JP2000159758A5 - - Google Patents

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  1. 下記一般式(1)で示されるラクトン含有化合物。
    Figure 2000159758
    (式中、R1は水素原子、メチル基又はCH2CO25を示す。R2は水素原子、メチル基又はCO25を示す。R3は水素原子、又は炭素数1〜8の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基を示す。R4は水素原子又はCO25を示す。R5は炭素数1〜15の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基を示す。XはC2CH2、O又はSを示す。)
  2. 下記一般式(1a)で示される単位を構成単位として含有することを特徴とする重量平均分子量1,000〜500,000の高分子化合物。
    Figure 2000159758
    (式中、R1 は水素原子、メチル基又はCH 2 CO 2 5 を示す。R 2 は水素原子、メチル基又はCO 2 5 を示す。R 3 は水素原子、又は炭素数1〜8の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基を示す。R 4 は水素原子又はCO 2 5 を示す。R 5 は炭素数1〜15の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基を示す。XはCH 2 CH 2 、O又はSを示す。)
  3. 下記一般式(1)で示されるラクトン含有化合物。
    Figure 2000159758
    (式中、R 1 は水素原子、メチル基又はCH 2 CO 2 5 を示す。R 2 は水素原子、メチル基又はCO 2 5 を示す。R 3 は水素原子、又は炭素数1〜8の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基を示す。R 5 は炭素数1〜15の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基を示す。XはCH 2 、CH 2 CH 2 、O又はSを示す。)
  4. 下記一般式(1a)で示される単位を構成単位として含有することを特徴とする重量平均分子量1,000〜500,000の高分子化合物。
    Figure 2000159758
    (式中、R 1 は水素原子、メチル基又はCH 2 CO 2 5 を示す。R 2 は水素原子、メチル基又はCO 2 5 を示す。R 3 は水素原子、又は炭素数1〜8の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基を示す。R 5 は炭素数1〜15の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基を示す。XはCH 2 、CH 2 CH 2 、O又はSを示す。)
  5. 更に下記式(2a)〜(10a)で示される単位の1種又は2種以上を構成単位として含有する請求項2に記載の高分子化合物。
    Figure 2000159758
    (式中、R1、R2は上記と同様である。R6は水素原子、炭素数1〜15のカルボキシ基又は水酸基を含有する1価の炭化水素基を示す。R7〜R10の少なくとも1個は炭素数1〜15のカルボキシ基又は水酸基を含有する1価の炭化水素基を示し、残りはそれぞれ独立に水素原子又は炭素数1〜15の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基を示す。R7〜R10は互いに環を形成していてもよく、その場合にはR7〜R10の少なくとも1個は炭素数1〜15のカルボキシ基又は水酸基を含有する2価の炭化水素基を示し、残りはそれぞれ独立に単結合又は炭素数1〜15の直鎖状、分岐状又は環状のアルキレン基を示す。R11は炭素数3〜15の−CO2−部分構造を含有する1価の炭化水素基を示す。R12〜R15の少なくとも1個は炭素数2〜15の−CO2−部分構造を含有する1価の炭化水素基を示し、残りはそれぞれ独立に水素原子又は炭素数1〜15の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基を示す。R12〜R15は互いに環を形成していてもよく、その場合にはR12〜R15の少なくとも1個は炭素数1〜15の−CO2−部分構造を含有する2価の炭化水素基を示し、残りはそれぞれ独立に単結合又は炭素数1〜15の直鎖状、分岐状又は環状のアルキレン基を示す。R16は炭素数7〜15の多環式炭化水素基又は多環式炭化水素基を含有するアルキル基を示す。R17は酸不安定基を示す。kは0又は1である。)
  6. 更に下記式(2a)〜(10a)で示される単位の1種又は2種以上を構成単位として含有する請求項4に記載の高分子化合物。
    Figure 2000159758
    (式中、R 1 、R 2 は上記と同様である。R 6 は水素原子、炭素数1〜15のカルボキシ基又は水酸基を含有する1価の炭化水素基を示す。R 7 〜R 10 の少なくとも1個は炭素数1〜15のカルボキシ基又は水酸基を含有する1価の炭化水素基を示し、残りはそれぞれ独立に水素原子又は炭素数1〜15の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基を示す。R 7 〜R 10 は互いに環を形成していてもよく、その場合にはR 7 〜R 10 の少なくとも1個は炭素数1〜15のカルボキシ基又は水酸基を含有する2価の炭化水素基を示し、残りはそれぞれ独立に単結合又は炭素数1〜15の直鎖状、分岐状又は環状のアルキレン基を示す。R 11 は炭素数3〜15の−CO 2 −部分構造を含有する1価の炭化水素基を示す。R 12 〜R 15 の少なくとも1個は炭素数2〜15の−CO 2 −部分構造を含有する1価の炭化水素基を示し、残りはそれぞれ独立に水素原子又は炭素数1〜15の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基を示す。R 12 〜R 15 は互いに環を形成していてもよく、その場合にはR 12 〜R 15 の少なくとも1個は炭素数1〜15の−CO 2 −部分構造を含有する2価の炭化水素基を示し、残りはそれぞれ独立に単結合又は炭素数1〜15の直鎖状、分岐状又は環状のアルキレン基を示す。R 16 は炭素数7〜15の多環式炭化水素基又は多環式炭化水素基を含有するアルキル基を示す。R 17 は酸不安定基を示す。kは0又は1である。)
  7. 下記一般式(1a)で示される単位と下記式(2a)で示される単位と下記式(5a)で示される単位とを構成単位として含有することを特徴とする重量平均分子量1,000〜500,000の高分子化合物。
    Figure 2000159758
