JPH11295888A - パターン形成方法 - Google Patents

パターン形成方法

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JPH11295888A JP10095681A JP9568198A JPH11295888A JP H11295888 A JPH11295888 A JP H11295888A JP 10095681 A JP10095681 A JP 10095681A JP 9568198 A JP9568198 A JP 9568198A JP H11295888 A JPH11295888 A JP H11295888A
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 有機反射防止膜と感光性材料膜の界面におけ
る反応生成物の生成を抑制し、エッチング後の被エッチ
ング膜残渣の数を低減すると共に高解像度、高精度のエ
ッチングパターンを形成する。 【解決手段】 半導体基板１０の上に、ポリシリコン膜
からなる被エッチング膜１１、有機反射防止膜１２及び
酸発生剤として（ａ）オニウム塩化合物と（ｂ）スルホ
ン化合物及びスルホネート化合物の少なくとも１種とを
含有する化学増幅型レジスト材料からなる感光性材料膜
１３を設け、マスク１４を介して感光性材料膜１３を露
光した後現像して、パターン化された感光性材料膜１３
ｂを形成する。その後好ましくは反射防止膜をＳＯ2 と
Ｏ2 混合ガスでドライエッチングし、更に被エッチング
膜をドライエッチングして、被エッチング膜のパターン
を形成する。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はパターン形成方法に
関し、特に、半導体基板上の被エッチング膜に対して、
該被エッチング膜の上に有機材料からなる反射防止膜を
介して形成されたパターン化された感光性材料膜をマス
クとしてドライエッチングを行なって、被エッチング膜
からなるパターンを形成する方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】複雑な半導体集積回路を使用したシステ
ムの小型化に伴って、半導体集積回路パターンの微細化
が更に進められており、これに伴いパターン化された感
光性材料膜をマスクとして用いるパターンリソグラフィ
法では小さいサイズのチップ上に複雑な回路を転写する
ことは極めて困難になってきている。その理由の一つ
は、露光のために照射されるエネルギービームが短波長
化され、基板あるいは被エッチング膜からのエネルギー
ビームの反射率が高くなり、感光性材料膜を通過したエ
ネルギービームが基板あるいは被エッチング膜の不均一
な段差形状の影響を受けて不均一な方向に反射し、感光
性材料膜における未露光域をも感光させることが挙げら
れる。これは、リソグラフィ法により形成されたパター
ンに多数の欠陥及び寸法ばらつきを発生させる。これを
解決するための一方法として、感光性材料膜の下にエネ
ルギービームを吸収する有機反射防止膜を設け、この反
射防止膜により感光性材料膜を通過したエネルギービー
ムを吸収して、エネルギービームが感光性材料膜を通過
した後に不均一な方向に反射する事態を防止する方法が
提案されている。
【０００３】この反射防止膜を用いた従来のパターン形
成方法を、図３（ａ）、（ｂ）を参照しながら説明す
る。まず図３（ａ）に示すように、半導体基板１上に堆
積された被エッチング膜２の上に有機材料からなりエネ
ルギービームを吸収する反射防止膜３を形成し、該反射
防止膜３の上に更に感光性材料膜を形成する。次いで、
感光性材料膜にマスクを介してエネルギービームを照射
した後、感光性材料膜の照射部又は未照射部を現像液に
より除去して、感光性材料膜の未照射部又は照射部から
なるパターン化された感光性材料膜４を形成する。次
に、反射防止膜３に対してパターン化された感光性材料
膜４をマスクとしてドライエッチングを行なって、反射
防止膜３におけるパターン化された感光性材料膜４の開
口部と対応する領域を除去する。更に、パターン化され
た感光性材料膜４をマスクとして被エッチング膜２をド
ライエッチングした後、反射防止膜３及び感光性材料膜
４を除去することにより、図３（ｂ）に示すような、半
導体基板１の上に被エッチング膜２からなるパターン２
Ａが得られる。反射防止膜３を設けることにより、感光
性材料膜４を通過したエネルギービームは反射防止膜３
に吸収され、これにより半導体基板１あるいは被エッチ
ング膜２に段差形状が存在しても不均一な反射がなくな
り、エネルギービーム未照射部が感光されることがない
ため、寸法精度の良い被エッチング膜パターン２Ａが形
成される。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところで、最近前記感
光性材料膜として化学増幅型レジスト材料が用いられる
