JP2001318464A5 - - Google Patents
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【特許請求の範囲】
【請求項1】 (a)酸の作用により、アルカリ現像液に対する溶解性が増大する樹脂、
(b)活性光線又は放射線の照射により分子量100以下のカルボン酸を発生する化合物、
(c)界面活性剤、及び
(d)溶剤
を含有することを特徴とするポジ型感放射線性組成物。
【請求項2】 (b')活性光線又は放射線の照射によりスルホン酸を発生する化合物をさらに含有することを特徴とする請求項1に記載のポジ型感放射線性組成物。
【請求項3】 (b)活性光線又は放射線の照射により分子量100以下のカルボン酸を発生する化合物が、下記一般式(I)で表される化合物であることを特徴とする請求項1又は2に記載のポジ型感放射線性組成物。
【化1】
一般式(I)中:R11〜R15は、各々独立に、水素原子、直鎖、分岐あるいは環状アルキル基、直鎖、分岐あるいは環状アルコキシ基、ヒドロキシル基、ハロゲン原子、又は−S−R0基を表す。R0は、直鎖、分岐あるいは環状アルキル基、又はアリール基を表す。
A+は、S+又はI+を表す。
B-は、CH3COO-、C2H5COO-、又はC3H7COO-を表す。
mは、2又は3を表す。
【請求項4】 (a)の樹脂が、下記一般式(II)で表される酸分解性基を有することを特徴とする請求項1〜3のいずれかに記載のポジ型感放射線性組成物。
【化2】
一般式(II)中:
R1は、炭素数1〜4個のアルキル基を表す。
Wは、酸素原子、窒素原子、イオウ原子、リン原子及び珪素原子からなる群から選択される少なくとも1種の原子と少なくとも1つの炭素原子を含有する有機基、アミノ基、アンモニウム基、メルカプト基、置換あるいは無置換のアリール基、又は置換あるいは無置換の環状アルキル基を表す。
nは、1〜4の自然数を表す。
【請求項5】(a)の樹脂が、フェノール性水酸基を含有するアルカリ可溶性樹脂の該フェノール性水酸基の少なくとも一部が上記一般式(II)で表される酸分解性基で保護されている樹脂であることを特徴とする請求項1〜4のいずれかに記載のボジ型感放射線性組成物。
【請求項6】 有機塩基性化合物を含有することを特徴とする請求項1〜5のいずれかに記載のボジ型感放射線性組成物。
【請求項7】 請求項1〜6のいずれかに記載の組成物により膜を形成し、当該膜を露光、現像することを特徴とするパターン形成方法。
【請求項1】 (a)酸の作用により、アルカリ現像液に対する溶解性が増大する樹脂、
(b)活性光線又は放射線の照射により分子量100以下のカルボン酸を発生する化合物、
(c)界面活性剤、及び
(d)溶剤
を含有することを特徴とするポジ型感放射線性組成物。
【請求項2】 (b')活性光線又は放射線の照射によりスルホン酸を発生する化合物をさらに含有することを特徴とする請求項1に記載のポジ型感放射線性組成物。
【請求項3】 (b)活性光線又は放射線の照射により分子量100以下のカルボン酸を発生する化合物が、下記一般式(I)で表される化合物であることを特徴とする請求項1又は2に記載のポジ型感放射線性組成物。
【化1】
一般式(I)中:R11〜R15は、各々独立に、水素原子、直鎖、分岐あるいは環状アルキル基、直鎖、分岐あるいは環状アルコキシ基、ヒドロキシル基、ハロゲン原子、又は−S−R0基を表す。R0は、直鎖、分岐あるいは環状アルキル基、又はアリール基を表す。
A+は、S+又はI+を表す。
B-は、CH3COO-、C2H5COO-、又はC3H7COO-を表す。
mは、2又は3を表す。
【請求項4】 (a)の樹脂が、下記一般式(II)で表される酸分解性基を有することを特徴とする請求項1〜3のいずれかに記載のポジ型感放射線性組成物。
【化2】
一般式(II)中:
R1は、炭素数1〜4個のアルキル基を表す。
Wは、酸素原子、窒素原子、イオウ原子、リン原子及び珪素原子からなる群から選択される少なくとも1種の原子と少なくとも1つの炭素原子を含有する有機基、アミノ基、アンモニウム基、メルカプト基、置換あるいは無置換のアリール基、又は置換あるいは無置換の環状アルキル基を表す。
nは、1〜4の自然数を表す。
【請求項5】(a)の樹脂が、フェノール性水酸基を含有するアルカリ可溶性樹脂の該フェノール性水酸基の少なくとも一部が上記一般式(II)で表される酸分解性基で保護されている樹脂であることを特徴とする請求項1〜4のいずれかに記載のボジ型感放射線性組成物。
【請求項6】 有機塩基性化合物を含有することを特徴とする請求項1〜5のいずれかに記載のボジ型感放射線性組成物。
【請求項7】 請求項1〜6のいずれかに記載の組成物により膜を形成し、当該膜を露光、現像することを特徴とするパターン形成方法。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2000137461A JP4562240B2 (ja) | 2000-05-10 | 2000-05-10 | ポジ型感放射線性組成物及びそれを用いたパターン形成方法 |
US09/851,113 US6806023B2 (en) | 2000-05-10 | 2001-05-09 | Positive radiation-sensitive composition |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2000137461A JP4562240B2 (ja) | 2000-05-10 | 2000-05-10 | ポジ型感放射線性組成物及びそれを用いたパターン形成方法 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2001318464A JP2001318464A (ja) | 2001-11-16 |
JP2001318464A5 true JP2001318464A5 (ja) | 2007-06-21 |
JP4562240B2 JP4562240B2 (ja) | 2010-10-13 |
Family
ID=18645233
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2000137461A Expired - Lifetime JP4562240B2 (ja) | 2000-05-10 | 2000-05-10 | ポジ型感放射線性組成物及びそれを用いたパターン形成方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6806023B2 (ja) |
JP (1) | JP4562240B2 (ja) |
Families Citing this family (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100393230B1 (ko) * | 2001-08-16 | 2003-07-31 | 삼성전자주식회사 | 잔막율을 조절할 수 있는 포토레지스트 패턴의 형성방법 |
JP4121396B2 (ja) * | 2003-03-05 | 2008-07-23 | 富士フイルム株式会社 | ポジ型レジスト組成物 |
