JP2007512549A5 - - Google Patents
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Claims (13)
- 酸感応性像形成ポリマーと、
放射線感応性酸発生剤と、
を含むレジスト組成物であって、
前記像形成ポリマーが、シルセスキオキサン骨格と、酸触媒による開裂のための活性化
エネルギーが約20Kcal/molより低い溶解抑制型ペンダント酸不安定部分とを含
み、前記酸不安定部分は室温で開裂可能であり、前記像形成ポリマーの少なくとも一部は
フッ素化されたレジストであり、前記像形成ポリマーはモノマー単位(II)及び(II
I)、(III)及び(IV)又は単位(II)及び(V)を含み、前記モノマー単位(
II)及び(III)が次式によって示され、
化直鎖アルキル、フッ素化分枝鎖アルキル、フルオロシクロアルキル、フルオロアリール、又はこれらのいずれかの組み合わせからなる群から個別に選択されたものであり、
各Xは、酸素原子、硫黄原子、NR3、直鎖アルキル、分枝鎖アルキル、フッ素化直鎖
アルキル、フッ素化分枝鎖アルキル、フルオロシクロアルキル、又はフルオロアリールか
らなる群から個別に選択され、pは1又は0の値をもつ整数であり、
各Yは、直鎖アルキル、分枝鎖アルキル、フッ素化直鎖アルキル、フッ素化分枝鎖アル
キル、フルオロシクロアルキル、又はフルオロアリールからなる群から個別に選択され、
qは1又は0の値をもつ整数であり、
各R4は、フッ素原子、フッ素化直鎖アルキル、フッ素化分枝鎖アルキル、フルオロシ
クロアルキル、フルオロアリール、又はこれらのいずれかの組み合わせからなる群から個
別に選択されたものであり、
各R5は、個別の溶解抑制基であり、
各R6は、個別の溶解促進基であり、
前記モノマー単位(IV)及び(V)が次式によって示される、
- 前記像形成ポリマーがさらに、ペンダント溶解促進部分を含む、請求項1に記載のレジ
スト組成物。 - 前記ペンダント溶解促進部分が、ヒドロキシル基、フルオロアルコール基、カルボン酸
基、アミノ基、イミノ基、フッ素化イミノ基、及びフッ素化アミノ基からなる群から選択
されたものである、請求項2に記載のレジスト組成物。 - 前記溶解抑制型ペンダント酸不安定部分が、アセタール、ケタール、オルトエステル、
及びこれらのフッ素化形態からなる群から選択されたものである、請求項1に記載のレジ
スト組成物。 - 前記溶解抑制型ペンダント酸不安定部分の少なくとも一部がフッ素化されている、請求
項1に記載のレジスト組成物。 - 前記溶解促進部分の少なくとも一部がフッ素化されている、請求項2に記載のレジスト
組成物。 - 前記像形成ポリマーが、800から500,000の重量平均分子量を有する、請求項1に記載のレジスト組成物。
- 基板上に構造体を形成する方法であって、
(a)基板を準備するステップと、
(b)前記基板に請求項1乃至7のレジスト組成物を塗布して、前記基板上にレジスト層を形成するステップと、
(c)前記基板を放射線でパターン状に露光し、それにより、前記レジスト層の露光された領域において前記放射線感応性酸発生剤によって酸が発生するステップと、
(d)前記レジスト層のパターン状の可溶部分を除去して、前記レジスト層にスペース
・パターンを形成するステップと、
(e)前記基板に前記スペース・パターンを転写するステップと、
を含む方法。 - パターン状に露光する前記ステップ(c)の後に、前記露光されたレジスト層をベーク
して、前記レジスト層の露光部分における酸触媒反応を促進するステップをさらに含む、
請求項8に記載の方法。 - 前記基板上に平坦化層を形成するステップをさらに含み、前記レジスト層は、前記平坦
化層に直接塗布される、請求項8に記載の方法。 - 前記平坦化層が下層組成物を含み、前記下層組成物は、
(A)前記下層組成物が別の架橋剤を必要としない場合には、(i)環状エーテル部分、(ii)飽和多環式部分、及び(iii)芳香族部分を含むポリマーを、
(B)前記下層組成物が別の架橋剤を必要とする場合には、(i)飽和多環式部分、及
び(ii)芳香族部分を含むポリマー、
を含む、請求項10に記載の方法。 - 前記下層組成物がさらに、フッ素化多環式部分、フッ素化芳香族部分、又はこれらの組
み合わせを含む、請求項11に記載の方法。 - 前記転写するステップがさらに、堆積すること、注入すること、及びエッチングすることからなる群から選択された方法を含む、請求項8に記載の方法。
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US7781141B2 (en) * | 2004-07-02 | 2010-08-24 | Rohm And Haas Electronic Materials Llc | Compositions and processes for immersion lithography |
US7320855B2 (en) * | 2004-11-03 | 2008-01-22 | International Business Machines Corporation | Silicon containing TARC/barrier layer |
US7659050B2 (en) * | 2005-06-07 | 2010-02-09 | International Business Machines Corporation | High resolution silicon-containing resist |
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US8404427B2 (en) * | 2005-12-28 | 2013-03-26 | Fujifilm Corporation | Photosensitive composition, and pattern-forming method and resist film using the photosensitive composition |
US7407736B2 (en) * | 2006-01-31 | 2008-08-05 | International Business Machines Corporation | Methods of improving single layer resist patterning scheme |
US8945808B2 (en) * | 2006-04-28 | 2015-02-03 | International Business Machines Corporation | Self-topcoating resist for photolithography |
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US7704670B2 (en) * | 2006-06-22 | 2010-04-27 | Az Electronic Materials Usa Corp. | High silicon-content thin film thermosets |
JP4943428B2 (ja) * | 2006-06-28 | 2012-05-30 | 東京応化工業株式会社 | 感光性樹脂組成物及びパターン形成方法 |
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US8026040B2 (en) | 2007-02-20 | 2011-09-27 | Az Electronic Materials Usa Corp. | Silicone coating composition |
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US20090104566A1 (en) * | 2007-10-19 | 2009-04-23 | International Business Machines Corporation | Process of multiple exposures with spin castable film |
WO2009096420A1 (ja) * | 2008-01-31 | 2009-08-06 | Showa Denko K.K. | 凹凸パターン形成方法、およびそれを利用した磁気記録媒体の製造方法 |
EP2199855B1 (en) * | 2008-12-19 | 2016-07-20 | Obducat | Methods and processes for modifying polymer material surface interactions |
EP2199854B1 (en) * | 2008-12-19 | 2015-12-16 | Obducat AB | Hybrid polymer mold for nano-imprinting and method for making the same |