ことが多くなっているが、感光性材料膜として化学増幅
型レジスト材料を用い、且つ化学増幅型レジスト材料を
反射防止膜の上に設けた場合、図３（ａ）に示すよう
に、反射防止膜３と感光性材料膜４との界面に反応生成
物５が形成されることが判明した。この反応生成物５
は、従来の現像処理条件あるいはエッチング条件により
感光性材料膜４及び反射防止膜３を処理した場合、除去
されることなく被エッチング膜２の上に残留する。この
反応生成物が残留したまま被エッチング膜２に対してド
ライエッチングを行なうと、被エッチング膜２の上に残
留する反応生成物５がエッチングマスクとして働き、図
３（ｂ）に示すように、本来エッチング除去されるべき
領域（スペース領域）に被エッチング膜２からなる残渣
６が形成されたり、垂直な形状が求められる被エッチン
グ膜２のパターン側壁２ａが不均一な形状になったりす
るという問題が発生する。この残渣６は感光性材料膜４
のパターン開口率の影響は受けることなく、つまりパタ
−ンの粗密に関係なく均一に発生する。従って、残渣６
はパターンが密集している領域におけるパターン同士の
間の空間部にも発生する。
【０００５】この反射防止膜３と感光性材料膜４との界
面に生成される反応生成物５を除去する方法として、反
応生成物を除去しうる条件でドライエッチングを行い、
反射防止膜３と一緒に反応生成物を除去することが考え
られるが、反応生成物５を反射防止膜３に対するドライ
エッチングにより反射防止膜３と一緒に除去する方法
は、次のような理由により被エッチング膜のパターン形
成方法として有効な手段とはいえない。すなわち、反応
生成物５を除去するためには反射防止膜３を除去する場
合より強いエッチング条件が必要とされ、反応生成物を
除去しうるようなエッチング条件を選択すると、反射防
止膜３と同じようなエッチング特性を有するパターン化
された感光性材料膜４も同時にエッチングされ、寸法精
度のよいレジストパターンが残存しなくなる。このため
パターン化された感光性材料膜４がマスクとしての機能
を果たさなくなる。一方、パターン化された感光性材料
膜４がドライエッチングによりできるだけ除去されない
ようなエッチング条件を用いて反射防止膜３に対してド
ライエッチングを行なうと、被エッチング膜２の上に反
応生成物５及び反射防止膜３が多く残留することにな
る。更に、反射防止膜３に対する寸法制御性を向上させ
るために、反射防止膜３の側壁に堆積物が形成されるよ
うなドライエッチングプロセスを用いると、反射防止膜
３の側壁から剥がれ落ちた堆積物が被エッチング膜２の
上に付着しやすくなり、該堆積物がマスクとなって被エ
ッチング膜からなる残渣６が形成されてしまうという問
題点も発生する。
【０００６】半導体基板１の上に被エッチング膜２から
なる残渣６が存在したり、被エッチング膜２のパターン
側壁２ａが不均一な形状になったりした場合の問題点を
図４を参照して更に説明する。図４は図３（ｂ）におけ
る一点鎖線の領域の拡大図である。図４に示すように、
半導体基板１の上には被エッチング膜であるポリシリコ
ン膜からなるゲート電極７が形成されていると共に、半
導体基板１におけるゲート電極７同士の間の領域つまり
ソース・ドレイン領域にはポリシリコン膜からなる残渣
６が存在している。また、ゲート電極７の側面にはＳｉ
3 Ｎ4 、ＴＥＯＳ又はＨＴＯ等の絶縁性材料からなるサ
イドウオール８が形成されていると共に、集積回路素子
の低抵抗化を図るために、ゲート電極７及びソース・ド
レイン領域の表面はＴｉＳｉ2 等によってシリサイド化
されてシリサイド層９により覆われている。ところが、
ゲート電極７の側面形状が不均一であるためにゲート電
極７がサイドウォール８から露出し、ゲート電極７にお
けるサイドウォール８から露出している領域にもシリサ
イド層９が形成されると共に、ポリシリコンの残渣６の
表面にもシリサイド層９が形成される。このため、ゲー
ト電極７とソース・ドレイン領域とは、ゲート電極７の
表面のシリサイド層９又は残渣６の表面のシリサイド層
９を介して電気的に接続され、ゲート電極７とソース・
ドレイン領域との間に異常なリーク電流が流れてしま
う。
【０００７】このように、被エッチング膜２が例えばポ
リシリコン等の導電性材料からなる場合には、半導体集
積回路装置において、同一導電層に形成されている配線
パターン同士が導電性の残渣６を介して電気的に接続さ
れたり、更には半導体基板１に形成されている導電層と
該導電層の上に層間絶縁膜を介して形成されている配線
パターンとが導電性の残渣６を介して電気的に接続され
たりするために、配線パターン同士の間又は導電層と配
線パターンとの間にリーク電流が流れ、半導体集積回路
装置の特性が劣化したり歩留まりが低下したりするとい
う問題が発生する。
【０００８】一方、現在化学増幅型レジスト組成物とし
ては、（ａ）酸により遊離しうる置換基を含有する有機
物および（ｂ）オニウム塩化合物からなる放射線の照射
