JP2003292547A5 - - Google Patents

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  1. 下記一般式（１ａ）及び（１ｂ）で表される繰り返し単位を含む重量平均分子量１，０００〜５００，０００の高分子化合物を含むことを特徴とするレジスト材料。
    Figure 2003292547
    （式中、Ｒ1はフッ素原子、又は炭素数１〜２０の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルキル基又はフッ素化されたアルキル基である。Ｒ2a及びＲ2bは水素原子又は−Ｒ3−ＣＯ2Ｒ4であり、Ｒ2a及びＲ2bのうち少なくとも一方は−Ｒ3−ＣＯ2Ｒ4を含有する。Ｒ3は炭素数１〜１０の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルキレン基又はフッ素化されたアルキレン基である。Ｒ4は水素原子、酸不安定基、密着性基、又は炭素数１〜２０の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルキル基又はフッ素化されたアルキル基である。）
  2. （Ａ）請求項１に記載の高分子化合物、
    （Ｂ）有機溶剤、
    （Ｃ）酸発生剤
    を含有することを特徴とする化学増幅ポジ型レジスト材料。
  3. 更に、塩基性化合物を含有する請求項２記載のレジスト材料。
  4. 更に、溶解阻止剤を含有する請求項２又は３記載のレジスト材料。
  5. （１）請求項１乃至４のいずれか１項に記載のレジスト材料を基板上に塗布する工程と、
    （２）次いで加熱処理後、フォトマスクを介して波長１００〜１８０ｎｍ帯又は１〜３０ｎｍ帯の高エネルギー線で露光する工程と、
    （３）必要に応じて加熱処理した後、現像液を用いて現像する工程と
    を含むこと
    を特徴とするパターン形成方法。
  6. 基板上に塗布したレジスト膜の膜厚が０．２μｍ以上であることを特徴とする請求項５記載のパターン形成方法。
  7. 前記高エネルギー線がＦ2レーザー、Ａｒ2レーザー、又は軟Ｘ線であることを特徴とする請求項５記載のパターン形成方法。
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