JP4115322B2 (ja) | 2003-03-31 | 2008-07-09 | 富士フイルム株式会社 | ポジ型レジスト組成物 |
JP4488230B2 (ja) * | 2005-10-31 | 2010-06-23 | 信越化学工業株式会社 | レジスト用重合体、レジスト材料及びパターン形成方法 |
US7771913B2 (en) * | 2006-04-04 | 2010-08-10 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Resist composition and patterning process using the same |
TW200832068A (en) * | 2006-11-28 | 2008-08-01 | Jsr Corp | Positive radiation-sensitive resin composition and pattern forming method |
US20100136477A1 (en) * | 2008-12-01 | 2010-06-03 | Ng Edward W | Photosensitive Composition |
CN102781911B (zh) | 2010-02-24 | 2015-07-22 | 巴斯夫欧洲公司 | 潜酸及其用途 |
JP6112813B2 (ja) * | 2012-09-27 | 2017-04-12 | 住友精化株式会社 | トリアリールスルホニウム塩の製造方法 |
CN107207456B (zh) | 2015-02-02 | 2021-05-04 | 巴斯夫欧洲公司 | 潜酸及其用途 |
KR102269808B1 (ko) | 2016-03-09 | 2021-06-28 | 가부시키가이샤 도쿠야마 덴탈 | 광 중합 개시제 및 광 경화성 조성물 |
JP2017181895A (ja) * | 2016-03-31 | 2017-10-05 | 東京応化工業株式会社 | 化学増幅型ポジ型感光性樹脂組成物 |
US9872399B1 (en) | 2016-07-22 | 2018-01-16 | International Business Machines Corporation | Implementing backdrilling elimination utilizing anti-electroplate coating |
JP7438782B2 (ja) * | 2019-02-26 | 2024-02-27 | 住友化学株式会社 | 化合物、樹脂、レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法 |
Family Cites Families (20)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE3817012A1 (de) | 1988-05-19 | 1989-11-30 | Basf Ag | Positiv und negativ arbeitende strahlungsempfindliche gemische sowie verfahren zur herstellung von reliefmustern |
DE4007924A1 (de) | 1990-03-13 | 1991-09-19 | Basf Ag | Strahlungsempfindliches gemisch |
JP3238465B2 (ja) | 1991-04-30 | 2001-12-17 | 株式会社東芝 | パターン形成用レジストおよびパターン形成方法 |
JP3030672B2 (ja) | 1991-06-18 | 2000-04-10 | 和光純薬工業株式会社 | 新規なレジスト材料及びパタ−ン形成方法 |
EP0552548B1 (en) * | 1991-12-16 | 1997-03-19 | Wako Pure Chemical Industries Ltd | Resist material |
JPH05323590A (ja) | 1992-05-20 | 1993-12-07 | Fujitsu Ltd | 化学増幅型レジスト組成物 |
JP3509988B2 (ja) * | 1994-04-13 | 2004-03-22 | クラリアント インターナショナル リミテッド | 放射感応性混合物 |
US5663035A (en) * | 1994-04-13 | 1997-09-02 | Hoechst Japan Limited | Radiation-sensitive mixture comprising a basic iodonium compound |
JP2942167B2 (ja) | 1994-09-02 | 1999-08-30 | 和光純薬工業株式会社 | レジスト材料及びこれを用いたパターン形成方法 |
JP3549592B2 (ja) * | 1994-11-02 | 2004-08-04 | クラリアント インターナショナル リミテッド | 放射線感応性組成物 |
DE69516101T2 (de) | 1994-12-20 | 2001-01-11 | Arch Speciality Chemicals, Inc. | Vernetzte Polymere |
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JP3991462B2 (ja) * | 1997-08-18 | 2007-10-17 | Jsr株式会社 | 感放射線性樹脂組成物 |
JPH11231536A (ja) * | 1998-02-10 | 1999-08-27 | Fuji Photo Film Co Ltd | ポジ型感光性組成物 |
JPH11282163A (ja) * | 1998-03-26 | 1999-10-15 | Fuji Photo Film Co Ltd | ポジ型感光性組成物 |
JP3955385B2 (ja) * | 1998-04-08 | 2007-08-08 | Azエレクトロニックマテリアルズ株式会社 | パターン形成方法 |
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US6692883B2 (en) * | 2000-04-21 | 2004-02-17 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Positive photoresist composition |
-
2000
- 2000-05-10 JP JP2000137461A patent/JP4562240B2/ja not_active Expired - Lifetime
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2001
- 2001-05-09 US US09/851,113 patent/US6806023B2/en not_active Expired - Lifetime