JP2004334107A5 - - Google Patents
Download PDFInfo
- Publication number
- JP2004334107A5 JP2004334107A5 JP2003133194A JP2003133194A JP2004334107A5 JP 2004334107 A5 JP2004334107 A5 JP 2004334107A5 JP 2003133194 A JP2003133194 A JP 2003133194A JP 2003133194 A JP2003133194 A JP 2003133194A JP 2004334107 A5 JP2004334107 A5 JP 2004334107A5
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resist composition
- group
- acid
- positive resist
- composition according
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Description
【特許請求の範囲】
【請求項１】 （Ａ）酸により分解する基を有し、酸の作用によりアルカリ現像液中での溶解度が増大する性質を有するポリシロキサン又はポリシルセスキオキサン、（Ｂ）活性光線又は放射線の照射によりスルホン酸を発生する化合物、及び、（Ｃ）有機塩基性化合物を含有し、該活性光線又は放射線の照射によりスルホン酸を発生する化合物（Ｂ）の含有量がレジスト組成物の全固形分に対し６〜２０質量％であることを特徴とするポジ型レジスト組成物。
【請求項２】 該ポリシロキサン又はポリシルセスキオキサン（Ａ）が、側鎖に下記一般式（１）で表される構造を有することを特徴とする請求項１に記載のポジ型レジスト組成物。
−（Ｊ１）ｋ−（Ｊ２）ｌ−（Ｊ３）ｍ−（Ｊ４）ｎ−（Ｊ５）ｐ（１）
式中、Ｊ１はアルキレン基を表し、Ｊ２はアリーレン基またはシクロアルキレン基を表し、Ｊ３は２価の連結基を表し、Ｊ４は２〜４価の連結基を表し、Ｊ５は酸の作用により分解する基を表す。
ｋ、ｌ、ｍ及びｎは、各々独立に、０又は１を表す。但し、ｋ、ｌ、ｍ及びｎは、同時に０であることはない。ｐは１〜３の整数を表す。
【請求項３】 有機塩基性化合物（Ｂ）の添加量がレジスト組成物の全固形分に対し０．０５〜１．０質量％であることを特徴とする請求項１又は２に記載のポジ型レジスト組成物。
【請求項４】 露光光源が、電子線、Ｘ線及びＥＵＶ光のいずれかであることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載のポジ型レジスト組成物。
【請求項５】 請求項１〜４のいずれかに記載のポジ型レジスト組成物により膜を形成し、該膜を露光、現像することを特徴とするパターン形成方法。
【請求項１】 （Ａ）酸により分解する基を有し、酸の作用によりアルカリ現像液中での溶解度が増大する性質を有するポリシロキサン又はポリシルセスキオキサン、（Ｂ）活性光線又は放射線の照射によりスルホン酸を発生する化合物、及び、（Ｃ）有機塩基性化合物を含有し、該活性光線又は放射線の照射によりスルホン酸を発生する化合物（Ｂ）の含有量がレジスト組成物の全固形分に対し６〜２０質量％であることを特徴とするポジ型レジスト組成物。
【請求項２】 該ポリシロキサン又はポリシルセスキオキサン（Ａ）が、側鎖に下記一般式（１）で表される構造を有することを特徴とする請求項１に記載のポジ型レジスト組成物。
−（Ｊ１）ｋ−（Ｊ２）ｌ−（Ｊ３）ｍ−（Ｊ４）ｎ−（Ｊ５）ｐ（１）
式中、Ｊ１はアルキレン基を表し、Ｊ２はアリーレン基またはシクロアルキレン基を表し、Ｊ３は２価の連結基を表し、Ｊ４は２〜４価の連結基を表し、Ｊ５は酸の作用により分解する基を表す。
ｋ、ｌ、ｍ及びｎは、各々独立に、０又は１を表す。但し、ｋ、ｌ、ｍ及びｎは、同時に０であることはない。ｐは１〜３の整数を表す。
【請求項３】 有機塩基性化合物（Ｂ）の添加量がレジスト組成物の全固形分に対し０．０５〜１．０質量％であることを特徴とする請求項１又は２に記載のポジ型レジスト組成物。
【請求項４】 露光光源が、電子線、Ｘ線及びＥＵＶ光のいずれかであることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載のポジ型レジスト組成物。
【請求項５】 請求項１〜４のいずれかに記載のポジ型レジスト組成物により膜を形成し、該膜を露光、現像することを特徴とするパターン形成方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2003133194A JP4262516B2 (ja) | 2003-05-12 | 2003-05-12 | ポジ型レジスト組成物 |
| US10/840,624 US7217493B2 (en) | 2003-05-12 | 2004-05-07 | Positive resist composition |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2003133194A JP4262516B2 (ja) | 2003-05-12 | 2003-05-12 | ポジ型レジスト組成物 |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2004334107A JP2004334107A (ja) | 2004-11-25 |
| JP2004334107A5 true JP2004334107A5 (ja) | 2006-06-29 |
| JP4262516B2 JP4262516B2 (ja) | 2009-05-13 |
Family
ID=33410641
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2003133194A Expired - Fee Related JP4262516B2 (ja) | 2003-05-12 | 2003-05-12 | ポジ型レジスト組成物 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US7217493B2 (ja) |
| JP (1) | JP4262516B2 (ja) |
Families Citing this family (18)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7833690B2 (en) * | 2001-11-05 | 2010-11-16 | The University Of North Carolina At Charlotte | Photoacid generators and lithographic resists comprising the same |
| JP4494061B2 (ja) * | 2004-03-30 | 2010-06-30 | 東京応化工業株式会社 | ポジ型レジスト組成物 |
| JP4494060B2 (ja) * | 2004-03-30 | 2010-06-30 | 東京応化工業株式会社 | ポジ型レジスト組成物 |
| US7318992B2 (en) * | 2004-03-31 | 2008-01-15 | Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. | Lift-off positive resist composition |
| US7320855B2 (en) * | 2004-11-03 | 2008-01-22 | International Business Machines Corporation | Silicon containing TARC/barrier layer |
| JP2007133185A (ja) | 2005-11-10 | 2007-05-31 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | 感光性樹脂組成物及びパターン形成方法 |
| JP2007225647A (ja) * | 2006-02-21 | 2007-09-06 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | 超臨界現像プロセス用レジスト組成物 |
| TWI391781B (zh) * | 2007-11-19 | 2013-04-01 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | 光阻組成物，光阻圖型之形成方法，新穎化合物及酸產生劑 |
| JP2009286980A (ja) * | 2008-06-02 | 2009-12-10 | Nissan Chem Ind Ltd | アルカリ可溶性樹脂及び感光性樹脂組成物 |
| WO2009152276A2 (en) * | 2008-06-10 | 2009-12-17 | University Of North Carolina At Charlotte | Photoacid generators and lithographic resists comprising the same |
| JP2014065864A (ja) * | 2012-09-27 | 2014-04-17 | Dic Corp | ポリシロキサン樹脂組成物、表示装置及び半導体デバイス |
| WO2014069329A1 (ja) * | 2012-10-31 | 2014-05-08 | 日産化学工業株式会社 | エステル基を有するシリコン含有レジスト下層膜形成組成物 |
| CN105980931A (zh) * | 2014-02-13 | 2016-09-28 | 富士胶片株式会社 | 感光性树脂组合物、固化膜的制造方法、固化膜、液晶显示装置、有机el显示装置及触摸面板显示装置 |
| KR20160095879A (ko) * | 2015-02-04 | 2016-08-12 | 동우 화인켐 주식회사 | 감광성 수지 조성물, 이로 형성되는 광경화 패턴 및 이를 포함하는 화상 표시 장치 |
| JP6826361B2 (ja) * | 2015-05-13 | 2021-02-03 | 東京応化工業株式会社 | 絶縁膜形成用感光性組成物、及び絶縁膜パターンの形成方法 |
| JP7101932B2 (ja) * | 2017-03-23 | 2022-07-19 | Jsr株式会社 | Ｅｕｖリソグラフィー用ケイ素含有膜形成組成物、ｅｕｖリソグラフィー用ケイ素含有膜及びパターン形成方法 |
| CN112180682A (zh) * | 2020-08-14 | 2021-01-05 | 陕西彩虹新材料有限公司 | 一种表面性能优越的正性光刻胶添加剂 |
| KR102515739B1 (ko) * | 2022-12-07 | 2023-03-30 | 타코마테크놀러지 주식회사 | 감광성 수지 및 이를 포함하는 포토레지스트 조성물 |
Family Cites Families (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5338818A (en) | 1992-09-10 | 1994-08-16 | International Business Machines Corporation | Silicon containing positive resist for DUV lithography |
| JP3235388B2 (ja) | 1994-12-09 | 2001-12-04 | 信越化学工業株式会社 | ポジ型レジスト材料 |
| JP3518158B2 (ja) | 1996-04-02 | 2004-04-12 | 信越化学工業株式会社 | 化学増幅ポジ型レジスト材料 |
| JP4557328B2 (ja) | 1999-02-01 | 2010-10-06 | 富士フイルム株式会社 | ポジ型フォトレジスト組成物 |
| JP2001109150A (ja) | 1999-10-05 | 2001-04-20 | Fuji Photo Film Co Ltd | ポジ型フォトレジスト組成物 |
| KR100788806B1 (ko) * | 1999-10-29 | 2007-12-27 | 후지필름 가부시키가이샤 | 포지티브 포토레지스트 조성물 |
| JP3967051B2 (ja) | 1999-11-22 | 2007-08-29 | 富士フイルム株式会社 | ポジ型レジスト積層物 |
| US6531260B2 (en) * | 2000-04-07 | 2003-03-11 | Jsr Corporation | Polysiloxane, method of manufacturing same, silicon-containing alicyclic compound, and radiation-sensitive resin composition |
| JP4235344B2 (ja) | 2000-05-22 | 2009-03-11 | 富士フイルム株式会社 | ２層レジスト用ポジ型シリコン含有レジスト組成物及びパターン形成方法 |
| JP4217369B2 (ja) | 2000-06-22 | 2009-01-28 | 富士フイルム株式会社 | ２層レジスト |
| US6420084B1 (en) * | 2000-06-23 | 2002-07-16 | International Business Machines Corporation | Mask-making using resist having SIO bond-containing polymer |
| JP3826777B2 (ja) * | 2001-12-05 | 2006-09-27 | Ｊｓｒ株式会社 | 感放射線性樹脂組成物 |
| US6939664B2 (en) * | 2003-10-24 | 2005-09-06 | International Business Machines Corporation | Low-activation energy silicon-containing resist system |
| US20050106494A1 (en) * | 2003-11-19 | 2005-05-19 | International Business Machines Corporation | Silicon-containing resist systems with cyclic ketal protecting groups |
-
2003
- 2003-05-12 JP JP2003133194A patent/JP4262516B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2004
- 2004-05-07 US US10/840,624 patent/US7217493B2/en active Active
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2004334107A5 (ja) | ||
| JP2004004557A5 (ja) | ||
| JP2004004834A5 (ja) | ||
| JP2003167333A5 (ja) | ||
| EP1480079A3 (en) | Photosensitive resin composition | |
| JP2001281849A5 (ja) | ||
| JP2004117688A5 (ja) | ||
| JP2003241379A5 (ja) | ||
| JP2004101706A5 (ja) | ||
| JP2000214588A5 (ja) | ||
| JP2001183837A5 (ja) | ||
| JP2003122006A5 (ja) | ||
| JP2000267287A5 (ja) | ||
| EP2031445A3 (en) | Chemical amplification resist composition and pattern-forming method using the same | |
| JP2004310004A5 (ja) | ||
| JP2004029136A5 (ja) | ||
| JP2003280202A5 (ja) | ||
| JP2002278053A5 (ja) | ||
| JP2001330957A5 (ja) | ||
| JP2004287262A5 (ja) | ||
| JP2003270791A5 (ja) | ||
| JP2002202608A5 (ja) | ||
| JP2003262952A5 (ja) | ||
| JP2004271629A5 (ja) | ||
| JP2002323768A5 (ja) |