JP4530368B2 - 活性化エネルギーの低いケイ素含有レジスト・システム - Google Patents
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- 230000004913 activation Effects 0.000 title claims description 15
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 title description 8
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 title description 8
- 239000010703 silicon Substances 0.000 title description 7
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 82
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims description 64
- 239000002253 acid Substances 0.000 claims description 59
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 50
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 41
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 claims description 31
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 claims description 22
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims description 21
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 claims description 18
- 239000000178 monomer Substances 0.000 claims description 13
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 12
- -1 ketals Chemical class 0.000 claims description 12
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 125000004407 fluoroaryl group Chemical group 0.000 claims description 8
- 125000005348 fluorocycloalkyl group Chemical group 0.000 claims description 8
- 230000002401 inhibitory effect Effects 0.000 claims description 8
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 claims description 6
- 238000003776 cleavage reaction Methods 0.000 claims description 6
- 125000003367 polycyclic group Chemical group 0.000 claims description 6
- 150000001241 acetals Chemical class 0.000 claims description 5
- 230000007017 scission Effects 0.000 claims description 5
- 239000004971 Cross linker Substances 0.000 claims description 4
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 4
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 238000006555 catalytic reaction Methods 0.000 claims description 3
- 125000001153 fluoro group Chemical group F* 0.000 claims description 3
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 claims description 3
- 150000002905 orthoesters Chemical class 0.000 claims description 3
- 230000001737 promoting effect Effects 0.000 claims description 3
- 125000004430 oxygen atom Chemical group O* 0.000 claims description 2
- 125000004434 sulfur atom Chemical group 0.000 claims description 2
- 150000004292 cyclic ethers Chemical group 0.000 claims 1
- 125000005843 halogen group Chemical group 0.000 claims 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 77
- WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M tetramethylammonium hydroxide Chemical compound [OH-].C[N+](C)(C)C WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 24
- HZFQGYWRFABYSR-UHFFFAOYSA-N cyclohexanone enol methyl ether Natural products COC1=CCCCC1 HZFQGYWRFABYSR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 21
- 239000000463 material Substances 0.000 description 20
- 238000009472 formulation Methods 0.000 description 18
- 230000008569 process Effects 0.000 description 18
