JP2001318464A - ポジ型感放射線性組成物 - Google Patents
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Abstract
後、後加熱までに時間が相当経過しても優れた解像力及
びパターンプロファイルが得られるプロセス許容性が大
きいポジ型感放射線性組成物を提供すること。 【解決手段】 酸の作用により、アルカリ現像液に対す
る溶解性が増大する樹脂、 活性光線又は放射線の照射
により分子量100以下のカルボン酸を発生する化合
物、界面活性剤、及び溶剤を含有するポジ型感放射線性
組成物。
Description
等の半導体製造工程、液晶、サーマルヘッド等の回路基
板の製造、更にその他のフォトファブリケーション工程
に使用されるポジ型感放射線性組成物に関するものであ
る。
リソグラフィーのパターン形成に用いるレジストとし
て、米国特許第4,491,628号、欧州特許第29,139号等に
記載されている化学増幅系レジスト組成物がある。化学
増幅型ポジレジスト組成物は、遠紫外光等の放射線の照
射により露光部に酸を生成させ、この酸を触媒とする反
応によって、活性放射線の照射部と非照射部の現像液に
対する溶解性を変化させパターンを基板上に形成させる
パターン形成材料である。
ルカリ可溶性樹脂、放射線露光によつて酸を発生する化
合物(光酸発生剤)、及び酸分解性基を有するアルカリ
可溶性樹脂に対する溶解阻止化合物から成る3成分系
と、酸との反応により分解しアルカリ可溶となる基を有
する樹脂と光酸発生剤からなる2成分系、更に酸との反
応により分解しアルカリ可溶となる基を有する樹脂、酸
分解性基を有する低分子溶解阻止化合物、及び光酸発生
剤から成るハイブリット系に大別できる。
剤を2種用いることが記載され、特開平5−18127
9号には強酸を発生する光酸発生剤と、弱酸を発生する
光酸発生剤とを用いることが記載され、特開平11−1
25907号には沸点150℃以上のカルボン酸を発生
する化合物と、カルボン酸以外の酸を発生させる化合物
を用いることが記載されている。
(p−ヒドロキシスチレン)のフェノール性ヒドロキシ
ル基を全部あるいは部分的にテトラヒドロピラニル基で
保護した樹脂を含有することを特徴とするレジスト組成
物が開示されている。特開平4−219757号には同
様にポリ(p−ヒドロキシスチレン)のフェノール性ヒ
ドロキシル基の20〜70%がアセタール基で置換され
た樹脂を含有することを特徴とするレジスト組成物が開
示されている。更に特開平5−249682号にも同様
のアセタール保護された樹脂を用いたフォトレジスト組
成物が示されている。また特開平8−123032号に
はアセタール基で置換された基を含む三元共重合体を用
いたフォトレジスト組成物が示されている。更に、特開
平8−253534号にはアセタール基で置換された基
を含む、部分架橋ポリマーを用いたフォトレジスト組成
物が示されている。
加工が可能な光源短波長化に有効な系となり得るもので
あるが、更に露光した後、後加熱までに時間が相当経過
しても優れた解像力及びパターンプロファイルが得られ
る、即ちプロセス許容性が大きい化学増幅系フォトレジ
ストが要求されている。上記のような従来の技術ではこ
の要求に十分に応えるものではなかった。
型化学増幅レジストにあって、露光した後、後加熱まで
に時間が相当経過しても優れた解像力及びパターンプロ
ファイルが得られるプロセス許容性が大きいポジ型感放
射線性組成物を提供することにある。
記の構成によって達成される。 (1) (a)酸の作用により、アルカリ現像液に対す
る溶解性が増大する樹脂、(b)活性光線又は放射線の
照射により分子量100以下のカルボン酸を発生する化
合物、(c)界面活性剤、及び(d)溶剤を含有するこ
とを特徴とするポジ型感放射線性組成物。 (2) (b')活性光線又は放射線の照射によりスル
ホン酸を発生する化合物をさらに含有することを特徴と
する(1)に記載のポジ型感放射線性組成物。 (3) (b)活性光線又は放射線の照射により分子量
100以下のカルボン酸を発生する化合物が、下記一般
式(I)で表される化合物であることを特徴とする前記
(1)又は(2)に記載のポジ型感放射線性組成物。
に、水素原子、直鎖、分岐あるいは環状アルキル基、直
鎖、分岐あるいは環状アルコキシ基、ヒドロキシル基、
ハロゲン原子、又は−S−R0基を表す。R0は、直鎖、
分岐あるいは環状アルキル基、又はアリール基を表す。
A+は、S+又はI+を表す。B-は、CH3COO-、C2
H5COO-、又はC3H7COO-を表す。mは、2又は
3を表す。 (4) (a)の樹脂が、下記一般式(II)で表される
酸分解性基を有することを特徴とする上記(1)〜
(3)のいずれかに記載のポジ型感放射線性組成物。
のアルキル基を表す。Wは、酸素原子、窒素原子、イオ
ウ原子、リン原子及び珪素原子からなる群から選択され
る少なくとも1種の原子と少なくとも1つの炭素原子を
含有する有機基、アミノ基、アンモニウム基、メルカプ
ト基、置換あるいは無置換のアリール基、又は置換ある
いは無置換の環状アルキル基を表す。nは、1〜4の自
然数を表す。 (5) (a)の樹脂が、フェノール性水酸基を含有す
るアルカリ可溶性樹脂の該フェノール性水酸基の少なく
とも一部が上記一般式(II)で表される酸分解性基で保
護されている樹脂であることを特徴とする前記(1)〜
(4)のいずれかに記載のボジ型感放射線性組成物。 (6) 有機塩基性化合物を含有することを特徴とする
前記(1)〜(5)のいずれかに記載のボジ型感放射線
性組成物。
組成物に含有される化合物、樹脂等の成分について詳細
に説明する。 〔I〕(a)酸の作用により、アルカリ現像液に対する
溶解性が増大する樹脂本発明において、好ましい上記樹
脂として、アルカリ可溶性基が、酸分解性基(保護基)
