TW452676B - Photosensitive polymer and chemically amplified resist composition using the same - Google Patents

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Dong-Won Jung
Chun-Geun Park
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Description

A7 B7 452676 3903pif.doc/008 五、發明説明(/ ) 發明領域 本發明是有關於一種用於化學增幅光阻的光感聚合 物,且特別是有關於一種包括上述聚合物的樹脂合成物。 發明背景 隨著半導體元件積集度的增加,可在微影製程中,形 成四分之一微米容量之細緻圖案的光阻需求也越來越大。 對於容量超過十億的元件,其微影技術可以用ArF雷射(例 如,λ=193ηιη)來執行。這項技術即將取代傳統使用深紫 外光U=248nm)的KrF雷射。有鑑於此,新的化學增幅樹 脂合成物也希望能被發展出來。 一般而言,適用於ArF雷射的化學增幅樹脂合成物的 先決條件包括: (1) 在l93mn範圍內具有良好的穿透性; (2) 良好的熱特性,舉例來說,高的玻璃轉換溫度 (Tg); (3) 與薄膜材料間具有良好的附著性; (4) 對於乾蝕刻製程具有良好的抗性·, (5) 可以習知的顯影液進行顯影,例如2.38wt%的四甲 銨化氫氧(TMAH)。 一種已發展出來,或許具有上述條件的聚合物,係爲 一種三聚合物’稱作聚合(MMA-tBMA-MAA),可以下列通 式表示: ____ —_ 7 本紙張尺度適月]中囤國家樣準(CNS )八4規^ ( 21〇χ297公楚) (讀先閏讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝 訂 452676 3903pif.doc/008 五、發明説明(> ) A7 B7
上述的聚合物尙無法令人滿意。特別是這個聚合物對 於蝕刻製程的抗性微弱,且其附著性也不佳。此外,需使 用特定的顯影液才能將此聚合物顯影。這些問題幾個可能 的解決方法,比如像異冰片基、金剛烷基、或三環癸烷基 等脂環族化合物種類已被提出。 然而這些脂環族化合物仍然會有若干缺點。特別是這 些脂環族化合物的附著性不佳,而導致光阻被抬高的情形 發生。更有甚者,脂環族化合物對乾蝕刻製程的抗性不佳, 且需要另外分離製備特定的顯影液,並配成適用於上述脂 環族化合物的特定濃度範圍內,來取代一般公認的顯影 液。 發明之簡要說明 由上述可知,本發明的目的之一就是在提供一種用於 化學增幅光阻的光感聚合物,可以ArF雷射進行曝光,並 具有很強的抗乾蝕刻性,且與薄膜材料間具有良好的附著 8 (誚先閱讀背面之注意事項再續寫本頁) 裝. 訂 本紙张尺度適/1]中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) A7 B7 452676 3903pif.doc/008 五、發明説明(今) 能力,還可以習知的顯影液進行顯影。 本發明的另一目的就是在提供一種化學增幅樹脂,此 樹脂具有具有上述的光感聚合物。 爲讓本發明之上述和其他目的、特徵、和優點能更明 顯易懂,下文提供一種用於化學增幅光阻的光感聚合物。 就某一方面而言,本發明是有關於用於化學增幅光阻的共 聚合物。此共聚合物的通式爲= 化學式(I) (諳先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) .裝
