DE19735059A1 - Siliciumhaltiges Polymer und dieses enthaltende Resistzusammensetzung - Google Patents

Siliciumhaltiges Polymer und dieses enthaltende Resistzusammensetzung

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Description

Die Erfindung bezieht sich auf ein siliciumhaltiges Polymer und auf eine dieses enthaltende Resistzusammensetzung.
Zur Herstellung hochintegrierter Halbleiterbauelemente in komplizierten Prozessen müssen feine Strukturen erzeugt wer­ den. Um dies zu erreichen, ist es wichtig, ein neues Re­ sistmaterial für eine lithographische Technologie zu ent­ wickeln. Mit dem Ansteigen der Leistungsfähigkeit von Halb­ leiterbauelementen über den Level von 1 GB wurde ein neues Re­ sistmaterial benötigt, das auf Licht von einem ArF- Excimerlaser mit einer Lichtwellenlänge von 193 nm reagiert.
In einem typischen Halbleiterfertigungsprozeß wird entweder ein einlagiges Resist (SLR) oder ein zweilagiges Resist (BLR) verwendet. Im allgemeinen ist der Prozeß zur Bildung eines Resistmusters bei Verwendung des SLR einfacher als bei Ver­ wendung des BLR. Jedoch kann, wenn das SLR zur Bildung eines Resistmusters verwendet wird, keine ausreichende Trockenätz­ festigkeit gewährleistet werden. Außerdem wird das Resistmu­ ster mit zunehmendem Aspektverhältnis des Musters schräg und kollabiert, was die Erzeugung des Resistmusters sehr schwie­ rig macht.
Das BLR enthält Silicium. Wenn das BLR zur Bildung eines Re­ sistmusters verwendet wird, ist der Prozeß zur Erzeugung des Resistmusters viel komplizierter als derjenige beim SLR. Je­ doch werden die Siliciumatome des Resistmaterials während ei­ nes Trockenätzprozesses mit O2-Plasma in Glas umgewandelt, so daß auf der Resistschicht eine gehärtete Schicht gebildet wird. Die gehärtete Schicht fungiert während eines nachfol­ genden Trockenätzprozesses als Ätzmaske, so daß in einfacher Weise ein Resistmuster mit hohem Aspektverhältnis gebildet werden kann.
Der Siliciumgehalt eines Polymers ist ein bedeutsamer Faktor beim Herstellen des BLR. Ein Silicium enthaltendes Polymer, das als BLR für Lithographie mit einem ArF-Eximerlaser ver­ wendet wird, ist in der Veröffentlichung Akiko Kotachi et al., "Si-containing Positive Resist for ArF eximer Laser Li­ thography", Journal of Photopolymer Science and Technology, Band 8, Nr. 4, 1995, Seite 615 offenbart. Der Siliciumgehalt des in dieser Veröffentlichung offenbarten Polymers beträgt jedoch etwa 8 Gew.-%. Unter Beachtung der Tatsache, daß für das BLR 10 Gew.-% oder mehr Silicium erforderlich ist, um ein ausreichendes Aspektverhältnis zu gewährleisten, ist es im allgemeinen schwierig, ein ausreichend hohes Aspektverhältnis mit dem Siliciumgehalt sicherzustellen, wie er in der obigen Veröffentlichung offenbart ist. Außerdem besitzt das Polymer eine schlechte Haftfähigkeit, so daß sich eine aus dem Poly­ mer hergestellte Resistschicht von der darunterliegenden Schicht ablösen kann.
Der Erfindung liegt als technisches Problem die Bereitstel­ lung eines Polymers mit relativ hohem Siliciumgehalt zur Ver­ wendung in einem Resist sowie einer ein solches Polymer ent­ haltenden Resistzusammensetzung zugrunde.
Die Erfindung löst dieses Problem durch die Bereitstellung eines Polymers mit den Merkmalen des Anspruchs 1, eines Copo­ lymers mit den Merkmalen des Anspruchs 5 oder 9, eines Terpo­ lymers mit den Merkmalen des Anspruchs 13 oder eines Tetrapo­ lymers mit den Merkmalen des Anspruch 17 sowie durch die Be­ reitstellung einer Resistzusammensetzung mit den Merkmalen des Anspruchs 2, 6, 10, 14 oder 18.