で保護された構造を有する樹脂を挙げることができる。
以下この樹脂を「(a)酸分解性樹脂」ともいう。ここ
で、アルカリ可溶性基としては、フェノール性水酸基、
カルボキシル基、スルホン酸基等が挙げられる。これら
の中でもフェノール性水酸基が好ましい。 (a)酸分解性樹脂のなかでも、フェノール性水酸基を
有するアルカリ可溶性樹脂の該フェノール性水酸基を上
記一般式(II)で示される基で保護されたものが好まし
い。
性樹脂は、o−,m−又はp−ヒドロキシスチレン、あ
るいはo−,m−又はp−ヒドロキシ−α−メチルスチ
レンを少なくとも30モル%、好ましくは50モル%以
上含有する共重合体又はそのホモポリマー、あるいは部
分的に水素添加された樹脂であることが好ましく、p−
ヒドロキシスチレンホモポリマーがより好ましい。上記
共重合体の共重合モノマーとしては、アクリル酸エステ
ル類、メタクリル酸エステル類、アクリルアミド類、メ
タクリルアミド類、アクリロニトリル、メタクリロニト
リル、無水マレイン酸、スチレン、α−メチルスチレ
ン、アセトキシスチレン、アルコキシスチレン類が好ま
しく、スチレン、アセトキシスチレン、t−ブトキシス
チレンがより好ましい。このアルカリ可溶性樹脂の重量
平均分子量の範囲は、GPC法で測定されたポリスチレ
ン換算値として、好ましくは3000〜80000であ
り、より好ましくは7000〜50000である。分子
量分布(Mw/Mn)の範囲は1.01〜4.0であ
り、好ましくは1.05〜1.20である。この分子量
分布のポリマーを得るにはアニオン重合等の手法を用い
ることが好ましい。
数であり、2又は3が好ましい。R1として、メチル、
エチル、n−プロピル、イソプロピル、n−ブチル、イ
ソブチル、sec−ブチル、t−ブチルが好ましく挙げ
られ、なかでもメチルがより好ましい。また、Wの有機
基は、酸素原子、窒素原子、イオウ原子、リン原子、珪
素原子のうち少なくとも1種の原子と少なくとも1つの
炭素原子より構成される。より具体的には、Wは以下に
示される基が好ましい。
直鎖状、分岐状及び環状のアルキル基、炭素数2〜6の
直鎖状、分岐状及び環状のアルケニル基、置換あるいは
無置換のアリール基、並びに置換あるいは無置換のアラ
ルキル基からなる群から選択される基を表す。R3は、
水素原子、炭素数1〜6の直鎖状、分岐状及び環状のア
ルキル基、炭素数1〜6の直鎖状、分岐状及び環状のア
ルコキシ基、ハロゲン原子、ニトロ基、アミノ基、水酸
基、並びにシアノ基からなる群から選択される基を表
す。Xは、ハロゲン原子を表す。R4は、置換あるいは
無置換のアリール基、又は置換あるいは無置換の炭素数
3〜15個の環状アルキル基を表す。mは、1〜4の自
然数であり、1又は2が好ましい。
直鎖状、分岐状及び環状のアルキル基としては、メチ
ル、エチル、n−プロピル、イソプロピル、シクロプロ
ピル、n−ブチル、イソブチル、sec−ブチル、t−
ブチル、ペンチル、イソペンチル、ネオペンチル、シク
ロペンチル、ヘキシル、シクロヘキシル等が好ましく、
メチル、エチルがより好ましい。R2における炭素数2
〜6の直鎖状、分岐状及び環状のアルケニル基としては
ビニル、1−プロペニル、アリル、イソプロペニル、1
−ブテニル、2−ブテニル、2−ペンテニル、シクロヘ
キセニル等が好ましく、ビニル、イソプロペニルがより
好ましい。
ル、トリル、キシリル、メシチル、クメニル等が好まし
く、フェニルがより好ましい。R2のアラルキル基とし
ては、ベンジル、フェネチル、α−メチルベンジル、ベ
ンズヒドリル等が好ましく、ベンジルがより好ましい。
R4における炭素数3〜15個の環状アルキル基として
は、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシ
ル基等が好ましい。これらの、アリール、アラルキル、
環状アルキル基には、ハロゲン原子、ニトロ基、アルコ
キシ基、アセチル基、アミノ基、エステル基、アミド基
等が置換されていてもよい。R3における炭素数1〜6
の直鎖状、分岐状及び環状のアルコキシ基としては、メ
トキシ、エトキシ、プロポキシ、イソプロポキシ、ブト
キシ、ペンチルオキシ、ヘキシルオキシ等が好ましく、
メトキシ基及びエトキシ基がより好ましい。
ウ素が好ましく、塩素、臭素がより好ましい。また、W
は上記に示したように、シアノ基、ホルミル基であって
もよい。
的な例を以下に示すが、これらに限定されるものではな
い。但し、Meはメチル基、Etはエチル基、Phはフ
ェニル基を表す。
基でフェノール水酸基が保護されている樹脂は、対応す
るビニルエーテルを合成し、テトラヒドロフラン等の適
当な溶媒に溶解したフェノール性水酸基含有アルカリ可
溶性樹脂と既知の方法により反応させることにより得る
ことができる。反応は、通常酸性の触媒、好ましくは、
酸性イオン交換樹脂や、塩酸、p−トルエンスルホン酸
あるいは、ピリジニウムトシレートのような塩の存在下
実施される。対応するビニルエーテルは、クロロエチル
ビニルエーテルのような活性な原科から、求核置換反応
等の方法により合成することができる。
それを構成する構造単位によって以下に例示するが、本
発明はこれらに限定されるものではない。なお、Meは
メチル基、Etはエチル基、Phはフェニル基、tBu
はt−ブチル基、Acはアセチル基を表す。
り、アルカリ現像液に対する溶解性が増大する樹脂とし
て、フェノール水酸基が一般式(II)で表される保護基
で保護された上記樹脂が含有されることが好ましい。一
般式(II)で表される保護基による保護率は、樹脂中の
全フェノール性水酸基に対して好ましくは5〜45モル
%であり、より好ましくは10〜30モル%である。本
発明の組成物において、(a)酸の作用により、アルカ
リ現像液に対する溶解性が増大する樹脂の総使用量は、
組成物の全重量(溶剤を除く)を基準として10〜9
9.9重量%が好ましく、より好ましくは50〜99.