により酸を発生する化合物（酸発生剤）を含有する化学
増幅型レジスト材料が知られている。オニウム塩化合物
はレジスト膜の溶解を抑止する効果が強く、このため感
光性材料の未露光部の現像液溶解性が小さくなり、また
露光されると比較的強い酸を発生するため、寸法精度が
良好で高解像度のレジスト画像が得られ易いが、反面、
レジストパターンにスタンディングウエーブ（定在波）
を生じ易く、またプロセスの雰囲気によっては、レジス
トパターンがオーバーハング状態となる、いわゆるＴ−
トップとよばれる不溶解層を表面に形成しやすいという
欠点を持っている。このためオニウム塩化合物を含む化
学増幅型レジストを用いてレジストパターン形成を行っ
た後被エッチング膜をエッチングした場合に、要求通り
の線幅、形状を有するパターンを形成しえない場合もあ
った。
【０００９】本発明は、上記の如き欠点のないパターン
の形成方法を提供することを目的とするものである。即
ち、本発明の第１の目的は、被エッチング膜と感光性材
料膜との間に有機材料からなる反射防止膜が存在してい
るにも拘わらず、反射防止膜と感光性材料膜との界面に
反応生成物が生成される事態を防止し、これにより被エ
ッチング膜からなる残渣の数が低減されたパターン形成
方法を提供することである。
【００１０】また、本発明の第２の目的は、スタンディ
ングウエーブやＴ−トップの形成がなく、寸法精度が良
好で高解像度のレジスト画像を形成し、これにより高品
質の被エッチング膜パターンを形成する方法を提供する
ことである。
【００１１】また、本発明の第３の目的は、反射防止膜
と感光性材料膜界面に反応生成物が生成された場合にお
いても、パターン化された感光性材料膜に影響を与える
ことなく反射防止膜のエッチング時に反射防止膜と共に
反応生成物を除去し、これにより被エッチング膜からな
る残渣の数が低減されたパターン形成方法を提供するこ
とである。
【００１２】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、上記問題
点を解決すべく鋭意検討していた過程において、反射防
止膜と感光性材料膜の界面において反応生成物が次のよ
うなメカニズムで生成されることを見出した。
【００１３】すなわち、反射防止膜及び感光性材料膜は
ともに有機材料からなるために、感光性材料膜に対し
て、紫外線、遠紫外線などの光、電子線又はＸ線からな
るエネルギービームを照射すると、反射防止膜及び感光
性材料膜の内部においてそれぞれラジカルが発生し、反
射防止膜と感光性材料膜との界面においてラジカル同士
が反応してアロマチック（aromatic）な反応生成物が生
成される。特に、感光性材料膜中にオニウム塩系の酸発
生剤が含まれている場合には、エネルギービームが照射
されたときに、反射防止膜と感光性材料膜との界面にお
いてアロマチックな反応生成物がより多く生成されるこ
とが判明した。
【００１４】そして、この反応生成物の生成が少なくま
た被エッチング膜の残渣の数の少ないパターンを形成す
る方法並びにスタンディングウエーブやＴ−トップの形
成がない寸法精度が良好で高解像度のレジスト画像を形
成して、高品質の被エッチング膜パターンを形成する方
法について種々検討したところ、驚くべきことに感光性
材料膜の素材として、オニウム塩化合物を含む化学増幅
型レジスト材料を用い、これに更に酸発生剤であるスル
ホン化合物あるいはスルホネート化合物を添加含有せし
めることにより、上記問題点が全て改善されること、更
には反射防止膜のドライエッチング材として硫黄系のエ
ッチングガスを用いることにより感光性材料膜に影響を
与えることなく反応生成物を除去することが出来、残渣
の数の少ない被エッチング膜パターンを形成することが
できることを見出して、本発明をなしたものである。
【００１５】即ち、本第１の発明に係るパターン形成方
法は、半導体基板上に形成された被エッチング膜の上に
有機材料からなりエネルギービームを吸収する反射防止
膜を形成する第１の工程と、この反射防止膜の上に感光
性材料膜を形成する第２の工程と、感光性材料膜にエネ
ルギービームを照射した後、感光性材料膜の照射部又は
未照射部を選択的に除去して、パターン化された感光性
材料膜を形成する第３の工程と、パターン化された感光
性材料膜をマスクとして被エッチング膜に対してドライ
エッチングを行なって、被エッチング膜からなるパター
ンを形成する第４の工程とを備えたパターン形成方法に
おいて、感光性材料膜が、（ａ）酸により遊離しうる置
換基を含有する有機物および（ｂ）オニウム塩化合物の
少なくとも１種とスルホン化合物およびスルホネート化
合物から選ばれた少なくとも１種とからなる放射線の照
射により酸を発生する化合物を含有する化学増幅型レジ
スト材料からなるものである。
【００１６】また、本第２の発明のパターン形成方法
は、上記第１の発明において、第４の工程が、反射防止
膜に対してパターン化された感光性材料膜をマスクとし
