JP2000338680A5

JP2000338680A5 -

Info

Publication number: JP2000338680A5
Application number: JP1999152861A
Authority: JP
Filing date: 1999-05-31
Publication date: 2005-07-07
Anticipated expiration: 2019-05-31

Claims

（Ａ）活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物と、（Ｂ）下記一般式（Ｉ）で表される繰り返し単位を有し、かつ酸の作用により分解し、アルカリに対する溶解性が増大する樹脂、及び（Ｃ）下記一般式（ＣＩ）又は（ＣII）で表される化合物を含有することを特徴とする遠紫外線露光用ポジ型フォトレジスト組成物。

式（Ｉ）中：
Ｒ₁は、水素原子、ハロゲン原子又は１〜４個の炭素原子を有する直鎖もしくは分岐のアルキル基を表す。Ｒ₂〜Ｒ₄は、各々独立に、水素原子又は水酸基を表す。ただし、Ｒ₂〜Ｒ₄のうち少なくとも１つは、水酸基を表す。

式（ＣＩ）中、Ｘは、−Ｏ−、−Ｓ−、−Ｎ（Ｒ₅₃）−、又は単結合を表し、Ｒ₅₁、Ｒ₅₂、Ｒ₅₃は、各々独立に水素原子又はアルキル基を表し、Ｒ′は−ＣＯＯＲ′で酸分解性基を構成する基を表す。Ｒは、有橋式炭化水素基又はナフタレン環を含むｎ１価の残基を表す。
式（ＣII）中、Ｒ₆₀は水素原子又はアルキル基を表し、Ｒ₆₁は−Ｏ−Ｒ₆₁で酸分解性基を構成する基を表し、ｍ1 、ｎ1 、ｐ1 は、各々独立に、１〜４の整数を示し、ｑ１は０〜１０の整数を示す。
請求項１に記載の遠紫外線露光用ポジ型フォトレジスト組成物によりポジ型フォトレジスト膜を形成し、当該ポジ型フォトレジスト膜を露光、現像することを特徴とするパターン形成方法。