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 14
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 11
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 9
- 239000012670 alkaline solution Substances 0.000 description 8
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 8
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 8
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 8
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 description 8
- 239000006117 anti-reflective coating Substances 0.000 description 7
- 239000002585 base Substances 0.000 description 7
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 7
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 7
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 7
- LLHKCFNBLRBOGN-UHFFFAOYSA-N propylene glycol methyl ether acetate Chemical compound COCC(C)OC(C)=O LLHKCFNBLRBOGN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 7
- VDZOOKBUILJEDG-UHFFFAOYSA-M tetrabutylammonium hydroxide Chemical compound [OH-].CCCC[N+](CCCC)(CCCC)CCCC VDZOOKBUILJEDG-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 7
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N Oxalic acid Chemical compound OC(=O)C(O)=O MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000010511 deprotection reaction Methods 0.000 description 6
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 6
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 5
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 5
- FFUAGWLWBBFQJT-UHFFFAOYSA-N hexamethyldisilazane Chemical compound C[Si](C)(C)N[Si](C)(C)C FFUAGWLWBBFQJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 5
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 5
- 230000010363 phase shift Effects 0.000 description 5
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 5
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 5
- DHKHKXVYLBGOIT-UHFFFAOYSA-N acetaldehyde Diethyl Acetal Natural products CCOC(C)OCC DHKHKXVYLBGOIT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 4
- 238000011161 development Methods 0.000 description 4
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 4
- URQUNWYOBNUYJQ-UHFFFAOYSA-N diazonaphthoquinone Chemical compound C1=CC=C2C(=O)C(=[N]=[N])C=CC2=C1 URQUNWYOBNUYJQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- FJKIXWOMBXYWOQ-UHFFFAOYSA-N ethenoxyethane Chemical compound CCOC=C FJKIXWOMBXYWOQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 4
- 125000006239 protecting group Chemical group 0.000 description 4
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 4
- YEJRWHAVMIAJKC-UHFFFAOYSA-N 4-Butyrolactone Chemical compound O=C1CCCO1 YEJRWHAVMIAJKC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 3
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 3
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 description 3
- 238000005266 casting Methods 0.000 description 3
- 230000008859 change Effects 0.000 description 3
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 3
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 3
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 3