5重量%、さらに好ましくは70〜99.0重量%であ
る。
表される保護基で例示される酸分解性基を含有していな
いアルカリ可溶性樹脂を含有することができ、これによ
り感度が向上する。酸分解性基を含有していないアルカ
リ可溶性樹脂(以下単に「アルカリ可溶性樹脂」とい
う)としては、ノボラック樹脂、ノボラック樹脂の誘導
体;ポリ(p−ヒドロキシスチレン)、p/m−ヒドロ
キシスチレン共重合体、p/o−ヒドロキシスチレン共
重合体、p−ヒドロキシスチレン−スチレン共重合体等
のp−ヒドロキシスチレンユニットを含有する共重合
体;4−ヒドロキシ−3−メチルスチレン樹脂、4−ヒ
ドロキシ−3,5−ジメチルスチレン樹脂等のアルキル
置換ヒドロキシスチレン樹脂;これらの樹脂のOH部の
アルキル化物又はアセチル化物が好ましく挙げられる。
核の一部(全フェノール核の30mol%以下)が水素
添加されている樹脂は、樹脂の透明性が向上し、感度、
解像力、良好なプロファイル形成の点で好ましい。その
ような樹脂として、部分水素化ノボラツク樹脂、部分水
素化ポリヒドロキシスチレン等が挙げられる。
その他のアルカリ可溶性樹脂として、アセトン−ピロガ
ロール樹脂、ヒドロキシスチレン−N−置換マレイミド
共重合体、ポリヒドロキシスチレンの一部O−アルキル
化物もしくはO−アシル化物、スチレン−無水マレイン
酸共重合体、カルボキシル基含有メタクリル系樹脂及び
その誘導体、スチレン−ポリヒドロキシスチレン共重合
体等を挙げることができるが、これらに限定されるもの
ではない。
可溶性樹脂は、ノボラック樹脂、p−ヒドロキシスチレ
ンユニットを含有するアルカリ可溶性樹脂(好ましくは
ポリ(p−ヒドロキシスチレン)、p/m−ヒドロキシ
スチレン共重合体、p/o−ヒドロキシスチレン共重合
体、p−ヒドロキシスチレン−スチレン共重合体)、4
−ヒドロキシ−3−メチルスチレン樹脂、4−ヒドロキ
シ−3,5−ジメチルスチレン樹脂のようなアルキル置
換ヒドロキシスチレン樹脂、上記樹脂のOH部のアルキ
ル化物又はアセチル化物、ポリヒドロキシスチレン樹
脂、部分水素化ノボラック樹脂、部分水素化ポリヒドロ
キシスチレン樹脂である。
とは、p−ヒドロキシスチレンモノマー、m−ヒドロキ
シスチレンモノマー、o−ヒドロキシスチレンモノマー
又はそれらのオルソ位が炭素数1〜4のアルキル置換さ
れたヒドロキシスチレンモノマーの中から選ばれた少な
くとも一種類以上のモノマーを重合して得られたポリマ
ーを示す。
成分として、酸性触媒の存在下、アルデヒド類と付加縮
合させることにより得られる。
−クレゾール、p−クレゾール、o−クレゾール等のク
レゾール類、2,5−キシレノール、3,5−キシレノ
ール、3,4−キシレノール、2,3−キシレノール等
のキシレノール類、m−エチルフェノール、p−エチル
フェノール、o−エチルフェノール、p−t−ブチルフ
ェノール、p−オクチルフエノール、2,3,5−トリ
メチルフェノール等のアルキルフェノール類、p−メト
キシフェノール、m−メトキシフェノール、3,5−ジ
メトキシフェノール、2−メトキシ−4−メチルフェノ
ール、m−エトキシフェノール、p−エトキシフェノー
ル、m−プロポキシフェノール、p−プロポキシフェノ
ール、m−ブトキシフェノール、p−ブトキシフェノー
ル等のアルコキシフェノール類、2−メチル−4−イソ
プロピルフェノール等のビスアルキルフェノール類、ジ
ヒドロキシビフェニル、ビスフェノールA、フェニルフ
ェノール、レゾルシノール、ナフトール等のヒドロキシ
芳香化合物を単独もしくは2種類以上混合して使用する
ことができるが、これらに限定されるものではない。
デヒド、パラホルムアルデヒド、アセトアルデヒド、プ
ロピルアルデヒド、ベンズアルデヒド、フェニルアセト
アルデヒド、α−フェニルプロピルアルデヒド、β−フ
ェニルプロピルアルデヒド、o−ヒドロキシベンズアル
デヒド、m−ヒドロキシベンズアルデヒド、p−ヒドロ
キシベンズアルデヒド、o−ニトロベンズアルデヒド、
m−ニトロベンズアルデヒド、p−ニトロベンズアルデ
ヒド、o−メチルベンズアルデヒド、m−メチルベンズ
アルデヒド、p−メチルベンズアルデヒド、p−エチル
ベンズアルデヒド、p−n−ブチルベンズアルデヒド、
フルフラール及びこれらのアセタール体等を使用するこ
とができるが、これらの中で、ホルムアルデヒドを使用
するのが好ましい。
2種類以上組み合わせて用いられる。酸性触媒としては
硫酸、ギ酸、酢酸、シュウ酸等を使用することができ
る。酸分解性基を含有していないアルカリ可溶性樹脂の
含有量としては、該樹脂と酸分解性基含有樹脂との合計
に対して、50重量%以下、好ましくは30重量%以
下、更に好ましくは20重量%以下である。
より分子量100以下のカルボン酸を発生する化合物
(以下、「(b)光酸発生剤」ともいう) (b)光酸発生剤は、活性光線又は放射線の照射により
分子量100以下のカルボン酸を発生し、上記(a)の
樹脂、例えば(a)酸分解性樹脂の酸分解性基を分解
し、アルカリ現像液に対する溶解性が増大させるように
作用する。そして発生するカルボン酸が、その分子量が
100以下であるため、本発明のポジ型感放射線性組成
物に配合することにより、露光した後、後加熱までに時
間が相当経過しても優れた解像力及びパターンプロファ
イルが得られる。発生するカルボン酸の分子量が100
を越える化合物では、そのような効果は得られない。上
記(b)光酸発生剤として、上記一般式(I)で表され
る化合物が好ましい。
〜6の直鎖状、分岐状及び環状のアルキル基としては、
メチル、エチル、n−プロピル、イソプロピル、シクロ
プロピル、n−ブチル、イソブチル、sec−ブチル、
t−ブチル、ペンチル、イソペンチル、ネオペンチル、
シクロペンチル、ヘキシル、シクロヘキシル等が好まし
く、メチル、エチルがより好ましい。R11〜R15におけ
る直鎖状、分岐状及び環状のアルコキシ基としては、炭
素数1〜6のものが挙げられ、メトキシ、エトキシ、プ
ロポキシ、イソプロポキシ、ブトキシ、ペンチルオキ
シ、ヘキシルオキシ等が好ましく、メトキシ基及びエト
キシ基がより好ましい。Roのアリール基としては、フ
ェニル、トリル、キシリル、メシチル、クメニル等が好