て硫黄系のエッチングガスによりドライエッチングを行
なって反射防止膜をパターン化した後、パターン化され
た感光性材料膜及び反射防止膜をマスクとして被エッチ
ング膜に対してドライエッチングを行なって、被エッチ
ング膜からなるパターンを形成する工程を含むものであ
る。
【００１７】
【発明の実施の形態】まず、本第１の発明のパターン形
成方法を、図１を参照しながら具体的に説明すると、シ
リコンからなる半導体基板１０の上に、エッチングスト
ッパーとなる例えばシリコン酸化膜を介して、例えばポ
リシリコン膜からなる被エッチング膜１１を堆積した
後、該被エッチング膜１１の上に有機材料からなり、紫
外線、遠紫外線などの光、電子線又はＸ線からなるエネ
ルギービームを吸収する反射防止膜１２を塗布、形成す
る。次いで、この反射防止膜１２の上に、化学増幅型レ
ジスト材料を塗布して感光性材料膜１３を形成した後、
マスク１４を介して、光、電子線又はＸ線からなるエネ
ルギービーム１５を照射する。現像により感光性材料膜
１３の照射部１３ａを溶解除去した後、このパターン化
された感光性材料膜１３ｂをマスクにして反射防止膜１
２に対してドライエッチングを行なって、反射防止膜１
２にパターンを転写し、さらにパターン化された感光性
材料膜をマスクにして被エッチング膜１１に対してドラ
イエッチングを行なうことにより、被エッチング膜１１
にパターンを転写する。なお、感光性材料としては、エ
ネルギービーム照射部が現像により溶解除去される、所
謂ポジ型のものに代えて、現像によりエネルギービーム
が未照射部が溶解除去される、所謂ネガ型の感光性材料
を用いることもできる。反射防止膜のエッチング後、半
導体基板１０の上のパターン化された感光性材料膜及び
反射防止膜を除去すると、図２に示されるように、半導
体基板１０の上に被エッチング膜のパターンが得られ
る。
【００１８】なお、図２においては、被エッチング膜１
１であるポリシリコン膜からなるゲート電極１６表面及
び半導体基板１０におけるゲート電極１６同士の間のソ
ース・ドレイン領域の表面はＴｉＳｉ2 等によってシリ
サイド化されてシリサイド層１８により覆われている。
また、ゲート電極１６の側面にはＳｉ3 Ｎ4 、ＴＥＯＳ
又はＨＴＯ等の絶縁性材料からなるサイドウオール１７
が形成されている。そして、ソース・ドレイン領域の上
には残渣が存在していないと共に、ゲート電極１６の側
面形状が均一であるためにゲート電極１６がサイドウォ
ール１７から露出していないため、ゲート電極１６の側
面にはシリサイド層１８が形成されていない。従って、
ゲート電極１６とソース・ドレイン領域とが、ゲート電
極１６の表面のシリサイド層又は残渣の表面のシリサイ
ド層を介して電気的に接続されないため、ゲート電極１
６とソース・ドレイン領域との間に異常なリーク電流が
流れないので、素子特性の劣化を防止することができ
る。
【００１９】一方本第１の発明においては、感光性材料
膜は、（ａ）酸により遊離しうる置換基を含有する有機
物および（ｂ）オニウム塩化合物の少なくとも１種と、
スルホン化合物およびスルホネート化合物から選ばれた
少なくとも１種とからなる放射線の照射により酸を発生
する化合物を含有する化学増幅型レジスト材料からなっ
ており、この化学増幅型レジスト材料には、更に必要に
応じ溶解阻害剤、塩基性化合物、その他従来公知の添加
剤が含有される。また、これらレジスト材料を均一な溶
液とするために溶剤が用いられる。以下、これらレジス
ト材料の構成成分について具体的に説明する。
【００２０】酸により遊離しうる置換基を含有する有機物 酸により遊離しうる置換基を含有する有機物としては、
フェノール性水酸基、カルボキシル基等に代表されるア
ルカリ現像液と親和性を示す官能基を有するアルカリ可
溶性重合体に、酸の存在下で遊離される置換基（以下、
「酸分解性基」という。）を付加することにより、アル
カリ不溶性または、アルカリ難溶性の性質をもたせた樹
脂（以下、「酸分解性基含有樹脂」という。）が好まし
いものである。酸分解性基含有樹脂を構成するアルカリ
可溶性重合体の例としては、下記式１あるいは式２で示
される繰り返し単位を有するビニル重合体、ノボラック
樹脂に代表されるフェノール樹脂等が挙げられる。下記
式１の具体例としては、ポリヒドロキシスチレン、ポリ
ヒドロキシα−メチルスチレン、ポリヒドロキシメチル
スチレン等が、下記式２の具体例としては、アクリル酸
または、メタクリル酸の単独または、共重合体が挙げら
れる。付加させる酸分解性基の例としては、ビニルエー
テル化合物、ジアルキルカルボナートが挙げられる。ビ
ニルエーテル化合物の具体例としては下記式３に示され
る化合物が例示でき、更に詳しくは、イソプロペニルメ
チルエーテル、３，４−ジヒドロ−２Ｈ−ピラン、ブタ
ンジオール−１，４−ジビニルエーテル、エチレングリ
コールジビニルエーテルまたは、トリエチレングリコー
ルジビニルエーテルなどが好ましい。また、ジアルキル