- 125000003709 fluoroalkyl group Chemical group 0.000 description 3
- RAXXELZNTBOGNW-UHFFFAOYSA-N imidazole Natural products C1=CNC=N1 RAXXELZNTBOGNW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 3
- 229920003986 novolac Polymers 0.000 description 3
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 3
- 229920005573 silicon-containing polymer Polymers 0.000 description 3
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 3
- JGTNAGYHADQMCM-UHFFFAOYSA-M 1,1,2,2,3,3,4,4,4-nonafluorobutane-1-sulfonate Chemical compound [O-]S(=O)(=O)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)F JGTNAGYHADQMCM-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- QUOCTKSEXQCBPE-UHFFFAOYSA-N 1,2-ditert-butyl-3-iodobenzene Chemical compound CC(C)(C)C1=CC=CC(I)=C1C(C)(C)C QUOCTKSEXQCBPE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QHMVQKOXILNZQR-UHFFFAOYSA-N 1-methoxyprop-1-ene Chemical compound COC=CC QHMVQKOXILNZQR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000001644 13C nuclear magnetic resonance spectroscopy Methods 0.000 description 2
- BUDQDWGNQVEFAC-UHFFFAOYSA-N Dihydropyran Chemical compound C1COC=CC1 BUDQDWGNQVEFAC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N Sulfur Chemical compound [S] NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000007513 acids Chemical class 0.000 description 2
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 2
- 125000003277 amino group Chemical group 0.000 description 2
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 2
- 230000002238 attenuated effect Effects 0.000 description 2
- 230000008033 biological extinction Effects 0.000 description 2
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000001732 carboxylic acid derivatives Chemical group 0.000 description 2
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 2
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 2
- AFYCEAFSNDLKSX-UHFFFAOYSA-N coumarin 460 Chemical compound CC1=CC(=O)OC2=CC(N(CC)CC)=CC=C21 AFYCEAFSNDLKSX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000004122 cyclic group Chemical group 0.000 description 2
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 2
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 2
- 238000000609 electron-beam lithography Methods 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 230000002708 enhancing effect Effects 0.000 description 2
- 230000009477 glass transition Effects 0.000 description 2
- 150000003949 imides Chemical class 0.000 description 2
- 125000001841 imino group Chemical group [H]N=* 0.000 description 2
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 238000004377 microelectronic Methods 0.000 description 2
- 235000006408 oxalic acid Nutrition 0.000 description 2
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 210000002381 plasma Anatomy 0.000 description 2
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 2
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 2
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 2
- 229940124530 sulfonamide Drugs 0.000 description 2
- 150000003456 sulfonamides Chemical class 0.000 description 2