ましく、フェニルがより好ましい。これらの、アリー
ル、アルコキシ、アルキル基には、ハロゲン原子、ニト
ロ基、アルコキシ基、アセチル基、アミノ基、エステル
基、アミド基等が置換されていてもよい。ハロゲン原子
は、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素が好ましく、塩素、臭
素がより好ましい。
(PAG−B1)〜(PAG−B6)を以下に示す。こ
れらの化合物は、活性光線又は放射線の照射によりその
構造に応じて、酢酸、プロピオン酸、又は酪酸を発生す
る。
−B4)が特に好ましい化合物である。 (b)光酸発生剤の本発明の組成物中の含有量は、組成
物の全固形分に対し、好ましくは0.1〜20重量%、
より好ましくは0.5〜10重量%、更に好ましくは1
〜7重量%である。 (b)光酸発生剤と共に、後述する(b')活性光線又
は放射線の照射によりスルホン酸を発生する化合物を組
成物に配合すると、上記効果が一層顕著に発現する。次
に(b')の化合物について説明する。
によりスルホン酸を発生する化合物(以下、「(b')
光酸発生剤」ともいう) (b')光酸発生剤としては、例えば、M.TUNOOKA etal,
Polymer Preprints Japan, 35(8)、G. Berner et al,
J. Rad. Curing, 13(4)、 W. J. Mijs et al,Coating T
echnol., 55(697), 45(1983), Akzo、H. Adachi et al,
Polymer Preprints, Japan, 37(3)、欧州特許第0199,6
72号、同84515号、同044,115号、同618,564号、同0101,
122号、米国特許第4,371,605号、同4,431,774 号、特開
昭64-18143号、特開平2-245756号、特開平3-140109号等
に記載のイミノスルフォネ−ト等に代表される光分解し
てスルホン酸を発生する化合物を挙げることができる。
より分解してスルホン酸を発生する化合物の中で、特に
有効に用いられるものについて以下に説明する。
るヨードニウム塩、又は一般式(PAG4)で表される
スルホニウム塩。
換もしくは未置換のアリール基を示す。好ましい置換基
としては、アルキル基、ハロアルキル基、シクロアルキ
ル基、アリール基、アルコキシ基、ニトロ基、カルボキ
シル基、アルコキシカルボニル基、ヒロドキシ基、メル
カプト基及びハロゲン原子が挙げられる。
換もしくは未置換のアルキル基、アリール基を示す。好
ましくは、炭素数6〜14のアリール基、炭素数1〜8
のアルキル基及びそれらの置換誘導体である。好ましい
置換基としては、アリール基に対しては炭素数1〜8の
アルコキシ基、炭素数1〜8のアルキル基、シクロアル
キル基、ニトロ基、カルボキシル基、メルカプト基、ヒ
ロドキシ基及びハロゲン原子であり、アルキル基に対し
ては炭素数1〜8のアルコキシ基、カルボキシル基、ア
ルコシキカルボニル基である。
ていてもよいアルカンスルホン酸アニオン、置換してい
てもよいベンゼンスルホン酸アニオン、置換していても
よいナフタレンスルホン酸アニオン、置換していてもよ
いアントラセンスルホン酸アニオン、置換していてもよ
いカンファスルホン酸アニオン、スルホン酸基含有染料
等を挙げることができるがこれらに限定されるものでは
ない。
びAr1、Ar2はそれぞれの単結合又は置換基を介して
結合してもよい。
(PAG3)、(PAG4)において、Ar1、Ar2、
R203〜R205が置換あるいは未置換のアリール基を表
し、Z-が光の照射により酸として発生したときにレジ
スト膜中で拡散性が比較的小さいものである。具体的に
は、Z-が、分岐状又は環状の炭素数8個以上のアルキ
ル基又はアルコキシ基の群の中から選ばれる基を少なく
とも1個有するか、直鎖状、分岐状又は環状の炭素数4
〜7個のアルキル基又はアルコキシ基の群の中から選ば
れる基を少なくとも2個有するか、もしくは直鎖状又は
分岐状の炭素数1〜3個のアルキル基又はアルコキシ基
の群の中から選ばれる基を少くとも3個有するベンゼン
スルホン酸、ナフタレンスルホン酸又はアントラセンス
ルホン酸のアニオンを示す。
れるが、これらに限定されるものではない。
れる上記オニウム塩は公知であり、例えばJ. W. Knapcz
yk et al, J. Am. Chem. Soc., 91, 145(1969)、A. L.
Maycok et al, J. Org. Chem., 35, 2532,(1970)、E. G
oethas et al, Bull. Soc. Chem. Belg., 73, 546,(196
4)、H. M. Leicester、J. Ame. Chem. Soc., 51, 3587
(1929)、J. V. Crivello et al, J. Polym. Chem. Ed.,
18, 2677(1980)、米国特許第2,807,648号及び同4,247,
473号、特開昭53-101331号等に記載の方法により合成す
ることができる。
ノスルホネート誘導体。
基、アリール基を示す。Aは置換もしくは未置換のアル
キレン基、アルケニレン基、アリーレン基を示す。具体
例としては以下に示す化合物が挙げられるが、これらに
限定されるものではない。
組成物の全固形分に対し、通常0.1〜20重量%であ
り、好ましくは0.5〜10重量%、より好ましくは1
〜7重量%である。
溶剤に溶かして塗液を調製し、支持体上に塗布する。こ
こで使用することができる溶剤としては、エチレンジク
ロライド、シクロヘキサノン、シクロペンタノン、2−
ヘプタノン、γ−ブチロラクトン、メチルエチルケト
ン、エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレン
グリコールモノエチルエーテル、2−メトキシエチルア
セテート、エチレングリコールモノエチルエーテルアセ
テート、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プ
ロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、ト
