JP2000187327A5 - - Google Patents
Download PDFInfo
- Publication number
- JP2000187327A5 JP2000187327A5 JP1998327056A JP32705698A JP2000187327A5 JP 2000187327 A5 JP2000187327 A5 JP 2000187327A5 JP 1998327056 A JP1998327056 A JP 1998327056A JP 32705698 A JP32705698 A JP 32705698A JP 2000187327 A5 JP2000187327 A5 JP 2000187327A5
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- group
- alicyclic hydrocarbon
- hydrocarbon group
- positive photoresist
- linear
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 125000002723 alicyclic group Chemical group 0.000 claims 7
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 claims 5
- 125000004432 carbon atoms Chemical group C* 0.000 claims 5
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims 5
- -1 alicyclic hydrocarbon Chemical class 0.000 claims 4
- 239000002253 acid Substances 0.000 claims 3
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims 2
- 125000000753 cycloalkyl group Chemical group 0.000 claims 2
- 125000000524 functional group Chemical group 0.000 claims 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims 2
- 239000004215 Carbon black (E152) Substances 0.000 claims 1
- UFWIBTONFRDIAS-UHFFFAOYSA-N Naphthalene Natural products C1=CC=CC2=CC=CC=C21 UFWIBTONFRDIAS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 239000003513 alkali Substances 0.000 claims 1
- 125000004849 alkoxymethyl group Chemical group 0.000 claims 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims 1
- 125000001495 ethyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 claims 1
- 125000004435 hydrogen atoms Chemical group [H]* 0.000 claims 1
- 125000000959 isobutyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(C([H])([H])[H])C([H])([H])* 0.000 claims 1
- 125000001449 isopropyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])[H] 0.000 claims 1
- 125000000686 lactone group Chemical group 0.000 claims 1
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 claims 1
- 125000004108 n-butyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 claims 1
- 125000004123 n-propyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 claims 1
- 125000002914 sec-butyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])[H] 0.000 claims 1
- 125000003718 tetrahydrofuranyl group Chemical group 0.000 claims 1
- 125000001412 tetrahydropyranyl group Chemical group 0.000 claims 1
- 125000004665 trialkylsilyl group Chemical group 0.000 claims 1
Claims (3)
- 活性光線または放射線の照射により酸を発生する化合物、下記一般式（ｐＩ）〜（ｐＶＩ）で表される脂環式炭化水素を含む部分構造のうち少なくとも１つで保護されたアルカリ可溶性基を含み、酸の作用により分解しアルカリに対する溶解性が増加する樹脂、及び
（ｉ）親水性官能基および環状炭化水素基を有する低分子化合物又は（ｉｉ）親水性官能基を有するナフタレン化合物
を含有することを特徴とする遠紫外線露光用ポジ型フォトレジスト組成物。
Ｒ12〜Ｒ16は、各々独立に、炭素数１〜４個の、直鎖もしくは分岐のアルキル基又は脂環式炭化水素基を表し、但し、Ｒ12〜Ｒ14のうち少なくとも１つ、もしくはＲ15、Ｒ16のいずれかは脂環式炭化水素基を表す。