- 239000011593 sulfur Substances 0.000 description 2
- LDMOEFOXLIZJOW-UHFFFAOYSA-N 1-dodecanesulfonic acid Chemical compound CCCCCCCCCCCCS(O)(=O)=O LDMOEFOXLIZJOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ILZVJFHNPUWKQQ-UHFFFAOYSA-N 1-ethoxycyclohexene Chemical compound CCOC1=CCCCC1 ILZVJFHNPUWKQQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ARXJGSRGQADJSQ-UHFFFAOYSA-N 1-methoxypropan-2-ol Chemical compound COCC(C)O ARXJGSRGQADJSQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RNIPJYFZGXJSDD-UHFFFAOYSA-N 2,4,5-triphenyl-1h-imidazole Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=NC(C=2C=CC=CC=2)=C(C=2C=CC=CC=2)N1 RNIPJYFZGXJSDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KTWCUGUUDHJVIH-UHFFFAOYSA-N 2-hydroxybenzo[de]isoquinoline-1,3-dione Chemical compound C1=CC(C(N(O)C2=O)=O)=C3C2=CC=CC3=C1 KTWCUGUUDHJVIH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JFUOAGBSDGCVES-UHFFFAOYSA-N 3-but-2-enyl-4-methylpyrrolidine-2,5-dione Chemical compound CC=CCC1C(C)C(=O)NC1=O JFUOAGBSDGCVES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- RWSOTUBLDIXVET-UHFFFAOYSA-N Dihydrogen sulfide Chemical class S RWSOTUBLDIXVET-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AVXURJPOCDRRFD-UHFFFAOYSA-N Hydroxylamine Chemical class ON AVXURJPOCDRRFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JVTAAEKCZFNVCJ-UHFFFAOYSA-M Lactate Chemical compound CC(O)C([O-])=O JVTAAEKCZFNVCJ-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- WLLGXSLBOPFWQV-UHFFFAOYSA-N MGK 264 Chemical compound C1=CC2CC1C1C2C(=O)N(CC(CC)CCCC)C1=O WLLGXSLBOPFWQV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DHXVGJBLRPWPCS-UHFFFAOYSA-N Tetrahydropyran Chemical compound C1CCOCC1 DHXVGJBLRPWPCS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920002359 Tetronic® Polymers 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 238000007171 acid catalysis Methods 0.000 description 1
- 229920006397 acrylic thermoplastic Polymers 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 125000002723 alicyclic group Chemical group 0.000 description 1
- 150000001408 amides Chemical class 0.000 description 1
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 description 1
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 1
- YBHILYKTIRIUTE-UHFFFAOYSA-N berberine Chemical compound C1=C2CC[N+]3=CC4=C(OC)C(OC)=CC=C4C=C3C2=CC2=C1OCO2 YBHILYKTIRIUTE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940093265 berberine Drugs 0.000 description 1
- QISXPYZVZJBNDM-UHFFFAOYSA-N berberine Natural products COc1ccc2C=C3N(Cc2c1OC)C=Cc4cc5OCOc5cc34 QISXPYZVZJBNDM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002860 competitive effect Effects 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 239000003431 cross linking reagent Substances 0.000 description 1
- 125000004093 cyano group Chemical group *C#N 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 125000005520 diaryliodonium group Chemical group 0.000 description 1
- 239000012954 diazonium Substances 0.000 description 1
- 150000008056 dicarboxyimides Chemical class 0.000 description 1
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 1
- KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N disiloxane Chemical class [SiH3]O[SiH3] KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 125000001033 ether group Chemical group 0.000 description 1
- UHKJHMOIRYZSTH-UHFFFAOYSA-N ethyl 2-ethoxypropanoate Chemical compound CCOC(C)C(=O)OCC UHKJHMOIRYZSTH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000001495 ethyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- WJLUBOLDZCQZEV-UHFFFAOYSA-M hexadecyl(trimethyl)azanium;hydroxide Chemical compound [OH-].CCCCCCCCCCCCCCCC[N+](C)(C)C WJLUBOLDZCQZEV-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- AQYSYJUIMQTRMV-UHFFFAOYSA-N hypofluorous acid Chemical compound FO AQYSYJUIMQTRMV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000671 immersion lithography Methods 0.000 description 1
- 238000002513 implantation Methods 0.000 description 1
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- PSHKMPUSSFXUIA-UHFFFAOYSA-N n,n-dimethylpyridin-2-amine Chemical compound CN(C)C1=CC=CC=N1 PSHKMPUSSFXUIA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000449 nitro group Chemical group [O-][N+](*)=O 0.000 description 1
- 150000007530 organic bases Chemical class 0.000 description 1
- 125000000962 organic group Chemical group 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 125000005010 perfluoroalkyl group Chemical group 0.000 description 1
- 150000002989 phenols Chemical class 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920001983 poloxamer Polymers 0.000 description 1
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 1
- 229920000058 polyacrylate Polymers 0.000 description 1
- 238000012805 post-processing Methods 0.000 description 1
- 238000003672 processing method Methods 0.000 description 1
- 238000000197 pyrolysis Methods 0.000 description 1
- 239000000376 reactant Substances 0.000 description 1
- 230000007261 regionalization Effects 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 150000004756 silanes Chemical class 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 150000003871 sulfonates Chemical class 0.000 description 1
- ISXSCDLOGDJUNJ-UHFFFAOYSA-N tert-butyl prop-2-enoate Chemical compound CC(C)(C)OC(=O)C=C ISXSCDLOGDJUNJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000003512 tertiary amines Chemical class 0.000 description 1
- 150000005622 tetraalkylammonium hydroxides Chemical class 0.000 description 1
- WTVXIBRMWGUIMI-UHFFFAOYSA-N trifluoro($l^{1}-oxidanylsulfonyl)methane Chemical group [O]S(=O)(=O)C(F)(F)F WTVXIBRMWGUIMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FAYMLNNRGCYLSR-UHFFFAOYSA-M triphenylsulfonium triflate Chemical compound [O-]S(=O)(=O)C(F)(F)F.C1=CC=CC=C1[S+](C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 FAYMLNNRGCYLSR-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
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- G03F7/004—Photosensitive materials
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Description
R=kλ/NA