ルエン、酢酸エチル、乳酸メチル、乳酸エチル、メトキ
シプロピオン酸メチル、エトキシプロピオン酸エチル、
ピルビン酸メチル、ピルビン酸エチル、ピルビン酸プロ
ピル、N,N−ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホ
キシド、N−メチルピロリドン、テトラヒドロフラン等
が好ましい。これらの溶剤は1種単独であるいは2種以
上を組み合わせて用いることができる。
れる界面活性剤としては、具体的に、ポリオキシエチレ
ンラウリルエーテル、ポリオキシエチレンステアリルエ
ーテル、ポリオキシエチレンセチルエーテル、ポリオキ
シエチレンオレイルエーテル等のポリオキシエチレンア
ルキルエーテル類、ポリオキシエチレンオクチルフェノ
ールエーテル、ポリオキシエチレンノニルフェノールエ
ーテル等のポリオキシエチレンアルキルアリルエーテル
類、ポリオキシエチレン・ポリオキシプロピレンブロッ
クコポリマー類、ソルビタンモノラウレート、ソルビタ
ンモノパルミテート、ソルビタンモノステアレート、ソ
ルビタンモノオレエート、ソルビタントリオレエート、
ソルビタントリステアレート等のソルビタン脂肪酸エス
テル類、ポリオキシエチレンソルビタンモノラウレー
ト、ポリオキシエチレンソルビタンモノパルミテ−ト、
ポリオキシエチレンソルビタンモノステアレート、ポリ
オキシエチレンソルビタントリオレエート、ポリオキシ
エチレンソルビタントリステアレート等のポリオキシエ
チレンソルビタン脂肪酸エステル類等のノニオン系界面
活性剤、エフトップEF301,EF303,EF35
2(新秋田化成(株)製)、メガファックF171,F
173、F176、F189、R08(大日本インキ
(株)製)、フロラ−ドFC430,FC431(住友
スリーエム(株)製)、アサヒガードAG710,サー
フロンS−382,SC101,SC102,SC10
3,SC104,SC105,SC106(旭硝子
(株)製)等のフッ素系界面活性剤、オルガノシロキサ
ンポリマーKP341(信越化学工業(株)製)やアク
リル酸系もしくはメタクリル酸系(共)重合ポリフロー
No.75,No.95(共栄社油脂化学工業(株)
製)、トロイゾルS−366(トロイケミカル(株)
製)等を挙げることができる。これらの界面活性剤の配
合量は、本発明の組成物中の固形分100重量部当た
り、通常、2重量部以下、好ましくは1重量部以下であ
る。これらの中でも、フッ素原子及び/又は珪素原子含
有界面活性剤が好ましい。これらの界面活性剤は1種単
独で添加してもよいし、また、いくつかを組み合わせて
添加することもできる。
物を用いることが好ましい。本発明で用いることのでき
る好ましい有機塩基性化合物は、フェノールよりも塩基
性の強い化合物である。なかでも下記(A)〜(E)で
示される構造を含む含窒素塩基性化合物が好ましい。含
窒素塩基性化合物を用いることにより、露光から後加熱
までの経時によっても性能変化が小さい。
独立に、水素原子、炭素数1〜6のアルキル基、炭素数
1〜6のアミノアルキル基、炭素数1〜6のヒドロキシ
アルキル基又は炭素数6〜20の置換もしくは非置換の
アリール基であり、ここでR25 1とR252は互いに結合し
て環を形成してもよい。)
は、同一または異なり、炭素数1〜6のアルキル基を示
す)。好ましい化合物としては、置換もしくは未置換の
グアニジン、置換もしくは未置換のアミノピリジン、置
換もしくは未置換のアミノアルキルピリジン、置換もし
くは未置換のアミノピロリジン、置換もしくは未置換の
インダーゾル、置換もしくは未置換のピラゾール、置換
もしくは未置換のピラジン、置換もしくは未置換のピリ
ミジン、置換もしくは未置換のプリン、置換もしくは未
置換のイミダゾリン、置換もしくは未置換のピラゾリ
ン、置換もしくは未置換のピペラジン、置換もしくは未
置換のアミノモルフォリン、置換もしくは未置換のアミ
ノアルキルモルフォリン等が挙げられ、モノ、ジ、トリ
アルキルアミン、置換もしくは未置換のアニリン、置換
もしくは未置換のピペリジン、モノあるいはジエタノー
ルアミン等が挙げられる。好ましい置換基は、アミノ
基、アミノアルキル基、アルキルアミノ基、アミノアリ
ール基、アリールアミノ基、アルキル基、アルコキシ
基、アシル基、アシロキシ基、アリール基、アリールオ
キシ基、ニトロ基、水酸基、シアノ基である。
ン、1,1−ジメチルグアニジン、1,1,3,3,−
テトラメチルグアニジン、2−アミノピリジン、3−ア
ミノピリジン、4−アミノピリジン、2−ジメチルアミ
ノピリジン、4−ジメチルアミノピリジン、2−ジエチ
ルアミノピリジン、2−(アミノメチル)ピリジン、2
−アミノ−3−メチルピリジン、2−アミノ−4−メチ
ルピリジン、2−アミノ−5−メチルピリジン、2−ア
ミノ−6−メチルピリジン、3−アミノエチルピリジ
ン、4−アミノエチルピリジン、3−アミノピロリジ
ン、ピペラジン、N−(2−アミノエチル)ピペラジ
ン、N−(2−アミノエチル)ピペリジン、4−アミノ
−2,2,6,6−テトラメチルピペリジン、4−ピペ
リジノピペリジン、2−イミノピペリジン、1−(2−
アミノエチル)ピロリジン、ピラゾール、3−アミノ−
5−メチルピラゾール、5−アミノ−3−メチル−1−
p−トリルピラゾール、ピラジン、2−(アミノメチ
ル)−5−メチルピラジン、ピリミジン、2,4−ジア
ミノピリミジン、4,6−ジヒドロキシピリミジン、2
−ピラゾリン、3−ピラゾリン、N−アミノモルフォリ
ン、N−(2−アミノエチル)モルフォリン、1,5−
ジアザビシクロ〔4.3.0〕ノナ−5−エン、1,8
−ジアザビシクロ〔5.4.0〕ウンデカ−7−エン、
2,4,5−トリフェニルイミダゾール、トリ(n−ブ
チル)アミン、トリ(n−オクチル)アミン、N−フェ
ニルジエタノールアミン、N−ヒドロキシエチルピペリ
ジン、2,6−ジイソプロピルアニリン、N−シクロヘ
キシル−N’−モルホリノエチルチオ尿素、N−ヒドロ
キシエチルモルホリン等が挙げられるがこれに限定され
るものではない。
は、1,5−ジアザビシクロ〔4.3.0〕ノナ−5−
エン、1,8−ジアザビシクロ〔5.4.0〕ウンデカ
−7−エン、2,4,5−トリフェニルイミダゾール、