カルボナートの具体例としては、ジ−ｔｅｒｔ−ブチル
カルボナートなどが挙げられる。アルカリ可溶性重合
体、酸分解性基に関しては、単独でも２種以上の組み合
わせでも良い。
【００２１】
【化１】
【００２２】（式中、Ｒ1 は水素原子またはアルキル基
を表し、Ｒ2 はアルキル基を表し、ｍは０または１〜４
の整数である。）。
【００２３】
【化２】
【００２４】（式中、Ｒ3 は水素原子またはアルキル基
を表わす。）。
【００２５】 Ｃ（Ｒ4 ）（Ｒ5 ）＝Ｃ（Ｒ6 ）−Ｏ−Ｒ7 （３） （式中、Ｒ4 、Ｒ5 、Ｒ6 、は、各々独立して水素原子
または炭素数１〜６の直鎖状、分枝状、環状またはヘテ
ロ原子を含む環状のアルキル基を表し、Ｒ7 は、ハロゲ
ン原子、アルコキシ基、アラルキルオキシカルボニル
基、アルキルカルボニルアミノ基で置換されていてもよ
い炭素数１〜１０の直鎖状、分枝状、環状またはヘテロ
原子を含む環状のアルキル基またはアラルキル基を表
す。）。
【００２６】酸発生剤 （オニウム塩化合物）本発明において酸発生剤として用
いられるオニウム塩化合物は、放射線の照射により酸を
発生するものとして知られたものであればどのようなも
のでも使用することができ、例えばトリフェニルスルホ
ニウムメタンなどのスルホニウム塩化合物、ジフェニル
ヨードニウムトリフルオロメタンスルホネートなどのヨ
ードニウム塩化合物、ホスホニウム塩化合物、ジアゾニ
ウム塩化合物、ピリジニウム塩化合物等をあげることが
できる。これらオニウム塩化合物の中ではスルホニウム
塩化合物およびヨードニウム塩化合物が好ましく、スル
ホニウム塩化合物が特に好ましい。本発明において使用
することができるスルホニウム塩化合物およびヨードニ
ウム塩化合物として特に好ましいものは、トリフェニル
スルホニウムトリフレート、トリフェニルスルホニウム
プロピオネート、トリフェニルスルホニウムヘキサフレ
ート、ジフェニルヨードニウムトリフレートである。
【００２７】（スルホン化合物）スルホン化合物として
は、例えばβ−ケトスルホン、β−スルホニルスルホン
およびそれらのα−ジアゾ化合物などが挙げられる。ま
た、ジスルホン化合物も含む。これらスルホン化合物を
具体的に例示すると、 （イ）メチルスルホニルｐ−トルエンスルホニルメタ
ン、ビス（フェニルスルホニル）メタン、ビス（４−メ
チルフェニルスルホニル）メタン、ビス（３−メチルフ
ェニルスルホニル）メタン、ビス（４−エチルフェニル
スルホニル）メタン、ビス（２，４−ジメチルフェニル
スルホニル）メタン、ビス（４−ｔ−ブチルフェニルス
ルホニル）メタン、ビス（４−メトキシフェニルスルホ
ニル）メタン、ビス（４−フルオロフェニルスルホニ
ル）メタン、ビス（４−クロロフェニルスルホニル）メ
タン、ビス（４−ブロモフェニルスルホニル）メタン、
ビスシクロヘキシルスルホニルメタンのようなビススル
ホニルメタン類； （ロ）ビス（イソプロピルスルホニル）ジアゾメタン、
ビス（ｔ−ブチルスルホニル）ジアゾメタン、ビス（se
c −ブチルスルホニル）ジアゾメタン、ビス（シクロペ
ンチルスルホニル）ジアゾメタン、ビス（シクロヘキシ
ルスルホニル）ジアゾメタン、シクロヘキシルスルホニ
ルエチルスルホニルジアゾメタン、シクロヘキシルスル
ホニルｔ−ブチルスルホニルジアゾメタン、メチルスル
ホニルｐ−トルエンスルホニルジアゾメタン、ビス（フ
ェニルスルホニル）ジアゾメタン、ビス（４−メチルフ
ェニルスルホニル）ジアゾメタン、ビス（３−メチルフ
ェニルスルホニル）ジアゾメタン、ビス（４−エチルフ
ェニルスルホニル）ジアゾメタン、ビス（２，４−ジメ
チルフェニルスルホニル）ジアゾメタン、ビス（４−ｔ
−ブチルフェニルスルホニル）ジアゾメタン、ビス（４
−メトキシフェニルスルホニル）ジアゾメタン、ビス
（４−フルオロフェニルスルホニル）ジアゾメタン、ビ
ス（４−クロロフェニルスルホニル）ジアゾメタン、ビ
ス（４−ブロモフェニルスルホニル）ジアゾメタンのよ
うなビススルホニルジアゾメタン類； （ハ）シクロヘキシルスルホニルシクロヘキシルカルボ
ニルジアゾメタン、１−ジアゾ−１−シクロヘキシルス
ルホニル−３，３−ジメチル−２−ブタノン、１−ジア
ゾ−１−（１，１−ジメチルエチルスルホニル）−３，
３−ジメチルブタノン、１−アセチル−１−（１−メチ
ルエチルスルホニル）ジアゾメタン、１−ジアゾ−１−
メチルスルホニル−４−フェニル−２−ブタノン、ｐ−
トルエンスルホニルシクロヘキシルカルボニルジアゾメ
タン、１−ジアゾ−１−（４−メチルフェニルスルホニ
ル）−３，３−ジメチル−２−ブタノン、フェニルスル
ホニルフェニルカルボニルジアゾメタン、１−ジアゾ−
１−フェニルスルホニル−３，３−ジメチル−２−ブタ
ノン、１−ジアゾ−（４−メチルフェニルスルホニル）
−３−メチル−２−ブタノン、２−ジアゾ−２−（４−
メチルフェニルスルホニル）シクロヘキシルアセテー
ト、２−ジアゾ−２−フェニルスルホニルｔ−ブチルア
