JP2003149800A5

JP2003149800A5 -

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Publication number: JP2003149800A5
Application number: JP2001346121A
Authority: JP
Filing date: 2001-11-12
Publication date: 2005-04-07
Anticipated expiration: 2021-11-12

Claims

（Ａ１）下記一般式（１）で表される構造を有する、活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物
（Ｂ）アルカリ水溶液に不溶又は難溶性で、酸の作用によりアルカリ水溶液に可溶性となるポリマー
を含有することを特徴とするポジ型レジスト組成物。

式中、Ｗは、−ＣＨ₂−、−ＣＹＨ−、−ＮＨ−を表す。Ｙは、アリール基、又はアルキル基を表す。
Ｒ_1a〜Ｒ_8aは、各々独立に、水素原子、ハロゲン原子、水酸基、チオール基、ニトロ基、シアノ基、カルボキシル基、１級アミノ基、２級又は３級アミノ基、アルキル基、又はアルコキシル基より選択された基である。
更に、（Ａ２）下記一般式（Ｉ）〜一般式（III）で表される構造を有する、活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物を含有することを特徴とする請求項１に記載のポジ型レジスト組成物。

一般式（Ｉ）〜（III）において、Ｒ₁〜Ｒ₃₇は、同一又は異なって、水素原子、アルキル基、アルコキシ基、ヒドロキシル基、ハロゲン原子、又は−Ｓ−Ｒ₃₈基を表す。Ｒ₃₈は、アルキル基又はアリール基を表す。
Ｘ^-は、
少なくとも１個のフッ素原子、
少なくとも１個のフッ素原子で置換されたアルキル基、
少なくとも１個のフッ素原子で置換されたアルコキシ基、
少なくとも１個のフッ素原子で置換されたアシル基、
少なくとも１個のフッ素原子で置換されたアシロキシ基、
少なくとも１個のフッ素原子で置換されたスルホニル基、
少なくとも１個のフッ素原子で置換されたスルホニルオキシ基、
少なくとも１個のフッ素原子で置換されたスルホニルアミノ基、
少なくとも１個のフッ素原子で置換されたアリール基、
少なくとも１個のフッ素原子で置換されたアラルキル基、及び
少なくとも１個のフッ素原子で置換されたアルコキシカルボニル基、
から選択された少なくとも１種を有するアルキルスルホン酸、ベンゼンスルホン酸、ナフタレンスルホン酸、又はアントラセンスルホン酸のアニオンを示す。
更に、含窒素塩基性化合物を含有することを特徴とする請求項１又は２に記載のポジ型レジスト組成物。
活性光線又は放射線が、電子線又はＸ線であることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載のポジ型レジスト組成物。
活性光線又は放射線が、波長１５０〜２５０ｎｍのエキシマレーザー光であることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載のポジ型レジスト組成物。
請求項１〜５のいずれかに記載のポジ型レジスト組成物によりレジスト膜を形成し、当該レジスト膜を露光、現像することを特徴とするパターン形成方法。