トリ(n−ブチル)アミン、トリ(n−オクチル)アミ
ン、N−フェニルジエタノールアミン、N−ヒドロキシ
エチルピペリジン、2,6−ジイソプロピルアニリン、
N−シクロヘキシル−N’−モルホリノエチルチオ尿
素、N−ヒドロキシエチルモルホリンである。これらの
含窒素塩基性化合物は、1種単独であるいは2種以上組
み合わせて用いることができる。含窒素塩基性化合物の
使用量は、組成物の固形分を基準として、通常、0.0
01〜10重量%、好ましくは0.01〜5重量%であ
る。0.001重量%未満では上記含窒素塩基性化合物
の添加の効果が得られない。一方、10重量%を超える
と感度の低下や非露光部の現像性が悪化する傾向があ
る。
に染料、顔料、可塑剤、光増感剤、低分子溶解阻止化合
物及び現像液に対する溶解性を促進させるフェノール性
OH基を2個以上有する化合物などを含有させることが
できる。
2個以上有する化合物は、好ましくは分子量1000以
下のフェノール化合物である。また、分子中に少なくと
も2個のフェノール性水酸基を有することが必要である
が、これが10を越えると、現像ラチチュードの改良効
果が失われる。また、フェノ−ル性水酸基と芳香環との
比が0.5未満では膜厚依存性が大きく、また、現像ラ
チチュードが狭くなる傾向がある。この比が1.4を越
えると該組成物の安定性が劣化し、高解像力及び良好な
膜厚依存性を得るのが困難となって好ましくない。
は、アルカリ可溶性樹脂に対して2〜50重量%であ
り、更に好ましくは5〜30重量%である。50重量%
を越えた添加量では、現像残渣が悪化し、また現像時に
パターンが変形するという新たな欠点が発生して好まし
くない。
ル化合物は、例えば、特開平4−122938号、特開
平2−28531号、米国特許第4916210号、欧
州特許第219294号等に記載の方法を参考にして、
当業者に於て容易に合成することが出来る。フェノール
化合物の具体例を以下に示すが、本発明で使用できる化
合物はこれらに限定されるものではない。
−トリヒドロキシベンゾフェノン、2,3,4,4′−
テトラヒドロキシベンゾフェノン、2,3,4,3′,
4′,5′−ヘキサヒドロキシベンゾフェノン、アセト
ン−ピロガロール縮合樹脂、フロログルコシド、2,
4,2′,4′−ビフェニルテトロール、4,4′−チ
オビス(1,3−ジヒドロキシ)ベンゼン、2,2′,
4,4′−テトラヒドロキシジフェニルエーテル、2,
2′,4,4′−テトラヒドロキシジフェニルスルフォ
キシド、2,2′,4,4′−テトラヒドロキシジフェ
ニルスルフォン、トリス(4−ヒドロキシフェニル)メ
タン、1,1−ビス(4−ヒドロキシフェニル)シクロ
ヘキサン、4,4−(α−メチルベンジリデン)ビスフ
ェノール、α,α′,α″−トリス(4−ヒドロキシフ
ェニル)−1,3,5−トリイソプロピルベンゼン、
α,α′,α″−トリス(4−ヒドロキシフェニル)−
1−エチル−4−イソプロピルベンゼン、1,2,2−
トリス(ヒドロキシフェニル)プロパン、1,1,2−
トリス(3,5−ジメチル−4−ヒドロキシフェニル)
プロパン、2,2,5,5−テトラキス(4−ヒドロキ
シフェニル)ヘキサン、1,2−テトラキス(4−ヒド
ロキシフェニル)エタン、1,1,3−トリス(ヒドロ
キシフェニル)ブタン、パラ〔α,α,α′,α′−テ
トラキス(4−ヒドロキシフェニル)〕−キシレン等を
挙げることができる。
料がある。具体的にはオイルイエロー#101、オイル
イエロー#103、オイルピンク#312、オイルグリ
ーンBG、オイルブルーBOS,オイルブルー#60
3、オイルブラックBY、オイルブラックBS、オイル
ブラックT−505(以上オリエント化学工業株式会社
製)、クリスタルバイオレット(CI42555)、メ
チルバイオレット(CI42535)、ローダミンB
(CI45170B)、マラカイトグリーン(CI42
000)、メチレンブルー(CI52015)等を挙げ
ることができる。
加し、使用する光酸発生剤が吸収を持たない遠紫外より
長波長領域に増感させることで、本発明の感光性組成物
をi又はg線に感度を持たせることができる。好適な分
光増感剤としては、具体的にはベンゾフェノン、p,
p’−テトラメチルジアミノベンゾフェノン、p,p’
−テトラエチルエチルアミノベンゾフェノン、2−クロ
ロチオキサントン、アントロン、9−エトキシアントラ
セン、アントラセン、ピレン、ペリレン、フェノチアジ
ン、ベンジル、アクリジンオレンジ、ベンゾフラビン、
セトフラビン−T、9,10−ジフェニルアントラセ
ン、9−フルオレノン、アセトフェノン、フェナントレ
ン、2−ニトロフルオレン、5−ニトロアセナフテン、
ベンゾキノン、2−クロロ−4−ニトロアニリン、N−
アセチル−p−ニトロアニリン、p−ニトロアニリ
ン、、N−アセチル−4−ニトロ−1−ナフチルアミ
ン、ピクラミド、アントラキノン、2−エチルアントラ
キノン、2−tert−ブチルアントラキノン1,2−ベン
ズアンスラキノン、3−メチル−1,3−ジアザ−1,
9−ベンズアンスロン、ジベンザルアセトン、1,2−
ナフトキノン、3,3’−カルボニル−ビス(5,7−
ジメトキシカルボニルクマリン)及びコロネン等である
がこれらに限定されるものではない。また、これらの分
光増感剤は、光源の遠紫外光の吸光剤としても使用可能
である。この場合、吸光剤は基板からの反射光を低減
し、レジスト膜内の多重反射の影響を少なくさせること
で、定在波改良の効果を発現する。
の使用方法等本発明の感放射線性組成物は、精密集積回
路素子の製造に使用されるような基板(例:シリコン/
二酸化シリコン被覆)上にスピナー、コーター等の適当
な塗布方法により塗布後、所定のマスクを通して露光
し、ベークを行い現像することにより良好なレジストパ
ターンを得ることができる。
は、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸ナトリウ
ム、ケイ酸ナトリウム、メタケイ酸ナトリウム、アンモ
ニア水等の無機アルカリ類、エチルアミン、n−プロピ
ルアミン等の第一アミン類、ジエチルアミン、ジ−n−
ブチルアミン等の第二アミン類、トリエチルアミン、メ