セテート、２−ジアゾ−２−メチルスルホニルイソプロ
ピルアセテート、２−ジアゾ−２−フェニルスルホニル
ｔ−ブチルアセテート、２−ジアゾ−２−（４−メチル
フェニルスルホニル）ｔ−ブチルアセテートのようなス
ルホニルカルボニルジアゾメタン類； （ニ）２−メチル−２−（４−メチルフェニルスルホニ
ル）プロピオフェノン、２−シクロヘキシルカルボニル
−２−（４−メチルフェニルスルホニル）プロパン、２
−メタンスルホニル−２−メチル−４−メチルチオプロ
ピオフェノン、２，４−ジメチル−２−（４−メチルフ
ェニルスルホニル）ペンタン−３−オンのようなスルホ
ニルカルボニルアルカン類などである。
【００２８】これら例示の化合物の中で特に好ましいも
のは、ビスシクロヘキシルスルホニルジアゾメタン、ビ
スフェニルスルホニルジアゾメタン、ビス（４−クロロ
フェニルスルホニル）ジアゾメタン、ビスシクロヘキシ
ルスルホニルメタン、ビスフェニルスルホニルメタン、
ビス（４−メチルフェニルスルホニル）メタンなどであ
る。
【００２９】（スルホネート化合物）スルホネート化合
物としては、アルキルスルホン酸エステル、ハロアルキ
ルスルホン酸エステル、アリールスルホン酸エステル、
イミノスルホネートなどが挙げられる。スルホネート化
合物を例示すると、例えば （イ）２−ニトロベンジルｐ−トルエンスルホネート、
２，４−ジニトロベンジルｐ−トルエンスルホネート、
２，６−ジニトロベンジルｐ−トルエンスルホネート、
２，６−ジニトロベンジルｐ−トリフルオロメチルフェ
ニルスルホネートのようなニトロベンジルスルホネート
類； （ロ）ピロガロールトリスメタンスルホネート、ピロガ
ロールトリストリフルオロメタンスルホネート、ピロガ
ロールトリスフェニルスルホネート、ピロガロールトリ
ス−４−メチルフェニルスルホネート、ピロガロールト
リス−４−メトキシフェニルスルホネート、ピロガロー
ルトリス−２，４，６−トリメチルフェニルスルホネー
ト、ピロガロールトリスベンジルスルホネート、および
没食子酸エステル類、カテコール、レゾルシノールある
いはヒドロキノンから誘導された同様の化合物のような
アルキルおよびアリールスルホネート類； （ハ）ベンゾイントシレート、ベンゾインメシレートの
ようなベンゾインスルホネート類； （ニ）２，２，２−トリフルオロ−１−トリフルオロメ
チル−１−（３−ビニルフェニル）−エチル４−クロロ
ベンゼンスルホネート、２，２，２−トリフルオロ−１
−ｐ−トリル−１−トリフルオロメチルエチル４−クロ
ロベンゼンスルホネート、２，２，２−トリフルオロ−
１−ｐ−トリル−１−トリフルオロメチルエチル４−
（２−フェノキシエトキシ）−ベンゼンスルホネート、
２，２，２−トリフルオロ−１−トリフルオロメチル−
１−（４−ビニルフェニル）−エチルナフタレン−２−
スルホネート、２，２，２−トリフルオロ−１−フェニ
ル−１−トリフルオロメチルエチルプロパンスルホネー
ト、２，２，２−トリフルオロ−１−トリフルオロメチ
ル−１−（３−ビニルフェニル）−エチル４−ブトキシ
ベンゼンスルホネート、２，２，２−トリフルオロ−１
−１−ｐ−トリル−１−トリフルオロメチルエチル３，
５−ジクロロベンゼンスルホネート、１，３−ビス−
（２，２，２−トリフルオロ−１−メタンスルホニルオ
キシ−１−トリフルオロメチルエチル）ベンゼン、１，
４−ビス−（２，２，２−トリフルオロ−１−メタンス
ルホニルオキシ−１−トリフルオロメチルエチル）ベン
ゼンのようなスルホン酸エステル類などである。
【００３０】これら例示の化合物の中で特に好ましいも
のは、ピロガロールトリスメタンスルホネート、ピロガ
ロールトリストリフレート、ベンゾイントシレートなど
である。
【００３１】上記オニウム塩化合物、スルホン化合物お
よびスルホネート化合物の化学増幅型レジスト材料中に
おける含有量は、本発明の目的を達成しうる範囲の量で
あればいずれのものであってもよい。一般的には、化学
増幅型レジスト材料中の酸により遊離しうる置換基を含
有する有機物１００重量部に対して、オニウム塩化合物
は、０．５〜１０重量部、スルホン化合物は、１〜１０
重量部、スルホネート化合物は、１〜１０重量部用いら
れる。オニウム塩化合物とスルホン化合物、スルホネー
ト化合物の混合比は、酸により遊離しうる置換基を含有
する有機物１００重量部に対して、オニウム塩化合物
０．１〜５重量部、更に好ましくは０．５〜２重量部お
よびスルホン化合物およびスルホネート化合物は、両者
の合計総量として、０．５〜１０重量部であることが好
ましい。なお、例えばスルホン化合物の１種の化合物の
みが用いられるときには、前記「両者の合計総量」は、
該１種の化合物の量となる。上記含有量において、オニ
ウム塩化合物の含有量が０．１重量部より少ない場合に
は、孤立パターンと密集パターンの線幅の寸法差が大き
くなる等オニウム化合物とスルホン化合物および／また
はスルホネート化合物との併用による効果があまり見ら
