JP2004310004A5 - - Google Patents
Download PDFInfo
- Publication number
- JP2004310004A5 JP2004310004A5 JP2003270932A JP2003270932A JP2004310004A5 JP 2004310004 A5 JP2004310004 A5 JP 2004310004A5 JP 2003270932 A JP2003270932 A JP 2003270932A JP 2003270932 A JP2003270932 A JP 2003270932A JP 2004310004 A5 JP2004310004 A5 JP 2004310004A5
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- atom
- branched
- group
- general formula
- compound
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Claims (22)
- (A)活性光線または放射線の照射により、活性種を発生する化合物、
(B)(A)の化合物から発生した活性種と反応及び/又は電子移動し、(A)の化合物から発生した活性種と異なる活性種を発生する化合物、及び
(C)(B)の化合物から発生した活性種から電子移動し、酸を発生する化合物、
を含有し、
(B)の化合物から発生した活性種の酸化電位の1/2波をEpaとし、(C)の化合物の還元電位の1/2波をEpcとすると、Epc−Epa >0 の関係を満す、ことを特徴とするレジスト組成物。 - (A)の化合物が下記一般式(a)で表される構造を含有することを特徴とする請求項1に記載のレジスト組成物。
Ra−Rb−COO- ( a )
上記一般式(a)において、Raは水素原子、置換または無置換の炭素数6〜16のアリール基、置換または無置換の炭素数1〜20の直鎖、分岐鎖または環状アルキル基、−COO- あるいは−SO3 - を表す。Rbは単結合、−C(=O)−、−NH−、または−S(=O)2− を表す。 - (A)の化合物が、一般式(a)と、一般式(I)〜(IV)で表される組み合わせからなる化合物から選ばれる、少なくとも1つから選ばれることを特徴とする請求項1又は2に記載のレジスト組成物。
R38は、直鎖状、分岐状あるいは環状アルキル基、又はアリール基を表す。R1〜R15、R16〜R27、R28〜R37のうち、2つ以上が結合して、単結合、炭素原子、酸素原子、イオウ原子及び窒素原子から選択される1種又は2種以上を含む環を形成してもよい。
R39〜R42は、それぞれ独立して、水素原子、直鎖状、分岐状あるいは環状アルキル基
、又はアリール基を表す。 - (A)の化合物が、下記一般式(V)で表される化合物であることを特徴とする請求項1〜3の何れか1項に記載のレジスト組成物。
R1〜R15は、各々独立に、水素原子、直鎖状、分岐状あるいは環状アルキル基、直鎖状、分岐状あるいは環状アルコキシ基、ヒドロキシル基、ハロゲン原子又は−S−R38 基を表す。
R38は、直鎖状、分岐状あるいは環状アルキル基、又はアリール基を表す。R1〜R15のうち、2つ以上が結合して、単結合、炭素原子、酸素原子、イオウ原子及び窒素原子から選択される1種又は2種以上を含む環を形成してもよい。 - (A)の化合物が、下記一般式(VI)又は(VII)で表される化合物であることを特徴とする請求項1〜3の何れか1項に記載のレジスト組成物。
を表す。
R1〜R15は、各々独立に、水素原子、直鎖状、分岐状あるいは環状アルキル基、直鎖状、分岐状あるいは環状アルコキシ基、ヒドロキシル基、ハロゲン原子又は−S−R38 基を表す。
R38は、直鎖状、分岐状あるいは環状アルキル基、又はアリール基を表す。R1〜R15のうち、2つ以上が結合して、単結合、炭素原子、酸素原子、イオウ原子及び窒素原子から選択される1種又は2種以上を含む環を形成してもよい。
R39〜R42は、それぞれ独立して、水素原子、直鎖状、分岐状あるいは環状アルキル基、又はアリール基を表す。 - (C)の化合物のEpcが、−1.15Vよりも正であることを特徴とする請求項1〜5の何れか1項に記載のレジスト組成物。