上述化學式(I)中,R,係選自氫與<^至C2。之脂族烴所 組成之族群,且η爲正整數。更特別的是,Rt係選自甲基' 乙基、正丁基和環己基組成之族群,或者選自包括像金剛 烷基、原冰片基、和異冰片基等仏至C2。脂環脂族烴的族 群。上述共聚合物的重量平均分子量約爲3000至100000 左右。 就另一方面而言,本發明提供一種包括三聚合物與光 本紙張尺度適州中國國家標準(CNS > A4規格(2丨0X297公釐) A7 B7 ^ 452676 3903pif.doc/008 五、發明説明(u) 酸產生物的樹脂合成物。此三聚合物的通式爲 化學式(II)
r2 c=o Ο k (錆先閱讀背面之注意事項再蛾寫本頁) •裝 訂 上述化學式(π)中,係選自氫與(^至C2。之脂族烴所 組成之族群;R2爲氫或甲基;R3則爲特丁基或四氫化吡喃 基;而η與m爲正整數,且n/(m+n)量値範圍約在0.1至 0.5左右。更特別的是,R,係選自甲基、乙基、正丁基和 環己基所組成的族群,或者選自包括像金剛烷基、原冰片 基、和異冰片基等<:7至C2。脂環脂族烴的族群。上述的三 聚合物的重量平均分子量約爲3000至200000左右。而上 述的光酸產生物的重量百分比(wt%)約爲1·0至20左右’ 視三聚合物的重量而定。上述的光酸產生物係選自三芳基 毓鹽、二芳基碘鑰鹽和磺酸鹽組成的族群。其中的三芳基 锍鹽係選自三苯锍三氟酸鹽、三苯毓銻酸鹽、2,6-二硝基 苯磺酸鹽和焦掊酚三個(烷基磺酸鹽)所組成的族群。而其 中的二芳基碘鐺鹽係選自二苯碘鎬三氟酸鹽、二苯锍銻酸 鹽、甲氧二苯碘鎩三氟酸鹽和二特丁烷二苯碘鑰三氟酸鹽 10 本紙張尺度適扣中國國家標準(CNS ) Α4規格(210X297公釐) A7 B7 k 452676 3903pir.doc/008 五、發明説明(Γ ) 所組成的族群。 圖式之簡單說明 第1圖繪示依照本發明一較佳實施例,一種具有tBMA 的三聚合物之傅立葉轉換紅外光(FTIR)光譜;以及 第2圖繪示依照本發明一較佳實施例,一種0.3//m線 寬及間隔圖案的光阻之剖面照片。 鮫佳眚施例之詳細說明 爲讓本發明之上述和其他目的、特徵、和優點能更明 顯易懂,下文特舉一較佳實施例,並配合所附圖式,作詳 細說明。然而,本發明可以各種不同的形式來表達,且不 應受限於此處所提供的實施例。正確地說,這些實施例的 提供係使本揭露能徹底且完整,以便能更完全表達本發明 領域中的技術層面。 實例1 單體的合成 (a) 5-原冰片烯-2-環己基甲醇的合成 在本實施例中,將13克(O.lmol)的5-原冰片烯-2-羧酸 醛緩緩地滴入O.lmol環己基溴化鎂之乙醚溶液中,以得到 反應產物。將反應產物回流12小時之後,浸於大量的水 中。然後,將乙醚加入生成溶液中,以將反應產物從生成 溶液中萃取出來。以硫酸鎂將反應產物乾燥後,在真空下 將反應產物周圍的濕氣蒸發,以將5-原冰片烯-2-環己基甲 醇萃取出來。其產率約75%。 (b) 5-原冰片烯-2-原冰片甲醇的合成 (邻先閱讀背面之注項再蛾湾本頁) .