JP2000214588A5

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Publication number: JP2000214588A5
Application number: JP1999018511A
Authority: JP
Filing date: 1999-01-27
Publication date: 2005-07-07
Anticipated expiration: 2019-01-27

Claims

（イ）活性光線または放射線の照射により酸を発生する化合物、ならびに
（ロ）（ａ）下記一般式（ｐＩ）〜（ｐＶＩ）で表される脂環式炭化水素構造を含む基のうちの少なくとも１種の基で保護されたアルカリ可溶性基を有する繰り返し単位、
（ｂ）下記一般式（ｒＩ）で表される繰り返し単位、および
（ｃ）下記一般式（ｓＩ）で表される繰り返し単位
を含み、上記（ｃ）の繰り返し単位含有量が樹脂の全繰り返し単位の５〜１８モル％であり、かつ酸の作用により分解しアルカリに対する溶解性が増加する樹脂
を含有することを特徴とする遠紫外線露光用ポジ型フォトレジスト組成物。

一般式（ｐＩ）〜（ｐＶＩ）中；
Ｒ₁₁は、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基またはｓｅｃ−ブチル基を表し、Ｚは、炭素原子とともに脂環式炭化水素基を形成するのに必要な原子団を表す。
Ｒ₁₂〜Ｒ₁₆は、各々独立に、炭素数１〜４個の、直鎖もしくは分岐のアルキル基または脂環式炭化水素基を表し、但し、Ｒ₁₂〜Ｒ₁₄のうち少なくとも１つ、もしくはＲ₁₅、Ｒ₁₆のいずれかは脂環式炭化水素基を表す。
Ｒ₁₇〜Ｒ₂₁は、各々独立に、水素原子、炭素数１〜４個の、直鎖もしくは分岐のアルキル基または脂環式炭化水素基を表し、但し、Ｒ₁₇〜Ｒ₂₁のうち少なくとも１つは脂環式炭化水素基を表す。また、Ｒ₁₉、Ｒ₂₁のいずれかは炭素数１〜４個の、直鎖もしくは分岐のアルキル基または脂環式炭化水素基を表す。
Ｒ₂₂〜Ｒ₂₅は、各々独立に、炭素数１〜４個の、直鎖もしくは分岐のアルキル基または
脂環式炭化水素基を表し、但し、Ｒ₂₂〜Ｒ₂₅のうち少なくとも１つは脂環式炭化水素基を表す。

一般式（ｒＩ）中；
Ｒ₅は、水素原子、ハロゲン原子または１〜４個の炭素原子を有する直鎖もしくは分岐のアルキル基を表す。
Ｘは、２価の連結基を表す。
Ｒ₀は、ＣＯＯＲ₀で表される構成が酸の作用により分解する基となるような基を表す。

一般式（ｓＩ）中、Ｒ₆は、水素原子、ハロゲン原子または１〜４個の炭素原子を有する直鎖もしくは分岐のアルキル基を表す。
（ハ）アミン化合物を含有することを特徴とする請求項１に記載の遠紫外線露光用ポジ型フォトレジスト組成物。
（ニ）界面活性剤を含有することを特徴とする請求項１または２に記載の遠紫外線露光用ポジ型フォトレジスト組成物。
（ｃ）の繰り返し単位含有量が樹脂の全繰り返し単位の１０〜１８モル％であることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の遠紫外線露光用ポジ型フォトレジスト組成物。
請求項１〜４のいずれかに記載の遠紫外線露光用ポジ型フォトレジスト組成物によりポジ型フォトレジスト膜を形成し、当該ポジ型フォトレジスト膜を露光、現像することを特徴とするパターン形成方法。