- (C)の化合物が、下記一般式(VIII)で表される部分構造と、対イオンとを有する、活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物であることを特徴とする請求項1〜6の何れか1項に記載のレジスト組成物。
Xは、硫黄原子又は沃素原子を表す。複数個のXは、同一であっても異なっていてもよい。
R1及びR2は、各々独立に、アルキル基又はアリール基を表す。R1が複数個ある場合に、複数個のR1は、同一であっても異なってもよい。R2が複数個ある場合に、複数個のR2は、同一であっても異なってもよい。また、R1とR2、R1とA、R1とB、R2とA、R2とBが結合して環を形成してもよい。
A及びBは、各々独立に、X+間を連結する炭化水素構造を表す。但し、A又はBを介して連結されたX+間の少なくとも1つは、連結されたX+が同一共役中にある構造を示す。Aが複数個ある場合に、複数個のAは、同一であっても異なってもよい。
lは、0又は1を表す。但し、Xが硫黄原子の場合にX+に結合しているR1を括るlは1を表し、Xが沃素原子の場合にX+に結合しているR1を括るlは0を表す。
mは、0〜10の整数を表す。
nは、1〜6の整数を表す。但し、mが0の場合に、nは、2以上の整数を表す。 - (B)の化合物が、分子内にベンゼン環原子団を1〜10個含むフェノール誘導体であり、さらにヒドロキシメチル基及びアルコキシメチル基を分子内にそれぞれ少なくとも1つ有する化合物であることを特徴とする請求項1〜7の何れか1項に記載のレジスト組成物。
- (B)の化合物が、環状エーテル化合物であることを特徴とする請求項1〜8の何れか1項に記載のレジスト組成物。
- 更に、(E)含窒素塩基性化合物を含有することを特徴とする請求項請求項1〜10の何れか1項に記載のレジスト組成物。
- 活性光線または放射線が、電子線、X線あるいは極紫外線(EUV)から選ばれることを特徴とする請求項1〜11の何れか1項に記載のレジスト組成物。
- (A)一般式(a)と、一般式(I)〜(IV)で表される組み合わせからなる化合物から選ばれる、少なくとも1つ、
(B)酸の作用により(D1)成分のアルカリ可溶性樹脂と付加反応をする架橋剤、
(C)下記一般式(VIII)で表される部分構造と、対イオンとを有する、活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物、及び
(D1)アルカリ可溶性樹脂、
を含有することを特徴とするネガ型レジスト組成物。
Ra−Rb−COO- (a)
一般式(a)において、
Raは水素原子、置換または無置換の炭素数6〜16のアリール基、置換または無置換の炭素数1〜20の直鎖、分岐鎖または環状アルキル基、−COO- あるいは−SO3 -を表す。
Rbは、単結合、−C(=O)−、−NH−、または−S(=O)2−を表す。
R38は、直鎖状、分岐状あるいは環状アルキル基、又はアリール基を表す。R1〜R15、R16〜R27、R28〜R37のうち、2つ以上が結合して、単結合、炭素原子、酸素原子、イオウ原子及び窒素原子から選択される1種又は2種以上を含む環を形成してもよい。
R39〜R42は、それぞれ独立して、水素原子、直鎖状、分岐状あるいは環状アルキル基
、又はアリール基を表す。
Xは、硫黄原子又は沃素原子を表す。複数個のXは、同一であっても異なっていてもよい。
R1及びR2は、各々独立に、アルキル基又はアリール基を表す。R1が複数個ある場合に、複数個のR1は、同一であっても異なってもよい。R2が複数個ある場合に、複数個のR2は、同一であっても異なってもよい。また、R1とR2、R1とA、R1とB、R2とA、R2とBが結合して環を形成してもよい。
A及びBは、各々独立に、X+間を連結する炭化水素構造を表す。但し、A又はBを介して連結されたX+間の少なくとも1つは、連結されたX+が同一共役中にある構造を示す。Aが複数個ある場合に、複数個のAは、同一であっても異なってもよい。
lは、0又は1を表す。但し、Xが硫黄原子の場合にX+に結合しているR1を括るlは1を表し、Xが沃素原子の場合にX+に結合しているR1を括るlは0を表す。
mは、0〜10の整数を表す。
nは、1〜6の整数を表す。但し、mが0の場合に、nは、2以上の整数を表す。 - (A)一般式(a’)と、一般式(I)〜(IV)で表される組み合わせからなる化合物から選ばれる、少なくとも1つ、
(B)酸の作用により(D1)成分のアルカリ可溶性樹脂と付加反応をする架橋剤、