Vorteilhafte Weiterbildungen der Erfindung sind in den Un­ teransprüchen angegeben.
Vorteilhafte Ausführungsformen der Erfindung werden nachfol­ gend unter Bezugnahme auf die Zeichnungen beschrieben, in de­ nen zeigen:
Fig. 1 eine graphische Darstellung des Resultats einer Kernresonanz(NMR)-Analyse eines zur Synthetisierung eines erfindungsgemäßen Polymers benötigten Zwi­ schenproduktes,
Fig. 2 eine graphische Darstellung des Resultats einer fouriertransformierten Infrarotstrahlungs(FT-IR)-A- nalyse des für die Synthetisierung des erfindungs­ gemäßen Polymers benötigten Zwischenprodukts,
Fig. 3 eine graphische Darstellung des Resultats einer NMR-Analyse eines erfindungsgemäßen Monomers,
Fig. 4 eine graphische Darstellung des Resultats einer FT- IR-Analyse des erfindungsgemäßen Monomers,
Fig. 5 eine graphische Darstellung des Resultats einer Thermogravimetrie-Analyse (TGA) eines erfindungsge­ mäßen Homopolymers,
Fig. 6 eine graphische Darstellung des Resultats einer NMR-Analyse eines erfindungsgemäßen Terpolymers,
Fig. 7 eine graphische Darstellung des Resultats einer FT- IR-Analyse des erfindungsgemäßen Terpolymers,
Fig. 8 eine graphische Darstellung des Resultats einer TGA des erfindungsgemäßen Terpolymers,
Fig. 9 eine graphische Darstellung des Resultats einer NMR-Analyse eines erfindungsgemäßen Tetrapolymers und
Fig. 10 eine graphische Darstellung des Resultats einer TGA des erfindungsgemäßen Tetrapolymers.
BEISPIEL 1 Synthese eines Monomers
Die Reaktion zur Synthetisierung eines Monomers (II) gemäß des vorliegenden Beispiels läßt sich durch folgende Formel ausdrücken:
Die durch die obige Formel ausgedrückte Synthese des Monomers (II) wird nun Schritt für Schritt erläutert.
(1) Synthese von 1,3-Bis(trimethylsilyl)-2-propanol (I)
Ethylformat (0,1 mol) wurde langsam zu 0,3 mol Trimethylsilyl­ methylmagnesiumchloridlösung, die in Diethyläther aufgelöst wurde, der in einem 500 ml Kolben enthalten war, zugegeben und dann unter Rückfluß für ungefähr 24 Stunden reagiert. Nach Hydrolysieren des Reaktanden unter Verwendung von Ammonium­ chloridlösung wurde das erhaltene Reaktionsprodukt abgetrennt und durch eine Vakuumdestillation gereinigt (Ausbeute 70%). Die Struktur des erhaltenen Destillates wurde unter Verwen­ dung von Kernresonanz (NMR) und einer Spektroskopiemethode der fouriertransformierten Infrarotstrahlungs(FT-IR)- Spektroskopie analysiert.
Fig. 1 zeigt das Ergebnis der NMR-Analyse für das durch das obige Verfahren erhaltene 1,3-Bis(trimethylsilyl)-2-propanol (I), und Fig. 2 zeigt das Ergebnis der FT-IR-Analyse dessel­ ben. Die aus den dortigen graphischen Darstellungen erhalte­ nen Resultate sind die folgenden.
1H-NMR(CDCl3, ppm):
0,0(18J, -CH3), 0,9(4H, -CH2-), 1,2(1H, -OH), 4,0 (1H, -CH-) FT-IR (NaCl, cm-1):
3300(-OH), 2950(C-H), 1400 und 1260(Si-C).
(2) Synthese von 1,3-Bis(trimethylsilyl)propylmethacrylat (BPMA) (II)
Nach Auflösen von 1,3-Bis(trimethylsilyl)-2-propanol (I) (0,1 mol) und Triethylamin (TEA, 0,1 mol) in Methylenchlorid (MC), das in einem 500 ml Kolben enthalten war, wurde zu der erhaltenen Lösung langsam Methacryloylchlorid (0,1 mol) zuge­ geben und dann unter Rückfluß für ungefähr 24 Stunden rea­ giert. Das erhaltene Produkt wurde durch Vakuumdestillation abgetrennt (Ausbeute 75%).