Ｒ17〜Ｒ21は、各々独立に、水素原子、炭素数１〜４個の、直鎖もしくは分岐のアルキル基又は脂環式炭化水素基を表し、但し、Ｒ17〜Ｒ21のうち少なくとも１つは脂環式炭化水素基を表す。また、Ｒ19、Ｒ21のいずれかは炭素数１〜４個の、直鎖もしくは分岐のアルキル基又は脂環式炭化水素基を表す。
Ｒ22〜Ｒ25は、各々独立に、炭素数１〜４個の、直鎖もしくは分岐のアルキル基又は脂環式炭化水素基を表し、但し、Ｒ22〜Ｒ25のうち少なくとも１つは脂環式炭化水素基を表す。 - 前記樹脂が、下記一般式（Ａ）で表される、酸の作用により分解する基を含有することを特徴とする請求項１に記載の遠紫外線露光用ポジ型フォトレジスト組成物。
一般式（Ａ） −Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−Ｒ0
式（Ａ）中、Ｒ0は、３級アルキル基、１−アルコキシエチル基、アルコキシメチル基、テトラヒドロピラニル基、テトラヒドロフラニル基、トリアルキルシリル基、３−オキソシクロヘキシル基又はラクトン基を表す。 - 請求項１または２に記載のポジ型フォトレジスト組成物によりポジ型フォトレジスト膜を形成し、当該ポジ型フォトレジスト膜を露光、現像することを特徴とするパターン形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32705698A JP4036986B2 (ja) | 1998-10-15 | 1998-11-17 | 遠紫外線露光用ポジ型フォトレジスト組成物 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10-293986 | 1998-10-15 | ||
| JP29398698 | 1998-10-15 | ||
| JP32705698A JP4036986B2 (ja) | 1998-10-15 | 1998-11-17 | 遠紫外線露光用ポジ型フォトレジスト組成物 |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000187327A JP2000187327A (ja) | 2000-07-04 |
| JP2000187327A5 true JP2000187327A5 (ja) | 2005-02-24 |
| JP4036986B2 JP4036986B2 (ja) | 2008-01-23 |
Family
ID=26559638
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP32705698A Expired - Fee Related JP4036986B2 (ja) | 1998-10-15 | 1998-11-17 | 遠紫外線露光用ポジ型フォトレジスト組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4036986B2 (ja) |
Families Citing this family (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4503109B2 (ja) * | 1999-02-09 | 2010-07-14 | ダイセル化学工業株式会社 | 重合性脂環式化合物 |
| WO2004047166A2 (en) | 2002-11-15 | 2004-06-03 | E.I. Du Pont De Nemours And Company | Process for using protective layers in the fabrication of electronic devices |
| KR101115224B1 (ko) * | 2004-02-04 | 2012-02-14 | 가부시끼가이샤 다이셀 | 불포화 카르복실산 헤미아세탈 에스테르, 고분자 화합물 및포토레지스트용 수지 조성물 |
| JP4651283B2 (ja) * | 2004-02-04 | 2011-03-16 | ダイセル化学工業株式会社 | 不飽和カルボン酸ヘミアセタールエステル、高分子化合物及びフォトレジスト用樹脂組成物 |
| JP4780945B2 (ja) * | 2004-02-04 | 2011-09-28 | ダイセル化学工業株式会社 | 不飽和カルボン酸ヘミアセタールエステル、高分子化合物及びフォトレジスト用樹脂組成物 |
| US7402373B2 (en) | 2004-02-05 | 2008-07-22 | E.I. Du Pont De Nemours And Company | UV radiation blocking protective layers compatible with thick film pastes |
| JP4866237B2 (ja) * | 2004-05-18 | 2012-02-01 | 出光興産株式会社 | アダマンタン誘導体、その製造方法及びフォトレジスト用感光材料 |
| WO2005116761A2 (en) * | 2004-05-27 | 2005-12-08 | E.I. Dupont De Nemours And Company | Uv radiation blocking protective layers compatible with thick film pastes |
| JP4511383B2 (ja) | 2005-02-23 | 2010-07-28 | 富士フイルム株式会社 | ポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法 |
| JP2007079552A (ja) * | 2005-08-17 | 2007-03-29 | Jsr Corp | 感放射線性樹脂組成物 |
| CN101273303B (zh) | 2005-10-26 | 2011-07-06 | 旭化成电子材料株式会社 | 正型感光性树脂组合物 |
| JP4635031B2 (ja) * | 2007-08-06 | 2011-02-16 | 三菱レイヨン株式会社 | アダマンタン誘導体の製造方法 |
-
1998
- 1998-11-17 JP JP32705698A patent/JP4036986B2/ja not_active Expired - Fee Related