결과를 나타냈으나, 여전히 건식 식각에 대한 내성이 약하다.
또 다른 종래 기술에 따른 레지스트 조성물로서 다음 구조와 같은 t-부틸노르보르넨카르복실레이트 - 무수 말레인산 코폴리머를 이용하는 것이 있다.
상기 구조의 코폴리머를 이용하는 경우에도 기존의 KrF 리소그래피용 레지스트 조성물에 비하여 건식 식각 내성이 매우 나쁘다.
종래 기술에 따른 레지스트 조성물에서 건식 식각 내성에 따른 문제점을 해결하기 위하여 보호기(R)로서 이소보르닐기, 아다만틸기, 트리시클로데카닐기 등과 같은 지환식 화합물을 도입한 다음 식과 같은 구조를 가지는 코폴리머를 레지스트 조성물 재료로 사용하는 기술이 제안되었다.
상기 구조의 경우는 비교적 우수한 건식 식각 내성을 나타낸다. 그러나, 프로파일(profile) 측면에서 러프니스(roughness)가 심하게 관찰되는 단점이 있다.
본 발명의 목적은 상기한 종래 기술들의 문제점을 해결하고자 하는 것으로, 건식 식각에 대한 우수한 내성을 확보하면서 우수한 콘트라스트 특성을 제공할 수 있는 구조를 가지는 감광성 폴리머를 제공하는 것이다.
본 발명의 다른 목적은 건식 식각에 대한 내성, 콘트라스트 특성 등 극미세화된 패턴 사이즈를 실현하는 데 필요한 특성들이 향상된 레지스트 조성물을 제공하는 것이다.
상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명에 따른 감광성 폴리머는 다음 식으로표시되는 말단을 가진다.
식중, X는 탄소, 시아노기 또는 니트로기를 포함하는 3차 탄소, 에스테르 또는 에테르이고, q는 1 내지 10의 정수이다.
본 발명에 따른 감광성 폴리머는 다음 식의 구조를 더 포함할 수 있다.
식중, R1은 산에 의해 분해 가능하고 치환 또는 비치환된 C6∼ C20의 제3 알킬기이고, l/(l+m) = 0.01 ∼ 0.5이고, m/(l+m) = 0.01 ∼ 0.5이다.
바람직하게는, R1은 2-메틸-2-노르보르닐, 2-에틸-2-노르보르닐, 2-메틸-2-이소보르닐, 2-에틸-2-이소보르닐, 8-메틸-8-트리시클로[5.2.1.02,6]데카닐, 8-에틸-8-트리시클로[5.2.1.02,6]데카닐, 2-메틸-2-아다만틸, 2-에틸-2-아다만틸, 1-아다만틸-1-메틸에틸, 2-메틸-2-펜킬 또는 2-에틸-2-펜킬기이다.
또한, 본 발명에 따른 감광성 폴리머는 다음 식의 구조를 더 포함할 수 있다.
식중, R1및 R4는 각각 산에 의해 분해 가능하고 치환 또는 비치환된 C6∼ C20의 제3 알킬기이고, R2는 수소 원자, 히드록실기, 히드록시메틸기, 2-히드록시에틸옥시카르보닐기, 카르복실기, 제3-부톡시카르보닐기, 또는 메톡시카르보닐기이고, R3는 수소 원자 또는 메틸기이고, l/(l+m+n+p) = 0.01 ∼ 0.6이고, m/(l+m+n+p) = 0.01 ∼ 0.5이고, n/(l+m+n+p) = 0.0 ∼ 0.3이고, p/(l+m+n+p) = 0.0 ∼ 0.6이다.
바람직하게는, R1및 R4는 각각 2-메틸-2-노르보르닐, 2-에틸-2-노르보르닐, 2-메틸-2-이소보르닐, 2-에틸-2-이소보르닐, 8-메틸-8-트리시클로[5.2.1.02,6]데카닐, 8-에틸-8-트리시클로[5.2.1.02,6]데카닐, 2-메틸-2-아다만틸, 2-에틸-2-아다만틸, 1-아다만틸-1-메틸에틸, 2-메틸-2-펜킬 또는 2-에틸-2-펜킬기이다.
본 발명의 일 양태에 따른 감광성 폴리머는 다음 구조를 가질 수 있다.
식중, R1은 상기 정의한 바와 같으며, Y는 수소 원자, 터미널 올레핀, 또는 다음 식과 같은 구조를 갖는 기로 이루어질 수 있다.
상기 다른 목적을 달성하기 위하여, 본 발명에 따른 레지스트 조성물은 다음 식으로 표시되는 말단을 가지는 감광성 폴리머와, PAG(photoacid generator)를 포함한다.
식중, X 및 q는 상기 정의한 바와 같다.
본 발명에 따른 레지스트 조성물을 구성하는 감광성 폴리머는 상기 정의된 다양한 구조들로 이루어질 수 있다.
상기 감광성 폴리머의 중량 평균 분자량은 1,000 ∼ 100,000이다.
상기 PAG는 상기 감광성 폴리머의 중량을 기준으로 1 ∼ 15 중량%의 양으로 포함될 수 있다.
바람직하게는, 상기 PAG는 트리아릴술포늄염 (triarylsulfonium salts), 디아릴이오도늄염 (diaryliodonium salts), 술포네이트 (sulfonates) 또는 그 혼합물로 이루어진다. 특히 바람직하게는, 상기 PAG는 트리페닐술포늄 트리플레이트 (triphenylsulfonium triflate), 트리페닐술포늄 안티모네이트 (triphenylsulfonium antimonate), 디페닐이오도늄 트리플레이트 (diphenyliodonium triflate), 디페닐이오도늄 안티모네이트 (diphenyliodonium antimonate), 메톡시디페닐이오도늄 트리플레이트 (methoxydiphenyliodonium triflate), 디-t-부틸디페닐이오도늄 트리플레이트 (di-t-butyldiphenyliodonium triflate), 2,6-디니트로벤질 술포네이트 (2,6-dinitrobenzyl sulfonates), 피로갈롤 트리스(알킬술포네이트) (pyrogallol tris(alkylsulfonates)), N-히드록시숙신이미드 트리플레이트 (N-hydroxysuccinimide triflate), 노르보르넨-디카르복스이미드-트리플레이트 (norbornene-dicarboximide-triflate), 트리페닐술포늄 노나플레이트 (triphenylsulfonium nonaflate), 디페닐이오도늄 노나플레이트 (diphenyliodonium nonaflate), 메톡시디페닐이오도늄 노나플레이트 (methoxydiphenyliodonium nonaflate), 디-t-부틸디페닐이오도늄 노나플레이트 (di-t-butyldiphenyliodonium nonaflate), N-히드록시숙신이미드 노나플레이트 (N-hydroxysuccinimide nonaflate), 노르보르넨-디카르복스이미드-노나플레이트(norbornene-dicarboximide-nonaflate), 트리페닐술포늄 퍼플루오로옥탄술포네이트(PFOS) (triphenylsulfonium perfluorooctanesulfonate), 디페닐이오도늄 PFOS (diphenyliodonium PFOS), 메톡시디페닐이오도늄 PFOS (methoxydiphenyliodonium PFOS), 디-t-부틸디페닐이오도늄 트리플레이트 (di-t-butyldiphenyliodonium triflate), N-히드록시숙신이미드 PFOS (N-hydroxysuccinimide PFOS), 노르보르넨-디카르복스이미드 PFOS (norbornene-dicarboximide PFOS), 또는 이들의 혼합물로 이루어진다.
본 발명에 따른 레지스트 조성물은 유기 염기를 더 포함할 수 있다. 상기 유기 염기는 상기 감광성 폴리머의 중량을 기준으로 0.01 ∼ 2.0 중량%의 양으로 포함된다.
바람직하게는, 상기 유기 염기는 3차 아민(tertiary amine)으로 이루어지는 화합물을 단독으로 또는 2종 이상 혼합하여 이루어진다. 특히 바람직하게는, 상기 유기 염기는 트리에틸아민 (triethylamine), 트리이소부틸아민 (triisobutylamine), 트리이소옥틸아민 (triiooctylamine), 트리이소데실아민 (triisodecylamine), 디에탄올아민 (diethanolamine), 트리에탄올아민 (triethanolamine) 또는 그 혼합물이다.
또한, 본 발명에 따른 레지스트 조성물은 30 ∼ 200 ppm의 계면활성제를 더 포함할 수 있다.
또한, 본 발명에 따른 레지스트 조성물은 상기 감광성 폴리머의 중량을 기준으로 0.1 ∼ 50 중량%의 용해 억제제(dissolution inhibitor)를 더 포함할 수 있다.
본 발명에 따른 감광성 폴리머는 그 말단에 산을 함유하는 구조를 가진다. 이와 같은 감광성 폴리머로부터 얻어지는 본 발명에 따른 레지스트 조성물은 건식 식각에 대한 내성을 확보할 수 있는 동시에 우수한 콘트라스트 특성 등 극미세화된 패턴 사이즈를 실현하기 위한 특성들을 제공한다.
다음에, 본 발명의 바람직한 실시예들에 대하여 상세히 설명한다.
실시예1
코폴리머의 합성
실시예 1-1
R = 1-아다만틸-1-메틸에틸
(1-아다만틸-1-메틸에틸)-5-노르보르넨-2-카르복실레이트(AdMENC) 15.4g과, 무수 말레인산 (MA) 4.8g을 테트라히드로퓨란(THF) 5g에 녹인 후, 여기에 라디칼 이니시에이터(radical initiator)인 4,4'-아조비스(4-시아노발레르산) (ACVA) 1.4g을 첨가하였다. 그 후, 디가싱(degassing)을 실시하고, 65℃에서 40 시간 동안 중합하였다.
반응이 끝난 후, 얻어진 결과물을 과량의 이소프로필알콜에 2회 침전시키고,여과한 후, 진공 오븐 내에서 24시간 동안 말려서 원하는 생성물을 회수하였다. (수율 54%)
이 때, 얻어진 생성물의 중량 평균 분자량은 7,400이었고, 다분산도는 1.6이었다.
실시예 1-2
(R = 2-메틸-아다만틸)
2-메틸아다만틸-5-노르보르넨-2-카르복실레이트 (MAdNC) 14.3g과, 무수 말레인산 (MA) 4.9g을 THF 4.8g에 녹인 후, 여기에 라디칼 이니시에이터인 ACVA 1.5g을 첨가하였다. 그 후, 디가싱을 실시하고, 65℃에서 40 시간 동안 중합하였다.
반응이 끝난 후, 얻어진 결과물을 과량의 이소프로필알콜에 2회 침전시키고, 여과한 후, 진공 오븐 내에서 24시간 동안 말려서 원하는 생성물을 회수하였다. (수율 54%)
이 때, 얻어진 생성물의 중량 평균 분자량은 6,630이었고, 다분산도는 1.54이었다.
실시예 1-3
(R = 8-에틸-8-트리시클로[5.2.1.02,6]데카닐)
8-에틸-8-트리시클로[5.2.1.02,6]데카닐-5-노르보르넨-2-카르복실레이트 (ETCDNC) 13g과, 무수 말레인산 (MA) 4.2g을 THF 4.3g에 녹인 후, 여기에 라디칼 이니시에이터인 ACVA 1.2g을 첨가하였다. 그 후, 디가싱을 실시하고, 65℃에서 40시간 동안 중합하였다.
반응이 끝난 후, 얻어진 결과물을 과량의 이소프로필알콜에 2회 침전시키고, 여과한 후, 진공 오븐 내에서 24시간 동안 말려서 상기 표시한 바와 같은 터폴리머를 회수하였다. (수율 54%)
이 때, 얻어진 생성물의 중량 평균 분자량은 6,740이었고, 다분산도는 1.56이었다.
실시예 2
리소그래피 퍼포먼스
실시예 2-1
실시예 1-1에서 합성한 코폴리머 (AdMENC:MA) (1.0g)를 PAG(photoacid generator)인 트리페닐술포늄 트리플루오로메탄술포네이트(트리플레이트) (0.01g) 및 유기 염기인 트리이소데실아민 (3.2mg)과 함께, PGMEA (propylene glycol monomethyl ether acetate) (8.0g) 용액에 완전히 녹인 후, 각각 0.2μm 멤브레인 필터를 이용하여 걸러서 각각의 레지스트 조성물들을 얻었다. 이들 레지스트 조성물을 유기 ARC(Anti-Reflective Coating) 처리된 Si 웨이퍼상에 각각 약 0.35 ㎛의 두께로 코팅하였다.
그 후, 상기 레지스트 조성물이 코팅된 각각의 웨이퍼를 130℃의 온도에서 90초 동안 소프트 베이킹하고, ArF 엑시머 레이저 스테퍼(NA = 0.6)를 이용하여 노광한 후, 120℃의 온도에서 60초 동안 PEB(post exposure bake)를 실시하였다.
그 후, 2.38 중량% TMAH(tetramethylammonium hydroxide) 용액을 사용하여약 60초 동안 현상하여 레지스트 패턴을 형성하였다.
그 결과, 노광 도즈량을 약 12 mJ/cm2으로 하였을 때 0.15 ㎛ 라인 앤드 스페이스 패턴(lines and spaces pattern)이 얻어지는 것을 확인하였다.
실시예 2-2
실시예 1-2에서 합성한 코폴리머 (MAdNC:MA) (1.0g)를 PAG인 트리페닐술포늄 트리플루오로메탄술포네이트(트리플레이트) (0.01g) 및 유기 염기인 트리이소데실아민 (3.2mg)과 함께, PGMEA (8.0g) 용액에 완전히 녹인 후, 각각 0.2μm 멤브레인 필터를 이용하여 걸러서 각각의 레지스트 조성물들을 얻었다. 이들 레지스트 조성물을 유기 ARC 처리된 Si 웨이퍼상에 각각 약 0.35 ㎛의 두께로 코팅하였다.
그 후, 상기 레지스트 조성물이 코팅된 각각의 웨이퍼를 130℃의 온도에서 90초 동안 소프트 베이킹하고, ArF 엑시머 레이저 스테퍼(NA = 0.6)를 이용하여 노광한 후, 120℃의 온도에서 60초 동안 PEB를 실시하였다.
그 후, 2.38 중량% TMAH(tetramethylammonium hydroxide) 용액을 사용하여 약 60초 동안 현상하여 레지스트 패턴을 형성하였다.
그 결과, 노광 도즈량을 약 12 mJ/cm2으로 하였을 때 0.14 ㎛ 라인 앤드 스페이스 패턴이 얻어지는 것을 확인하였다.
실시예 2-3
실시예 1-3에서 합성한 코폴리머 (ETCDNC:MA) (1.0g)를 PAG인 트리페닐술포늄 트리플루오로메탄술포네이트(트리플레이트) (0.01g) 및 유기 염기인 트리이소데실아민 (3.2mg)과 함께, PGMEA (8.0g) 용액에 완전히 녹인 후, 각각 0.2μm 멤브레인 필터를 이용하여 걸러서 각각의 레지스트 조성물들을 얻었다. 이들 레지스트 조성물을 유기 ARC 처리된 Si 웨이퍼상에 각각 약 0.35 ㎛의 두께로 코팅하였다.
그 후, 상기 레지스트 조성물이 코팅된 각각의 웨이퍼를 130℃의 온도에서 90초 동안 소프트 베이킹하고, ArF 엑시머 레이저 스테퍼(NA = 0.6)를 이용하여 노광한 후, 120℃의 온도에서 60초 동안 PEB를 실시하였다.
그 후, 2.38 중량% TMAH 용액을 사용하여 약 60초 동안 현상하여 레지스트 패턴을 형성하였다.
그 결과, 노광 도즈량을 약 12 mJ/cm2으로 하였을 때 0.13 ㎛ 라인 앤드 스페이스 패턴이 얻어지는 것을 확인하였다.
본 발명에 따른 감광성 폴리머를 합성하는 데 있어서, 라디칼 개시제로서 라디칼 반응시 우수한 접착 특성을 나타내는 산을 포함하는 라디칼 개시제를 사용한다. 이와 같이 합성되는 본 발명에 따른 감광성 폴리머는 그 말단에 산을 함유하는 구조를 가진다. 이와 같은 감광성 폴리머로부터 얻어지는 본 발명에 따른 레지스트 조성물은 건식 식각에 대한 내성을 확보할 수 있는 동시에 우수한 콘트라스트 특성 등 극미세화된 패턴 사이즈를 실현하기 위한 특성들을 제공한다. 따라서, 본 발명에 따른 레지스트 조성물을 포토리소그래피 공정에 적용할 때 매우 우수한 리소그래피 퍼포먼스를 나타냄으로써, 향후 차세대 반도체 소자를 제조하는 데 있어서 매우 유용하게 사용될 수 있다.
이상, 본 발명을 바람직한 실시예를 들어 상세하게 설명하였으나, 본 발명은 상기 실시예에 한정되지 않고, 본 발명의 기술적 사상의 범위 내에서 당 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의하여 여러가지 변형이 가능하다.

Claims (10)

  1. 다음 식으로 표시되는 말단을 가지는 것을 특징으로 하는 감광성 폴리머.
    식중, X는 탄소, 시아노기 또는 니트로기를 포함하는 3차 탄소, 에스테르 또는 에테르이고, q는 1 내지 10의 정수임.
  2. 제1항에 있어서, 다음 식의 구조를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 감광성 폴리머.
    식중, R1은 산에 의해 분해 가능하고 치환 또는 비치환된 C6∼ C20의 제3 알킬기이고, l/(l+m) = 0.01 ∼ 0.5이고, m/(l+m) = 0.01 ∼ 0.5임.
  3. 제2항에 있어서, R1은 2-메틸-2-노르보르닐, 2-에틸-2-노르보르닐, 2-메틸-2-이소보르닐, 2-에틸-2-이소보르닐, 8-메틸-8-트리시클로[5.2.1.02,6]데카닐, 8-에틸-8-트리시클로[5.2.1.02,6]데카닐, 2-메틸-2-아다만틸, 2-에틸-2-아다만틸, 1-아다만틸-1-메틸에틸, 2-메틸-2-펜킬 또는 2-에틸-2-펜킬기인 것을 특징으로 하는 감광성 폴리머.
  4. 제1항에 있어서, 다음 식의 구조를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 감광성 폴리머.
    식중, R1및 R4는 각각 산에 의해 분해 가능하고 치환 또는 비치환된 C6∼ C20의 제3 알킬기이고, R2는 수소 원자, 히드록실기, 히드록시메틸기, 2-히드록시에틸옥시카르보닐기, 카르복실기, 제3-부톡시카르보닐기, 또는 메톡시카르보닐기이고, R3는 수소 원자 또는 메틸기이고, l/(l+m+n+p) = 0.01 ∼ 0.6이고, m/(l+m+n+p) = 0.01 ∼ 0.5이고, n/(l+m+n+p) = 0.0 ∼ 0.3이고, p/(l+m+n+p) = 0.0 ∼ 0.6임.
  5. 제4항에 있어서, R1및 R4는 각각 2-메틸-2-노르보르닐, 2-에틸-2-노르보르닐, 2-메틸-2-이소보르닐, 2-에틸-2-이소보르닐, 8-메틸-8-트리시클로[5.2.1.02,6]데카닐, 8-에틸-8-트리시클로[5.2.1.02,6]데카닐, 2-메틸-2-아다만틸, 2-에틸-2-아다만틸, 1-아다만틸-1-메틸에틸, 2-메틸-2-펜킬 또는 2-에틸-2-펜킬기인 것을 특징으로 하는 감광성 폴리머.
  6. 다음 식으로 표시되는 말단을 가지는 감광성 폴리머와,
    식중, X는 탄소, 시아노기 또는 니트로기를 포함하는 3차 탄소, 에스테르 또는 에테르이고, q는 1 내지 10의 정수임.
    PAG(photoacid generator)를 포함하는 것을 특징으로 하는 레지스트 조성물.
  7. 제6항에 있어서, 상기 감광성 폴리머는 다음 식의 구조를 더 포함하는 것을특징으로 하는 레지스트 조성물.
    식중, R1은 산에 의해 분해 가능하고 치환 또는 비치환된 C6∼ C20의 제3 알킬기이고, l/(l+m) = 0.01 ∼ 0.5이고, m/(l+m) = 0.01 ∼ 0.5임.
  8. 제7항에 있어서, R1은 2-메틸-2-노르보르닐, 2-에틸-2-노르보르닐, 2-메틸-2-이소보르닐, 2-에틸-2-이소보르닐, 8-메틸-8-트리시클로[5.2.1.02,6]데카닐, 8-에틸-8-트리시클로[5.2.1.02,6]데카닐, 2-메틸-2-아다만틸, 2-에틸-2-아다만틸, 1-아다만틸-1-메틸에틸, 2-메틸-2-펜킬 또는 2-에틸-2-펜킬기인 것을 특징으로 하는 레지스트 조성물.
  9. 제6항에 있어서, 상기 감광성 폴리머는 다음 식의 구조를 더 포함하는 것을특징으로 하는 레지스트 조성물.
    식중, R1및 R4는 각각 산에 의해 분해 가능하고 치환 또는 비치환된 C6∼ C20의 제3 알킬기이고, R2는 수소 원자, 히드록실기, 히드록시메틸기, 2-히드록시에틸옥시카르보닐기, 카르복실기, 제3-부톡시카르보닐기, 또는 메톡시카르보닐기이고, R3는 수소 원자 또는 메틸기이고, l/(l+m+n+p) = 0.01 ∼ 0.6이고, m/(l+m+n+p) = 0.01 ∼ 0.5이고, n/(l+m+n+p) = 0.0 ∼ 0.3이고, p/(l+m+n+p) = 0.0 ∼ 0.6임.
  10. 제9항에 있어서, R1및 R4는 각각 2-메틸-2-노르보르닐, 2-에틸-2-노르보르닐, 2-메틸-2-이소보르닐, 2-에틸-2-이소보르닐, 8-메틸-8-트리시클로[5.2.1.02,6]데카닐, 8-에틸-8-트리시클로[5.2.1.02,6]데카닐, 2-메틸-2-아다만틸, 2-에틸-2-아다만틸, 1-아다만틸-1-메틸에틸, 2-메틸-2-펜킬 또는 2-에틸-2-펜킬기인 것을 특징으로 하는 레지스트 조성물.
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