Fig. 3 zeigt das Ergebnis der NMR-Analyse des durch das obige Verfahren erhaltenen BPMA (II), und Fig. 4 zeigt das Resultat der FT-IR-Analyse desselben. Die von diesen graphischen Dar­ stellungen erhaltenen Resultate sind die folgenden.
1H-NMR(CDCl31 ppm):
0,0(18H, Si-CH3), 1,0(4H, -CH2-), 1,9(3H, -CH3), 5,2(1H, -CH-) 5,5 und 6,0 (2H, =CH2)
FT-IR(Nacl, cm-1):
2950(C-H), 1720(C=O), 1600(C=C), 1400 und 1260 (Si-C)
BEISPIEL 2 Herstellung eines Homopolymers
Nach Auflösen des in Beispiel 1 synthetisierten Monomers BPMA (II) (0,1 mol) und Azobisisobutyronitril (AIBN, 4 mol%) in To­ luol wurde für 24 Stunden bei 65°C bis 70°C eine Polymerisa­ tion unter Spülung mit Stickstoff (N2) durchgeführt.
Das Reaktionsprodukt wurde in einem Überschuß von n-Hexan ausgefällt, und das ausgefällte Produkt wurde in Tetrahy­ drofuran (THF) gelöst, um erneut in n-Hexan ausgefällt zu werden.
Das erhaltene, ausgefällte Produkt wurde in einem auf 50°C gehaltenen Vakuumofen für 24 Stunden getrocknet, was in einem Homopolymer resultierte, das durch folgende Formel gegeben ist (Ausbeute 80%):
Das durchschnittliche Molekulargewicht des erhaltenen Homopo­ lymers betrug 24.000 und seine Polydispersität betrug 2,2.
Außerdem betrug der Gehalt an Silicium (Si) 21% (theoretischer Wert).
Fig. 5 ist eine graphische Darstellung, welche die thermische Stabilität des im vorliegenden Beispiel erhaltenen Homopoly­ mers zeigt, wie sie durch eine Thermogravimetrie-Analyse (TGA) bestimmt wurde. Dabei wurde die Gewichtsveränderung des Homopolymers in Abhängigkeit von der Temperaturänderung wäh­ rend einer Erwärmung des Homopolymers mit einer Rate von 20°C/min unter der Stickstoff(N2)-Gasumgebung analysiert. Das Resultat ist als Prozentsatz wiedergegeben. Wie aus Fig. 5 ersichtlich, betrug die anfängliche Zersetzungstemperatur des Homopolymers des vorliegenden Beispiels ungefähr 173°C.
BEISPIEL 3 Synthese eines Copolymers
Die Reaktion zur Synthetisierung eines Copolymers (III) gemäß des vorliegenden Beispiels läßt sich durch folgende Formel ausdrücken:
Nach Auflösen des in Beispiel 1 synthetisierten Monomers BPMA (II) (0,1 mol) und Styrolmonomer (0,1 mol) in Tetrahydrofuran (THF, fünffaches Volumen des Monomers) zusammen mit Azobis­ isobutyronitril (AIBN, 4 mol%) wurde das resultierende Produkt mit Stickstoff (N2) gespült, und es wurde eine Polymerisation für ungefähr 24 Stunden unter Rückfluß durchgeführt.
Das polymerisierte Produkt wurde in einem Überschuß von n- Hexan ausgefällt, und das ausgefällte Produkt wurde in THF aufgelöst, um erneut in n-Hexan ausgefällt zu werden. Das er­ haltene ausgefällte Produkt wurde für 24 Stunden in einem Va­ kuumofen getrocknet, was im Copolymer (III) resultierte (Ausbeute 70%).
Hierbei betrug das durchschnittliche Molekulargewicht des er­ haltenen Copolymers (III) 15.000, und seine Polydispersität betrug 2,1. Außerdem betrug der Gehalt an Si 15% (theoretischer Wert).
BEISPIEL 4 Synthese eines Copolymers
Nach Auflösen des in Beispiel 1 synthetisierten Monomers BPMA (II) (0,1 mol) und Maleinsäureanhydrid (0,1 mol) in Tetrahy­ drofuran (THF, fünffaches Volumen des Monomers) zusammen mit Azobisisobutyronitril (AIBN, 4 mol%) wurden die Reaktanden mit Stickstoff (N2) gespült, und es wurde eine Polymerisation für ungefähr 24 Stunden unter Rückfluß durchgeführt.
Das polymerisierte Produkt wurde in einem Überschuß von n- Hexan ausgefällt, und dann wurde das ausgefällte Produkt in THF aufgelöst, um wieder in n-Hexan ausgefällt zu werden. Das erhaltene ausgefällte Produkt wurde in einem Vakuumofen für 24 Stunden getrocknet, was in einem durch die folgende Formel dargestellten Copolymer (IV) resultierte (Ausbeute 70%).
Hierbei betrug-das durchschnittliche Molekulargewicht des er­ haltenen Copolymers (IV) 8.000, und seine Polydispersität be­ trug 2,3. Außerdem betrug der Gehalt an Si 15% (theoretischer Wert).
BEISPIEL 5 Herstellung einer Terpolymers
Die Reaktion zur Synthetisierung eines Terpolymers (V) läßt sich im vorliegen Beispiel durch die folgende Formel ausdrücken.
Nach Auflösen des in Beispiel 1 synthetisierten Monomers BPMA (II) (0,1 mol) sowie von t-Butylmethacrylat (tBMA) (0,1 mol) und Methacrylsäure (MAA) (0,1 mol) in Tetrahydrofuran (THF, fünffa­ ches Volumen des Monomers) zusammen mit Azobisisobutyronitril (AIBN) (4 mol%) wurden die Reaktanden mit Stickstoff (N2) ge­ spült, und es wurde eine Polymerisation für ungefähr 24 Stunden im Rückfluß durchgeführt.
Das polymerisierte Produkt wurde in einem Überschuß von n-Hexan ausgefällt, und das ausgefällte Produkt wurde dann in THF auf­ gelöst, um erneut in n-Hexan ausgefällt zu werden. Das erhalte­ ne ausgefällte Produkt wurde dann in einem Vakuumofen, der bei ungefähr 50°C gehalten wurde, für 24 Stunden getrocknet, was in einem Terpolymer (V) resultierte (Ausbeute 75%).
Hierbei betrug das durchschnittliche Molekulargewicht des er­ haltenden Terpolymers (V) 25.000, und seine Polydispersität be­ trug 2,3. Außerdem betrug der Gehalt an Si 11% (theoretischer Wert).
Fig. 6 zeigt das Ergebnis einer NMR-Analyse des Terpolymers (V) des vorliegenden Beispiels, und Fig. 7 zeigt das Ergebnis einer FT-IR-Analyse desselben.
Fig. 8 ist eine graphische Darstellung, welche die thermische Stabilität des Terpolymers (V) des vorliegenden Beispiels ver­ anschaulicht, wie sie durch eine TGA bestimmt wurde. Wie aus Fig. 8 zu erkennen, beginnt sich das Terpolymer (V) bei unge­ fähr 160°C zu zersetzen und zeigt daher eine ausgezeichnete thermische Stabilität.
BEISPIEL 6 Herstellung eines Tetrapolymers
Nach Auflösen des in Beispiel 1 synthetisierten Monomers BPMA (II) (0,1 mol) sowie von t-Butylmethacrylat (tBMA, 0,1 mol), Me­ thylmethacrylat (MMA) und Methacrylsäure (MAA, 0,1 mol) in Tetrahydrofuran (THF, fünffaches Volumen des Monomers) zusammen mit Azobisisobutyronitril (AIBN, 4 mol%) wurden die Reaktanden mit Stickstoff (N2) gespült, und es wurde eine Polymerisation für ungefähr 24 Stunden im Rückfluß durchgeführt.
Das polymerisierte Produkt wurde in einem Überschuß von n-Hexan ausgefällt, und das ausgefällte Produkt wurde in THF aufgelöst, um erneut in n-Hexan ausgefällt zu werden. Das erhaltende aus­ gefällte Produkt wurde in einem bei ungefähr 50°C gehaltenen Vakuumofen für 24 Stunden getrocknet, was in einem durch die folgende Formel dargestellten Tetrapolymer (VI) resultierte (Ausbeute 75%).
Hierbei betrug das durchschnittliche Molekulargewicht des er­ haltenen Tetrapolymers (VI) 24.000, und seine Polydispersität betrug 2,4.
Fig. 9 zeigt das Ergebnis einer NMR-Analyse des Tetrapolymers (VI) des vorliegenden Beispiels.
Fig. 10 zeigt eine graphische Darstellung, welche die thermi­ sche Stabilität des Tetrapolymers (VI) des vorliegenden Bei­ spiels veranschaulicht, wie sie durch eine TGA bestimmt wurde.
Wie aus Fig. 10 ersichtlich, weist das Tetrapolymer (VI) bei ungefähr 141°C 50% Gewichtsverlust auf. Dies bedeutet, daß das Tetrapolymer (VI) des vorliegenden Beispiels bei einer ver­ gleichsweise hohen Temperatur zerfällt und daher eine ausge­ zeichnete thermische Stabilität zeigt.
BEISPIEL 7 Herstellung einer Resistzusammensetzung
Nach Auflösen von 1,0 g des in Beispiel 5 synthetisierten Terpo­ lymers (V) in 8 g Propylenglycolmonomethylätheracetat (PGMEA) wurde 0, 02 g Triphenylsulfoniumtrifluorethansulfonester (TPSOTf) als ein Fotosäuregenerator hinzugefügt und gerührt.
Dann wurde das Gemisch unter Verwendung eines 0.2 µm-Filters ge­ filtert, und die erhaltene Resistzusammensetzung wurde durch Aufschleuderbeschichtung auf einen Wafer in einer Dicke von un­ gefähr 0,3 µm aufgebracht.
Der mit der Resistzusammensetzung beschichtete Wafer wurde bei ungefähr 110°C für etwa 90 s sanft gehärtet, unter Benutzung ei­ nes einen ArF-Excimerlaser mit einer numerischen Apertur (NA) von 0,45 verwendenden Steppers belichtet und dann bei etwa 110°C für ungefähr 90 s nachgehärtet. Das Resist wurde dann un­ ter Verwendung einer Tetramethylammoniumhydroxid (TMAH)-Lösung entwickelt.
Die folgende Reaktion zeigt den Belichtungsmechanismus des Ter­ polymers gemäß dem Beispiel der vorliegenden Erfindung.
Aus der obigen Reaktion ist ersichtlich, daß das Polymer vor der Belichtung in einem Entwickler kaum löslich ist, während das als Ergebnis der nachfolgenden Belichtung gebildete Polymer in einem Entwickler hochgradig löslich ist. Die Resistzusammen­ setzung gemäß den Beispielen der vorliegenden Erfindung enthält einen hohen Gehalt an Silicium, wie er zur Herstellung eines siliciumhaltigen BLR für den ArF-Excimerlaser benötigt wird, und weist eine ausgezeichnete Haftung an der darunterliegenden Schicht auf.

Claims (21)

1. Polymer für ein chemisch verstärktes Resist mit einem durch­ schnittlichen Molekulargewicht zwischen 3.000 und 200.000, wo­ bei das Polymer durch folgende Formel dargestellt wird:
wobei R1 aus der Gruppe ausgewählt ist, die aus Wasserstoff und Methyl besteht.
2. Resistzusammensetzung mit
  • - einem Polymer nach Anspruch 1 und
  • - einem Fotosäuregenerator (PAG).
3. Resistzusammensetzung nach Anspruch 2, wobei der PAG-Gehalt zwischen 1 Gew.-% und 20 Gew.-% des Polymergehalts liegt.
4. Resistzusammenseztung nach Anspruch 2 oder 3, wobei der PAG aus der Gruppe ausgewählt ist, die aus Triarylsulfoniumsalzen und Diaryliodoniumsalzen besteht.
5. Copolymer für ein chemisch verstärktes Resist mit einem durchschnittlichen Molekulargewicht zwischen 5.000 und 200.000, wobei das Copolymer durch folgende Formel dargestellt wird:
wobei R2 und R3 unabhängig voneinander aus der Gruppe ausgewählt sind, die aus Wasserstoff und Methyl besteht, X aus der Gruppe ausgewählt ist, die aus Wasserstoff, Hydroxyl, Halogen, C1- bis C4-Alkyl und C1- bis C4-Alkoxy besteht, n und m ganze Zahlen sind und m/(m+n) zwischen 0,1 und 0,9 beträgt.
6. Resistzusammensetzung mit
  • - einem Copolymer nach Anspruch 5 und
  • - einem Fotosäuregenerator (PAG).
7. Resistzusammensetzung nach Anspruch 6, wobei der PAG-Gehalt zwischen 1 Gew.-% und 20 Gew.-% des Copolymergehalts liegt.
8. Resistzusammensetzung nach Anspruch 6 oder 7, wobei der PAG aus der Gruppe ausgewählt ist, die aus Triarylsulfoniumsalzen und die Diaryliodoniumsalzen besteht.
9. Copolymer für ein chemisch verstärktes Resist mit einem durchschnittlichen Molekulargewicht zwischen 3.000 und 100.000, wobei das Copolymer durch folgende Formel dargestellt wird:
wobei R4 aus der Gruppe ausgewählt ist, die aus Wasserstoff und Methyl besteht.
10. Resistzusammensetzung mit
  • - einem Copolymer nach Anspruch 9 und
  • - einem Fotosäuregenerator (PAG).
11. Resistzusammensetzung nach Anspruch 10, wobei der PAG- Gehalt zwischen 1 Gew.-% und 20 Gew.-% des Copolymergehalts liegt.
12. Resistzusammensetzung nach Anspruch 10 oder 11, wobei der PAG aus der Gruppe ausgewählt ist, die aus Triarylsulfoniumsal­ zen und Diaryliodoniumsalzen besteht.
13. Terpolymer für ein chemisch verstärktes Resist mit einem durchschnittlichen Molekulargewicht zwischen 5.000 und 200.000, wobei das Terpolymer durch folgende Formel dargestellt wird:
wobei R5, R6 und R7 unabhängig voneinander aus der Gruppe ausge­ wählt sind, die aus Wasserstoff und Methyl besteht, R8 aus der Gruppe ausgewählt ist, die aus Methyl, 2-Hydroxyethyl und C2- bis C6-Alkyl besteht, l, m, n ganze Zahlen sind, l/(l+m+n) 0,1 bis 0,9 beträgt, m(l+m+n) zwischen 0,1 und 0,9 beträgt und n/(l+m+n) zwischen 0,1 und 0,5 beträgt.
14. Resistzusammensetzung mit
  • - einem Terpolymer nach Anspruch 13 und
  • - einem Fotosäuregenerator (PAG).
15. Resistzusammensetzung nach Anspruch 14, wobei der PAG- Gehalt zwischen 1 Gew.-% und 20 Gew.-% des Terpolymergehalts liegt.
16. Resistzusammensetzung nach Anspruch 14 oder 15, wobei der PAG aus der Gruppe ausgewählt ist, die aus Triarylsulfoniumsal­ zen und Diaryliodoniumsalzen besteht.
17. Tetrapolymer für ein chemisch verstärktes Resist mit einem durchschnittlichen Molekulargewicht zwischen 5.000 und 200.000, wobei das Tetrapolymer durch folgende Formel dargestellt wird:
wobei R9, R10, R11 und R12 unabhängig voneinander aus der Gruppe ausgewählt sind, die aus Wasserstoff und Methyl besteht, R13 aus der Gruppe ausgewählt ist, die aus t-Butyl, Tetrahydropy­ ranyl, 2-Hydroxyethyl und C2- bis C6-Alkyl besteht, k, l, m und n ganze Zahlen sind, k/(k+l+m+n) zwischen 0,1 und 0,9 be­ trägt 1/(k+l+m+n) zwischen 0,1 und 0,9 beträgt, m/(k+l+m+n) zwischen 0,1 und 0,9 beträgt und n/(k+l+m+n) zwischen 0,1 und 0,5 beträgt.
18. Resistzusammensetzung mit
  • - einem Tetrapolymer nach Anspruch 17 und
  • - einem Fotosäuregenerator (PAG).
19. Resistzusammenseztung nach Anspruch 18, wobei der PAG- Gehalt zwischen 1 Gew.-% und 20 Gew.-% des Tetrapolymergehaltes liegt.
20. Resistzusammensetzung nach Anspruch 18 oder 19, wobei der PAG aus der Gruppe ausgewählt ist, die aus Triarylsulfoniumsal­ zen und Diaryliodioniumsalzen besteht.
21. Resistzusammensetzung nach Anspruch 20, wobei der PAG aus der Gruppe ausgewählt ist, die aus Triphenylsulfoniumtrifluor­ ethansulfonester und Diphenyliodoniumtrifluorethansulfonester besteht.
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