裝· ,ιτ 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4规格(210X297公釐) 4- 52 6 7 6 3903pif.doc/00S gy 五、發明説明(t) 在本實施例中,將13克(〇_lmol)的5-原冰片烯-2-羧酸 醛緩緩地滴入O.lmol原冰片溴化鎂之四氫呋喃(THF)溶液 中,以得到反應產物。將反應產物回流20小時之後’用旋 轉蒸發器將THF蒸發,接著浸於大量的水中。然後,將乙 醚加入生成溶液中,以將反應產物從生成溶液中萃取出 來。以硫酸鎂將反應產物乾燥後,在真空下將反應產物周 圍的濕氣蒸發,以將5-原冰片烯·2-原冰片甲醇萃取出來。 其產率約60%。 (c)四氫化吡喃異丁烯鹽的合成 在本實施例中,將O.lmol的繫丙嫌酸(tethacrylic acid) 與8.6克(O.limol)的3,4-二氫-2H-吡喃溶於150ml二氯甲 烷(CH2C12)。將少量對-甲苯磺酸加入生成溶液中,而在室 溫下持續反應4小時,以得到反應產物。然後,將乙醚加 入生成溶液中,以將反應產物從生成溶液中萃取出來。以 硫酸鎂將反應產物乾燥後,在真空下將反應產物周圍的濕 氣蒸發’以將四氫化吡喃異丁烯鹽萃取出來。其產率約 85%。 實例2 共聚合物的合成 根據本實施例的共聚合物之合成反應可用下式表示: (却先閱讀背面之注意事項再"寫本頁) .裝· —1Τ 本紙張尺度適财ij财標準(CNS )从規格(21()χ297公楚) 4 526 7 u A7 3 90 3 p i f. d 〇 c/O Ο 8 n-i 五、發明説明(9 )
(a)聚合(原冰片烯-2-環己基甲醇-變-順式丁烯二酸酐) 的合成 在本實施例中,將20克(0.1m〇i)的5-原冰片烯-2環己 基甲醇和10克(O.lmol)的順式丁烯二酸酐溶於looml的 THF中,此外並加入0.32克的AIBN(2,2’-偶氮雙異丁腈)。 利用氮氣完全淸洗上述混合物以形成反應產物。 較牙·部十"^iv-^h-T"於合竹^印y ("先閱讀背面之注項再功寫本頁) 將反應產物回流24小時’接著在以十倍稀釋的大量正 己烷中,將反應產物沈澱出來。然後再次將沈澱物溶於THF 中,接著利用上述的正己烷進行再沈澱。濾出得到的沈澱 物,然後將其置於50°C真空爐進行乾燥約24小時,以得 到聚合(原冰片烯-2-環己基甲醇-變-順式丁烯二酸酐)。其 產率約爲60%。所得到的共聚合物之重量平均分子量約爲 4700,而其聚合物分佈性(重量平均分子量/數量平均分子 量)約爲2.1。所得到的共聚合物產物經FTIR光譜分析的結 果如下: FTIR(KBr): 3400 至 βόΟΟοηιΙ-Ο’Η),nSOcm'OO)。 13 本紙张尺度適州中國國家栋準(CNS ) Μ規格(210 X 297公嫠) A7 B7 4 526 7 6
3 903 pif.doc/00S 五、發明説明(β) (b)聚合(原冰片烯-2-原冰片甲醇-變-順式丁烯二酸酐) 的合成 在本實施例中’將21克(〇.lm〇l)的5-原冰片烯-2-原冰 片甲醇和10克(O.lmol)的順式丁烯二酸酐溶於100mi的 THF中,此外並加入0.32克的AIBN(2,2’-偶氮雙異丁腈)。 利用氮氣完全淸洗上述混合物以形成反應產物。 將反應產物回流24小時,接著在以十倍稀釋的大量正 己烷中’將反應產物沈澱出來。