    (式中、R 1 は水素原子、メチル基又はCH 2 CO 2 5 を示す。R 2 は水素原子、メチル基 又はCO 2 5 を示す。R 3 は水素原子、又は炭素数1〜8の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基を示す。R 4 は水素原子又はCO 2 5 を示す。R 5 は炭素数1〜15の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基を示す。XはCH 2 、CH 2 CH 2 、O又はSを示す。R 6 はカルボキシ基を含有する直鎖状又は分岐状のアルキル基、カルボキシシクロペンチル基、カルボキシシクロヘキシル基、及び水酸基を含有する直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基から選ばれる基、R 17 は酸不安定基を示す。)
  8. 下記一般式(1a)で示される単位と下記式(2a)で示される単位と下記式(4a)で示される単位とを構成単位として含有することを特徴とする重量平均分子量1,000〜500,000の高分子化合物。
    Figure 2000159758
    (式中、R 1 は水素原子、メチル基又はCH 2 CO 2 5 を示す。R 2 は水素原子、メチル基又はCO 2 5 を示す。R 3 は水素原子、又は炭素数1〜8の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基を示す。R 4 は水素原子又はCO 2 5 を示す。R 5 は炭素数1〜15の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基を示す。XはCH 2 、CH 2 CH 2 、O又はSを示す。R 6 は水素原子、カルボキシ基を含有する直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基、水酸基を含有する直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基から選ばれる基、R 16 は炭素数7〜15の多環式炭化水素基又は多環式炭化水素基を含有するアルキル基を示す。)
  9. 更に、下記一般式(5a)で示される単位を含有する請求項8記載の高分子化合物。
    Figure 2000159758
    (式中、R 1 、R 2 は上記の通り。R 17 は酸不安定基を示す。)
  10. 下記一般式(1a)で示される単位と下記式(6a)〜(9a)で示されるいずれかの単位とを構成単位として含有することを特徴とする重量平均分子量1,000〜500,000の高分子化合物。
    Figure 2000159758
    (式中、R 1 は水素原子、メチル基又はCH 2 CO 2 5 を示す。R 2 は水素原子、メチル基又はCO 2 5 を示す。R 3 は水素原子、又は炭素数1〜8の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基を示す。R 4 は水素原子又はCO 2 5 を示す。R 5 は炭素数1〜15の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基を示す。XはCH 2 、CH 2 CH 2 、O又はSを示す。R 7 〜R 10 の少なくとも1個は炭素数1〜15のカルボキシ基又は水酸基を含有する1価の炭化水素基を示し、残りはそれぞれ独立に水素原子又は炭素数1〜15の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基を示す。R 7 〜R 10 は互いに環を形成していてもよく、その場合にはR 7 〜R 10 の少なくとも1個は炭素数1〜15のカルボキシ基又は水酸基を含有する2価の炭化水素基を示し、残りはそれぞれ独立に単結合又は炭素数1〜15の直鎖状、分岐状又は環状のアルキレン基を示す。R 11 は炭素数3〜15の−CO 2 −部分構造を含有する1価の炭化水素基を示す。R 12 〜R 15 の少なくとも1個は炭素数2〜15の−CO 2 −部分構造を含有する1価の炭化水素基を示し、残りはそれぞれ独立に水素原子又は炭素数1〜15の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基を示す。R 12 〜R 15 は互いに環を形成していてもよく、その場合にはR 12 〜R 15 の少なくとも1個は炭素数1〜15の−CO 2 −部分構造を含有する2価の炭化水素基を示し、残りはそれぞれ独立に単結合又は炭素数1〜15の直鎖状、分岐状又は環状のアルキレン基を示す。R 16 は炭素数7〜15の多環式炭化水素基又は多環式炭化水素基を含有するアルキル基を示す。R 17 は酸不安定基を示す。kは0又は1である。)
  11. 下記一般式(1a)で示される単位と下記式(10a)で示される単位とを構成単位として含有することを特徴とする重量平均分子量1,000〜500,000の高分子化合物。
    Figure 2000159758
    (式中、R 1 は水素原子、メチル基又はCH 2 CO 2 5 を示す。R 2 は水素原子、メチル基又はCO 2 5 を示す。R 3 は水素原子、又は炭素数1〜8の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基を示す。R 4 は水素原子又はCO 2 5 を示す。R 5 は炭素数1〜15の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基を示す。XはCH 2 、CH 2 CH 2 、O又はSを示す。)
  12. 請求項1又は3に記載のラクトン含有化合物及び炭素−炭素二重結合を含有する別の化合物をラジカル重合又はアニオン重合させることを特徴とする高分子化合物の製造方法。
  13. 請求項2及び4〜11のいずれか1項に記載の高分子化合物を含むことを特徴とするレジスト材料。
  14. 請求項2及び4〜11のいずれか1項に記載の高分子化合物と高エネルギー線もしくは電子線に感応して酸を発生する化合物と有機溶剤とを含むことを特徴とするレジスト材料。
  15. 請求項13又は14に記載のレジスト材料を基盤上に塗布する工程と、加熱処理後フォトマスクを介して高エネルギー線もしくは電子線で露光する工程と、必要に応じて加熱処理した後現像液を用いて現像する工程とを含むことを特徴とするパターン形成方法。
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Families Citing this family (165)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW457277B (en) * 1998-05-11 2001-10-01 Shinetsu Chemical Co Ester compounds, polymers, resist composition and patterning process
KR100382960B1 (ko) * 1998-07-03 2003-05-09 닛뽕덴끼 가부시끼가이샤 락톤 구조를 갖는 (메트)아크릴레이트 유도체, 중합체,포토레지스트 조성물, 및 이것을 사용한 패턴 형성 방법