チルジエチルアミン等の第三アミン類、ジメチルエタノ
ールアミン、トリエタノールアミン等のアルコールアミ
ン類、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、テトラ
エチルアンモニウムヒドロキシド等の第四級アンモニウ
ム塩、ピロール、ピヘリジン等の環状アミン類等のアル
カリ性水溶液を使用することができる。更に、上記アル
カリ性水溶液にアルコール類、界面活性剤を適当量添加
して使用することもできる。
するが、本発明がこれにより限定されるものではない。
樹脂、(b)光酸発生剤、(b')光酸発生剤等は下記
の通りである。 (酸分解性樹脂) P1:p−(1−(エトキシ)エトキシ)スチレン/p
−ヒドロキシスチレン(35/65) P2:p−(1−(シクロヘキシルエトキシ)エトキ
シ)スチレン/p−ヒドロキシスチレン(30/70) P3:p−(1−(シクロヘキシルエトキシ)エトキ
シ)スチレン/p−アセトキシスチレン/p−ヒドロキ
シスチレン(30/10/60) P4:p−(1−(シクロヘキシルエトキシ)エトキ
シ)スチレン/p−t−ブチルスチレン/p−ヒドロキ
シスチレン(30/10/60) P5:p−(1−(ベンジルオキシ)エトキシ)スチレ
ン/p−ヒドロキシスチレン(30/70) P6:p−(1−(フェネチルオキシエトキシ)エトキ
シ)スチレン/p−アセトキシスチレン/p−ヒドロキ
シスチレン(30/10/60) 上記各樹脂において、保護基等を付与する前のポリヒド
ロキシスチレンの重量平均分子量(GPC法で確認され
たポリスチレン換算値)は、P1〜P3が8000であ
り、P4及びP5が15000であり、P6が2000
0である。
の化合物
製)
70gをプロピレングリコールモノメチルエーテルアセ
テート(PGMEA)320gに加熱溶解させ、減圧留
去により脱水した後20℃まで冷却した。この溶液にピ
リジニウム−p−トルエンスルホネート0.35gおよ
びシクロヘキサンエタノール22.4gを加えた。この
溶液にt−ブチルビニルエーテル17.5gをゆっくり
加え、20℃で5時間反応させた。反応液にトリエチル
アミン0.28g、酢酸エチル320mlを加え、これ
を蒸留水150mlで3回洗浄した。溶剤を留去、濃縮
した。得られたオイルをアセトン100mlに溶解させ
これを、蒸留水2Lにゆっくりと注いだ。析出した粉体
をろ取、乾燥すると目的物が54g得られた。
70gをプロピレングリコールモノメチルエーテルアセ
テート(PGMEA)320gに加熱溶解させ、減圧留
去により脱水した後20℃まで冷却した。この溶液にピ
リジニウム−p−トルエンスルホネート0.35gおよ
びシクロヘキサンエタノール22.4gを加えた。この
溶液にt−ブチルビニルエーテル17.5gをゆっくり
加え、20℃で5時間反応させた。反応液にピリジン
5.53gを加え、これに無水酢酸5.9gをゆっくり
加えた。室温で1時間反応させ、この溶液に酢酸エチル
320mlを加え、これを蒸留水150mlで3回洗浄
した。溶剤を留去、濃縮した。得られたオイルをアセト
ン100mlに溶解させこれを、蒸留水2Lにゆっくり
と注いだ。析出した粉体をろ取、乾燥すると目的物が5
8g得られた。上記と同様の方法で樹脂P1、P4〜P
6を合成した。
ホニウムアセテート)の合成〕 トリフェニルスルホニウムヨージド20gをメタノール
500mlに溶解し、これに酸化銀(I)12.5gを
加えて、室温で4時間撹拌した。反応液をろ過して銀化
合物を除去した後、ろ液に酢酸4.0gを加えた。溶液
を濃縮し、得られた油状物をジイソプロピルエーテル3
00m1で2回洗浄すると上記目的物が11.2g得ら
れた。これと同様な方法で、PAG−B2、PAG−B
3、PAG−B7を合成した。
ェニルヨードニウムアセテート)の合成〕 (ジフェニルヨードニウム)ヨージド50gをメタノー
ル2リットルに溶解させ、これに酸化銀(I)22gを
加えて、室温で4時間攪拌した。反応液を濾過して銀化
合物を除去した後、ろ液に酢酸7.5gを加えた。溶液
を濃縮し、得られた固体をジイソプロピルエーテル30
0mlで洗浄すると目的物が32g得られた。これと、
同様な方法で、PAG−B5、PAG−B6、及びPA
G−B8を合成した。
ットルに溶解し、これに塩化アルミニウム200gを加
え、24時間還流した。反応液を氷2リットルにゆっく
りと注ぎ、これに濃塩酸400ミリリットルを加えて7
0℃で10分加熱した。この水溶液を酢酸エチル500
ミリリットルで洗浄し、ろ過した後に、ヨウ化アンモニ
ウム200gを水400ミリリットルに溶かしたものを
加えた。析出した粉体をろ取、水洗した後、酢酸エチル
で洗浄、乾燥するとトリフェニルスルホニウムヨージド
が70g得られた。トリフェニルスルホニウムヨージド
50gをメタノール300ミリリットルに溶解し、これ
に酸化銀31gを加えて4時間攪拌した。反応液をろ過
した後、2,4,6−トリイソプロピルベンゼンスルホ
ン酸テトラメチルアンモニウム塩(2,4,6−トリイ
ソンプロピルベンゼンスルホニルクロリドをテトラメチ
ルアンモニウムヒドロキシド、水、メタノール中で加熱
反応させることによって得られる)45gを加えた。こ
の溶液を濃縮し得られた粉体を水で十分に洗浄し、酢酸
エチル/アセトンから再結晶すると化合物(PAG−A
1)が50g得られた。
合成〕 市販のトリアリールスルホニウムCl塩(Fluka製
トリフェニルスルホニウムクロリド50%水溶液)、ト
リフェニルスルホニウム、4,4’−ビス(ジフェニル
スルホニオ)ジフェニルスルフィドなどの混合物の水溶
液19.9g(0.030モル)をイオン交換水200
mlに溶解した。この溶液には下記構造のハード型(分
岐型)ドデシルベンゼンスルホン酸のNa塩10.5g
(0.030モル)のイオン交換水400ml溶液を室
温にて攪拌下添加した。析出した粘調個体をデカントに
て分離し、イオン交換水1リットルにて水洗した。析出
した粘調個体をアセトン100mlに溶解し、イオン交
換水500mlに攪拌下投入して再結晶させた。析出物
を真空下、50℃にて乾燥した結果、ガラス状固体1
5.5gを得た。NMR測定によりこの固体が目的物で
ある光酸発生剤(PAG−A2)であることを確認し
た。
合成〕 ジフェニルスルホキシド509をベンゼン800m1に
溶解させ、これに塩化アルミニウム200gを加え、2
4時間還流した。反応液を水2Lにゆっくりと注ぎ、こ
れに濃塩酸400m1を加えて70℃で10分加熱し
た。この水溶液を酢酸エチル500m1で洗浄し、ろ過
した後にヨウ化アンモニウム200gを水400m1に
溶解したものを加えた。析出した粉体をろ取、水洗した
後酢酸エチルで洗浄、乾燥するとトリフェニルスルホニ
ウムヨージドが70g得られた。トリフェニルスルホニ
ウムヨージド30.5gをメタノール1000m1に溶
解させ、この溶液に酸化銀19.1gを加え、室温で4
時間撹伴した。溶液をろ過し、これに過剰量の上記で合
成したペンタフロロベンゼンスルホン酸テトラメチルア
ンモニウム塩の溶液を加えた。反応液を濃縮し、これを
ジクロロメタン500m1に溶解し、この溶液を5%テ
トラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液、及び水で
洗浄した。有機相を無水硫酸ナトリウムで乾燥後、濃縮
するとトリフェニルスルホニウムペンタフロロベンセン
スルホネートが得られた。
GMEA(プロピレングリコールモノメチルエーテルア
セテート)8gに溶解し、0.1μmのフィルターで濾
過してレジスト溶液を調整した。このレジスト溶液を、
スピンコーターを利用してシリコンウエハー上に塗布
し、130℃で90秒間、真空吸着型のホットプレート
で乾燥し、膜厚0.4μmのレジスト膜を得た。但し、
実施例10では溶剤としてPGMEA5.6gとPMG
E(プロピレングリコールモノメチルエーテル)2.4
gの混合溶媒を用い、実施例13では溶剤としてPGM
EA6.4gとPMGE1.6gの混合溶媒を用いた。
キシマレーザーステッパー(NA=0.63)を用いて
露光を行った。露光後、アミン濃度が5ppm以下に制
御された環境にウェハーを2時間放置したのち、100
℃ホットプレートで90秒加熱を行い、直ちに0.26
Nテトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド(TM
AH)水溶液に60秒間浸漬し、30秒間水でリンスし
て乾燥した。このようにして得られたシリコンウエハー
上のラインパターンを測調走査型電子顕微鏡(CD−S
EM)で測長すると共に、パターンの頭部形状を観察し
た。これらの測長及びパターン頭部の観察は、露光後、
時間を置かずに加熱・現像処理を行って得られたパター
ンと、露光後2時間引き置いた後、加熱・現像処理して
得られたパターンについて行った。露光後、時間をおか
ずに加熱・現像処理を行って得られたパターンの測定さ
れた寸法を基準にして、露光後2時間引き置いた後、加
熱・現像処理して得られたパターンの寸法の変化の割合
をPED(post exposure delay)の指標とした。ま
た、パターンの頭部形状について下記の2段階評価を行
った。 〇:矩形形状である ×:丸みを帯びた(Round Top)形状である これらの結果を表2に示した。
実施例の本発明のポジ型感放射線性組成物は、露光後、
2時間経過した後に加熱・現像処理を行っても、寸法変
化が小さく(PEDが小さく)、しかもレジストパター
ンの形状に優れる。一方、光酸発生剤として露光により
スルホン酸を発生する化合物のみを用いた比較例の1〜
4の組成物は、露光後2時間経過した後に加熱・現像処
理を行った場合、寸法変化が大きく(PEDが大き
く)、しかも優れたレジストパターンの形状が維持され
ない。さらに、光酸発生剤として露光により分子量が1
00を越えるカルボン酸を発生する化合物を用いた比較
例5、6の場合も同様である。
光した後、後加熱までに時間が相当経過しても優れた解
像力及びパターンプロファイルが得られ、プロセス許容
性が大きい。
Claims (6)
- 【請求項1】 (a)酸の作用により、アルカリ現像液
に対する溶解性が増大する樹脂、(b)活性光線又は放
射線の照射により分子量100以下のカルボン酸を発生
する化合物、(c)界面活性剤、及び(d)溶剤を含有
することを特徴とするポジ型感放射線性組成物。 - 【請求項2】 (b')活性光線又は放射線の照射によ
りスルホン酸を発生する化合物をさらに含有することを
特徴とする請求項1に記載のポジ型感放射線性組成物。 - 【請求項3】 (b)活性光線又は放射線の照射により
分子量100以下のカルボン酸を発生する化合物が、下
記一般式(I)で表される化合物であることを特徴とす
る請求項1又は2に記載のポジ型感放射線性組成物。 【化1】 一般式(I)中:R11〜R15は、各々独立に、水素原
子、直鎖、分岐あるいは環状アルキル基、直鎖、分岐あ
るいは環状アルコキシ基、ヒドロキシル基、ハロゲン原
子、又は−S−R0基を表す。R0は、直鎖、分岐あるい
は環状アルキル基、又はアリール基を表す。A+は、S+
又はI+を表す。B-は、CH3COO-、C2H5CO
O-、又はC3H7COO-を表す。mは、2又は3を表
す。 - 【請求項4】 (a)の樹脂が、下記一般式(II)で表
される酸分解性基を有することを特徴とする請求項1〜
3のいずれかに記載のポジ型感放射線性組成物。 【化2】 一般式(II)中:R1は、炭素数1〜4個のアルキル基
を表す。Wは、酸素原子、窒素原子、イオウ原子、リン
原子及び珪素原子からなる群から選択される少なくとも
1種の原子と少なくとも1つの炭素原子を含有する有機
基、アミノ基、アンモニウム基、メルカプト基、置換あ
るいは無置換のアリール基、又は置換あるいは無置換の
環状アルキル基を表す。nは、1〜4の自然数を表す。 - 【請求項5】 (a)の樹脂が、フェノール性水酸基を
含有するアルカリ可溶性樹脂の該フェノール性水酸基の
少なくとも一部が上記一般式(II)で表される酸分解性
基で保護されている樹脂であることを特徴とする請求項
1〜4のいずれかに記載のボジ型感放射線性組成物。 - 【請求項6】 有機塩基性化合物を含有することを特徴
とする請求項1〜5のいずれかに記載のボジ型感放射線
性組成物。
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