式中、λは投影システムに使用される光源の波長を表わし、NAは使用される投影光学部品の開口数を表わす。「k」は、組み合わされたリソグラフィ・システムが理論的な解像度限界を実際にどの程度利用できるかを示す因子を表わし、それは標準露光システムについては約0.8から約0.5まで下がった範囲となり得る。同じサイズのハーフピッチ形状の理論的な寸法限界は、レジストに適用される露光量が強度の平方に等しいので、NA=1の場合、波長λの4分の1(k=0.25)であり、故に解像度はλ/4又はλ/2のピッチを超えては調節できない。最新世代の材料の各々において達成可能な解像度は、低k技術及び開口数の大きいツールを使用することによって、こうした限界に近づいている。157nmのリソグラフィに関して、非常に大きいが可能性としては製造可能な0.95のNA、最小k因子を用いる製造のために開発された最新のVUV波長(すなわち、λ/4)は約40nmに等しい。この加工寸法未満の像を得るためには、液浸リソグラフィ(immersion lithography)にて提供されるようにNAを>1に拡張するか、又は回折限界のない非光学リソグラフィ・システム、例えばいわゆる次世代リソグラフィ(NGL)を用いるという選択肢がある。これらNGLの最も有望なものは、極紫外線(EUV、軟x線とも呼ばれることもある)又は電子線リソグラフィ(EBL)である。
(a)基板を準備するステップと、
(b)レジスト組成物であって、(i)酸感応性像形成ポリマー及び(ii)放射線感応性酸発生剤を含み、この像形成ポリマーが、シルセスキオキサン骨格と、酸触媒による開裂のための活性化エネルギーが低い溶解抑制型ペンダント酸不安定部分とを含み、像形成ポリマーの少なくとも一部がフッ素化されており、光学密度の高い部分の存在を最小化又は回避するレジスト組成物を基板に塗布して、基板上にレジスト層を形成するステップと、
(c)基板を放射線でパターン状に露光し、それにより、レジスト層の露光された領域において放射線感応性酸発生剤によって酸が発生するステップと、
(d)レジスト層のパターン状の可溶部分を除去して、レジスト層にスペース・パターンを形成するステップと、
(e)スペース・パターンを基板に転写するステップと、
を含む。
(i)ポリマー構成成分の少なくとも一部はフッ素化部分を有し、
(ii)ポリマー構成成分の少なくとも一部は、酸触媒による開裂反応のための活性化エネルギーが低く、光学密度の高い部分の存在を最小化するか又は回避する、水性アルカリ溶液中でのレジストの溶解抑制型ペンダント酸不安定部分を有し、
(iii)ポリマー構成成分の少なくとも一部は、水性アルカリ溶液中でのレジストのアルカリ溶解を促進するペンダント極性部分を有する。
(a)基板を準備するステップと、
(b)レジスト組成物であって、(i)酸感応性像形成ポリマー及び(ii)放射線感応性酸発生剤を含み、この像形成ポリマーが、シルセスキオキサン骨格と、酸触媒による開裂のための活性化エネルギーが低い溶解抑制型ペンダント酸不安定部分とを含み、像形成ポリマーの少なくとも一部がフッ素化されているレジスト組成物を基板に塗布して、基板上にレジスト層を形成するステップと、
(c)基板を放射線でパターン状に露光し、それにより、レジスト層の露光された領域において放射線感応性酸発生剤によって酸が発生するステップと、
(d)レジスト層のパターン状の可溶部分を除去して、レジスト層にスペース・パターンを形成するステップと、
(e)スペース・パターンを基板に転写するステップと、
を含む。
露光されたレジスト層は、ベークされてレジスト層の露光部分における酸触媒反応を促進してもよい。
本発明は、実施例の詳細に限定されない。
25gの20重量%ポリ(2−ヒドロキシ−3,3,3−トリフルオロプロピルシルセスキオキサン)のPGMEA溶液に、約35mgのシュウ酸を添加した。酸を溶解した後、1.54gの1−メトキシシクロヘキセンをその溶液に添加し、攪拌しながら一晩、室温で反応を行った。次いで5gの塩基性活性酸化アルミニウムによって反応をクエンチした。C13NMRによってフルオロカルビノール基について保護レベルが25%であることが測定された。
100gの20重量%ポリ(2−ヒドロキシ−3,3,3−トリフルオロプロピルシルセスキオキサン)のPGMEA溶液に約60mgのシュウ酸を添加した。酸を溶解した後、12.56gの1−メトキシシクロヘキセンをその溶液に添加し、攪拌しながら一晩、室温で反応を行った。次いで7.2gの塩基性活性酸化アルミニウムによって反応をクエンチした。フラスコに窒素を流し、実質的にMOCHを除去した。C13NMRによってフルオロカルビノール基について保護レベルが40%であることが測定された。
異なるアセタール及びケタール保護されたFSQのための合成手順を、以下の表1に列挙される材料量で実施例1と同じ方法で行った。全ての反応を1.5gのAl2O3でクエンチした。
部分的に保護されたポリマー(実施例3から)を、0.4重量%(ポリマーに対して)水酸化テトラブチルアンモニウム(TBAH)及び3重量%のトリフェニルスルホニウムトリフレート(TPS TRF)及び200〜1000ppmのFLUORAD(登録商標)FC−430界面活性剤(3M Companyから入手可能)とをPGMEA溶媒中で混合することによって、レジスト配合物を得た。溶液中の固形分の総量は約14%であった。レジストをヘキサメチルジシラザン(HMDS)下塗りウエハにスピンコーティングした。膜を90〜100℃のホットプレート上で1分間ベーク(塗布後ベーク、すなわちPAB)した。25kVにてElectron Vision Group製のElectronCure(登録商標)−200Mで露光を行った。露光後、レジストを90〜110℃で1分間ベークするか、又は露光後ベーク(PEB)なしで30分間おき、次いで0.26NのTMAHで60〜75秒間現像した。次の表2は、異なるアセタール及びケタール保護されたポリマーを有するレジスト配合物が露呈した大きい区画をクリアにする露光量を列挙する。
実施例4のFSQ−25%MOCHを有するレジスト配合物を、AR40(Shipley Companyから入手可能なARC)コーティングウエハ上に3300rpmでスピンコーティングした。膜を110℃のホットプレートで1分間ベークした。減衰型位相シフトマスク(AttPSM)を用いて、NAが0.75のASML PAS5500/1100ツールにて露光を行った。露光後、レジストを90℃で1分間ベークし、次いで0.263NのTMAHを用いて60秒間現像した。8.5mJ/cm2にて105nmライン/スペース(l/s)像を解像した。このレジスト配合物は、VASE(登録商標)Ellipsometer(J.A.Woollam Co.Inc.から入手可能)を用いて測定される場合、1.52の屈折率(n)値を有し、0.030の消光係数(k)を有するが、比較として通常のあるポリアクリレート市販品の193nm単層レジストは、1.70の屈折率及び0.034の消光係数を有する。FSQ−25%MOCHと0.56重量%(ポリマーに対して)水酸化テトラブチルアンモニウム(TBAH)及び6.5重量%のジ(t−ブチル)フェニルヨードニウムペルフルオロブタンスルホネート及び200〜1000ppmのFC−430界面活性剤(3M Companyから入手可能)をPGMEA溶媒中で混合することによって別の配合物を得た。溶液中の固形分の総量は約14%であった。NAが0.75のASML PAS5500/1100ツールにて、attPSMマスクを用いて露光を行った。露光後、レジストを90℃で1分間ベークし、次いで0.263NのTMAHを用いて60秒間現像した。105nml/s像を29mJ/cm2で解像した。実施例4のFSQ−40%MOCHを有するレジスト配合物を、3000rpmにてAR40(Shipley Company製)ARCコーティングウエハにスピンコーティングした。膜をホットプレートにて100℃で1分間ベークした。NAが0.75のASML PAS5500/1100ツールにてattPSMマスクを用いて露光した。露光後、レジストを90℃で1分間ベークし、次いで0.263NのTMAHを用いて60秒間現像した。11mJ/cm2にて180nmピッチで80nmライン像を解像した。