れず、またオニウム塩化合物の量が５重量部を越える場
合には、形成されたパターンの断面がＴ−トップ形状を
呈し、テーパー状となる等併用の効果が殆ど見られなく
なるか、併用の効果が見られたとしても現像時にスカム
が発生する等他の欠点が出るようになる。また、スルホ
ン化合物およびスルホネート化合物については、その量
が０．５重量部より少ない場合には、反射防止膜と感光
性材料膜との界面における反応生成物の形成を抑制する
効果が充分には期待できない場合があるとともに顕著な
スタンディングウエーブが形成される等オニウム塩化合
物との併用による効果が殆ど見られず、また１０重量部
を越える場合には、孤立パターンと密集パターンの線幅
の寸法差が大きくなるとかパターンの断面形状がテーパ
ー状を呈するなどの欠点がでたり、またオニウム化合物
とスルホン化合物および／またはスルホネート化合物と
の併用の効果が見られたとしても現像時にスカムが発生
する等他の欠点が出るようになる。また、スルホン化合
物およびスルホネート化合物とを混合して用いる場合に
は、その混合比率（重量）は、１：０．５〜１：１０が
好ましい。更に、酸発生剤全量としては、酸により遊離
しうる置換基を含有する有機物１００重量部に対し１〜
１０重量部用いるのが好ましい。
【００３２】本発明においては、オニウム塩化合物とと
もにスルホン化合物またはスルホネート化合物を用いる
ことにより反射防止膜と感光性材料膜との界面において
の反応生成物の生成を抑制することができ、またオニウ
ム塩化合物と、スルホン化合物および／またはスルホネ
ート化合物との混合量を最適化することにより、未露光
部では現像抑止効果が強く、露光部では現像剤に対する
溶解性の高いパターン画像が形成され、高解像度の現像
パターンを形成することができる。
【００３３】溶解阻害剤 溶解阻害剤は、それ自身も酸分解性の保護基を含有し、
酸分解性基含有樹脂のアルカリ現像液への溶解性を制御
し、酸の存在下で分解した後は、ともに分解してアルカ
リ可溶性に変じた酸分解性基含有樹脂の溶解性を促進さ
せる効果をもつ物質であり、例えばジブトキシカルボニ
ルビスフェノールＡ，ジブトキシカルボニルビスフェノ
ールＦ、４−ｔ−ブトキシカルボニルフェニル、ｔ−ブ
チルコレート、ｔ−ブチルデオキシコレート、ジフェノ
ール酸第三級ブチルエステル誘導体、もしくはトリ（ヒ
ドロキシフェニル）メタン誘導体などの化合物が挙げら
れる。代表的なものとしては、ビス（４−ｔ−ブトキシ
カルボニルメチロキシ−２，５−ジメチルフェニル）メ
チル−４−ｔ−ブトキシカルボニルメチロキシベンゼン
などが挙げられる。
【００３４】塩基性化合物 塩基性化合物としては、放射線の照射により分解される
放射線感応性塩基性化合物、放射線非感応性の塩基性化
合物のいずれをも用いることができる。塩基性化合物を
添加することにより、パターンを形成する際種々の遅延
時間間隔で処理工程が行われてもパターン特性の悪化を
抑えることができ、また露光部で生成された酸が未露光
部に拡散することによるコントラストの低下を防止する
こともできるために、その添加が好ましいものである。
塩基性化合物は、酸により遊離しうる置換基を含有する
有機物１００重量部に対して０．０５〜１０重量部添加
することが望ましい。そして、放射線感応性塩基性化合
物としては、スルホニウム化合物、ヨードニウム化合物
等が好ましく用いられる。
【００３５】その他の添加剤 その他の添加剤としては、例えば、界面活性剤、増感
剤、光吸収剤、染料、顔料、有機カルボン酸、レベリン
グ剤、安定化剤、低分子量化合物、可塑剤などが挙げら
れる。
【００３６】溶剤 溶剤は、化学増幅型レジスト材料中の各成分を溶解し、
均一な感光性材料膜を形成することができるものであれ
ばいずれのものでも用いることができ、例えば、エチレ
ングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコール
モノエチルエーテル、プロプレングリコールモノメチル
エーテルのようなグリコールエーテル類、エチレングリ
コールモノエチルエーテルアセテートおよびプロピレン
グリコールモノメチルエーテルアセテート（ＰＧＭＥ
Ａ）のようなグリコールエーテルアセテート類、エチル
ラクテートのようなエステル類、アセトン、メチルエチ
ルケトン、シクロペンタノン、シクロヘキサノンまたは
シクロヘプタノンのようなケトン類が一般には挙げられ
る。なお、トルエンおよびキシレンのような芳香族炭化
水素類、アセトニトリル、ジメチルホルムアミド、ジオ
キサン等も必要に応じ使用できる。
【００３７】また、反射防止膜をドライエッチングする
際に用いられるエッチングガスとしては、従来有機膜の
除去に用いられていたものであればどのようなものをも
用いることができる。エッチングガスとしては、塩素ガ
ス（Ｃｌ2 ）と酸素ガス（Ｏ2 ）との混合ガス（以下、
「塩素系のエッチングガス」という。）、窒素ガス（Ｎ