US6596458B1 (en) * 1999-05-07 2003-07-22 Fuji Photo Film Co., Ltd. Positive-working photoresist composition
JP4358940B2 (ja) * 1999-08-26 2009-11-04 丸善石油化学株式会社 シクロヘキサンラクトン構造を有する重合性化合物及び重合体
EP1085379B1 (en) * 1999-09-17 2006-01-04 JSR Corporation Radiation-sensitive resin composition
JP3969909B2 (ja) * 1999-09-27 2007-09-05 富士フイルム株式会社 ポジ型フォトレジスト組成物
JP3444821B2 (ja) * 1999-10-06 2003-09-08 富士写真フイルム株式会社 ポジ型フォトレジスト組成物
JP3734012B2 (ja) * 1999-10-25 2006-01-11 信越化学工業株式会社 レジスト材料及びパターン形成方法
US6524765B1 (en) * 1999-11-15 2003-02-25 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Polymer, resist composition and patterning process
TWI225184B (en) 2000-01-17 2004-12-11 Shinetsu Chemical Co Chemical amplification type resist composition
TWI294440B (ja) * 2000-02-16 2008-03-11 Shinetsu Chemical Co
CN1210623C (zh) 2000-04-04 2005-07-13 住友化学工业株式会社 化学放大型正光刻胶组合物
US6808860B2 (en) 2000-04-17 2004-10-26 Fuji Photo Film Co., Ltd. Positive photoresist composition
JP3444844B2 (ja) * 2000-07-17 2003-09-08 富士写真フイルム株式会社 ポジ型フォトレジスト組成物
US6306554B1 (en) * 2000-05-09 2001-10-23 Shipley Company, L.L.C. Polymers containing oxygen and sulfur alicyclic units and photoresist compositions comprising same
JP3928690B2 (ja) * 2000-07-06 2007-06-13 信越化学工業株式会社 脂環構造を有する新規ラクトン化合物及びその製造方法
DE60136364D1 (de) 2000-07-12 2008-12-11 Mitsubishi Rayon Co Harze für resiste und chemisch verstärkte resistzusammensetzungen
US6391521B1 (en) * 2000-08-16 2002-05-21 International Business Machines Corporation Resist compositions containing bulky anhydride additives
US6482567B1 (en) * 2000-08-25 2002-11-19 Shipley Company, L.L.C. Oxime sulfonate and N-oxyimidosulfonate photoacid generators and photoresists comprising same
JP2002156750A (ja) * 2000-11-20 2002-05-31 Sumitomo Chem Co Ltd 化学増幅型ポジ型レジスト組成物
JP4441104B2 (ja) * 2000-11-27 2010-03-31 東京応化工業株式会社 ポジ型レジスト組成物
JP4688282B2 (ja) * 2000-12-04 2011-05-25 ダイセル化学工業株式会社 フォトレジスト用高分子及びフォトレジスト用樹脂組成物
WO2002046179A1 (fr) * 2000-12-06 2002-06-13 Mitsubishi Rayon Co., Ltd. Esters de (meth)acrylate, alcools de depart pour la preparation de ces esters, procede de preparation de ces alcools et de ces esters, polymeres de ces esters, compositions de resist chimiquement amplifiables et procede de realisation de motifs
KR100832954B1 (ko) 2000-12-13 2008-05-27 다이셀 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 포토레지스트용 고분자 및 포토레지스트용 수지 조성물
JP4748848B2 (ja) * 2000-12-21 2011-08-17 ダイセル化学工業株式会社 5−ヒドロキシ−2,6−ノルボルナンカルボラクトン及びその(メタ)アクリル酸エステルの製造法
JP4748860B2 (ja) * 2001-01-17 2011-08-17 ダイセル化学工業株式会社 2−オキサトリシクロ[4.2.1.04,8]ノナン−3−オン誘導体及びその製造法
US6838225B2 (en) 2001-01-18 2005-01-04 Jsr Corporation Radiation-sensitive resin composition
JP2002251009A (ja) * 2001-02-23 2002-09-06 Daicel Chem Ind Ltd フォトレジスト用重合性不飽和化合物
JP4517524B2 (ja) * 2001-03-09 2010-08-04 住友化学株式会社 化学増幅型ポジ型レジスト組成物
JP2002357905A (ja) 2001-03-28 2002-12-13 Sumitomo Chem Co Ltd レジスト組成物
JP3853168B2 (ja) * 2001-03-28 2006-12-06 松下電器産業株式会社 パターン形成方法
JP4117112B2 (ja) * 2001-03-30 2008-07-16 富士フイルム株式会社 ポジ型フォトレジスト組成物
US6517994B2 (en) * 2001-04-10 2003-02-11 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Lactone ring-containing (meth)acrylate and polymer thereof for photoresist composition