実施例4のFSQ−25%MOCHを有するレジスト配合物を4500rpmにてHMDS下塗りウエハ上にスピンコーティングした。膜をホットプレートにて100℃で1分間ベークした。100kVのLeica露光システムにて露光を行った。露光後、レジストをPEBを行わずに通常の実験室環境に30分間置き、次いで0.263NのTMAHを用いて60秒間現像した。レジストラインが立った状態で高解像度の50nml/sの像が20μC/cm2にて得られ、ラインが倒れた状態で40nml/sの像を解像した。実施例3のFSQ−40%MOCHを有するレジスト配合物をPGMEAで希釈し、9%固形分レジストを形成し、次いで、HMDS下塗りウエハ上に3000rpmでスピンコーティングした。膜をホットプレートにて100℃で1分間ベークした。100kVのLeica露光システムにて露光を行った。露光後、レジストをPEBを行わずに通常の実験室環境に30分間置き、次いで0.263NのTMAHを用いて60秒間現像した。32μC/cm2にて、ラインの間に若干の残留物があったが高解像度の30nml/s像が得られた。
実施例4のFSQ−EVEを有するレジスト配合物を、3800rpmにてAR40 ARCコーティングウエハにスピンコーティングした。膜をホットプレートにて110℃で1分間ベークした。NAが0.75のASML PAS5500/1100ツールにてattPSMマスクを用いて露光を行った。露光後、レジストを90℃で1分間ベークし、次いで0.263NのTMAHを用いて60秒間現像した。11mJ/cm2にて105nml/s像を解像した。
実施例4のFSQ−25%MOCHを有するレジスト配合物をDUV30J(Brewer Science,Inc.から入手可能)ARCコーティングウエハ上にスピンコーティングし、厚さ約150nmのレジストを得た。膜をホットプレートにて100℃で1分間ベークした。Exitech,Inc.から入手可能な、0.85NA及び0.3シグマの153nmステッパにて、交互位相シフトマスク(altPSM)を用いて露光を行った。露光後、レジストを50℃で1分間ベークし、次いで0.263NのTMAHで60秒間現像した。86mJ/cm2にて60nml/s像を解像した。実施例3のFSQ−25%MOCHを有するレジスト配合物をDUV30J ARCコーティングウエハ上にスピンコーティングし、厚さ約150nmのレジストを得た。膜をホットプレートにて100℃で1分間ベークした。Exitech,Inc.から入手可能な、0.85NA及び0.3シグマの153nmステッパにてaltPSMを用いて露光した。露光後、レジストを50℃で1分間ベークし、次いで0.263NのTMAHで60秒間現像した。106mJ/cm2にて55nml/s像を解像した。
活性化エネルギーの低い配合物(低Eaレジスト):実施例4におけるようなFSQ−40%MOCHのレジスト配合物。
活性化エネルギーの高い配合物(高Eaレジスト):ポリ[2−ヒドロキシ−3,3,3−トリフルオロプロピルシルセスキオキサン−co−5−(2−t−ブトキシ−カルボニル)ノルボニルシルセスキオキサン]と0.5重量%(ポリマーに対して)のトリフェニルイミダゾール及び5重量%のジ(t−ブチル)フェニルヨードニウムペルフルオロブタンスルホネート及び3.9%の(ペルフルオロブタンスルホニルオキシ)−ビシクロ[2,2,1]ヘプト−5−エン−2,3−ジカルボキシイミド及び200〜1000ppmのFC−430界面活性剤をPGMEA溶媒中で混合することによってレジスト配合物を得た。溶液中の固形分総量は約11%であった。
低活性化レジストは実施例5及び8と同様に処理したが、高活性化レジストは130℃/60秒PAB及び110℃/60秒PEBでベークした。193nmについては位相シフトマスク(PSM)、157nmについてはクロム−オン−ガラス(COG)マスクを用いて同じ露光ツールにより比較を行ったので、結果を表3に示す。
Claims (13)
- 酸感応性像形成ポリマーと、
放射線感応性酸発生剤と、
を含むレジスト組成物であって、
前記像形成ポリマーが、シルセスキオキサン骨格と、酸触媒による開裂のための活性化エネルギーが20Kcal/molより低い溶解抑制型ペンダント酸不安定部分とを含み、前記酸不安定部分は室温で開裂可能であり、前記像形成ポリマーの少なくとも一部はフッ素化されたレジストであり、前記像形成ポリマーはモノマー単位(II)及び(III)からなり、前記モノマー単位(II)及び(III)が次式によって示され、
各Xは、酸素原子、硫黄原子、NR3、直鎖アルキル、分枝鎖アルキル、フッ素化直鎖アルキル、フッ素化分枝鎖アルキル、フルオロシクロアルキル、又はフルオロアリールからなる群から個別に選択され、pは1又は0の値をもつ整数であり、
各Yは、直鎖アルキル、分枝鎖アルキル、フッ素化直鎖アルキル、フッ素化分枝鎖アルキル、フルオロシクロアルキル、又はフルオロアリールからなる群から個別に選択され、qは1又は0の値をもつ整数であり、
各R4は、フッ素原子、フッ素化直鎖アルキル、フッ素化分枝鎖アルキル、フルオロシクロアルキル、フルオロアリール、又はこれらのいずれかの組み合わせからなる群から個別に選択されたものであり、
各R5は、個別の溶解抑制基であり、
各R6は、個別の溶解促進基であることを特徴とする
レジスト組成物。 - 前記溶解抑制型ペンダント酸不安定部分が、アセタール、ケタール、オルトエステル、及びこれらのフッ素化形態からなる群から選択されたものである、請求項1に記載のレジスト組成物。
- 前記溶解抑制型ペンダント酸不安定部分の少なくとも一部がフッ素化されている、請求項1に記載のレジスト組成物。
- 前記R 5 が、1−メトキシシクロヘキシル基、1−エトキシエチル基、1−エトキシシクロヘキシル基、2−メトキシプロピル基、及び、2−テトラヒドロピラニル基よりなる群から選ばれた基である、請求項1に記載のレジスト組成物。
- 前記R 5 が、1−メトキシシクロヘキシル基である、請求項1に記載のレジスト組成物。
- 前記像形成ポリマーが、800から500,000の重量平均分子量を有する、請求項1に記載のレジスト組成物。
- 基板上に構造体を形成する方法であって、
(a)基板を準備するステップと、
(b)前記基板に請求項1乃至7のいずれか1つに記載のレジスト組成物を塗布して、前記基板上にレジスト層を形成するステップと、
