JP4291905B2 - 感光性ポリマー及びそれを利用した化学増幅型レジスト組成物 - Google Patents
感光性ポリマー及びそれを利用した化学増幅型レジスト組成物 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4291905B2 JP4291905B2 JP35846898A JP35846898A JP4291905B2 JP 4291905 B2 JP4291905 B2 JP 4291905B2 JP 35846898 A JP35846898 A JP 35846898A JP 35846898 A JP35846898 A JP 35846898A JP 4291905 B2 JP4291905 B2 JP 4291905B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resist composition
- triflate
- chemically amplified
- amplified resist
- formula
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/0045—Photosensitive materials with organic non-macromolecular light-sensitive compounds not otherwise provided for, e.g. dissolution inhibitors
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08F—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED BY REACTIONS ONLY INVOLVING CARBON-TO-CARBON UNSATURATED BONDS
- C08F220/00—Copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and only one being terminated by only one carboxyl radical or a salt, anhydride ester, amide, imide or nitrile thereof
- C08F220/02—Monocarboxylic acids having less than ten carbon atoms; Derivatives thereof
- C08F220/10—Esters
- C08F220/12—Esters of monohydric alcohols or phenols
- C08F220/16—Esters of monohydric alcohols or phenols of phenols or of alcohols containing two or more carbon atoms
- C08F220/18—Esters of monohydric alcohols or phenols of phenols or of alcohols containing two or more carbon atoms with acrylic or methacrylic acids
- C08F220/1804—C4-(meth)acrylate, e.g. butyl (meth)acrylate, isobutyl (meth)acrylate or tert-butyl (meth)acrylate
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08F—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED BY REACTIONS ONLY INVOLVING CARBON-TO-CARBON UNSATURATED BONDS
- C08F222/00—Copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and at least one being terminated by a carboxyl radical and containing at least one other carboxyl radical in the molecule; Salts, anhydrides, esters, amides, imides, or nitriles thereof
- C08F222/04—Anhydrides, e.g. cyclic anhydrides
- C08F222/06—Maleic anhydride
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/039—Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、感光性ポリマー(Photosensitive Polymer)及びそれを利用した化学増幅型レジスト組成物に関するものであり、特にＡｒＦエキシマレーザー波長に露光するとき、膜質に対して優秀な接着力を発揮し、通常の現像液によって現像ができ、優れた乾式エッチング耐性(Dry-Etch Resistance)を有する感光性ポリマー及びそれを利用した化学増幅型レジスト組成物に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
半導体チップの集積度が増加することによってフォトリソグラフィ(Photo-Lithography)工程において、サブクォータマイクロン級の微細パターン形成が必須的な課題になる。
さらに、１ギガ(Giga)級以上の素子では既存のDUV(Deep-Ultraviolet:λ=248nm)露光源であるＫｒＦエキシマレーザーより短波長であるＡｒＦエキシマレーザー(λ=193nm)を利用するフォトリソグラフィ技術が導入されながら新しいレジスト組成物が提案された。
【０００３】
一般的に、ＡｒＦエキシマレーザー用化学増幅型レジスト組成物は、次のような要件を満足しなければならない。
即ち、193nmの波長領域で透過率(Transmittance)と、膜質(Substrate)に対する接着力及び乾式エッチングに対する耐性も、熱的特性も優れなければならない。 ここで、熱的特性が優れていることは、ガラス遷移温度(Tg)が高いことを意味する。
【０００４】
又、2.38wt%のテトラメチルアンモニウム水酸化物(Tetramethylammoniumhydroxide : TMAH)溶液のように通常に使用されるアカルライン（アルカリ）現像液(Developer)をそのまま使用して現像できなければならない。
一方、今まで知られた一番一般的なＡｒＦエキシマレーザー用レジスト組成物は、メタクリレート(Methacrylate)系のポリマーであり、その代表的なものは、次の式で表示されるターポリマー(Terpolymer)であるポリ(MMA-tBMA-MAA)が使用されている。
【０００５】
【化３】
【０００６】
しかし、レジスト組成物は、乾式エッチングに対する耐性及び膜質に対する接着力が不良な短所がある。
これにより、乾式エッチングに対する耐性を増加させるためイソボルニル(Isobornyl)、アダマンチル(Adamantyl)、トリシクロドカニル基(Tricyclodecanyl Group；トリシクロデカニル基)等のいろいろの脂環式化合物(Alicyclic Compound)を導入する方法を使用している。
【０００７】
しかし、このような場合にも膜質に対する接着力が不良でレジストパターンの浮き現象(Lifting)が発生し、乾式エッチング耐性が不良であり、現像時には通常使用される現像液ではなく希釈された濃度の現像液を使用すべき問題がある。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
本発明の目的は、バックボーン(Backbone)がサイクリック(環式)構造を有しながら、脂環式の化合物を含有する脂環式シクロポリマー(Alicyclic Cyclopolymer)にヒドロキシ(Hydroxy : OH)が導入された感光性ポリマーを提供することである。
【０００９】