US8932796B2 (en) * | 2011-11-10 | 2015-01-13 | International Business Machines Corporation | Hybrid photoresist composition and pattern forming method using thereof |
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Family Cites Families (26)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JPH07140666A (ja) * | 1993-06-04 | 1995-06-02 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | マイクロリトグラフィックレジスト組成物、酸不安定化合物、マイクロリトグラフィックレリーフ画像形成方法及び酸感知性ポリマー組成物 |
JP2697680B2 (ja) * | 1995-05-31 | 1998-01-14 | 日本電気株式会社 | 珪素含有高分子化合物および感光性樹脂組成物 |
JP3505990B2 (ja) * | 1997-01-31 | 2004-03-15 | 信越化学工業株式会社 | 高分子シリコーン化合物、化学増幅ポジ型レジスト材料及びパターン形成方法 |
US5985524A (en) * | 1997-03-28 | 1999-11-16 | International Business Machines Incorporated | Process for using bilayer photoresist |
JP3533951B2 (ja) * | 1997-08-06 | 2004-06-07 | 信越化学工業株式会社 | 高分子シリコーン化合物、レジスト材料及びパターン形成方法 |
KR100452670B1 (ko) * | 1997-08-06 | 2005-10-11 | 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 | 고분자실리콘화합물,레지스트재료및패턴형성방법 |
US6037097A (en) * | 1998-01-27 | 2000-03-14 | International Business Machines Corporation | E-beam application to mask making using new improved KRS resist system |
US6087064A (en) * | 1998-09-03 | 2000-07-11 | International Business Machines Corporation | Silsesquioxane polymers, method of synthesis, photoresist composition, and multilayer lithographic method |
US6225403B1 (en) * | 1999-02-03 | 2001-05-01 | Barry R. Knowlton | Method and composition for treating fibrous substrates to impart oil, water and dry soil repellency |
US6227546B1 (en) | 1999-03-26 | 2001-05-08 | Jetseal, Inc. | Resilient seal and method of using a resilient seal |
KR100725462B1 (ko) * | 1999-12-06 | 2007-06-07 | 후지필름 가부시키가이샤 | 포지티브 포토레지스트 조성물 |
US6444408B1 (en) * | 2000-02-28 | 2002-09-03 | International Business Machines Corporation | High silicon content monomers and polymers suitable for 193 nm bilayer resists |
US20010036594A1 (en) * | 2000-03-28 | 2001-11-01 | Fujitsu Limited | Resist composition for use in chemical amplification and method for forming a resist pattern thereof |
US6531260B2 (en) * | 2000-04-07 | 2003-03-11 | Jsr Corporation | Polysiloxane, method of manufacturing same, silicon-containing alicyclic compound, and radiation-sensitive resin composition |
JP3410707B2 (ja) * | 2000-04-19 | 2003-05-26 | 松下電器産業株式会社 | パターン形成材料及びパターン形成方法 |
KR100555285B1 (ko) * | 2000-06-02 | 2006-03-03 | 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 | 고분자 화합물, 레지스트 조성물 및 패턴 형성 방법 |
US6420088B1 (en) * | 2000-06-23 | 2002-07-16 | International Business Machines Corporation | Antireflective silicon-containing compositions as hardmask layer |
US6420084B1 (en) * | 2000-06-23 | 2002-07-16 | International Business Machines Corporation | Mask-making using resist having SIO bond-containing polymer |
JP2002082437A (ja) * | 2000-09-06 | 2002-03-22 | Fuji Photo Film Co Ltd | ポジ型フォトレジスト組成物 |
US20020081520A1 (en) * | 2000-12-21 | 2002-06-27 | Ratnam Sooriyakumaran | Substantially transparent aqueous base soluble polymer system for use in 157 nm resist applications |
US7261992B2 (en) * | 2000-12-21 | 2007-08-28 | International Business Machines Corporation | Fluorinated silsesquioxane polymers and use thereof in lithographic photoresist compositions |
JP3900246B2 (ja) * | 2001-03-13 | 2007-04-04 | 信越化学工業株式会社 | 高分子化合物、レジスト材料及びパターン形成方法 |
JP4061454B2 (ja) * | 2001-03-13 | 2008-03-19 | 信越化学工業株式会社 | 高分子化合物、レジスト材料及びパターン形成方法 |
JP3931951B2 (ja) * | 2001-03-13 | 2007-06-20 | 信越化学工業株式会社 | 高分子化合物、レジスト材料及びパターン形成方法 |
EP1270553B1 (en) * | 2001-06-29 | 2009-11-18 | JSR Corporation | Acid generator, sulfonic acid, sulfonic acid derivatives and radiation-sensitive resin composition |
US7244549B2 (en) * | 2001-08-24 | 2007-07-17 | Jsr Corporation | Pattern forming method and bilayer film |
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