KR970028828A - 화학 증폭형 레지스트용 네거티브 베이스 수지 및 그 제조 방법 - Google Patents

화학 증폭형 레지스트용 네거티브 베이스 수지 및 그 제조 방법 Download PDF

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KR970028828A
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김광호
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Abstract

화학 증폭형 네거티브 레지스트용 베이스 수지 및 그 제조 방법에 관해 개시한다. 본 발명에 따라, 노광에 의한 산 촉매 반응에 의해 가교 반응을 일으키는 가교 그룹을 도입한 베이스 수지를 채용하여 포토리소그래피 공정을 수행하면 가교 반응의 효율을 높일 수 있고, 동시에 가교제를 사용하지 않고도 포토리소그래피 공정을 수행할 수 있기 때문에 종래의 현상공정시 미 반응한 가교제에 의해 발생하는 패턴 프로파일의 불량을 방지할 수 있다. 또한 상기 본 발명에 의한 베이스 수지는 불량을 방지할 수 있다. 또한 상기 본 발명에 의한 베이스 수지는 노광후의 하드 베이크 과정에서 행해지는 열처리 공정시 가교반응이 더욱 활성화 되기 때문에 레지스트의 에칭 내성이 증가하는 장점이 있다.

Description

화학 증폭형 레지스트용 네거티브 베이스 수지 및 그 제조 방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음

Claims (5)

  1. 하기식(I)로 표시되는 화학 증폭형 네거티브 레지스트용 베이스 수지.
    여기에서, m:n은 1:1 내지 1:2이다.
  2. 하기식(III)으로 표시되는 폴리하이드록시 스타이렌을 유기용매에 용해시켜 그 농도가 10 내지 20중량%가 되도록 하는 단계;
    상기 용액에, 상기 폴리하이드록시스타이렌중의 하이드록시스타이렌 반복단위 1몰에 대하여 50 내지 100몰%의 탄산칼슘을 투여하여 잘 혼합한 다음, 하기식(II)의 메틸메타크릴레이트 유도체 0.5 내지 0.7몰을 서서히 투여하는 단계; 및
    상기 단계에서 얻어진 혼합물을 60 내지 80℃에서 6 내지 8시간 동안 반응시킨 다음, 상기식 (I)로 표시되는 반응 생성물을 분리해내는 단계를 구비하는 것을 특징으로 하는 화학 증폭형 네거티브 레지스트용 베이스 수지의 제조방법.
  3. 제2항에 있어서, 상기 용매는 아세토니트릴, DMF로 이루어진 군에서 선택되는 하나인 것을 특징으로 하는 화학 증폭형 네거티브 레지스트용 베이스 수지의 제조방법.
  4. 제2항에 있어서, 상기 메틸메타크릴레이트 유도체는 메틸메타크릴레이트 클로라이드인 것을 특징으로 하는 화학 증폭형 네거티브 레지스트용 베이스 수지의 제조방법.
  5. 제2항에 있어서, 상기 메틸메타크릴레이트 유도체는 메틸메타크릴릭산(MMA)인 것을 특징으로 하는 화학 증폭형 네거티브 레지스트용 베이스 수지의 제조방법.
    ※ 참고사항:최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019950040717A 1995-11-10 1995-11-10 화학 증폭형 레지스트용 네거티브 베이스 수지 및 그 제조 방법 KR970028828A (ko)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN100335971C (zh) * 1997-12-02 2007-09-05 三星电子株式会社 化学放大抗蚀组合物

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