然後再次將沈澱物溶於THF 中’接著利用上述的正己烷進行再沈澱。濾出得到的沈澱 物,然後將其置於50°C真空爐進行乾燥約24小時,以得 到聚合(原冰片烯-2-原冰片甲醇-變-順式丁烯二酸酐)。其 產率約爲65%。所得到的共聚合物之重量平均分子量約爲 4700,而其聚合物分佈性(重量平均分子量/數量平均分子 量)約爲2.0。所得到的共聚合物產物經FTIR光譜分析的結 果如下: FTIR(KBr) : 3400 至 βόΟΟίΜηΆ-Η),1780011^(0=0)。 實例3 三聚合物的合成 根據本實施例的三聚合物之合成反應珂用下式表示: ("先閱讀背面之注意事續再填寫本萸) $ -s
本紙張尺度適用中闼國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) 4 526 7 3 903 pif.doc/008 Λ7 B7
(a)三聚合物的合成,其中R3爲特丁基。 在本實施例中,將20克(O.lmol)的5-原冰片烯-2-環己 基甲醇、10克(O.lmol)的順式丁烯二酸酐和14克(O.lmol) 的特丁基異丁烯鹽(tMBA)溶於150ml的THF中,此外並加 入0.49克的AIBN。利用氮氣完全淸洗上述混合物以形成 反應產物。 將反應產物回流24小時,接著在以十倍稀釋的大量正 己烷中,將反應產物沈澱出來。然後再次將沈澱物溶於THF 中,接著利用上述的正己烷進行再沈澱。濾出得到的沈澱 物,然後將其置於50°C真空爐進行乾燥約24小時’以得 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Α4規格(210X 297公釐)
U A7 B7 4 526 7 3903pif-doc/008 五、發明说明(β ) 到聚合(原冰片烯-2-原冰片甲醇-變-順式丁烯二酸酐)。其 產率約爲75%。所得到的共聚合物之重量平均分子量約爲 5500,而其聚合物分佈性(重量平均分子量/數量平均分子 量)約爲2.1。第1圖繪示依照本發明一較佳實施例’一種 具有tBMA的三聚合物之傅立業轉換紅外光(FTIP)光譜。 第1圖中顯示之FTIR光譜的結果如下: FTIR(KBr) : 3400 至 SGOOcm-.O-H),2789^1^((:-11), 178001^(^=0)。 (b)三聚合物的合成,其中R3爲四氫化吡喃基。 在本實施例中,將20克(O.lmol)的5-原冰片烯-2-環己 基甲醇、10克(O.lmol)的順式丁烯二酸酐和17克(O.lmol) 的四氫化吡喃異丁烯鹽(THPMA)溶於150ml的THF中,此 外並加入0.49克的AIBN。利用氮氣完全淸洗上述混合物 以形成反應產物。 將反應產物回流24小時,接著在以十倍稀釋的大量正 己烷中,將反應產物沈澱出來。然後再次將沈澱物溶於THF 中’接著利用上述的正己烷進行再沈澱。濾出得到的沈澱 物,然後將其置於50°C真空爐進行乾燥約24小時,以得 到聚合(原冰片烯-2-原冰片甲醇-變-順式丁烯二酸酐)。其 產率約爲75%。所得到的共聚合物之重量平均分子量約爲 5〇〇〇 ’而其聚合物分佈性(重量平均分子量/數量平均分子 量)約爲2.0。 所得到的共聚合物產物經FTIR光譜分析的結果如下: FTIR(KBr) : 3400 至 3600(:11^(-0-^,, 本紙張尺度適川中國國家標準(CNS ) A4規格(210X29?公釐) (誚先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
