JP2002303980A5

JP2002303980A5 -

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Publication number: JP2002303980A5
Application number: JP2001108627A
Authority: JP
Filing date: 2001-04-06
Publication date: 2006-01-19
Anticipated expiration: 2021-04-06

Description

【特許請求の範囲】
【請求項１】（Ａ）少なくとも（Ａ１）スルホニウムのスルホン酸塩化合物と（Ａ２）Ｎ−ヒドロキシイミドのスルホネート化合物又はジスルホニルジアゾメタン化合物を含む、活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物、
（Ｂ）下記一般式（Ｉ−１）〜（Ｉ−４）の少なくともいずれかで表される基を有する繰り返し単位を含有する、酸の作用により分解しアルカリに対する溶解性が増加する樹脂
を含有することを特徴とするポジ型フォトレジスト組成物。
【化１】

一般式（Ｉ−１）〜（Ｉ−４）中；
Ｒ₁〜Ｒ₅は同じでも異なっていてもよく、水素原子、置換基を有していてもよい、アルキル基、シクロアルキル基又はアルケニル基を表す。Ｒ₁〜Ｒ₅の内の２つは、結合して環を形成してもよい。
【請求項２】（Ｂ）の樹脂が、更に下記一般式（ｐＩ）〜（ｐＶＩ）で表される脂環式炭化水素構造を含む基のうちの少なくとも１種の基で保護されたアルカリ可溶性基を有する繰り返し単位を含有することを特徴とする請求項１に記載のポジ型フォトレジスト組成物。
【化２】

一般式（ｐＩ）〜（ｐＶＩ）中；
Ｒ₁₁は、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基またはｓｅｃ−ブチル基を表し、Ｚは、炭素原子とともに脂環式炭化水素基を形成するのに必要な原子団を表す。
Ｒ₁₂〜Ｒ₁₆は、各々独立に、炭素数１〜４個の、直鎖もしくは分岐のアルキル基または脂環式炭化水素基を表し、但し、Ｒ₁₂〜Ｒ₁₄のうち少なくとも１つ、もしくはＲ₁₅、Ｒ₁₆のいずれかは脂環式炭化水素基を表す。
Ｒ₁₇〜Ｒ₂₁は、各々独立に、水素原子、炭素数１〜４個の、直鎖もしくは分岐のアルキル基または脂環式炭化水素基を表し、但し、Ｒ₁₇〜Ｒ₂₁のうち少なくとも１つは脂環式炭化水素基を表す。また、Ｒ₁₉、Ｒ₂₁のいずれかは炭素数１〜４個の、直鎖もしくは分岐のアルキル基または脂環式炭化水素基を表す。
Ｒ₂₂〜Ｒ₂₅は、各々独立に、炭素数１〜４個の、直鎖もしくは分岐のアルキル基または脂環式炭化水素基を表し、但し、Ｒ₂₂〜Ｒ₂₅のうち少なくとも１つは脂環式炭化水素基を表す。
【請求項３】前記一般式（ｐＩ）〜（ｐＶＩ）で表される脂環式炭化水素構造を含む基が、下記一般式（ＩＩ）で表される基であることを特徴とする請求項２に記載のポジ型フォトレジスト組成物。
【化３】

一般式（ＩＩ）中、Ｒ₂₈は、置換基を有していてもよいアルキル基を表す。Ｒ₂₉〜Ｒ₃₁は、同じでも異なっていてもよく、ヒドロキシ基、ハロゲン原子、カルボキシ基あるいは、置換基を有していてもよい、アルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基、アルコキシ基、アルコキシカルボニル基又はアシル基を表す。
ｐ、ｑ、ｒは、各々独立に、０又は１〜３の整数を表す。
【請求項４】前記（Ｂ）の樹脂が、下記一般式（ａ）で表される繰り返し単位を含有することを特徴とする請求項１から３のいずれかに記載のポジ型フォトレジスト組成物。
【化４】

一般式（ａ）中、Ｒは、水素原子、ハロゲン原子、又は炭素数１から４の置換もしくは非置換のアルキル基を表す。Ｒ₃₂〜Ｒ₃₄は、同じでも異なっていてもよく、水素原子又は水酸基を表す。Ｒ₃₂〜Ｒ₃₄のうち少なくとも１つは水酸基を表す。
【請求項５】更に（Ｃ）酸拡散抑制剤を含有することを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載のポジ型フォトレジスト組成物。
【請求項６】（Ｄ）フッ素系及び／又はシリコン系界面活性剤を更に含有することを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載のポジ型フォトレジスト組成物。
【請求項７】露光光として、波長１５０ｎｍ〜２２０ｎｍの遠紫外線を用いることを特徴とする請求項１〜６のいずれかに記載のポジ型フォトレジスト組成物。
【請求項８】請求項１〜７のいずれかに記載のポジ型フォトレジスト組成物によりレジスト膜を形成し、当該レジスト膜を露光、現像することを特徴とするパターン形成方法。