(C)下記一般式(VIII)で表される部分構造と、対イオンとを有する、活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物、及び、
(D1)アルカリ可溶性樹脂、
を含有することを特徴とするネガ型レジスト組成物。
Ra−O- (a’)
一般式(a’)において、
Raは水素原子、置換または無置換の炭素数6〜16のアリール基、置換または無置換の炭素数1〜20の直鎖、分岐鎖または環状アルキル基、−COO- あるいは−SO3 -を表す。
R38は、直鎖状、分岐状あるいは環状アルキル基、又はアリール基を表す。R1〜R15、R16〜R27、R28〜R37のうち、2つ以上が結合して、単結合、炭素原子、酸素原子、イオウ原子及び窒素原子から選択される1種又は2種以上を含む環を形成してもよい。
R39〜R42は、それぞれ独立して、水素原子、直鎖状、分岐状あるいは環状アルキル基
、又はアリール基を表す。
Xは、硫黄原子又は沃素原子を表す。複数個のXは、同一であっても異なっていてもよい。
R1及びR2は、各々独立に、アルキル基又はアリール基を表す。R1が複数個ある場合に、複数個のR1は、同一であっても異なってもよい。R2が複数個ある場合に、複数個のR2は、同一であっても異なってもよい。また、R1とR2、R1とA、R1とB、R2とA、R2とBが結合して環を形成してもよい。
A及びBは、各々独立に、X+間を連結する炭化水素構造を表す。但し、A又はBを介して連結されたX+間の少なくとも1つは、連結されたX+が同一共役中にある構造を示す。Aが複数個ある場合に、複数個のAは、同一であっても異なってもよい。
lは、0又は1を表す。但し、Xが硫黄原子の場合にX+に結合しているR1を括るlは1を表し、Xが沃素原子の場合にX+に結合しているR1を括るlは0を表す。
mは、0〜10の整数を表す。
nは、1〜6の整数を表す。但し、mが0の場合に、nは、2以上の整数を表す。 - (A)成分が、上記一般式(a)と、上記一般式(I)又は(II)で表される組み合わせからなる化合物から選ばれる、少なくとも1つであることを特徴とする請求項13に記載のネガ型レジスト組成物。
- 更に、(E)含窒素有機塩基性化合物を含有することを特徴とする請求項13〜15のいずれか一項に記載のネガ型レジスト組成物。
- (A)一般式(a)と、一般式(I)〜(IV)で表される組み合わせからなる化合物から選ばれる少なくとも1つ、
(C)下記一般式(VIII)で表される部分構造と、対イオンとを有する、活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物、及び
(D2)酸の作用により、アルカリ現像液中での溶解度が増大する樹脂、
を含有することを特徴とするポジ型レジスト組成物。
Ra−Rb−COO- (a)
一般式(a)において、
Raは水素原子、置換または無置換の炭素数6〜16のアリール基、置換または無置換の炭素数1〜20の直鎖、分岐鎖または環状アルキル基、−COO- あるいは−SO3 - を表す。
Rbは、単結合、−C(=O)−、−NH−、または−S(=O)2−を表す。
R38は、直鎖状、分岐状あるいは環状アルキル基、又はアリール基を表す。R1〜R15、R16〜R27、R28〜R37のうち、2つ以上が結合して、単結合、炭素原子、酸素原子、イオウ原子及び窒素原子から選択される1種又は2種以上を含む環を形成してもよい。
R39〜R42は、それぞれ独立して、水素原子、直鎖状、分岐状あるいは環状アルキル基
、又はアリール基を表す。
Xは、硫黄原子又は沃素原子を表す。複数個のXは、同一であっても異なっていてもよい。
R1及びR2は、各々独立に、アルキル基又はアリール基を表す。R1が複数個ある場合に、複数個のR1は、同一であっても異なってもよい。R2が複数個ある場合に、複数個のR2は、同一であっても異なってもよい。また、R1とR2、R1とA、R1とB、R2とA、R2とBが結合して環を形成してもよい。
A及びBは、各々独立に、X+間を連結する炭化水素構造を表す。但し、A又はBを介して連結されたX+間の少なくとも1つは、連結されたX+が同一共役中にある構造を示す。Aが複数個ある場合に、複数個のAは、同一であっても異なってもよい。
lは、0又は1を表す。但し、Xが硫黄原子の場合にX+に結合しているR1を括るlは1を表し、Xが沃素原子の場合にX+に結合しているR1を括るlは0を表す。
mは、0〜10の整数を表す。
nは、1〜6の整数を表す。但し、mが0の場合に、nは、2以上の整数を表す。 - (A)一般式(a’)と、一般式(I)〜(IV)で表される組み合わせからなる化合物から選ばれる少なくとも1つ、
(C)下記一般式(VIII)で表される部分構造と、対イオンとを有する、活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物、及び
(D2)酸の作用により、アルカリ現像液中での溶解度が増大する樹脂、
を含有することを特徴とするポジ型レジスト組成物。
Ra−O- (a’)
一般式(a’)において、
Raは水素原子、置換または無置換の炭素数6〜16のアリール基、置換または無置換の炭素数1〜20の直鎖、分岐鎖または環状アルキル基、−COO- あるいは−SO3 -を表す。
R38は、直鎖状、分岐状あるいは環状アルキル基、又はアリール基を表す。R1〜R15、R16〜R27、R28〜R37のうち、2つ以上が結合して、単結合、炭素原子、酸素原子、イオウ原子及び窒素原子から選択される1種又は2種以上を含む環を形成してもよい。
R39〜R42は、それぞれ独立して、水素原子、直鎖状、分岐状あるいは環状アルキル基
、又はアリール基を表す。
Xは、硫黄原子又は沃素原子を表す。複数個のXは、同一であっても異なっていてもよい。
R1及びR2は、各々独立に、アルキル基又はアリール基を表す。R1が複数個ある場合に、複数個のR1は、同一であっても異なってもよい。R2が複数個ある場合に、複数個のR2は、同一であっても異なってもよい。また、R1とR2、R1とA、R1とB、R2とA、R2とBが結合して環を形成してもよい。
A及びBは、各々独立に、X+間を連結する炭化水素構造を表す。但し、A又はBを介して連結されたX+間の少なくとも1つは、連結されたX+が同一共役中にある構造を示す。Aが複数個ある場合に、複数個のAは、同一であっても異なってもよい。
lは、0又は1を表す。但し、Xが硫黄原子の場合にX+に結合しているR1を括るlは1を表し、Xが沃素原子の場合にX+に結合しているR1を括るlは0を表す。
mは、0〜10の整数を表す。
nは、1〜6の整数を表す。但し、mが0の場合に、nは、2以上の整数を表す。 - (A)成分が、上記一般式(a)と、上記一般式(I)又は(II)で表される組み合わせからなる化合物から選ばれる、少なくとも1つであることを特徴とする請求項17に記載のポジ型レジスト組成物。
- 更に、(E)含窒素有機塩基性化合物を含有することを特徴とする請求項17〜19のいずれか一項に記載のポジ型レジスト組成物。
- 活性光線又は放射線が、電子線、X線、EUV光から選ばれることを特徴とする、請求項13〜20のいずれか一項に記載のレジスト組成物。
- 請求項1〜21のいずれかに記載のレジスト組成物によりレジスト膜を形成し、当該レジスト膜を露光、現像することを特徴とするパターン形成方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003270932A JP2004310004A (ja) | 2002-07-04 | 2003-07-04 | レジスト組成物 |
Applications Claiming Priority (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2002196011 | 2002-07-04 | ||
JP2002261345 | 2002-09-06 | ||
JP2003085831 | 2003-03-26 | ||
JP2003270932A JP2004310004A (ja) | 2002-07-04 | 2003-07-04 | レジスト組成物 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2004310004A JP2004310004A (ja) | 2004-11-04 |
JP2004310004A5 true JP2004310004A5 (ja) | 2006-06-22 |
Family
ID=33479771
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2003270932A Pending JP2004310004A (ja) | 2002-07-04 | 2003-07-04 | レジスト組成物 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2004310004A (ja) |
Families Citing this family (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4347110B2 (ja) | 2003-10-22 | 2009-10-21 | 東京応化工業株式会社 | 電子線又はeuv用ポジ型レジスト組成物 |
JP4830442B2 (ja) * | 2005-10-19 | 2011-12-07 | Jsr株式会社 | ポジ型感放射線性樹脂組成物 |
JP5376813B2 (ja) * | 2007-10-22 | 2013-12-25 | 東京応化工業株式会社 | レジスト組成物、レジストパターン形成方法、新規な化合物、および酸発生剤 |
JP5401051B2 (ja) * | 2008-05-12 | 2014-01-29 | 東京応化工業株式会社 | レジスト組成物、レジストパターン形成方法および新規な化合物 |
JP2010134126A (ja) * | 2008-12-03 | 2010-06-17 | Jsr Corp | 感放射線性組樹脂組成物 |
JP5422210B2 (ja) * | 2009-01-09 | 2014-02-19 | 東京応化工業株式会社 | レジスト組成物およびレジストパターン形成方法 |
JP5364440B2 (ja) * | 2009-05-15 | 2013-12-11 | 東京応化工業株式会社 | レジスト組成物、レジストパターン形成方法、新規な化合物、および酸発生剤 |
JP5747456B2 (ja) * | 2009-09-09 | 2015-07-15 | 住友化学株式会社 | レジスト組成物 |
JP2011154160A (ja) * | 2010-01-27 | 2011-08-11 | Sumitomo Chemical Co Ltd | レジスト組成物 |
JP5846889B2 (ja) * | 2011-12-14 | 2016-01-20 | 東京応化工業株式会社 | レジスト組成物、レジストパターン形成方法、化合物 |
JP6212873B2 (ja) * | 2012-02-23 | 2017-10-18 | 住友化学株式会社 | レジスト組成物及び塩 |
JP2014240942A (ja) * | 2012-09-13 | 2014-12-25 | 富士フイルム株式会社 | 感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、レジスト膜、及び、パターン形成方法、並びに、これらを用いた電子デバイスの製造方法、及び、電子デバイス |
US20150346599A1 (en) * | 2014-05-29 | 2015-12-03 | Rohm And Haas Electronic Materials Llc | Photo-destroyable quencher and associated photoresist composition, and device-forming method |
JP6142847B2 (ja) * | 2014-06-09 | 2017-06-07 | 信越化学工業株式会社 | 化学増幅型レジスト組成物及びパターン形成方法 |
TWI778122B (zh) * | 2017-09-20 | 2022-09-21 | 日商富士軟片股份有限公司 | 感光化射線性或感放射線性樹脂組成物、抗蝕劑膜、圖案形成方法及電子器件的製造方法 |
JP7295691B2 (ja) * | 2018-04-23 | 2023-06-21 | 住友化学株式会社 | レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法 |
JP7400658B2 (ja) * | 2019-09-13 | 2023-12-19 | 信越化学工業株式会社 | レジスト材料及びパターン形成方法 |
-
2003
- 2003-07-04 JP JP2003270932A patent/JP2004310004A/ja active Pending