TWI272452B (en) * 2001-06-12 2007-02-01 Fuji Photo Film Co Ltd Positive resist composition
JP3991191B2 (ja) * 2001-06-14 2007-10-17 信越化学工業株式会社 ラクトン構造を有する新規(メタ)アクリレート化合物、重合体、フォトレジスト材料、及びパターン形成法
KR100636068B1 (ko) 2001-06-15 2006-10-19 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 레지스트 재료 및 패턴 형성 방법
JP4953521B2 (ja) * 2001-06-19 2012-06-13 株式会社ダイセル ラクトン骨格を有する(メタ)アクリル酸エステル
TW581941B (en) * 2001-06-21 2004-04-01 Fuji Photo Film Co Ltd Positive resist composition
JP3912767B2 (ja) * 2001-06-21 2007-05-09 富士フイルム株式会社 ポジ型感光性組成物
JP4262422B2 (ja) * 2001-06-28 2009-05-13 富士フイルム株式会社 ポジ型フォトレジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法
US7192681B2 (en) * 2001-07-05 2007-03-20 Fuji Photo Film Co., Ltd. Positive photosensitive composition
US6878508B2 (en) 2001-07-13 2005-04-12 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Resist patterning process
US6844133B2 (en) 2001-08-31 2005-01-18 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Polymer, resist composition and patterning process
JP4420169B2 (ja) 2001-09-12 2010-02-24 信越化学工業株式会社 高分子化合物、レジスト材料、及びパターン形成方法
JP4149154B2 (ja) * 2001-09-28 2008-09-10 富士フイルム株式会社 ポジ型レジスト組成物
JP3827290B2 (ja) * 2001-10-03 2006-09-27 富士写真フイルム株式会社 ポジ型感光性組成物
JP3836359B2 (ja) 2001-12-03 2006-10-25 東京応化工業株式会社 ポジ型レジスト組成物及びレジストパターン形成方法
JP3895224B2 (ja) * 2001-12-03 2007-03-22 東京応化工業株式会社 ポジ型レジスト組成物及びそれを用いたレジストパターン形成方法
JP4286151B2 (ja) 2002-04-01 2009-06-24 ダイセル化学工業株式会社 フォトレジスト用高分子化合物の製造法
JP4048824B2 (ja) * 2002-05-09 2008-02-20 Jsr株式会社 感放射線性樹脂組成物
US6703178B2 (en) * 2002-05-28 2004-03-09 Everlight Usa, Inc. Chemical amplified photoresist compositions
US6720430B2 (en) * 2002-05-28 2004-04-13 Everlight Usa, Inc. Monomer for chemical amplified photoresist compositions
US6639035B1 (en) 2002-05-28 2003-10-28 Everlight Usa, Inc. Polymer for chemical amplified photoresist compositions
US20030235775A1 (en) * 2002-06-13 2003-12-25 Munirathna Padmanaban Photoresist composition for deep ultraviolet lithography comprising a mixture of photoactive compounds
JP4139948B2 (ja) 2002-06-28 2008-08-27 日本電気株式会社 不飽和単量体、重合体、化学増幅レジスト組成物、および、パターン形成方法
US7087356B2 (en) * 2002-09-30 2006-08-08 International Business Machines Corporation 193nm resist with improved post-exposure properties
DE60334249D1 (de) * 2002-11-05 2010-10-28 Jsr Corp Acrylcopolymer und strahlungsempfindliche harzzusammensetzung
JP4048535B2 (ja) 2002-11-05 2008-02-20 富士フイルム株式会社 ポジ型レジスト組成物
WO2004061525A1 (ja) 2002-12-28 2004-07-22 Jsr Corporation 感放射線性樹脂組成物
JP2004220009A (ja) * 2002-12-28 2004-08-05 Jsr Corp 感放射線性樹脂組成物
EP1598701A4 (en) * 2003-02-25 2009-12-09 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd PHOTOSENSITIVE RESIN COMPOSITION AND METHOD FOR FORMING RESIN PATTERN
JP4083053B2 (ja) 2003-03-31 2008-04-30 富士フイルム株式会社 ポジ型レジスト組成物
JP2005031233A (ja) * 2003-07-09 2005-02-03 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd レジスト組成物、積層体、及びレジストパターン形成方法
JP2005041841A (ja) 2003-07-25 2005-02-17 Takasago Internatl Corp 新規ラクトン化合物
TWI300165B (en) * 2003-08-13 2008-08-21 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd Resin for resist, positive resist composition and resist pattern formation method
JP4398783B2 (ja) 2003-09-03 2010-01-13 信越化学工業株式会社 高分子化合物、レジスト材料及びパターン形成方法
US7601479B2 (en) 2003-09-12 2009-10-13 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Polymer, resist composition and patterning process
US7696292B2 (en) * 2003-09-22 2010-04-13 Commonwealth Scientific And Industrial Research Organisation Low-polydispersity photoimageable acrylic polymers, photoresists and processes for microlithography
US20050074688A1 (en) * 2003-10-03 2005-04-07 Toukhy Medhat A. Bottom antireflective coatings
US7232641B2 (en) 2003-10-08 2007-06-19 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Polymerizable compound, polymer, positive-resist composition, and patterning process using the same
US7189493B2 (en) 2003-10-08 2007-03-13 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Polymer, positive resist composition, and patterning process using the same
JP4512340B2 (ja) * 2003-10-20 2010-07-28 富士フイルム株式会社 ポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法
JP2005196101A (ja) * 2003-12-31 2005-07-21 Rohm & Haas Electronic Materials Llc ポリマーおよびこれを含むフォトレジスト組成物
TWI371657B (en) * 2004-02-20 2012-09-01 Fujifilm Corp Positive resist composition for immersion exposure and method of pattern formation with the same
US7368218B2 (en) 2004-04-09 2008-05-06 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Positive resist compositions and patterning process
US7255973B2 (en) 2004-04-09 2007-08-14 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Positive resist compositions and patterning process
TWI291473B (en) * 2004-06-08 2007-12-21 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd Polymer, positive resist composition, and method for forming resist pattern
JP4300420B2 (ja) 2004-06-21 2009-07-22 信越化学工業株式会社 高分子化合物、レジスト材料及びパターン形成方法
JP4274057B2 (ja) * 2004-06-21 2009-06-03 信越化学工業株式会社 高分子化合物、レジスト材料及びパターン形成方法
TWI375121B (en) 2004-06-28 2012-10-21 Fujifilm Corp Photosensitive composition and method for forming pattern using the same
JP4714488B2 (ja) * 2004-08-26 2011-06-29 富士フイルム株式会社 ポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法
JP4683887B2 (ja) 2004-09-13 2011-05-18 セントラル硝子株式会社 ラクトン化合物、ラクトン含有単量体、高分子化合物、それを用いたレジスト材料及びパターン形成方法
JP4491309B2 (ja) * 2004-09-29 2010-06-30 富士フイルム株式会社 ポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法
JP4431888B2 (ja) 2004-10-28 2010-03-17 信越化学工業株式会社 含フッ素重合性化合物、その製造方法、この化合物から得られる高分子化合物、レジスト材料及びこれを用いたパターン形成方法
DE112005002819B4 (de) 2004-12-03 2016-12-22 Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. Positivresist - Zusammensetzung und Verfahren zur Erzeugung eines Resist - Musters
JP4506968B2 (ja) 2005-02-04 2010-07-21 信越化学工業株式会社 高分子化合物、レジスト材料及びパターン形成方法
TWI332122B (en) 2005-04-06 2010-10-21 Shinetsu Chemical Co Novel sulfonate salts and derivatives, photoacid generators, resist compositions and patterning process
JP4687878B2 (ja) 2005-05-27 2011-05-25 信越化学工業株式会社 高分子化合物、レジスト材料及びパターン形成方法
JP2006328003A (ja) 2005-05-27 2006-12-07 Shin Etsu Chem Co Ltd 新規な重合性エステル化合物
JP4796792B2 (ja) 2005-06-28 2011-10-19 富士フイルム株式会社 ポジ型感光性組成物及びそれを用いたパターン形成方法
JP4740677B2 (ja) * 2005-07-27 2011-08-03 ダイセル化学工業株式会社 3−オキサ−7−オキサ(又はチア)トリシクロ[4.2.1.04,8]ノナン−2−オン誘導体
JP4718922B2 (ja) * 2005-07-27 2011-07-06 ダイセル化学工業株式会社 3−オキサ−7−チアトリシクロ[4.2.1.04,8]ノナン誘導体
JP4697443B2 (ja) 2005-09-21 2011-06-08 信越化学工業株式会社 ポジ型レジスト材料並びにこれを用いたパターン形成方法
JP4740951B2 (ja) * 2005-09-28 2011-08-03 ダイセル化学工業株式会社 シアノ基及びラクトン骨格を含む多環式エステル
EP1780198B1 (en) 2005-10-31 2011-10-05 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Novel fluorosulfonyloxyalkyl sulfonate salts and derivatives, photoacid generators, resist compositions, and patterning process
JP4488230B2 (ja) 2005-10-31 2010-06-23 信越化学工業株式会社 レジスト用重合体、レジスト材料及びパターン形成方法
EP1780199B1 (en) 2005-10-31 2012-02-01 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Novel fluorohydroxyalkyl sulfonate salts and derivatives, photoacid generators, resist compositions, and patterning process
JP4781086B2 (ja) * 2005-10-31 2011-09-28 ダイセル化学工業株式会社 脂環式骨格を有する高分子化合物
US7629106B2 (en) 2005-11-16 2009-12-08 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Resist composition and patterning process using the same
US7678529B2 (en) 2005-11-21 2010-03-16 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Silicon-containing film forming composition, silicon-containing film serving as etching mask, substrate processing intermediate, and substrate processing method
US7910283B2 (en) 2005-11-21 2011-03-22 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Silicon-containing antireflective coating forming composition, silicon-containing antireflective coating, substrate processing intermediate, and substrate processing method
JP4831307B2 (ja) 2005-12-02 2011-12-07 信越化学工業株式会社 新規なエステル化合物、高分子化合物、レジスト材料及びパターン形成方法
JP2007212990A (ja) * 2005-12-05 2007-08-23 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd 液浸露光用ポジ型レジスト組成物およびレジストパターン形成方法
JP4716016B2 (ja) 2005-12-27 2011-07-06 信越化学工業株式会社 高分子化合物、レジスト材料、及びパターン形成方法
JP4937587B2 (ja) 2006-01-17 2012-05-23 東京応化工業株式会社 液浸露光用ポジ型レジスト組成物およびレジストパターン形成方法
JP4991326B2 (ja) * 2006-01-24 2012-08-01 富士フイルム株式会社 ポジ型感光性組成物及びそれを用いたパターン形成方法
TWI477909B (zh) 2006-01-24 2015-03-21 Fujifilm Corp 正型感光性組成物及使用它之圖案形成方法
US7491483B2 (en) 2006-03-06 2009-02-17 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Polymers, positive resist compositions and patterning process
US7771913B2 (en) 2006-04-04 2010-08-10 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Resist composition and patterning process using the same
DE602007000498D1 (de) 2006-04-11 2009-03-12 Shinetsu Chemical Co Siliziumhaltige, folienbildende Zusammensetzung, siliziumhaltige Folie, siliziumhaltiges, folientragendes Substrat und Strukturierungsverfahren
JP4706562B2 (ja) * 2006-05-29 2011-06-22 Jsr株式会社 レジストパターンの形成方法
US7855043B2 (en) 2006-06-16 2010-12-21 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Silicon-containing film-forming composition, silicon-containing film, silicon-containing film-bearing substrate, and patterning method
JP5124806B2 (ja) 2006-06-27 2013-01-23 信越化学工業株式会社 光酸発生剤並びにこれを用いたレジスト材料及びパターン形成方法
JP4784753B2 (ja) 2006-07-06 2011-10-05 信越化学工業株式会社 重合性エステル化合物、重合体、レジスト材料及びパターン形成方法
JP4288518B2 (ja) 2006-07-28 2009-07-01 信越化学工業株式会社 ラクトン含有化合物、高分子化合物、レジスト材料及びパターン形成方法
US7527912B2 (en) 2006-09-28 2009-05-05 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Photoacid generators, resist compositions, and patterning process
JP2008088343A (ja) * 2006-10-04 2008-04-17 Shin Etsu Chem Co Ltd 高分子化合物、レジスト材料、及びパターン形成方法
KR101116963B1 (ko) * 2006-10-04 2012-03-14 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 고분자 화합물, 레지스트 재료, 및 패턴 형성 방법
JP4355725B2 (ja) * 2006-12-25 2009-11-04 信越化学工業株式会社 ポジ型レジスト材料及びパターン形成方法
JP5009015B2 (ja) * 2007-03-22 2012-08-22 株式会社ダイセル 電子吸引性置換基及びラクトン骨格を含む多環式エステル及びその高分子化合物、フォトレジスト組成物
JP5233995B2 (ja) * 2007-06-05 2013-07-10 Jsr株式会社 感放射線性樹脂組成物
US7875417B2 (en) 2007-07-04 2011-01-25 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Silicone-containing film-forming composition, silicon-containing film, silicon-containing film-bearing substrate, and patterning method
US8652750B2 (en) 2007-07-04 2014-02-18 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Silicon-containing film-forming composition, silicon-containing film, silicon-containing film-bearing substrate, and patterning method
TW200925778A (en) * 2007-09-27 2009-06-16 Jsr Corp Radiation-sensitive composition
WO2009044668A1 (ja) 2007-10-01 2009-04-09 Jsr Corporation 感放射線性組成物
JP4793592B2 (ja) 2007-11-22 2011-10-12 信越化学工業株式会社 金属酸化物含有膜形成用組成物、金属酸化物含有膜、金属酸化物含有膜形成基板及びこれを用いたパターン形成方法
JP4678413B2 (ja) * 2008-03-13 2011-04-27 信越化学工業株式会社 レジスト材料及びパターン形成方法
JP4623324B2 (ja) 2008-03-18 2011-02-02 信越化学工業株式会社 水酸基を有する単量体、高分子化合物、レジスト材料及びパターン形成方法
JP5806800B2 (ja) 2008-03-28 2015-11-10 富士フイルム株式会社 ポジ型レジスト組成物およびそれを用いたパターン形成方法
JP5427447B2 (ja) * 2008-03-28 2014-02-26 富士フイルム株式会社 ポジ型感光性組成物及びそれを用いたパターン形成方法
JP4678419B2 (ja) * 2008-05-02 2011-04-27 信越化学工業株式会社 レジスト材料及びパターン形成方法
JP2008202059A (ja) * 2008-05-12 2008-09-04 Maruzen Petrochem Co Ltd ノルボルナンラクトン構造を有する重合性化合物及び重合体
TWI533082B (zh) 2008-09-10 2016-05-11 Jsr股份有限公司 敏輻射性樹脂組成物
WO2010029982A1 (ja) 2008-09-12 2010-03-18 Jsr株式会社 感放射線性樹脂組成物及びレジストパターン形成方法
JP5015892B2 (ja) 2008-10-02 2012-08-29 信越化学工業株式会社 ケイ素含有膜形成用組成物、ケイ素含有膜形成基板及びパターン形成方法
JP5015891B2 (ja) 2008-10-02 2012-08-29 信越化学工業株式会社 金属酸化物含有膜形成用組成物、金属酸化物含有膜形成基板及びパターン形成方法
JP5829795B2 (ja) * 2009-03-31 2015-12-09 住友化学株式会社 化学増幅型フォトレジスト組成物
JP5038354B2 (ja) 2009-05-11 2012-10-03 信越化学工業株式会社 ケイ素含有反射防止膜形成用組成物、ケイ素含有反射防止膜形成基板及びパターン形成方法
JP5499889B2 (ja) 2009-05-20 2014-05-21 信越化学工業株式会社 スピロ環構造を有する酸脱離性エステル型単量体、高分子化合物、レジスト材料及びパターン形成方法
US8791288B2 (en) 2009-05-26 2014-07-29 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Acid-labile ester monomer having spirocyclic structure, polymer, resist composition, and patterning process
JP5481979B2 (ja) * 2009-07-15 2014-04-23 Jsr株式会社 感放射線性樹脂組成物及びそれに用いられる重合体
US9057951B2 (en) * 2009-08-26 2015-06-16 International Business Machines Corporation Chemically amplified photoresist composition and process for its use
JP5216032B2 (ja) 2010-02-02 2013-06-19 信越化学工業株式会社 新規スルホニウム塩、高分子化合物、高分子化合物の製造方法、レジスト材料及びパターン形成方法
WO2012043684A1 (ja) 2010-09-29 2012-04-05 Jsr株式会社 感放射線性樹脂組成物及びパターン形成方法
JP2012136507A (ja) 2010-11-15 2012-07-19 Rohm & Haas Electronic Materials Llc 塩基反応性光酸発生剤およびこれを含むフォトレジスト
JP5715852B2 (ja) 2011-02-28 2015-05-13 富士フイルム株式会社 パターン形成方法、感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物及びレジスト膜
JP5411893B2 (ja) 2011-05-30 2014-02-12 信越化学工業株式会社 スルホニウム塩、高分子化合物、該高分子化合物を用いた化学増幅型レジスト組成物及びレジストパターン形成方法
JP5491450B2 (ja) 2011-05-30 2014-05-14 信越化学工業株式会社 高分子化合物、化学増幅レジスト材料、該化学増幅レジスト材料を用いたパターン形成方法。
JP5594243B2 (ja) 2011-07-14 2014-09-24 信越化学工業株式会社 重合性エステル化合物、高分子化合物、レジスト材料及びパターン形成方法
JP5675664B2 (ja) 2012-01-24 2015-02-25 信越化学工業株式会社 パターン形成方法
JP5642731B2 (ja) 2012-04-27 2014-12-17 信越化学工業株式会社 パターン形成方法
JP6029883B2 (ja) * 2012-07-31 2016-11-24 東京応化工業株式会社 共重合体の製造方法
JP6103852B2 (ja) * 2012-08-08 2017-03-29 東京応化工業株式会社 レジスト組成物、及びレジストパターン形成方法
JP6093129B2 (ja) * 2012-09-07 2017-03-08 東京応化工業株式会社 レジスト組成物、レジストパターン形成方法
JP6237763B2 (ja) 2013-03-22 2017-11-29 Jsr株式会社 感放射線性樹脂組成物及びレジストパターン形成方法
JP6421757B2 (ja) * 2013-09-25 2018-11-14 Jsr株式会社 感放射線性樹脂組成物、レジストパターン形成方法、重合体及び化合物
WO2015046021A1 (ja) 2013-09-26 2015-04-02 Jsr株式会社 感放射線性樹脂組成物及びレジストパターン形成方法
JP6090585B2 (ja) 2013-12-18 2017-03-08 信越化学工業株式会社 スルホニウム塩、レジスト組成物及びレジストパターン形成方法
JP6137046B2 (ja) 2014-05-09 2017-05-31 信越化学工業株式会社 単量体、高分子化合物、レジスト材料及びパターン形成方法
JP5927275B2 (ja) * 2014-11-26 2016-06-01 富士フイルム株式会社 感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、及びレジスト膜
JP6394430B2 (ja) 2015-02-13 2018-09-26 信越化学工業株式会社 化合物、高分子化合物、レジスト材料及びパターン形成方法
JP6959527B2 (ja) * 2016-01-13 2021-11-02 Jsr株式会社 感放射線性樹脂組成物、レジストパターン形成方法及び酸拡散制御剤
US9872399B1 (en) 2016-07-22 2018-01-16 International Business Machines Corporation Implementing backdrilling elimination utilizing anti-electroplate coating
JP7294312B2 (ja) 2018-02-16 2023-06-20 Jnc株式会社 重合性化合物、重合性組成物、重合体及びフォトレジスト用組成物
CN114085138B (zh) * 2021-11-16 2023-12-29 徐州博康信息化学品有限公司 一种光刻胶树脂单体及其中间体的制备方法

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4018767A (en) * 1975-05-22 1977-04-19 Bristol-Myers Company Anti-arrhythmic agents
US4166915A (en) * 1977-12-14 1979-09-04 The Dow Chemical Company Process for the preparation of endo-6-hydroxybicyclo[2.2.1]heptane-endo-2-methanol and derivatives thereof
US4188219A (en) * 1978-11-13 1980-02-12 Eastman Kodak Company Rupturable fluid container and elements containing same
JPS57131780A (en) * 1981-02-09 1982-08-14 Hisamitsu Pharmaceut Co Inc Novel 6-oxabicyclo(3.2.1)octan-7-one derivative
US5185143A (en) * 1992-01-13 1993-02-09 Isp Investments Inc. Terpolymer hair fixative resins prepared by solution polymerization of maleic anhydride, vinyl acetate and isobornyl acrylate
US5541344A (en) * 1994-06-30 1996-07-30 G. D. Searle & Co. Intermediates useful in a process for the preparation of azanoradamantane benzamides
US6008306A (en) * 1994-11-17 1999-12-28 Ciba Specialty Chemicals Corporation Thermal metathesis polymerization process and a polymerisable composition
US5693691A (en) 1995-08-21 1997-12-02 Brewer Science, Inc. Thermosetting anti-reflective coatings compositions
US5811462A (en) * 1996-05-02 1998-09-22 Merck & Co., Inc. HIV Protease inhibitors useful for the treatment of AIDS
JP3297324B2 (ja) * 1996-10-30 2002-07-02 富士通株式会社 レジスト組成物、レジストパターンの形成方法及び半導体装置の製造方法
JP2943740B2 (ja) * 1996-12-16 1999-08-30 日本電気株式会社 化学増幅型フォトレジスト組成物およびそれを用いたパターン形成方法
JP3712218B2 (ja) * 1997-01-24 2005-11-02 東京応化工業株式会社 化学増幅型ホトレジスト組成物
JP3055617B2 (ja) 1997-08-27 2000-06-26 日本電気株式会社 ネガ型フォトレジスト組成物およびそれを用いたパターン形成方法
US6057083A (en) * 1997-11-04 2000-05-02 Shipley Company, L.L.C. Polymers and photoresist compositions
KR100382960B1 (ko) * 1998-07-03 2003-05-09 닛뽕덴끼 가부시끼가이샤 락톤 구조를 갖는 (메트)아크릴레이트 유도체, 중합체,포토레지스트 조성물, 및 이것을 사용한 패턴 형성 방법

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