KR970028829A - 화학 증폭형 레지스트용 베이스 수지 및 그 제조 방법 - Google Patents

Abstract

본 발명의 화학 증폭형 레지스트용 베이스 수지 및 그 제조 방법에 관한 것으로서, 아래에 나타나 있는 바와 같이 본 발명의 방법에 따라 제조되는 공중합체는 골격이 고리 형태이면서도 이중 결합이 없으므로 193nm에서 투명하면서 에칭 내성 또한 뛰어나다. 따라서, 반도체 칩의 고집적화에 따라 새롭게 이용하는 ArF 엑시머 레이저의 파장(193nm)을 이용하는 리소그래피 공정에서 본 발명의 공중합체를 사용할 수 있다.

Description

화학 증폭형 레지스트용 베이스 수지 및 그 제조 방법

본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음

Claims (4)

1. 하기식(I)로 표시되는 화학 증폭형 레지스트용 베이스 수지.

   여기에서, R은 사이클로헥실, 페닐, C₁~C₅알킬기 또는 CF₃이고, x:y은 3.5:6.5 내지 5:5임.
2. 디-(t-부틸)말로네이트를 용매에 용해시켜 그 농도가 20 내지 30중량%가 되도록 하고, 상기 얻어진 용액에 탄산칼륨을 투여한 다음, 과량의 알릴브로마이드를 서서히 투여하고, 상기 얻어진 혼합물을 50 내지 80℃에서 10 내지 12시간 동안 반응시키는 과정을 거쳐 하기식(II)로 표시되는 반응 생성물을 제조하는 단계;

   알릴브로마이드를 에테르에 담은 다음, 활성화 마그네슘을 이용하여 그리냐로 반응시키고, 상기 용액에, 상기 알릴브로마이드에 대하여 50몰%의 하기식(III)로 표시되는 실란 유도체를 서서히 투여하고,

   상기 혼합물을 6 내지 8시간 동안 유지하는 과정을 거쳐 하기식(IV)로 표시되는 반응 생성물을 제조하는 단계; 및

   상기 반응 생성물(II)와 상기 반응 생성물(IV)를 1:1 내지 2:1몰비로 1,4-디옥산 용액에 넣은 다음, 중합 개시제를 투여하여 반응시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 화학 증폭형 레지스트용 베이스 수지의 제조 방법.

   여기에서, X는 Cl 또는 Br이고, R은 사이클로헥실, 페닐, C₁~C₅알킬기 또는 CF₃임.
3. 제2항에 있어서, 상기 중합개시제는 아조비스이소부티로 니트릴인 것을 특징으로 하는 화학 증폭형 레지스트용 베이스 수지의 제조 방법.
4. 제2항 또는 3항에 있어서, 상기 중합개시제는 상기식(II) 및 (IV)로 표시되는 화합물 총 몰에 대하여 2 내지 5몰%인 것을 특징으로 하는 화학 증폭형 레지스트용 베이스 수지의 제조 방법.

   ※ 참고사항:최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.