A7 B7 3 90 3 p i f. d oc/0 0 8 五 '發明説明((/ ) 1720cnr】(C=O)。 實例4 樹脂合成物的合成 (a) 利用具有特丁基的三聚合物所進行之樹脂合成物的 合成。 在本實施例中,將1.0克實例3所製備具有tBMA的三 聚合物與0.05克的三苯锍三氟酸鹽完全溶於6.0克的丙撐 二醇一甲基醚醋酸鹽(PGMEA)。徹底攪拌此混合物。以0.45 微濾器過濾,接著以0.2/zm微濾器過濾以製備樹脂。 先以六甲基二硅氮烷(HMDS)處理矽晶片表面,然後將製備 好的樹脂施於晶片上,以形成約0.5# m的塗蓋薄膜。 以約130°C對具有塗蓋薄膜的晶片進行約90秒的預烘 烤,然後以具有數値口徑約0.45的KrF雷射進行曝光,之 後再以約H〇°C進行約90秒的烘烤。 其後,使用約2.38%的四甲銨化氫氧(TMAH)溶液對所 得產物進行培養約60秒。 第2圖繪示依照本發明一較佳實施例,一種0.3" m線 寬及間隔圖案的光阻之剖面照片。請參照第2圖,當曝光 能量約爲20mJ/cm2時’可得到〇_3/zm線寬及間隔圖案的 光阻。 (b) 利用具有四氫化吡喃基的三聚合物所進行之樹脂合 成物的合成。 在本實施例中,將1.0克實例3所製備具有THPMA的 三聚合物與0.05克的三苯锍三氟酸鹽完全溶於6.0克的丙 17 (誚先閲讀背面之注^^項再硪朽本頁) .裳 紂沪部屮"ίτ·^·Λ^ n5/i介合竹杉印 ^度边用中闼囤家標準(CNS ) A4規格(2*ΟΧ297公釐> A7 B7 452676 3 903 pif-doc/008 五、發明説明(ί> ) 撐二醇一甲基醚醋酸鹽(pgmea)。徹底攪拌此混合物。以 0.45 a m微濾器過濾,接著以0.2/zm微濾器過濾以製備樹 脂。先以六甲基二硅氮烷(HMDS)處理矽晶片表面,然後將 製備好的樹脂施於晶片上,以形成約0.5/zm的塗蓋薄膜。 以約130°C對具有塗蓋薄膜的晶片進行約90秒的預烘 烤,然後以具有數値口徑約0.45的KrF雷射進行曝光,之 後再以約140°C進行約90秒的烘烤。 其後’使用約2.38%的四甲銨化氫氧(TMAH)溶液對所 得產物進行培養約60秒。 在本實施例中,當曝光能量約爲13 mJ/cm2時,可得到 0.3 # m線寬及間隔圖案的光阻。 (c)利用具有四氫化吡喃基的三聚合物所進行之樹脂合 成物的合成。 在本實施例中,將1.0克實例3所製備具有THPMA的 三聚合物與0.05克的二苯碘化甲氧完全溶於6.0克的丙撐 二醇一甲基醚醋酸鹽(PGMEA)。徹底攪拌此混合物。以0.45 //m微濾器過濾,接著以0.2 μ m微濾器過濾以製備樹脂。 先以六甲基二硅氮烷(HMDS)處理矽晶片表面,然後將製備 好的樹脂施於晶片上,以形成約0.5# m的塗蓋薄膜。 以約130°C對具有塗蓋薄膜的晶片進行約90秒的預烘 烤,然後以具有數値口徑約0.45的KrF雷射進行曝光,之 後再以約140°C進行約90秒的烘烤。 其後,使用約2.38%的四甲銨化氫氧(TMAH)溶液對所 得產物進行培養約60秒。
t S 本紙ϋ度適W中國ΐ家標牟(CNS ) A4規格—(210X297公釐) 一 (相先閱讀背面之注意事項再硪寫本頁) 裝.
'1T 4526 7 6 A 7 3903pif.doc/008 _________ ____B7 ____ 五、發明説明(0) 在本實施例中’當曝光能量約爲18 m"cm2時,可得到 0.3 μ m線寬及間隔圖案的光阻。 雖然本發明已以一較佳實施例揭露如上,然其並非用 以限定本發明,任何熟習此技藝者,在不脫離本發明之精 神和範圍內’當可作些許之更動與潤飾,因此本發明之保 護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者爲準。 (邻先閱#背面之注意事項再域寫本頁) 裝· 訂 好矛部屮^iT^'^h τ_消资合竹衫印" 本紙張尺度適用巾國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐)

Claims (1)

  1. 4526 7 G 巧09P1F1 • 871 16 ..aeq/iaa 修正 Λ Η Λ\^Μ 3窗修正本 A3 Β8 C8 D8 修正曰期89/5/11 六、申請專利範圍 1. 一種用於化學增幅樹脂的共聚合物 有下列化學式: 化學式(I) 該共聚合物具
    其中該R,係選自氫、甲基、乙基、正丁基與環己基所 組成之族群,且η爲正整數。 Ρ:·\ 2. 如專利範圍第1項所述之用於化學樹脂的 共聚合中該共聚合物的重量平均分子量3000 至 lOQOOO^fe^。 3. — 化學增幅樹脂的共聚合物,該共ΊΤ合物具 有下列化學if
    (諳先閱II.背面之注項再填寫本頁) -r I.--訂---1-----線— j 經濟部智慧財產局員工消費合作社印Μ 20 本紙張尺度適用中國國家螵準(CNS)A4規格(210x297公釐) 4526 3909PIF1.DOC/002 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 化學式(I)
    (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) .r 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 其中該R,係選自仏至C2()之脂環脂族烴所組成之族 群,且η爲正整數。 4. 專利範圍第3項所述之用於化學樹脂的 共聚合物沖該共聚合物的重量平均分子量^嫵3000 \ -J \ \至100000擎S、。 5. —種化學增幅樹脂的樹脂合成物,旨合成 物包括一光生物與一聚合物,該聚合物具有下列化學 式: 化學式(Π)〇、 〇. /〇 V Ύ R2
    — — — —— — 1· I I I I I— d t I I I I I I 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)Al規格(210 x 297公爱) 4 52 0 3909PIF1.DOC/002 A8 B8 C8 D8 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製
    r2 六、申請專利範圍 其中該I係選自氫、甲基、乙基、正丁基與環己基所 組成之族群; η與m爲正整數;Μ.#'、 其中n/(m+n)量値範幽:祿令0,1至〇.5^^\。 6. 如申請專利範圍第^述之用於幅樹脂的 樹脂合成物,其中該R2包括和<:143其¥3—。 7. 如申請專利範圍第5項所述之用於化學增幅樹脂的 樹脂合成物,其中該R3包括特丁基和四氫化吡喃基其中 之一。 8. —種用於化學增幅樹脂的樹脂合成物,該樹脂合成 物包括一光酸產生物與一聚合物,該聚合物具有下列化學 式: 化學式(Π) η c=o Ο R, 其中該R,係選自仏至C2。之脂環脂族烴所組成之族 群; 22 本紙張疋度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210x297公釐) ----I--------- I------ ^--^------ C請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) ^525 7 6 3909PIFI.DOC/002 OQ8899 ABCD 六、申請專利範圍 η與m爲正整數 e.-. 其中n/(m+n)量値範0.1至〇.5< 9. 如申請專利範圍第述之用於幅樹脂的 樹脂合成物’其中該心包^^氫)和<^3其¥'€—。 10. 如申請專利範圍第8項所述之用於化學增幅樹脂 的樹脂合成物,其中該R3包括特丁基和四氫化吡喃基其 中之一 π· 專利範圍第8項所述之用於化學增 的樹脂合!其中該光酸產生物的重量百分比 爲1.0至,視該聚合物的重量而定 _ 12.如範圍第8項所述之用於化樹 的樹脂該聚合物的重量平均分子量3000
    ______I I______ (%先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 至 2000&φΐ^ 13.如舍^利..興圍第8項所述之用於化學±1 的樹脂合成物,光酸產生物係選自三芳基毓鹽、二 芳基碘鏺鹽和磺酸鹽組成的族群。 H.如申請專利範圍第13項所述之用於化學增幅樹脂 的樹脂合成物,其中該三芳基毓鹽係選自三苯鏑三氟酸 鹽、三苯毓銻酸鹽、2,6-二硝基苯磺酸鹽和焦掊酚三個(烷 基磺酸鹽)所組成的族群。 15.如申請專利範圍第13項所述之用於化學增幅樹脂 的樹脂合成物,其中該二芳基碘鑷鹽係選自二苯碘鎗三氟 酸鹽、二苯毓銻酸鹽、二苯碘化甲氧三氟酸鹽和二特丁烷 二苯碘鎩三氟酸鹽所組成的族群。
    脂 訂 i-l------線. 23 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐)
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Families Citing this family (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR19990049068A (ko) * 1997-12-11 1999-07-05 우재영 신규한 노보넨 알콜 화합물 및 그의 제조방법
KR100520148B1 (ko) * 1997-12-31 2006-05-12 주식회사 하이닉스반도체 신규한바이시클로알켄유도체와이를이용한포토레지스트중합체및이중합체를함유한포토레지스트조성물
KR100274119B1 (ko) * 1998-10-08 2001-03-02 박찬구 감방사선성 레지스트 제조용 중합체 및 이를 함유하는 레지스트조성물
EP1085379B1 (en) * 1999-09-17 2006-01-04 JSR Corporation Radiation-sensitive resin composition
US6833230B2 (en) 2000-01-19 2004-12-21 Samsung Electronics Co., Ltd. Photosensitive polymers containing adamantylalkyl vinyl ether, and resist compositions including the same
US6517990B1 (en) 2000-01-19 2003-02-11 Samsung Electronics Co., Ltd. Photosensitive polymer including copolymer of alkyl vinyl ether and resist composition containing the same
KR100413756B1 (ko) * 2000-01-19 2003-12-31 삼성전자주식회사 알킬 비닐 에테르의 공중합체를 포함하는 감광성 폴리머및 이를 포함하는 레지스트 조성물
KR100510488B1 (ko) * 2002-06-21 2005-08-26 삼성전자주식회사 아다만틸알킬 비닐 에테르의 공중합체를 포함하는 감광성폴리머 및 이를 포함하는 레지스트 조성물
US6673513B2 (en) 2000-01-19 2004-01-06 Samsung Electronics Co., Ltd. Photosensitive polymer including copolymer of alkyl vinyl ether and resist composition containing the same
US6406828B1 (en) * 2000-02-24 2002-06-18 Shipley Company, L.L.C. Polymer and photoresist compositions
AU2002255598A1 (en) * 2001-02-25 2002-09-12 Shipley Company, L.L.C. Polymers and photoresist compositions
US6696216B2 (en) * 2001-06-29 2004-02-24 International Business Machines Corporation Thiophene-containing photo acid generators for photolithography
JP4545500B2 (ja) * 2004-07-01 2010-09-15 東京応化工業株式会社 化学増幅型レジスト組成物およびレジストパターン形成方法
JP5728762B2 (ja) * 2010-11-24 2015-06-03 住友ベークライト株式会社 自己画像形成性フィルム形成ポリマー、その組成物、並びにそれから製造されるデバイス及び構造物
KR101704474B1 (ko) 2011-12-28 2017-02-09 금호석유화학 주식회사 레지스트용 첨가제 및 이를 포함하는 레지스트 조성물

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR950004908B1 (ko) * 1992-09-09 1995-05-15 삼성전자주식회사 포토 레지스트 조성물 및 이를 이용한 패턴형성방법
KR970028829A (ko) * 1995-11-10 1997-06-24 김광호 화학 증폭형 레지스트용 베이스 수지 및 그 제조 방법
KR970028828A (ko) * 1995-11-10 1997-06-24 김광호 화학 증폭형 레지스트용 네거티브 베이스 수지 및 그 제조 방법
JP3804138B2 (ja) * 1996-02-09 2006-08-02 Jsr株式会社 ArFエキシマレーザー照射用感放射線性樹脂組成物
US5843624A (en) * 1996-03-08 1998-12-01 Lucent Technologies Inc. Energy-sensitive resist material and a process for device fabrication using an energy-sensitive resist material
KR100261022B1 (ko) * 1996-10-11 2000-09-01 윤종용 화학증폭형 레지스트 조성물

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