本発明の他の目的は、脂環式の化合物を含有する脂環式シクロポリマーにヒドロキシ基が導入された感光性ポリマーを利用することによって、ＡｒＦエキシマレーザー波長に露光するとき、膜質に対して優秀な接着力を発揮し、通常の現像液によって現像され、乾式エッチングに対する耐性が優れた化学増幅型レジスト組成物を提供することである。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
目的を達成するため本発明は、化学式１の高分子、又は化学式１の高分子を有する共重合体(Copolymer)を含む感光性ポリマを提供する。
【００１１】
【化４】
化学式 １
【００１２】
式のうち、Ｒ１はＣ１〜Ｃ２０の脂肪族炭化水素であり、ｎは整数である。又、式のうち、Ｒ１は−ＣＨ３、−ＣＨ２ＣＨ３、ｎ−ブチル（ｎ−ｂｕｔｙｌ）、シクロヘシル（Ｃｙｃｌｏｈｅｘｙｌ；シクロヘキシル）基からなる群から選択される。Ｒ１は、アダマンチル（Ａｄａｍａｎｔｙｌ）、ノルボルニル（Ｎｏｒｂｏｒｎｙｌ）、イソボルニル（Ｉｓｏｂｏｒｎｙｌ）基のようなＣ７〜Ｃ２０の脂環式の脂肪族炭化水素（Ａｌｉｃｙｃｌｉｃ ＡｌｉｐｈａｔｉｃＨｙｄｒｏｃａｒｂｏｎｅ）からなる群から選択される。
【００１３】
このような本発明で、化学式１の高分子の重量平均分子量は、３，０００〜１００，０００である。一方、化学式２の高分子及び光酸発生剤（Ｐｈｏｔｏａｃｉｄ Ｇｅｎｅｒａｔｏｒ、ＰＡＧ)を含む化学増幅型レジスト組成物を提供する。
【００１４】
【化５】
化学式２
【００１５】
式のうち、Ｒ１はＣ１〜Ｃ２０の脂肪族炭化水素であり、Ｒ２はＨ又はＣＨ３であり、Ｒ３はｔ−ブチル（ｔ−ｂｕｔｙｌ）、又はテトラヒドロピラニル基（Ｔｅｔｒａｈｙｄｒｏｐｙｒａｎｙｌ ｇｒｏｕｐ）である。式のうち、ｍ及びｎは整数であり、ｎ／（ｍ＋ｎ）＝０．１〜０．５である。又、式中、Ｒ１は−ＣＨ３、−ＣＨ２ＣＨ３、ｎ−ブチル、シクロヘキシルからなる群から選択され、又はアダマンチル、ノルボルニル、イソボルニル基等のＣ７〜Ｃ２０の脂環式の脂肪族炭化水素からなる群から選択される。
【００１６】
一方、化学式２の高分子の重量平均分子量は、3,000〜200,000であり、ＰＡＧの含量は、化学式２の高分子の重量を基準として1.0〜20.0wt%である。
ＰＡＧは、トリアリルスルホニウム塩(Triarylsulfonium Salts；トリアリールスルホニウム塩類)とダイアリリョードニウム塩(Diaryliodonium Salts；ジアリールヨードニウム塩類)とスルホン酸(Sulfonates；スルホン酸塩類)からなる群から選択されたある１つを含む。
【００１７】
ＰＡＧを形成するトリアリルスルホニウム塩（トリアリールスルホニウム塩類）は、トリフェニルスルホニウム トリフラート(Triphenylsulfonium triflate；トリフェニルスルホニウム トリフレート)、トリフェニルスルホニウム アンチモン酸塩(Triphenylsulfonium antimonate)、2,6−ジニトロべンジル スルホン酸(2,6-dinitrobenzyl sulfonates；2,6−ジニトロべンジル スルホン酸塩類)、ピロガロール トリス アルキスルホン酸(Pyrogallol tris : alkylsulfonates；ピロガロール トリス アルキルスルホン酸塩類)からなる群から選択される。
【００１８】
又、ＰＡＧを形成するダイアリリョードニウム塩（ジアリールヨードニウム塩類）は、ジフェニルリョードニウム トリフラート(Diphenyliodonium triflate；ジフェニルヨードニウム トリフレート)、ジフェニルリョードニウム アンチモン酸塩(Diphenyliodonium antimonate)、メトキシジフェニルリョードニウム トリフラート(Methoxydiphenyliodonium triflate；メトキシジフェニルヨードニウム トリフレート)、ジ−t−ブチル ジフェニルリョードニウム トリフラート(Di-t-butyldiphenyliodonium triflate；ジ−t−ブチル ジフェニルヨードニウム トリフレート)等からなる群から選択される。
【００１９】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の望ましい実施形態を詳細に説明する。
実施形態１
モノマー(Monomer)の合成
【００２０】
(ｉ)5−ノルボニン−２−シクロヘクシルメタノール(5-norbornene-２-cyclohexylmethanol；５−ノルボルネン−２−シクロヘキシルメタノール)の合成
ダイチルエダ（Diethylether；ジエチルエーテル）に0.1molで溶解されているシクロヘシル臭化マグネシウム(Cyclohexyl Magnesiumbromide；シクロヘキシル臭化マグネシウム)溶液に5−ノルボニン−２−カルボサリデヒド(5-norbornene-２-carboxaldehyde；5−ノルボルネン−２−カルボサリデヒド)13g(0.1mol)をゆっくり落とした後、還流条件下で約１２時間程度反応させてから、反応物を過量の水に流しながら進行させた。
【００２１】
その次、ダイチルエダ(Diethylether；ジエチルエーテル)を使用して抽出し、黄酸マグネシウム(Magnesiumsulfate；硫酸マグネシウム)に乾燥させた後、真空蒸溜方式を利用して生成物を分離した。この時の収率は、75%であった。
【００２２】
(ｉｉ)5−ノルボニン−２−ノルボルニルメタノール(5-norbornene-２-norbornylmethanol)の合成
テトラヒドロフラン(Tetrahydrofuran : ＴＨＦ)に0.1molで溶解されている２−ノルボルニル 臭化マグネシウム(２-norbornyl Magnesiumbromide)溶液に5−ノルボニン−２−カルボサリデヒド(5-norbornene-２-carboxaldehyde)13g(0.1mol)をゆっくり落した後、還流条件下で約20時間程度反応させた。
【００２３】
反応が完了された後、回転式蒸発器（rotary evaporator）を利用してＴＨＦを蒸発させてから、反応物を過量の水に流しながら進行させた。
それから、ダイチルエダ（Diethylether；ジエチルエーテル）を使用して抽出し、黄酸マグネシウム（Magnesiumsulfate；硫酸マグネシウム）で乾燥させた後、真空蒸溜方式を利用して生成物を分離した。このときの収率は、60%であった
。
【００２４】
(ｉｉｉ)テトラヒドロピラニル メタクリレート(Tetrahydropyranyl methacrylate)の合成
0.1molのメタクリル酸(Methacrylic acid)と3,4−ジヒドロ−2H−ピラン(3,4-dihydro-2H-pyran)8.6g(0.11mol)を150mlのCH２Cl2に溶かしてから、ここにp−トルエンスルホン酸(p-toluenesulfonic acid)を少量添加し、その反応物を常温で４時間程度反応させた。
それから、ダイチルエダ（Diethylether；ジエチルエーテル）を使用して抽出し、黄酸マグネシウム（Magnesiumsulfate；硫酸マグネシウム）で乾燥させた後、真空蒸溜方式で生成物を分離した。このときの収率は、85%であった。
【００２５】
実施形態２
コポリマー(Copolymer)の合成
本実施形態によるコポリマーの合成反応は、次の式で表示することができる。
【００２６】
【化６】
【００２７】
(ｉ)ポリ(ノルボニン−２−シクロヘシルメタノール−アルト−マレイン酸：Norbornene-２-cyclohexylmethanol-alt-maleic anhydride；ノルボルネン−２−シクロヘキシルメタノール−アルト−無水マレイン酸)の合成
5−ノルボニン−２−シクロヘシルメタノール20g(0.1mol)とアメイン酸(Maleic Anhydride；無水マレイン酸)10g(0.1mol)をＴＨＦ100mlに溶かしてから、ここにＡＩＢＮ(２,２'-azobisisobutyronitrile)0.32gを入れてから、Ｎ2ガスを利用して完全にパージさせた。
【００２８】
反応物を還流乾燥で約24時間程度重合させてから、１０倍で稀釈された過量のｎ−ヘキサン(ｎ-hexane)で沈殿させた。
それから、その沈殿物を再びＴＨＦに溶かしてから、ｎ−ヘキサンで再沈殿させた。
沈殿物を濾過させてから、50℃の真空オーブンで24時間、乾燥させた。このときの収率は、60%であった。
【００２９】
合成されたコポリマーに対してＧＰＣ方法を利用して分子量を測定した結果、コポリマーの重量平均分子量は5,000であり、多分散(Polydispersity)は2.1であり、ＦＴＩＲ(KBr) : 3400〜3600cm-1(O‐H)、1780cm-1(C＝O)であった。
【００３０】
(ｉｉ)ポリ(ノルボニン−２−ノルボルニルメタノール−アルト−アレイン酸：Norbornene-２-norbornylmethanol-alt-maleic anhydride；ノルボルネン−２−ノルボルニルメタノール−アルト−無水マレイン酸)の合成
5−ノルボニン−２−ノルボルニルメタノール21g(0.1mol)とアレイン酸(Maleic Anhydride；無水マレイン酸)10g(0.1mol)をＴＨＦ100mlに溶かしてから、ここにＡＩＢＮ0.32gを入れてから、Ｎ2ガスを利用して完全にパージさせた。
還流乾燥下で、反応物を約24時間程度重合させた後、１０倍で稀釈された過量のｎ−ヘキサンで沈殿させた。
それから、その沈殿物を再びＴＨＦに溶かしてから、ｎ−ヘキサンで再沈殿させた。
【００３１】
沈殿物を濾過させてから、50℃の真空オーブンで２４時間の間乾燥させた。このときの収率は、65%であった。
このように合成されたコポリマーに対して、ＧＰＣ方法を利用して分子量を測定した結果、コポリマーの重量平均分子量は4,700であり、多分散は2.0であり、ＦＴＩＲ(KBr) : 3,400〜3,600cm-1(O‐H)、2958cm-1(C‐H)、1780cm-1(C＝O)であった。
【００３２】
実施形態３
ターポリマー(Terpolymer)の合成
本実施形態によるターポリマーの合成反応は、次の式で表示することができる。
【００３３】
【化７】
【００３４】
(ｉ) t−ブチルメタクリレート(ｔＢＭＡ)を有するターポリマーの合成
5−ノルボルネン−２−シクロヘシキルメタノール20g(0.1mol)とマレイン酸(Maleic Anhydride；無水マレイン酸)10g(0.1mol)、ｔ−ブチルメタクリレート 14g(0.1mol)ＴＨＦ150mlに溶かしてから、ここにＡＩＢＮ 0.49gを添加した後、Ｎ2ガスを利用して完全にパージさせた。
反応物を還流条件下で、約24時間程度重合させてから、10倍に稀釈された過量のｎ−ヘキサンで沈殿させた。
【００３５】
それから、その沈殿物を再びＴＨＦに溶かしてから、ｎ−ヘキサンで再沈殿させた。
沈殿物を濾過してから、50℃の真空オーブンで２４時間乾燥させた。このときの収率は、75%であった。
【００３６】
このように、合成されたターポリマーに対してＧＰＣ方法を利用して分子量を測定した結果、ターポリマーの重量平均分子量は5,500であり、多分散は2.1であった。
図１は、合成されたｔＢＭＡを有するターポリマーのＦＴＩＲスペクトルを示すグラフである。
これを参照すると、ＦＴＩＲ(KBr) : 3,400〜3,600cm-1(O‐H)、2978cm-1(C‐H)、1780cm-1(C＝O)であることが分かる。
【００３７】
(ｉｉ)テトラヒドロピラニル メタクリレート(Tetrahydropyranyl Methacrylate : THPMA)を有するターポリマーの合成
5−ノルボニン−２−シクロヘキシル メタノール20g(0.1mol)と、マレイン酸(Maleic Anhydride；無水マレイン酸)10g(0.1mol)、テトラヒドロピラニル メタクリレート17g(0.1mol)ＴＨＦ150mlに溶かしてから、ここにＡＩＢＮ 0.49gを添加してから、Ｎ2ガスを利用して完全にパージさせた。
【００３８】
反応物を還流条件下で、約２４時間の間、重合させた後、１０倍に稀釈された過量のｎ−ヘキサンで沈殿させた。
それから、その沈殿物を再びＴＨＦに溶かしてから、ｎ−ヘキサンで再沈殿をさせた。
沈殿物を濾過してから、50℃の真空オーブンで２４時間の間、乾燥させた。このときの収率は、75%であった。
【００３９】
このように合成されたターポリマーに対して、ＧＰＣ方法を利用して分子量を測定した結果、ターポリマーの重量平均分子量は5,000であり、多分散は2.0であり、ＦＴＩＲ(KBr) : 3400〜3600cm-1(O‐H)、2957cm-1(C‐H)、1780cm-1(C＝O)、1720cm-1(C＝O)であった。
【００４０】
実施形態４
レジスト組成物の製造
(ｉ) t−ブチルメタクリレート(ｔＢＭＡ)を有するターポリマーを利用したレジスト組成物の製造
実施形態３の(ｉ)で合成したｔＢＭＡを有するターポリマー 1.0gとトリフェニルスルホニウム トリフラート(Triphenylsulfonium triflate；トリフェニルスルホニウム トリフレート)0.05gをプロピレンコル モノメタルエダ アセクート(Propyleneglycol monomethylether acetate : PGMEA；プロピレングリコール モノメチルエーテル アセテート)6.0gに完全に溶かして、0.45、0.2μｍのマイクロフィルタを利用して濾過することによって、レジスト組成物を製造した。
【００４１】
レジスト組成物をHMDS(Hexamethyldisilazane)で処理したSiウェーハの表面に約0.5μｍの厚さでコーティングした。
このように、レジスト組成物がコーティングされたウェーハを130℃の温度で、約90秒の間ソフトバキング(Soft-Baking)を実施し、開口数(NA)が0.45であるＡｒＦ エキシマレーザーを照射して露光してから、140℃の温度で約90秒の間ポストバキング(Post-Exposure Baking)を実施した。
【００４２】
それから、2.38wt%のテトラメチルアンモニウム水酸化物(Tetramethylammonium hydroxide : TMAH)溶液を利用して60秒間現像した。
図２は、本発明のレジスト組成物を使用した場合に示す断面写真である。
これを参照すると、実験結果、約20mJ/cm2のドーズ(Dose)で0.3μｍの線及び空間パターン(Lines & Spaces Pattern)が形成されることが分かる。
【００４３】
(ｉｉ)テトラヒドロピラニル メタクリレート(THPMA)を有するターポリマーを利用したレジスト組成物の製造
実施形態３(ｉｉ)で合成したTHPMAを有するターポリマー1.0gとトリフェニルスルホニウム トリフラート0.05gをプロピレンコルモノメタルエダ アセクート(PGMEA；プロピレングリコール モノメチルエーテル アセテート)6.0gに完全に溶かしてから、0.45, 0.2μｍのマイクロフィルタを利用して濾過することによって、レジスト組成物を製造した。
【００４４】
レジスト組成物をHMDS(Hexamethyldisilazane)で処理したSiウェーハの表面に約0.5μｍの厚さでコーティングした。
このようにレジスト組成物がコーティングされたウェーハを130℃の温度で約90秒の間、ソフトバキングし、開口数(NA)が0.45であるＡｒＦエキシマレーザーを照射して露光してから、約140℃の温度で、約90秒間ポストバキング(Post-Exposure Baking)を実施した。
【００４５】
それから、2.38wt%のテトラメチルアンモニウム水酸化物(Tetramethylammonium hydroxide : TMAH)溶液を利用して60秒間現像した。
実験結果、約13mJ/cm2のドーズ(Dose)で0.3μｍの線及び空間パターン(Lines & Spaces Pattern)が得ることが分かる。
【００４６】
(ｉｉｉ)テトラヒドロピラニル メタクリレート (THPMA)を有するターポリマーを利用したレジスト組成物の製造
実施形態３(ｉｉ)で合成したTHPMAを有するターポリマー1.0gとメトキシジフェニルリョード トリフラート（Methoxydiphenyliodonium triflate；メトキシジフェニルヨードニウム トリフレート）0.05gをプロピレンコルモノメタルエダアセクート(PGMEA；プロピレングリコール モノメチルエーテル アセテート) 6.0gに完全に溶かしてから、0.45, 0.2μｍのマイクロフィルタを利用して濾過することによって、レジスト組成物を製造した。
【００４７】
レジスト組成物をHMDS(Hexamethyldisilazane)で処理したSiウェーハの表面に約0.5μｍの厚さでコーティングした。
このようにレジスト組成物がコーティングされたウェーハを130℃の温度で約90秒間、ソフトバキングし、開口数(NA)が0.45であるＡｒＦエキシマレーザーを照射して露光してから、約140℃の温度で、約90秒間ポストバキング(Post-Exposure Baking)を実施した。
【００４８】
それから、2.38wt%のテトラアンモニウム水酸化物(Tetramethylammonium hydroxide : TMAH；テトラメチルアンモニウム水酸化物)溶液を利用して60秒間現像した。
実験結果、約18mJ/cm2のドーズ(Dose)で0.3μｍの線及び空間パターン(Lines & Spaces Pattern)が得ることが分かる。
【００４９】
【発明の効果】
本発明によるレジスト組成物を利用すると、通常使用される現像液を使用して現像でき、乾式エッチング耐性が優れ、膜質に対して優秀な接着力を提供する。
【００５０】
以上、本発明を望ましい実施形態を詳細に説明したが、本発明は、実施形態に限定されることではなく、本発明の技術的な思想範囲内で、この分野で通常の知識を持っている者にいろいろ変形が可能である。
【図面の簡単な説明】
【図１】 本発明の一実施形態によるｔＢＭＡを有するターポリマーのＦＴＩＲスペクトルを示すグラフである。
【図２】 本発明のレジスト組成物を使用した場合に示すパターの断面写真である。
【発明の属する技術分野】
本発明は、感光性ポリマー(Photosensitive Polymer)及びそれを利用した化学増幅型レジスト組成物に関するものであり、特にＡｒＦエキシマレーザー波長に露光するとき、膜質に対して優秀な接着力を発揮し、通常の現像液によって現像ができ、優れた乾式エッチング耐性(Dry-Etch Resistance)を有する感光性ポリマー及びそれを利用した化学増幅型レジスト組成物に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
半導体チップの集積度が増加することによってフォトリソグラフィ(Photo-Lithography)工程において、サブクォータマイクロン級の微細パターン形成が必須的な課題になる。
さらに、１ギガ(Giga)級以上の素子では既存のDUV(Deep-Ultraviolet:λ=248nm)露光源であるＫｒＦエキシマレーザーより短波長であるＡｒＦエキシマレーザー(λ=193nm)を利用するフォトリソグラフィ技術が導入されながら新しいレジスト組成物が提案された。
【０００３】
一般的に、ＡｒＦエキシマレーザー用化学増幅型レジスト組成物は、次のような要件を満足しなければならない。
即ち、193nmの波長領域で透過率(Transmittance)と、膜質(Substrate)に対する接着力及び乾式エッチングに対する耐性も、熱的特性も優れなければならない。 ここで、熱的特性が優れていることは、ガラス遷移温度(Tg)が高いことを意味する。
【０００４】
又、2.38wt%のテトラメチルアンモニウム水酸化物(Tetramethylammoniumhydroxide : TMAH)溶液のように通常に使用されるアカルライン（アルカリ）現像液(Developer)をそのまま使用して現像できなければならない。
一方、今まで知られた一番一般的なＡｒＦエキシマレーザー用レジスト組成物は、メタクリレート(Methacrylate)系のポリマーであり、その代表的なものは、次の式で表示されるターポリマー(Terpolymer)であるポリ(MMA-tBMA-MAA)が使用されている。
【０００５】
【化３】
しかし、レジスト組成物は、乾式エッチングに対する耐性及び膜質に対する接着力が不良な短所がある。
これにより、乾式エッチングに対する耐性を増加させるためイソボルニル(Isobornyl)、アダマンチル(Adamantyl)、トリシクロドカニル基(Tricyclodecanyl Group；トリシクロデカニル基)等のいろいろの脂環式化合物(Alicyclic Compound)を導入する方法を使用している。
【０００７】
しかし、このような場合にも膜質に対する接着力が不良でレジストパターンの浮き現象(Lifting)が発生し、乾式エッチング耐性が不良であり、現像時には通常使用される現像液ではなく希釈された濃度の現像液を使用すべき問題がある。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
本発明の目的は、バックボーン(Backbone)がサイクリック(環式)構造を有しながら、脂環式の化合物を含有する脂環式シクロポリマー(Alicyclic Cyclopolymer)にヒドロキシ(Hydroxy : OH)が導入された感光性ポリマーを提供することである。
【０００９】
本発明の他の目的は、脂環式の化合物を含有する脂環式シクロポリマーにヒドロキシ基が導入された感光性ポリマーを利用することによって、ＡｒＦエキシマレーザー波長に露光するとき、膜質に対して優秀な接着力を発揮し、通常の現像液によって現像され、乾式エッチングに対する耐性が優れた化学増幅型レジスト組成物を提供することである。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
目的を達成するため本発明は、化学式１の高分子、又は化学式１の高分子を有する共重合体(Copolymer)を含む感光性ポリマを提供する。
【００１１】
【化４】
【００１２】
式のうち、Ｒ１はＣ１〜Ｃ２０の脂肪族炭化水素であり、ｎは整数である。又、式のうち、Ｒ１は−ＣＨ３、−ＣＨ２ＣＨ３、ｎ−ブチル（ｎ−ｂｕｔｙｌ）、シクロヘシル（Ｃｙｃｌｏｈｅｘｙｌ；シクロヘキシル）基からなる群から選択される。Ｒ１は、アダマンチル（Ａｄａｍａｎｔｙｌ）、ノルボルニル（Ｎｏｒｂｏｒｎｙｌ）、イソボルニル（Ｉｓｏｂｏｒｎｙｌ）基のようなＣ７〜Ｃ２０の脂環式の脂肪族炭化水素（Ａｌｉｃｙｃｌｉｃ ＡｌｉｐｈａｔｉｃＨｙｄｒｏｃａｒｂｏｎｅ）からなる群から選択される。
【００１３】
このような本発明で、化学式１の高分子の重量平均分子量は、３，０００〜１００，０００である。一方、化学式２の高分子及び光酸発生剤（Ｐｈｏｔｏａｃｉｄ Ｇｅｎｅｒａｔｏｒ、ＰＡＧ)を含む化学増幅型レジスト組成物を提供する。
【００１４】
【化５】
【００１５】
式のうち、Ｒ１はＣ１〜Ｃ２０の脂肪族炭化水素であり、Ｒ２はＨ又はＣＨ３であり、Ｒ３はｔ−ブチル（ｔ−ｂｕｔｙｌ）、又はテトラヒドロピラニル基（Ｔｅｔｒａｈｙｄｒｏｐｙｒａｎｙｌ ｇｒｏｕｐ）である。式のうち、ｍ及びｎは整数であり、ｎ／（ｍ＋ｎ）＝０．１〜０．５である。又、式中、Ｒ１は−ＣＨ３、−ＣＨ２ＣＨ３、ｎ−ブチル、シクロヘキシルからなる群から選択され、又はアダマンチル、ノルボルニル、イソボルニル基等のＣ７〜Ｃ２０の脂環式の脂肪族炭化水素からなる群から選択される。
【００１６】
一方、化学式２の高分子の重量平均分子量は、3,000〜200,000であり、ＰＡＧの含量は、化学式２の高分子の重量を基準として1.0〜20.0wt%である。
ＰＡＧは、トリアリルスルホニウム塩(Triarylsulfonium Salts；トリアリールスルホニウム塩類)とダイアリリョードニウム塩(Diaryliodonium Salts；ジアリールヨードニウム塩類)とスルホン酸(Sulfonates；スルホン酸塩類)からなる群から選択されたある１つを含む。
【００１７】
ＰＡＧを形成するトリアリルスルホニウム塩（トリアリールスルホニウム塩類）は、トリフェニルスルホニウム トリフラート(Triphenylsulfonium triflate；トリフェニルスルホニウム トリフレート)、トリフェニルスルホニウム アンチモン酸塩(Triphenylsulfonium antimonate)、2,6−ジニトロべンジル スルホン酸(2,6-dinitrobenzyl sulfonates；2,6−ジニトロべンジル スルホン酸塩類)、ピロガロール トリス アルキスルホン酸(Pyrogallol tris : alkylsulfonates；ピロガロール トリス アルキルスルホン酸塩類)からなる群から選択される。
【００１８】
又、ＰＡＧを形成するダイアリリョードニウム塩（ジアリールヨードニウム塩類）は、ジフェニルリョードニウム トリフラート(Diphenyliodonium triflate；ジフェニルヨードニウム トリフレート)、ジフェニルリョードニウム アンチモン酸塩(Diphenyliodonium antimonate)、メトキシジフェニルリョードニウム トリフラート(Methoxydiphenyliodonium triflate；メトキシジフェニルヨードニウム トリフレート)、ジ−t−ブチル ジフェニルリョードニウム トリフラート(Di-t-butyldiphenyliodonium triflate；ジ−t−ブチル ジフェニルヨードニウム トリフレート)等からなる群から選択される。
【００１９】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の望ましい実施形態を詳細に説明する。
実施形態１
モノマー(Monomer)の合成
【００２０】
(ｉ)5−ノルボニン−２−シクロヘクシルメタノール(5-norbornene-２-cyclohexylmethanol；５−ノルボルネン−２−シクロヘキシルメタノール)の合成
ダイチルエダ（Diethylether；ジエチルエーテル）に0.1molで溶解されているシクロヘシル臭化マグネシウム(Cyclohexyl Magnesiumbromide；シクロヘキシル臭化マグネシウム)溶液に5−ノルボニン−２−カルボサリデヒド(5-norbornene-２-carboxaldehyde；5−ノルボルネン−２−カルボサリデヒド)13g(0.1mol)をゆっくり落とした後、還流条件下で約１２時間程度反応させてから、反応物を過量の水に流しながら進行させた。
【００２１】
その次、ダイチルエダ(Diethylether；ジエチルエーテル)を使用して抽出し、黄酸マグネシウム(Magnesiumsulfate；硫酸マグネシウム)に乾燥させた後、真空蒸溜方式を利用して生成物を分離した。この時の収率は、75%であった。
【００２２】
(ｉｉ)5−ノルボニン−２−ノルボルニルメタノール(5-norbornene-２-norbornylmethanol)の合成
テトラヒドロフラン(Tetrahydrofuran : ＴＨＦ)に0.1molで溶解されている２−ノルボルニル 臭化マグネシウム(２-norbornyl Magnesiumbromide)溶液に5−ノルボニン−２−カルボサリデヒド(5-norbornene-２-carboxaldehyde)13g(0.1mol)をゆっくり落した後、還流条件下で約20時間程度反応させた。
【００２３】
反応が完了された後、回転式蒸発器（rotary evaporator）を利用してＴＨＦを蒸発させてから、反応物を過量の水に流しながら進行させた。
それから、ダイチルエダ（Diethylether；ジエチルエーテル）を使用して抽出し、黄酸マグネシウム（Magnesiumsulfate；硫酸マグネシウム）で乾燥させた後、真空蒸溜方式を利用して生成物を分離した。このときの収率は、60%であった
。
【００２４】
(ｉｉｉ)テトラヒドロピラニル メタクリレート(Tetrahydropyranyl methacrylate)の合成
0.1molのメタクリル酸(Methacrylic acid)と3,4−ジヒドロ−2H−ピラン(3,4-dihydro-2H-pyran)8.6g(0.11mol)を150mlのCH２Cl2に溶かしてから、ここにp−トルエンスルホン酸(p-toluenesulfonic acid)を少量添加し、その反応物を常温で４時間程度反応させた。
それから、ダイチルエダ（Diethylether；ジエチルエーテル）を使用して抽出し、黄酸マグネシウム（Magnesiumsulfate；硫酸マグネシウム）で乾燥させた後、真空蒸溜方式で生成物を分離した。このときの収率は、85%であった。
【００２５】
実施形態２
コポリマー(Copolymer)の合成
本実施形態によるコポリマーの合成反応は、次の式で表示することができる。
【００２６】
【化６】
(ｉ)ポリ(ノルボニン−２−シクロヘシルメタノール−アルト−マレイン酸：Norbornene-２-cyclohexylmethanol-alt-maleic anhydride；ノルボルネン−２−シクロヘキシルメタノール−アルト−無水マレイン酸)の合成
5−ノルボニン−２−シクロヘシルメタノール20g(0.1mol)とアメイン酸(Maleic Anhydride；無水マレイン酸)10g(0.1mol)をＴＨＦ100mlに溶かしてから、ここにＡＩＢＮ(２,２'-azobisisobutyronitrile)0.32gを入れてから、Ｎ2ガスを利用して完全にパージさせた。
【００２８】
反応物を還流乾燥で約24時間程度重合させてから、１０倍で稀釈された過量のｎ−ヘキサン(ｎ-hexane)で沈殿させた。
それから、その沈殿物を再びＴＨＦに溶かしてから、ｎ−ヘキサンで再沈殿させた。
沈殿物を濾過させてから、50℃の真空オーブンで24時間、乾燥させた。このときの収率は、60%であった。
【００２９】
合成されたコポリマーに対してＧＰＣ方法を利用して分子量を測定した結果、コポリマーの重量平均分子量は5,000であり、多分散(Polydispersity)は2.1であり、ＦＴＩＲ(KBr) : 3400〜3600cm-1(O‐H)、1780cm-1(C＝O)であった。
【００３０】
(ｉｉ)ポリ(ノルボニン−２−ノルボルニルメタノール−アルト−アレイン酸：Norbornene-２-norbornylmethanol-alt-maleic anhydride；ノルボルネン−２−ノルボルニルメタノール−アルト−無水マレイン酸)の合成
5−ノルボニン−２−ノルボルニルメタノール21g(0.1mol)とアレイン酸(Maleic Anhydride；無水マレイン酸)10g(0.1mol)をＴＨＦ100mlに溶かしてから、ここにＡＩＢＮ0.32gを入れてから、Ｎ2ガスを利用して完全にパージさせた。
還流乾燥下で、反応物を約24時間程度重合させた後、１０倍で稀釈された過量のｎ−ヘキサンで沈殿させた。
それから、その沈殿物を再びＴＨＦに溶かしてから、ｎ−ヘキサンで再沈殿させた。
【００３１】
沈殿物を濾過させてから、50℃の真空オーブンで２４時間の間乾燥させた。このときの収率は、65%であった。
このように合成されたコポリマーに対して、ＧＰＣ方法を利用して分子量を測定した結果、コポリマーの重量平均分子量は4,700であり、多分散は2.0であり、ＦＴＩＲ(KBr) : 3,400〜3,600cm-1(O‐H)、2958cm-1(C‐H)、1780cm-1(C＝O)であった。
【００３２】
実施形態３
ターポリマー(Terpolymer)の合成
本実施形態によるターポリマーの合成反応は、次の式で表示することができる。
【００３３】
【化７】
(ｉ) t−ブチルメタクリレート(ｔＢＭＡ)を有するターポリマーの合成
5−ノルボルネン−２−シクロヘシキルメタノール20g(0.1mol)とマレイン酸(Maleic Anhydride；無水マレイン酸)10g(0.1mol)、ｔ−ブチルメタクリレート 14g(0.1mol)ＴＨＦ150mlに溶かしてから、ここにＡＩＢＮ 0.49gを添加した後、Ｎ2ガスを利用して完全にパージさせた。
反応物を還流条件下で、約24時間程度重合させてから、10倍に稀釈された過量のｎ−ヘキサンで沈殿させた。
【００３５】
それから、その沈殿物を再びＴＨＦに溶かしてから、ｎ−ヘキサンで再沈殿させた。
沈殿物を濾過してから、50℃の真空オーブンで２４時間乾燥させた。このときの収率は、75%であった。
【００３６】
このように、合成されたターポリマーに対してＧＰＣ方法を利用して分子量を測定した結果、ターポリマーの重量平均分子量は5,500であり、多分散は2.1であった。
図１は、合成されたｔＢＭＡを有するターポリマーのＦＴＩＲスペクトルを示すグラフである。
これを参照すると、ＦＴＩＲ(KBr) : 3,400〜3,600cm-1(O‐H)、2978cm-1(C‐H)、1780cm-1(C＝O)であることが分かる。
【００３７】
(ｉｉ)テトラヒドロピラニル メタクリレート(Tetrahydropyranyl Methacrylate : THPMA)を有するターポリマーの合成
5−ノルボニン−２−シクロヘキシル メタノール20g(0.1mol)と、マレイン酸(Maleic Anhydride；無水マレイン酸)10g(0.1mol)、テトラヒドロピラニル メタクリレート17g(0.1mol)ＴＨＦ150mlに溶かしてから、ここにＡＩＢＮ 0.49gを添加してから、Ｎ2ガスを利用して完全にパージさせた。
【００３８】
反応物を還流条件下で、約２４時間の間、重合させた後、１０倍に稀釈された過量のｎ−ヘキサンで沈殿させた。
それから、その沈殿物を再びＴＨＦに溶かしてから、ｎ−ヘキサンで再沈殿をさせた。
沈殿物を濾過してから、50℃の真空オーブンで２４時間の間、乾燥させた。このときの収率は、75%であった。
【００３９】
このように合成されたターポリマーに対して、ＧＰＣ方法を利用して分子量を測定した結果、ターポリマーの重量平均分子量は5,000であり、多分散は2.0であり、ＦＴＩＲ(KBr) : 3400〜3600cm-1(O‐H)、2957cm-1(C‐H)、1780cm-1(C＝O)、1720cm-1(C＝O)であった。
【００４０】
実施形態４
レジスト組成物の製造
(ｉ) t−ブチルメタクリレート(ｔＢＭＡ)を有するターポリマーを利用したレジスト組成物の製造
実施形態３の(ｉ)で合成したｔＢＭＡを有するターポリマー 1.0gとトリフェニルスルホニウム トリフラート(Triphenylsulfonium triflate；トリフェニルスルホニウム トリフレート)0.05gをプロピレンコル モノメタルエダ アセクート(Propyleneglycol monomethylether acetate : PGMEA；プロピレングリコール モノメチルエーテル アセテート)6.0gに完全に溶かして、0.45、0.2μｍのマイクロフィルタを利用して濾過することによって、レジスト組成物を製造した。
【００４１】
レジスト組成物をHMDS(Hexamethyldisilazane)で処理したSiウェーハの表面に約0.5μｍの厚さでコーティングした。
このように、レジスト組成物がコーティングされたウェーハを130℃の温度で、約90秒の間ソフトバキング(Soft-Baking)を実施し、開口数(NA)が0.45であるＡｒＦ エキシマレーザーを照射して露光してから、140℃の温度で約90秒の間ポストバキング(Post-Exposure Baking)を実施した。
【００４２】
それから、2.38wt%のテトラメチルアンモニウム水酸化物(Tetramethylammonium hydroxide : TMAH)溶液を利用して60秒間現像した。
図２は、本発明のレジスト組成物を使用した場合に示す断面写真である。
これを参照すると、実験結果、約20mJ/cm2のドーズ(Dose)で0.3μｍの線及び空間パターン(Lines & Spaces Pattern)が形成されることが分かる。
【００４３】
(ｉｉ)テトラヒドロピラニル メタクリレート(THPMA)を有するターポリマーを利用したレジスト組成物の製造
実施形態３(ｉｉ)で合成したTHPMAを有するターポリマー1.0gとトリフェニルスルホニウム トリフラート0.05gをプロピレンコルモノメタルエダ アセクート(PGMEA；プロピレングリコール モノメチルエーテル アセテート)6.0gに完全に溶かしてから、0.45, 0.2μｍのマイクロフィルタを利用して濾過することによって、レジスト組成物を製造した。
【００４４】
レジスト組成物をHMDS(Hexamethyldisilazane)で処理したSiウェーハの表面に約0.5μｍの厚さでコーティングした。
このようにレジスト組成物がコーティングされたウェーハを130℃の温度で約90秒の間、ソフトバキングし、開口数(NA)が0.45であるＡｒＦエキシマレーザーを照射して露光してから、約140℃の温度で、約90秒間ポストバキング(Post-Exposure Baking)を実施した。
【００４５】
それから、2.38wt%のテトラメチルアンモニウム水酸化物(Tetramethylammonium hydroxide : TMAH)溶液を利用して60秒間現像した。
実験結果、約13mJ/cm2のドーズ(Dose)で0.3μｍの線及び空間パターン(Lines & Spaces Pattern)が得ることが分かる。
【００４６】
(ｉｉｉ)テトラヒドロピラニル メタクリレート (THPMA)を有するターポリマーを利用したレジスト組成物の製造
実施形態３(ｉｉ)で合成したTHPMAを有するターポリマー1.0gとメトキシジフェニルリョード トリフラート（Methoxydiphenyliodonium triflate；メトキシジフェニルヨードニウム トリフレート）0.05gをプロピレンコルモノメタルエダアセクート(PGMEA；プロピレングリコール モノメチルエーテル アセテート) 6.0gに完全に溶かしてから、0.45, 0.2μｍのマイクロフィルタを利用して濾過することによって、レジスト組成物を製造した。
【００４７】
レジスト組成物をHMDS(Hexamethyldisilazane)で処理したSiウェーハの表面に約0.5μｍの厚さでコーティングした。
このようにレジスト組成物がコーティングされたウェーハを130℃の温度で約90秒間、ソフトバキングし、開口数(NA)が0.45であるＡｒＦエキシマレーザーを照射して露光してから、約140℃の温度で、約90秒間ポストバキング(Post-Exposure Baking)を実施した。
【００４８】
それから、2.38wt%のテトラアンモニウム水酸化物(Tetramethylammonium hydroxide : TMAH；テトラメチルアンモニウム水酸化物)溶液を利用して60秒間現像した。
実験結果、約18mJ/cm2のドーズ(Dose)で0.3μｍの線及び空間パターン(Lines & Spaces Pattern)が得ることが分かる。
【００４９】
【発明の効果】
本発明によるレジスト組成物を利用すると、通常使用される現像液を使用して現像でき、乾式エッチング耐性が優れ、膜質に対して優秀な接着力を提供する。
【００５０】
以上、本発明を望ましい実施形態を詳細に説明したが、本発明は、実施形態に限定されることではなく、本発明の技術的な思想範囲内で、この分野で通常の知識を持っている者にいろいろ変形が可能である。
【図面の簡単な説明】
【図１】 本発明の一実施形態によるｔＢＭＡを有するターポリマーのＦＴＩＲスペクトルを示すグラフである。
【図２】 本発明のレジスト組成物を使用した場合に示すパターの断面写真である。
Claims (12)
- 化学式１の単位を含む感光性ポリマー。
- 前記Ｒ１は、−ＣＨ３、−ＣＨ２ＣＨ３、ｎ−ブチル、シクロヘシル（ｃｙｃｌｏ ｈｅｘｙｌ；シクロヘキシル）からなる群から選択されることを特徴とする請求項１に記載の感光性ポリマー。
- 前記Ｒ１はＣ７〜Ｃ２０の脂環式の脂肪族炭化水素（Ａｌｉｃｙｃｌｉｃ Ａｌｉｐｈａｔｉｃ Ｈｙｄｒｏｃａｒｂｏｎｅ）であることを特徴とする請求項１に記載の感光性ポリマー。
- 前記化学式１の高分子の重量平均分子量は、３，０００〜１００，０００であることを特徴とする請求項１に記載の感光性ポリマー。
- 化学式２の高分子及び光酸発生剤を含む化学増幅型レジスト組成物。
- 前記Ｒ１は、−ＣＨ３、−ＣＨ２ＣＨ３、ｎ−ブチル、シクロヘキシルからなる群から選択されることを特徴とする請求項５に記載の化学増幅型レジスト組成物。
- 前記Ｒ１はＣ７〜Ｃ２０の脂環式の脂肪族炭化水素であることを特徴とする請求項５に記載の化学増幅型レジスト組成物。
- 前記光酸発生剤の含量は、前記化学式２の高分子の重量を基準として１．０〜２０ｗｔ％であることを特徴とする請求項５に記載の化学増幅型レジスト組成物。
- 前記化学式２の高分子の重量平均分子量は、３，０００〜２００，０００であることを特徴とする請求項５に記載の化学増幅型レジスト組成物。
- 前記光酸発生剤は、トリアリルスルホニウム塩（Ｔｒｉａｒｙｌｓｕｌｆｏｎｉｕｍ Ｓａｌｔｓ；トリアリールスルホニウム塩類）とダイアリリョードニウム塩（ＤｉａｒｙｌｉｏｄｏｎｉｕｍＳａｌｔｓ；ジアリールヨードニウム塩類）、スルホン酸（Ｓｕｌｆｏｎａｔｅｓ；スルホン酸塩類)からなる群から選択されたある１つを含むことを特徴とする請求項５に記載の化学増幅型レジスト組成物。
- 前記トリアリルスルホニウム塩（トリアリールスルホニウム塩類）は、トリフェニルスルホニウム トリフラート（Ｔｒｉｐｈｅｎｙｌｓｕｌｆｏｎｉｕｍ ｔｒｉｆｌａｔｅ；トリフェニルスルホニウム トリフレート）、トリフェニルスルホニウムアンチモン酸塩（Ｔｒｉｐｈｅｎｙｌｓｕｌｆｏｎｉｕｍ ａｎｔｉｍｏｎａｔｅ）、２，６−ジニトロべンジル スルホン酸（２，６−ｄｉｎｉｔｒｏｂｅｎｚｙｌ ｓｕｌｆｏｎａｔｅｓ；２，６−ジニトロべンジル スルホン酸塩類）、ピロガロール トリス アルキスルホン酸（Ｐｙｒｏｇａｌｌｏｌ ｔｒｉｓ ： ａｌｋｙｌｓｕｌｆｏｎａｔｅｓ；ピロガロール トリス アルキルスルホン酸塩類）からなる群から選択されることを特徴とする請求項１０に記載の化学増幅型レジスト組成物。
- 前記ダイアリリョードニウム塩（ジアリールヨードニウム塩類）は、ジフェニルリョードニウム トリフラート（Ｄｉｐｈｅｎｙｌｉｏｄｏｎｉｕｍ ｔｒｉｆｌａｔｅ；ジフェニルヨードニウム トリフレート）、ジフェニルリョードニウム アンチモン酸塩（Ｄｉｐｈｅｎｙｌｉｏｄｏｎｉｕｍ ａｎｔｉｍｏｎａｔｅ；ジフェニルヨードニウム アンチモン酸塩）、メトキシジフェニルリョードニウム トリフラート（Ｍｅｔｈｏｘｙｄｉｐｈｅｎｙｌｉｏｄｏｎｉｕｍ ｔｒｉｆｌａｔｅ；メトキシジフェニルヨードニウム トリフレート）、ジ−ｔ−ブチル ジフェニルリョードニウム トリフラート（Ｄｉ−ｔ−ｂｕｔｙｌｄｉｐｈｅｎｙｌｉｏｄｏｎｉｕｍｔｒｉｆｌａｔｅ；ジ−ｔ−ブチル ジフェニルヨードニウム トリフレート）からなる群から選択されることを特徴とする請求項１０に記載の化学増幅型レジスト組成物。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR199765115 | 1997-12-02 | ||
| KR1019970065115A KR100245410B1 (ko) | 1997-12-02 | 1997-12-02 | 감광성 폴리머 및 그것을 이용한 화학증폭형 레지스트 조성물 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11269234A JPH11269234A (ja) | 1999-10-05 |
| JP4291905B2 true JP4291905B2 (ja) | 2009-07-08 |
Family
ID=19526190
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP35846898A Expired - Fee Related JP4291905B2 (ja) | 1997-12-02 | 1998-12-02 | 感光性ポリマー及びそれを利用した化学増幅型レジスト組成物 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP0921439B1 (ja) |
| JP (1) | JP4291905B2 (ja) |
| KR (1) | KR100245410B1 (ja) |
| CN (2) | CN1125836C (ja) |
| DE (1) | DE69822091T2 (ja) |
| TW (1) | TW452676B (ja) |
Families Citing this family (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR19990049068A (ko) * | 1997-12-11 | 1999-07-05 | 우재영 | 신규한 노보넨 알콜 화합물 및 그의 제조방법 |
| KR100520148B1 (ko) * | 1997-12-31 | 2006-05-12 | 주식회사 하이닉스반도체 | 신규한바이시클로알켄유도체와이를이용한포토레지스트중합체및이중합체를함유한포토레지스트조성물 |
| KR100274119B1 (ko) * | 1998-10-08 | 2001-03-02 | 박찬구 | 감방사선성 레지스트 제조용 중합체 및 이를 함유하는 레지스트조성물 |
| ATE315245T1 (de) * | 1999-09-17 | 2006-02-15 | Jsr Corp | Strahlungsempfindliche harzzusammensetzung |
| KR100510488B1 (ko) * | 2002-06-21 | 2005-08-26 | 삼성전자주식회사 | 아다만틸알킬 비닐 에테르의 공중합체를 포함하는 감광성폴리머 및 이를 포함하는 레지스트 조성물 |
| US6517990B1 (en) | 2000-01-19 | 2003-02-11 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Photosensitive polymer including copolymer of alkyl vinyl ether and resist composition containing the same |
| US6833230B2 (en) | 2000-01-19 | 2004-12-21 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Photosensitive polymers containing adamantylalkyl vinyl ether, and resist compositions including the same |
| KR100413756B1 (ko) * | 2000-01-19 | 2003-12-31 | 삼성전자주식회사 | 알킬 비닐 에테르의 공중합체를 포함하는 감광성 폴리머및 이를 포함하는 레지스트 조성물 |
| US6673513B2 (en) | 2000-01-19 | 2004-01-06 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Photosensitive polymer including copolymer of alkyl vinyl ether and resist composition containing the same |
| US6406828B1 (en) * | 2000-02-24 | 2002-06-18 | Shipley Company, L.L.C. | Polymer and photoresist compositions |
| TWI293402B (en) * | 2001-02-25 | 2008-02-11 | Shipley Co Llc | Novel copolymers and photoresist compositions |
| US6696216B2 (en) * | 2001-06-29 | 2004-02-24 | International Business Machines Corporation | Thiophene-containing photo acid generators for photolithography |
| JP4545500B2 (ja) * | 2004-07-01 | 2010-09-15 | 東京応化工業株式会社 | 化学増幅型レジスト組成物およびレジストパターン形成方法 |
| WO2012071496A1 (en) * | 2010-11-24 | 2012-05-31 | Promerus Llc | A self-imageable film forming polymer, compositions thereof and devices and structures made therefrom |
| KR101704474B1 (ko) | 2011-12-28 | 2017-02-09 | 금호석유화학 주식회사 | 레지스트용 첨가제 및 이를 포함하는 레지스트 조성물 |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR950004908B1 (ko) * | 1992-09-09 | 1995-05-15 | 삼성전자주식회사 | 포토 레지스트 조성물 및 이를 이용한 패턴형성방법 |
| KR970028828A (ko) * | 1995-11-10 | 1997-06-24 | 김광호 | 화학 증폭형 레지스트용 네거티브 베이스 수지 및 그 제조 방법 |
| KR970028829A (ko) * | 1995-11-10 | 1997-06-24 | 김광호 | 화학 증폭형 레지스트용 베이스 수지 및 그 제조 방법 |
| JP3804138B2 (ja) * | 1996-02-09 | 2006-08-02 | Ｊｓｒ株式会社 | ＡｒＦエキシマレーザー照射用感放射線性樹脂組成物 |
| US5843624A (en) * | 1996-03-08 | 1998-12-01 | Lucent Technologies Inc. | Energy-sensitive resist material and a process for device fabrication using an energy-sensitive resist material |
| KR100261022B1 (ko) * | 1996-10-11 | 2000-09-01 | 윤종용 | 화학증폭형 레지스트 조성물 |
-
1997
- 1997-12-02 KR KR1019970065115A patent/KR100245410B1/ko not_active IP Right Cessation
-
1998
- 1998-09-30 TW TW087116234A patent/TW452676B/zh not_active IP Right Cessation
- 1998-12-02 DE DE69822091T patent/DE69822091T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1998-12-02 EP EP98309875A patent/EP0921439B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1998-12-02 CN CN98125176A patent/CN1125836C/zh not_active Expired - Fee Related
- 1998-12-02 JP JP35846898A patent/JP4291905B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 1998-12-02 CN CNB021524890A patent/CN100335971C/zh not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN1224728A (zh) | 1999-08-04 |
| TW452676B (en) | 2001-09-01 |
| KR100245410B1 (ko) | 2000-03-02 |
| CN100335971C (zh) | 2007-09-05 |
| JPH11269234A (ja) | 1999-10-05 |
| EP0921439A1 (en) | 1999-06-09 |
| DE69822091D1 (de) | 2004-04-08 |
| CN1515961A (zh) | 2004-07-28 |
| EP0921439B1 (en) | 2004-03-03 |
| KR19990046940A (ko) | 1999-07-05 |
| CN1125836C (zh) | 2003-10-29 |
| DE69822091T2 (de) | 2005-01-20 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP4056208B2 (ja) | 縮合環の芳香族環を含む保護基を有する感光性ポリマー及びこれを含むレジスト組成物 | |
| KR100442865B1 (ko) | 플루오르화된 에틸렌 글리콜기를 가지는 감광성 폴리머 및이를 포함하는 화학증폭형 레지스트 조성물 | |
| JP4291905B2 (ja) | 感光性ポリマー及びそれを利用した化学増幅型レジスト組成物 | |
| US6300036B1 (en) | Photosensitive polymers and chemically amplified photoresist compositions using the same | |
| US7504195B2 (en) | Photosensitive polymer and photoresist composition | |
| US7270936B2 (en) | Negative resist composition comprising hydroxy-substituted base polymer and Si-containing crosslinker having epoxy ring and a method for patterning semiconductor devices using the same | |
| KR100413756B1 (ko) | 알킬 비닐 에테르의 공중합체를 포함하는 감광성 폴리머및 이를 포함하는 레지스트 조성물 | |
| KR100313150B1 (ko) | 리소콜릴에시딜(메타)아크릴레이트 단량체와 그를 도입한 공중합체 수지 및 이 수지를 이용한 포토레지스트 | |
| US20030211417A1 (en) | Polymers for photoresist compositions for microlithography | |
| KR100493015B1 (ko) | 감광성 폴리머 및 이를 포함하는 포토레지스트 조성물 | |
| JP2007502895A (ja) | 新規な感光性二層組成物 | |
| US20080102402A1 (en) | Monomer having sulfonyl group, polymer thereof and photoresist composition including the same | |
| KR100281902B1 (ko) | 백본이 환상 구조를 가지는 감광성 폴리머 및 이를 포함하는 레지스트 조성물 | |
| JP2003532932A (ja) | マイクロリソグラフィのフォトレジスト組成物に用いられるポリマー | |
| US20030215758A1 (en) | Photosensitive polymer and chemically amplified resist composition comprising the same | |
| US7202011B2 (en) | Photosensitive polymer including fluorine and resist composition containing the same | |
| JP4155832B2 (ja) | 感光性ポリマー及びこれを含むレジスト組成物と、フォトレジストパターン形成方法 | |
| JPH11352696A (ja) | 化学増幅型フォトレジストの溶解抑制剤及びこれを含む化学増幅型フォトレジスト組成物 | |
| KR100787854B1 (ko) | 아크릴계 포토레지스트 모노머, 폴리머 및 이를 포함하는포토레지스트 조성물 | |
| KR100787853B1 (ko) | 아크릴계 포토레지스트 모노머, 폴리머 및 이를 포함하는포토레지스트 조성물 | |
| JP2004043807A (ja) | アダマンチルアルキルビニルエーテルの共重合体を含む感光性ポリマー及びこれを含むレジスト組成物 | |
| US20030224289A1 (en) | Photosensitive polymers and resist compositions containing the same | |
| KR100557610B1 (ko) | 신규한 포토레지스트 단량체, 그의 중합체 및 이를 함유하는 포토레지스트 조성물 | |
| KR100732285B1 (ko) | 포토레지스트 단량체, 그의 중합체 및 이를 함유하는포토레지스트 조성물 | |
| KR20030055875A (ko) | 선형 또는 고리형 알콜을 갖는 비닐 에테르 유도체, 이를이용한 감광성 고분자 및 이 감광성 고분자를 이용한포토레지스트 조성물 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20050125 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20070612 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20070911 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20071127 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20080227 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20081118 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20090216 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20090310 |
|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20090406 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120410 Year of fee payment: 3 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130410 Year of fee payment: 4 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |