-
Die
vorliegende Erfindung betrifft photoempfindliche Polymere, die in
chemisch verstärkten
Resistzusammensetzungen verwendet werden, und Resistzusammensetzungen,
die derartige Polymer einschließen.
-
Mit
zunehmender Integration von Halbleitervorrichtungen gibt es einen
erhöhten
Bedarf für
Resiste, die in Photolithographieverfahren zu feineren Mustern mit
einer Kapazität
unter einem Viertelmikrometer geformt werden können. Es ist eine Photolithographietechnologie
vorgeschlagen worden, die einen ArF-Excimer-Laser (z.B. λ=193 nm)
für Vorrichtungen
jenseits der 1-Giga-Kapazität
verwenden kann. Diese Technologie soll die herkömmlichen ArF-Excimer-Laser,
die tief ultraviolette Strahlen (λ=248
nm) verwenden, ersetzen. Demgemäß ist es
wünschenswert,
neue chemisch verstärkte
Resistzusammensetzungen zu entwickeln.
-
Generell
sind die Voraussetzungen für
chemisch verstärkte
Resistzusammensetzungen zur Verwendung in einem ArF-Excimer Laser
wie folgt
-
- (1) ausgezeichnete Durchlässigkeit in dem Bereich von
193 nm,
- (2) ausgezeichnete thermische charakteristische Eigenschaften,
wie zum Beispiel hohe Glasübergangstemperatur
(Tg),
- (3) ausgezeichnete Haftung an Filmmaterialien,
- (4) ausgezeichnete Beständigkeit
gegenüber
einem Trockenätzverfahren,
- (5) Fähigkeit,
unter Verwendung eines herkömmlichen
alkalischen Entwicklers, wie beispielsweise 2,38 Gew. % Tetramethylammoniumhydroxid
(TMAH), entwickelt zu werden.
-
Ein
Beispiel eines Polymers, das möglicherweise
entwickelt worden ist, um die vorstehenden Eigenschaften zu besitzen,
ist ein Terpolymer, nämlich
Poly(MMA-tBMA-MAA), welches durch die allgemeine Formel dargestellt
wird.
-
-
Das
vorstehende Polymer ist nicht befriedigend. Insbesondere hat das
Terpolymer eine sehr schwache Beständigkeit gegenüber dem Ätzverfahren
und hat schwache Hafteigenschaften. Zusätzlich mag ein spezieller Entwickler
für die
Entwicklung des Terpolymers benötigt
werden. Um potentiell sich den vorstehenden Problemen zuzuwenden,
ist eine Klasse von alicyclischen Verbindungen mit Gruppen wie Isobornyl-,
Adamantyl- und Tricyclodecanylgruppen vorgeschlagen worden.
-
Diese
alicyclische Gruppen enthaltenden Polymere leiden jedoch potentiell
ebenfalls unter Nachteilen. Speziell können die alicyclischen Verbindungen
schwache Hafteigenschaften haben und infolgedessen kann möglicherweise
Abheben an dem Resist erfolgen. Darüber hinaus können die
alicyclischen Verbindungen eine schwache Beständigkeit gegenüber dem
Trockenätzverfahren
haben, und ein spezieller Entwickler, der gesonderte Herstellung
erfordern mag und vielleicht in einem speziellen Konzentrationsbereich
angewendet werden muß,
könnte
anstatt der allgemein akzeptierten Entwickler mit den vorstehenden
alicyclischen Verbindungen verwendet werden müssen.
-
EP-A-0836119,
welche nach dem Prioritätsdatum
der vorliegenden Anmeldung veröffentlicht
wurde, aber ein früheres
Prioritätsdatum
hat, offenbart Copolymere, erhalten aus 2-(1-Hydroxyethyl)norbornen
und Maleinsäweanhydrid
und 2-(1-Hydroxy-1-cyclohexylmethyl)norbornen und Maleinsäweanhydrid.
Weiterhin offenbar sie eine chemisch verstärkte Photoresistzusammensetzung,
umfassend einen Photosäureerzeuger und
ein Polymer, erhalten aus entweder 2-(1-Hydroxyethyl)norbornen oder
2-(1-Hydroxy-1-cycluhexylmethyl)norbornen und Maleinsäureanhydrid
und tert-Butyl(meth)acrylat.
-
Im
Hinblick auf das vorstehende ist es eine Aufgabe der Erfindung,
photoempfindliche Polymere zur Verwendung in chemisch verstärkten Resisten
bereitzustellen, welche Licht unter Verwendung eines ArF-Lasers
ausgesetzt werden können,
starke Beständigkeit
gegenüber
dem Trockenätzverfahren
haben können, ausgezeichnete
Haftung an Filmmaterialien haben können und unter Verwendung herkömmlicher
Entwickler entwickelt werden können.
-
Es
ist eine weitere Aufgabe der Erfindung, chemisch verstärkte Resiste
bereitzustellen, die derartige photoempfindliche Polymere enthalten.
-
Diese
und andere Aufgaben, Merkmale und Vorteile der vorliegenden Erfindung
werden durch photoempfmdliche Polymere zur Verwendung in chemisch
verstärkten
Resisten bereitgestellt. Die Copolymere haben die allgemeine Formel
(I):
-
-
In
der vorstehenden Formel (I) ist R1 aus der
Gruppe, bestehend aus aliphatischen C2-
bis C20-Kohlenwasserstoffen,
ausgewählt,
mit der Maßgabe,
daß R1 nicht Cyclohexyl ist und n' eine ganze Zahl
darstellt. Besonders ist R1 aus der Gruppe,
bestehend aus Ethyl und n-Butyl, ausgewählt oder ist R1 aus
der Gruppe, bestehend aus alicyclischen aliphatischen C7-
bis C20-Kohlenwasserstoffen, ausgewählt, wobei
die Gruppe Einheiten wie Adamantyl-, Norbornyl- und Isobornylgruppen
enthält.
Die Copolymere haben ein gewichtsmittleres Molekulargewicht in dem
Bereich von 3000 bis 100000.
-
In
einem anderen Aspekt stellt die Erfindung eine Resistzusammensetzung,
umfassend Terpolymere und Photosäureerzeuger,
bereit. Die Terpolymere haben die allgemeine Formel (II):
-
-
In
der vorstehenden Formel (II) ist R1 aus
der Gruppe, bestehend aus aliphatischen C1-
bis C20-Kohlenwasserstoffen,
ausgewählt;
ist R2 Wasserstoff oder eine Methylgruppe;
ist R3 eine t-Butyl- oder Tetrahydropyranylgruppe
und stellen n und m jeweils ganze Zahlen dar, die derart sind, daß das Verhältnis von
n:(m+n) von 0,1 bis 0,5 ist, mit der Maßgabe, daß, wenn R2 Methyl
und R3 t-Butyl ist, R1 nicht
Methyl oder Cyclohexyl ist. Insbesondere ist R1 aus
der Gruppe, bestehend aus Methyl, Ethyl, n-Butyl und Cyclohexyl,
ausgewählt
oder ist R1 aus der Gruppe, bestehend aus
alicyclischen aliphatischen C7- bis C20-Kohlenwasserstoffen,
ausgewählt,
wobei die Gruppe Einheiten wie Adamantyl-, Norbornyl- und Isobornylgruppen
enthält.
Die Terpolymere haben ein gewichtsmittleres Molekulargewicht in
dem Bereich von 3000 bis 200000. Die Photosäureerzeuger können in
Anteilen in dem Bereich von 1,0 Gew. % bis 20,0 Gew. %, bezogen
auf das Gewicht der Terpolymere, vorhanden sein. Die Photosäweerzeuger
sind aus der Gruppe, bestehend aus Triarylsulfoniumsalzen, Diaryliodoniumsalzen
und Sulfonaten, ausgewählt.
Die Triarylsulfoniumsalze, aus denen die Photosäweerzeuger bestehen, sind aus
der Gruppe, bestehend aus Triphenylsulfoniumtriflat und Triphenylsulfoniumantimonat, ausgewählt. Die
Sulfonate, aus denen die Photosäweerzeuger
bestehen, sind aus der Gruppe, bestehend aus 2,6-Dinitrobenzylsulfonaten
und Pyrogalloltris(alkylsulfonat), ausgewählt. Die Diaryliodoniumsalze,
aus denen die Photosäweerzeuger
bestehen, sind aus der Gruppe, bestehend aus Diphenyliodoniumtriflat,
Diphenyliodoniumantimonat, Methoxydiphenyliodoniumtriflat und Di-t-butyldiphenyliodoniumtriflat,
ausgewählt.
-
Die
Erfindung mag verständlich
sein und ihre Aufgaben werden dem Fachmann offensichtlich, indem wie
folgt auf die begleitenden Zeichnungen Bezug genommen wird.
-
1 stellt ein Fourier-Transform-Infrarotstrahlungs-(FTIR)-Spektrum
eines Terpolymers mit tBMA-Einheiten dar und mit
-
2 wird eine Querschnittsphotographie
des Resists von Referenzbeispiel 4(a) mit einem 0,3-μm-Linie-und-Zwischenraum-Muster
erhalten, welches gemäß den vorliegenden
Ansprüchen
ist.
-
Die
bevorzugten Ausführungsformen
der vorliegenden Erfindung werden jetzt nachstehend ausführlich mit
Bezugnahme auf die begleitenden Zeichnungen beschrieben, in welchen
bevorzugte Ausführungsformen
der Erfindung gezeigt sind. Diese Erfindung kann jedoch in verschiedenen
Formen verkörpert
sein und sollte nicht als auf die hierin dargelegten Ausführungsformen
begrenzt ausgelegt werden. Vielmehr werden diese Ausführungsformen
bereitgestellt, so daß diese
Offenbarung gründlich
und vollständig
ist, und sie übermitteln
dem Fachmann ausführlich
den Umfang der Erfindung.
-
Die
folgenden Beispiele sollen als veranschaulichend für die vorliegende
Erfindung und nicht als deren Begrenzung angesehen werden.
-
SYNTHESEBEISPIEL 1
-
Synthese von Monomer:
-
(a) Synthese von 5-Norbornen-2-cyclohexyhnethanol
-
In
dieser Ausführungsform
wurde eine Lösung
von 13 Gramm (0,1 mol) 5-Norbornen-2-carboxaldehyd langsam in eine Lösung von
0,1 mol Cyclohexyhnagnesiumbromid, welches in Diethylether gelöst worden
war, getropft, um ein Reaktionsgemisch zu erzeugen. Das Reaktionsgemisch
wurde für
etwa 12 Stunden unter Rückfluß erhitzt
und anschließend
in einen Überschuß von Wasser
gegossen. Dann wurde Diethylether zu der resultierenden Lösung hinzugegeben,
und dadurch wurde das Reaktionsprodukt aus der resultierenden Lösung extrahiert.
Nach dem Trocknen des Reaktionsprodukts mit wasserfreiem Magnesiumsulfat
wurde die Lösung
des Reaktionsprodukts unter Vakuum eingedampft, um das Lösungsmittel
zu entfernen, so daß das 5-Norbornen-2-cyclohexylmethanol
extrahiert werden konnte. Die Ausbeute betrug 75%.
-
(b) Synthese von 5-Norbornen-2-norbornylmethanol
-
In
dieser Ausführungsform
wurde eine Lösung
von 13 Gramm (0,1 mol) 5-Norbornen-2-carboxaldehyd langsam in eine Lösung von
0,1 mol 2-Norbornylmagnesiumbromid, welches in Tetrahydrofuran (THF)
gelöst worden
war, getropft, um ein Reaktionsgemisch zu erzeugen. Das Reaktionsgemisch
wurde für
etwa 20 Stunden unter Rückfluß erhitzt.
Dann wurde das THF unter Verwendung eines Rotationsverdampfers verdampft, und
das Reaktionsgemisch wurde anschließend in einen Überschuß von Wasser
gegossen. Dann wurde Diethylether zu der resultierenden Lösung hinzugegeben
und dadurch wurde das Reaktionsprodukt aus der resultierenden Lösung extrahiert.
Nach dem Trocknen des Reaktionsprodukts mit wasserfreiem Magnesiumsulfat
wurde die Lösung
des Reaktionsprodukts unter Vakuum eingedampft, um das Lösungsmittel
zu entfernen, so daß das
5-Norbornen-2-norbornyhnethanol
extrahiert werden konnte. Die Ausbeute betrug 60%.
-
(c) Synthese von Tetrahydropyranylmethacrylat
-
In
dieser Ausführungsform
wurden 0,1 mol Methacrylsäure
und 8,6 Gramm (0,11 mol) 3,4-Dihydro-2H-pyran
in 150 ml CH2Cl2 gelöst. Kleine
Mengen von p-Toluolsulfonsäure
wurden in die resultierende Lösung
gegeben und wurden dann für
vier Stunden bei Raumtemperatur reagieren gelassen, um ein Reaktionsprodukt
zu erzeugen. Das Reaktionsgemisch wurde dann in einen Überschuß von Wasser
gegossen. Dann wurde Diethylether zu der resultierenden Lösung hinzugegeben
und dadurch konnte das Reaktionsprodukt aus der resultierenden Lösung extrahiert
werden. Nach dem Trocknen des Reaktionsprodukts mit wasserfreiem
Magnesiumsulfat wurde die Lösung
des Reaktionsprodukts unter Vakuum eingedampft, um das Lösungsmittel
zu entfernen, so daß das
Tetrahydropyranylmethacrylat extrahiert werden konnte. Die Ausbeute
betrug 85%.
-
BEISPIEL 2
-
Synthese von Copolymer:
-
Die
Synthesereaktion des Copolymers gemäß dieser Ausführungsform
kann durch die folgende Formel dargestellt werden
-
-
(a) Synthese von Poly(norbornen-2-cyclohexylmethanol-alt-maleinsäureanhydrid).
Das Polymer entspricht nicht den vorliegenden Ansprüchen.
-
In
dieser Ausführungsform
wurden 20 Gramm (0,1 mol) 5-Norbornen-2-cyclohexyhnethanol und 10 Gramm
(0,1 mol) Maleinsäweanhydrid
in 100 ml THF gelöst
und 0,32 Gramm AIBN (2,2'-Azobisisobutyronitril) wurden
dazugegeben. Das Gemisch wurde vollständig mit Stickstoffgas gespült, um ein
Reaktionsgemisch zu erzeugen.
-
Das
Reaktionsgemisch wurde für
etwa 24 Stunden unter Rückfluß erhitzt,
und anschließend
wurde das Reaktionsprodukt in einem zehnfach verdünnten Überschuß von n-Hexan
ausgefällt.
Danach wurden die Niederschläge
wieder in dem THF gelöst
und dann erneut wie vorstehend in n-Hexan ausgefällt. Die so erhaltenen Niederschläge wurden
abfiltriert und dann in einem Vakuumofen bei 50°C für etwa 24 Stunden getrocknet,
um das Poly(norbornen-2-cyclohexyhnethanol-alt-maleinsäureanhydrid)
zu erhalten. Die Ausbeute betrug 60%. Das gewichtsmittlere Molekulargewicht
des so erhaltenen Copolymers betrug 5000 und die Polydispersität (gewichtsmittleres
Molekulargewicht/zahlenmittleres Molekulargewicht) betrug 2,1. Das
Ergebnis der FTIR-Spektralanalyse für das so erhaltene Copolymerprodukt
war wie folgt: FTIR (KBr): 3400 bis 3600 cm–1 (O-H),
1782 cm–1 (C=0).
-
(b) Synthese von Poly(norbornen-2-norbornylmethanol-alt-maleinsäureanhydrid)
-
In
dieser Ausführungsform
wurden 21 Gramm (0,1 mol) 5-Norbornen-2-norbornylmethanol und 10 Gramm
(0,1 mol) Maleinsäweanhydrid
in 100 ml THF gelöst,
und 0,32 Gramm AIBN (2,2'-Azobisisobutyronitril) wurden
dazugegeben. Das Gemisch wurde vollständig mit Stickstoffgas gespült, um ein
Reaktionsgemisch zu erzeugen.
-
Das
Reaktionsgemisch wurde für
etwa 24 Stunden unter Rückfluß erhitzt
und anschließend
wurde das Reaktionsprodukt in einem zehnfach verdünnten Überschuß von n-Hexan
ausgefällt.
Danach wurden die Niederschläge
wieder in THF gelöst
und dann erneut wie vorstehend in n-Hexan ausgefällt. Die resultierenden Niederschläge wurden
abfiltriert und dann in einem Vakuumofen bei 50°C für etwa 24 Stunden getrocknet,
um das Poly(norbornen-2-norbornylmethanol-alt-maleinsäureanhydrid)
zu erhalten. Die Ausbeute betrug 65%. Das gewichtsmittlere Molekulargewicht
des so erhaltenen Copolymers betrug 4700 und die Polydispersität (gewichtsmittleres
Molekulargewicht/zahlenmittleres Molekulargewicht) betrug 2,0.
-
Das
Ergebnis der FTIR-Spektralanalyse für das so erhaltene Copolymerprodukt
war wie folgt:
-
FTIR
(KBr): 3400 bis 3600 cm–1 (-O-H), 1780 cm–1 (C=0).
-
BEISPIEL 3
-
Synthese von Terpolymer
-
Die
Synthesereaktion des Terpolymers gemäß dieser Ausführungsform
kann durch die folgende Formel dargestellt werden
-
(a) Synthese von Terpolymer,
wobei R3 eine t-Butylgruppe ist (Terpolymer
nicht gemäß den Ansprüchen)
-
In
dieser Ausführungsform
wurden 20 Gramm (0,1 mol) 5-Norbornen-2-cyclohexylmethanol, 10 Gramm
(0,1 mol) Maleinsäureanhydrid
und 14 Gramm (0,1 mol) t-Butylmethacrylat (t-BMA) in 150 ml THF
gelöst
und 0,49 Gramm AIBN wurden dazugegeben. Das Gemisch wurde vollständig mit
Stickstoffgas gespült, um
ein Reaktionsgemisch zu erzeugen.
-
Das
Reaktionsgemisch wurde für
etwa 24 Stunden unter Rückfluß erhitzt
und dann wurde das Reaktionsprodukt in einem zehnfach verdünnten Überschuß von n-Hexan
ausgefällt.
Danach wurden die Niederschläge
wieder in THF gelöst
und dann erneut wie vorstehend in n-Hexan ausgefällt. Die so erhaltenen Niederschläge wurden
abfiltriert und dann in einem Vakuumofen bei 50°C für etwa 24 Stunden getrocknet,
um das Poly(norbornen-2-norbornylmethanol-alt-maleinsäureanhydrid-tert-butyhnethacrylat)
zu erhalten. Die Ausbeute betrug 75%. Das gewichtsmittlere Molekulargewicht
des so erhaltenen Copolymers betrug 5500 und die Polydispersität (gewichtsmittleres
Molekulargewicht/zahlenmittleres Molekulargewicht) betrug 2,1. 1 stellt ein Fourier-Transform-Infrarotstrahlungs-(FTIR)-Spektrum
des so erhaltenen Terpolymers mit tBMA-Einheiten gemäß dieser
Ausführungsform
dar. Das Ergebnis der in 1 gezeigten
FTIR-Spektralanalyse war wie folgt:
-
FTIR
(KBr): 3400 bis 3600 cm–1 (O-H), 2789 cm–1 (C-H),
1780 cm–1 (C=0).
-
(b) Synthese von Terpolymer,
wobei R3 eine Tetrahydropyranylgruppe ist.
-
In
dieser Ausführungsform
wurden 20 Gramm (0,1 mol) 5-Norbornen-2-cyclohexylmethanol, 10 Gramm
(0,1 mol) Maleinsäureanhydrid
und 17 Gramm (0,1 mol) Tetrahydropyranylmethacrylat (THPMA) in 150
ml THF gelöst
und 0,49 Gramm AIBN wurden dazugegeben. Das Gemisch wurde vollständig mit
Stickstoffgas gespült,
um ein Reaktionsgemisch zu erzeugen.
-
Das
Reaktionsgemisch wurde für
etwa 24 Stunden unter Rückfluß erhitzt
und dann wurde das Reaktionsprodukt in einem zehnfach verdünnten Überschuß von n-Hexan
ausgefällt.
Danach wurden die Niederschläge
wieder in THF gelöst
und dann wie vorstehend erneut in n-Hexan ausgefällt. Die resultierenden Niederschläge wurden
abfiltriert und dann in einem Vakuumofen bei 50°C für etwa 24 Stunden getrocknet,
um das Poly(norbornen-2-norbornylmethanol-alt-maleinsäureanhydrid-tert-butylmethacrylat)
zu erhalten. Die Ausbeute betrug 75%. Das gewichtsmittlere Molekulargewicht
des so erhaltenen Copolymers betrug 5000 und die Polydispersität (gewichtsmittleres
Molekulargewicht/zahlenmittleres Molekulargewicht) betrug 2,0.
-
Das
Ergebnis der FTIR-Spektralanylyse für das so erhaltene Copolymerprodukt
war wie folgt:
-
FTIR
(KBr): 3400 bis 3600 cm–1 (O-H), 2957 cm–1 (C-H),
1780 cm–1 (C=0),
1720 cm–1 (C=0).
-
BEISPIEL 4
-
Herstellung der Resistzusammensetzung:
-
(a) Herstellung der Resistzusammensetzung
unter Verwendung von Terpolymer mit einer t-Butylgruppe (nicht gemäß den vorliegenden
Ansprüchen)
-
In
dieser Ausführungsform
wurden 1,0 Gramm Terpolymer mit t-BMA-Einheiten, hergestellt in
Beispiel 3, und 0,05 Gramm Triphenylsulfoniumtriflat vollständig in
6,0 Gramm Propylenglycolmonomethyletheracetat (PGMEA) gelöst. Das
Gemisch wurde sorgfältig
gerührt.
Danach wurde das Gemisch mit einem 0,45-μm-Mikrofilter filtriert und
dann mit einem 0,2-μm-Mikrofilter
wieder filtriert, um dadurch eine Resistzusammensetzung herzustellen.
Die Oberfläche
eines Siliciumwafers wurde mit Hexamethyldisilazan (HMDS) behandelt, und
dann wurde die so hergestellte Resistzusammensetzung auf den Wafer
aufgebracht, um dadurch einen Beschichtungsfilm von etwa 0,5 μm zu erzeugen.
-
Der
Wafer mit dem Beschichtungsfilm wurde bei etwa 130°C für etwa 90
Sekunden vorgebrannt, dann unter Verwendung eines ArF-Excimer-Lasers
mit einer numerischen Apertur von 0,45 Licht ausgesetzt und dann
für etwa
90 Sekunden bei etwa 140°C
wieder gebrannt.
-
Danach
wurde der resultierende Wafer für
etwa 60 Sekunden entwickelt, indem eine Lösung mit 2,38 Gew. % Tetramethylammoniumhydroxid
(TMAH) verwendet wurde.
-
2 ist eine Querschnittsphotographie
von dem 0,3-μm-Linie-und-Abstand-Muster
für den
Resist gemäß dieser
Ausführungsform.
Bezugnehmend auf 2 wurde
das 0,3-μm-Linie-und-Abstand-Muster für den Resist
erhalten, wenn die Belichtungsenergie angenähert 20 mJ/cm2 betrug.
-
(b) Herstellung einer Resistzusammensetzung
unter Verwendung von Terpolymer mit einer Tetrahydropyranylgruppe
-
In
dieser Ausführungsform
wurden 1,0 Gramm Terpolymer mit THPMA-Einheiten, hergestellt in
Beispiel 3, und 0,05 Gramm Triphenylsulfoniumtriflat in 6,0 Gramm
Propylenglycolmonomethyletheracetat (PGMEA) vollständig gelöst. Das
Gemisch wurde sorgfältig
gerührt.
Danach wurde das Gemisch mit einem 0,45-μm-Mikrofilter filtriert und
dann wieder mit einem 0,2-μm-Mikrofilter filtriert,
um dadurch eine Resistzusammensetzung herzustellen. Die Oberfläche eines
Siliciumwafers wurde mit Hexamethyldisilazan (HMDS) behandelt, und
dann wurde die so hergestellte Resistzusammensetzung auf einen Wafer
aufgebracht, um dadurch einen Beschichtungsfilm von etwa 0,5 μm zu erzeugen.
-
Der
Wafer mit dem Beschichtungsfilm wurde bei etwa 130°C für etwa 90
Sekunden gebrannt, dann unter Verwendung eines ArF-Excimer-Lasers
mit einer numerischen Apertur von 0,45 Licht ausgesetzt und dann
bei etwa 140°C
für etwa
90 Sekunden wieder gebrannt.
-
Danach
wurde der resultierende Wafer füt
etwa 60 Sekunden entwickelt, indem eine Lösung mit etwa 2,38 Gew. % Tetramethylammoniumhydroxid
(TMAN) verwendet wurde.
-
In
dieser Ausführungsform
wurde das 0,3-μm-Linie-und-Abstand-Muster
für den
Resist erhalten, wenn die Belichtungsenergie ungefähr 13 mJ/cm2 betrug.
-
(c) Herstellung einer Resistzusammensetzung
unter Verwendung von Terpolymer mit einer Tetrahydropyranylgruppe
-
In
dieser Ausführungsform
wurden 1,0 Gramm Terpolymer mit THPMA-Einheiten, hergestellt in
Beispiel 3, und 0,05 Gramm Methoxydiphenyliodoniumtriflat vollständig in
6,0 Gramm Propylenglycolmonomethyletheracetat (PGMEA) gelöst. Das
Gemisch wurde sorgfältig
gerührt.
Danach wurde das Gemisch mit einem 0,45-μm-Mikrofilter filtriert und
dann mit einem 0,2-μm-Mikrofilter
wieder filtriert, um dadurch eine Resistzusammensetzung herzustellen.
Die Oberfläche
eines Siliciumwafers wurde mit Hexamethyldisilazan (HMDS) behandelt,
und dann wurde die so hergestellte Resistzusammensetzung auf einen
Wafer aufgebracht, um dadurch einen Beschichtungsfilm von etwa 0,5
um zu erzeugen.
-
Der
Wafer mit dem Beschichtungsfilm wurde bei etwa 130°C für etwa 90
Sekunden gebrannt, dann unter Verwendung eines ArF-Excimer-Lasers
mit einer numerischen Apertur von 0,45 Licht ausgesetzt und dann
bei etwa 140°C
für etwa
90 Sekunden wieder gebrannt.
-
Danach
wurde der resultierende Wafer für
etwa 60 Sekunden entwickelt, indem eine Lösung mit 2,38 Gew. % Tetramethylammoniumhydroxid
(TMAN) verwendet wurde.
-
In
dieser Ausführungsform
wurde das 0,3-μm
Linie-und-Abstand-Muster für
den Resist erhalten, wenn die Belichtungsenergie ungefähr 18 mJ/cm2 betrug.