(c)前記基板を放射線でパターン状に露光し、それにより、前記レジスト層の露光された領域において前記放射線感応性酸発生剤によって酸が発生するステップと、
(d)前記レジスト層のパターン状の可溶部分を除去して、前記レジスト層にスペース・パターンを形成するステップと、
(e)前記基板に前記スペース・パターンを転写するステップと、
を含む方法。 - パターン状に露光する前記ステップ(c)の後に、前記露光されたレジスト層をベークして、前記レジスト層の露光部分における酸触媒反応を促進するステップをさらに含む、請求項8に記載の方法。
- 前記基板上に平坦化層を形成するステップをさらに含み、前記レジスト層は、前記平坦化層に直接塗布される、請求項8に記載の方法。
- 前記平坦化層が下層組成物を含み、前記下層組成物は、
(A)前記下層組成物が別の架橋剤を必要としない場合には、(i)環状エーテル部分、(ii)飽和多環式部分、及び(iii)芳香族部分を含むポリマーを、
(B)前記下層組成物が別の架橋剤を必要とする場合には、(i)飽和多環式部分、及び(ii)芳香族部分を含むポリマー、
を含む、請求項10に記載の方法。 - 前記下層組成物がさらに、フッ素化多環式部分、フッ素化芳香族部分、又はこれらの組み合わせを含む、請求項11に記載の方法。
- 前記転写するステップがさらに、堆積すること、注入すること、及びエッチングすることからなる群から選択された方法を含む、請求項8に記載の方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US10/693,199 US6939664B2 (en) | 2003-10-24 | 2003-10-24 | Low-activation energy silicon-containing resist system |
PCT/US2004/035253 WO2005040918A2 (en) | 2003-10-24 | 2004-10-22 | Low-activation energy silicon-containing resist system |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007512549A JP2007512549A (ja) | 2007-05-17 |
JP2007512549A5 JP2007512549A5 (ja) | 2007-11-22 |
JP4530368B2 true JP4530368B2 (ja) | 2010-08-25 |
Family
ID=34522329
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006536874A Expired - Fee Related JP4530368B2 (ja) | 2003-10-24 | 2004-10-22 | 活性化エネルギーの低いケイ素含有レジスト・システム |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6939664B2 (ja) |
EP (1) | EP1678556A4 (ja) |
JP (1) | JP4530368B2 (ja) |
KR (1) | KR100773011B1 (ja) |
CN (1) | CN100561337C (ja) |
WO (1) | WO2005040918A2 (ja) |
Families Citing this family (27)
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---|---|---|---|---|
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US7432042B2 (en) * | 2003-12-03 | 2008-10-07 | United Microelectronics Corp. | Immersion lithography process and mask layer structure applied in the same |
JP4494060B2 (ja) * | 2004-03-30 | 2010-06-30 | 東京応化工業株式会社 | ポジ型レジスト組成物 |
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-
2003
- 2003-10-24 US US10/693,199 patent/US6939664B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2004
- 2004-10-22 CN CNB2004800311819A patent/CN100561337C/zh not_active Expired - Fee Related
- 2004-10-22 JP JP2006536874A patent/JP4530368B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2004-10-22 KR KR1020067007410A patent/KR100773011B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2004-10-22 EP EP04796270A patent/EP1678556A4/en not_active Withdrawn
- 2004-10-22 WO PCT/US2004/035253 patent/WO2005040918A2/en active Search and Examination
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP1678556A4 (en) | 2010-01-13 |
US6939664B2 (en) | 2005-09-06 |
KR100773011B1 (ko) | 2007-11-05 |
JP2007512549A (ja) | 2007-05-17 |
KR20060089739A (ko) | 2006-08-09 |
WO2005040918A2 (en) | 2005-05-06 |
CN100561337C (zh) | 2009-11-18 |
EP1678556A2 (en) | 2006-07-12 |
WO2005040918A3 (en) | 2005-12-15 |
US20050089792A1 (en) | 2005-04-28 |
CN1871550A (zh) | 2006-11-29 |
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RD14 | Notification of resignation of power of sub attorney |
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |