JP2003122006A5

JP2003122006A5 -

Info

Publication number: JP2003122006A5
Application number: JP2001322176A
Authority: JP
Filing date: 2001-10-19
Publication date: 2005-04-07
Anticipated expiration: 2021-10-19

Claims

（Ａ）活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物、
（Ｂ）アルカリ可溶性ポリマー、
（Ｃ）酸の作用により（Ｂ）のポリマーと架橋を生じる架橋剤
を含有することを特徴とするネガ型レジスト組成物において、
（Ｃ）の架橋剤がヒドロキシメチル基及び／又はアルコキシメチル基をベンゼン環に２個以上有するフェノール誘導体から選ばれる骨格の異なる化合物を、少なくとも２種含有し、その架橋剤の１種が、分子内にベンゼン環を１個又は２個含み、もう１種の架橋剤が分子内にベンゼン環を３〜５個含むことを特徴とするネガ型レジスト組成物。
さらに（Ｅ）含窒素塩基性化合物を含有することを特徴とする請求項１に記載のネガ型レジスト組成物。
（Ｂ）成分のポリマーが、下記一般式（ｂ）で表される繰り返し単位を含有するポリマーであることを特徴とする請求項１又は２に記載のネガ型レジスト組成物。

一般式（ｂ）中、Ｒ₁は、水素原子、ハロゲン原子、シアノ基又は置換基を有していても良いアルキル基を表す。Ｒ₂は、水素原子又は置換基を有していても良い、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アラルキル基若しくはアシル基を表す。Ｒ₃、Ｒ₄は同じでも異なっていても良く、水素原子、ハロゲン原子、シアノ基又は置換基を有していても良い、アルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基、アラルキル基若しくはアリール基を表す。
Ａは、単結合、置換基を有しても良い、アルキレン基、アルケニレン基、シクロアルキレン基若しくはアリーレン基又は−Ｏ−、−ＳＯ₂−、−Ｏ−ＣＯ−Ｒ₅−、−ＣＯ−Ｏ−Ｒ₆−若しくは−ＣＯ−Ｎ（Ｒ₇）−Ｒ₈−を表す。
Ｒ₅、Ｒ₆、Ｒ₈は、同じでも異なっていても良く、単結合、置換基を有しても良い、アルキレン基、アルケニレン基、シクロアルキレン基若しくはアリーレン基の単独又はこれらの基の少なくとも１つとエーテル構造、エステル構造、アミド構造、ウレタン構造及びウレイド構造の群より選択される少なくとも１種が一緒になって形成した２価の基を表す。
Ｒ₇は、同じでも異なっていても良く、水素原子又は置換基を有していても良い、アルキル基、シクロアルキル基、アラルキル基若しくはアリール基を表す。
ｎは、１〜３の整数を表す。また、複数のＲ₂又はＲ₂とＲ₃若しくはＲ₄が結合して環を形成しても良い。
（Ｂ）成分のポリマーが、下記一般式（ｂ−２）又は（ｂ−３）で表される繰り返し単位から選ばれる少なくとも１種を含有するポリマーであることを特徴とする請求項１又は２に記載のネガ型レジスト組成物。

一般式（ｂ−２）及び（ｂ−３）中、Ｒ₁及びＡは、一般式（ｂ）のＲ₁及びＡとそれぞれ同義である。Ｒ₁₀₁〜Ｒ₁₀₆は、それぞれ独立に、ヒドロキシ基、カルボキシ基、アミノ基又は置換基を有していてもよい、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、アルキルカルボニルオキシ基、アルキルスルホニルオキシ基、アルケニル基、アリール基、アラルキル基、Ｎ−アルキルアミノ基若しくはＮ−ジアルキルアミノ基を表す。ａ〜ｆは、それぞれ独立に０〜３の整数を表す。Ｙは、下記縮合多環式芳香族構造から選ばれるいずれかを表す。
活性光線又は放射線が、波長１５０〜２５０ｎｍのエキシマレーザー光、電子線及びＸ線のいずれかであることを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載のネガ型レジスト組成物。
請求項１〜５のいずれかに記載のネガ型レジスト組成物によりレジスト膜を形成し、当該レジスト膜を露光、現像することを特徴とするパターン形成方法。