2 ）と酸素ガス（Ｏ2 ）との混合ガス（以下、「窒素系
のエッチングガス」という。）、二酸化硫黄ガス（ＳＯ
2 ）と酸素ガス（Ｏ2 ）との混合ガス（以下、「硫黄系
のエッチングガス」という。）などが一般的に用いられ
る。これら各エッチングガスのエッチング特性を以下に
説明するが、硫黄系のエッチングガスは、ポリシリコン
からなる被エッチング膜２がエッチングされるという問
題、被エッチング膜のパターンの寸法変動及び寸法ばら
つきが大きくなるという問題がないため、エッチングガ
スとして好ましいものである。
【００３８】（塩素系のエッチングガス）塩素系のエッ
チングガスは、硫黄系のエッチングガスに比べて、イオ
ン性つまりスパッタリング性が強いため、反射防止膜１
２に対するドライエッチング工程において、エッチング
ガスにより生成される堆積物が反射防止膜１２の側壁に
付着した後に剥がれて反射防止膜１２の上面に付着する
程度が低いと共に、反射防止膜と感光性材料膜との界面
に発生する反応生成物をエッチングによって除去する働
きが大きいので、堆積物又は反応生成物がマスクとなっ
て発生する被エッチング膜からなる残渣の数は少ない。
例えば、酸素ガス等の流量比を後述の実施例１と同様の
条件に設定した塩素系のエッチングガスを用い、反射防
止膜１２に対してパターン化された感光性材料膜１３ｂ
をマスクとしてドライエッチングを行なった後、実施例
１と同様にして残渣の数を測定したところ、約５０００
個／ウエハであって、実施例１よりも少ないものであっ
た。
【００３９】しかしながら、塩素系のエッチングガス
は、反射防止膜１２に対するドライエッチングに引き続
いて、ポリシリコンからなる被エッチング膜１１もエッ
チングしてしまう現象がみられた。これは、被エッチン
グ膜１１のポリシリコン中のシリコン（Ｓｉ）と塩素
（Ｃｌ2 ）とが反応してＳｉＣｌ4 が生成される反応性
のドライエッチングが進行するためである。このため、
被エッチング膜１１に対してドライエッチングを行なう
工程において、被エッチング膜１１における塩素系ガス
によるドライエッチングが行なわれた部位にオーバーエ
ッチングが発生してしまい、本来エッチングを行なうべ
きでない半導体基板１０までもエッチングされる。この
ため塩素系のエッチングガスは、硫黄系のエッチングガ
スに比べて、残渣の数を低減できるが、半導体基板１０
がエッチングされてしまうので、半導体集積回路装置の
歩留まりが低下してしまうという問題がある。
【００４０】（窒素系のエッチングガス）窒素系のエッ
チングガスも、硫黄系のエッチングガスに比べて、イオ
ン性つまりスパッタリング性が強いため、反射防止膜１
２に対するドライエッチング工程において、エッチング
される反射防止膜からなる堆積物が反射防止膜の側壁に
付着する程度が低いと共に、反射防止膜と感光性材料膜
との界面において発生する反応生成物をエッチングによ
って除去する働きが大きいので、堆積物又は反応生成物
がマスクとなって発生する残渣の数は少ない。例えば、
酸素ガス等の流量比を後述する実施例１と同様の条件に
設定した窒素系のエッチングガスを用い、反射防止膜１
２に対してパターン化された感光性材料膜１３ｂをマス
クとしてドライエッチングを行なった後、実施例１と同
様にして残渣の数を測定したところ、約５０００個／ウ
エハであって、実施例１よりも少ないものであった。ま
た、塩素系のエッチングガスの場合にみられたポリシリ
コンからなる被エッチング膜１１がエッチングされると
いう現象も現われなかった。
【００４１】しかしながら、反射防止膜１２に対するド
ライエッチング工程において、パターン化された感光性
材料膜１３ｂも大きく削られてしまうので、パターン化
された反射防止膜の寸法変動及び寸法ばらつきが大きく
なるという問題が生じた。これは、エッチングガスによ
り生成される堆積物が感光性材料膜１３ｂ及び反射防止
膜の側壁に付着する程度が塩素系のエッチングガスの場
合に比べて少ないためである。このため、０．２５μｍ
のデザインルールを有するラインパターンを形成するエ
ッチング工程において、硫黄系のエッチングガスでは、
パターン幅が０．２３μｍであって、デザインルールに
対して０．０２μｍ程度細る程度であると共にパターン
の疎な領域及び密な領域における寸法変動が等しいのに
対して、窒素系のエッチングガスを用いると、孤立パタ
ーンではパターン幅が０．１８μｍであり、ライン幅：
スペース幅が１：１の領域ではパターン幅が０．２０μ
ｍであって、デザインルールに対する寸法変動が大きい
と共にパターンの疎な領域及び密な領域における寸法変
動も大きかった。
【００４２】従って、窒素系のエッチングガスは、硫黄
系のエッチングガスに比べて、残渣の数を低減できる
が、被エッチング膜１１からなるパターンの寸法変動及
び寸法ばらつきが大きいので、半導体集積回路装置の歩
留まりが低下するという問題がある。
【００４３】（硫黄系のエッチングガス）硫黄系のエッ
チングガスを用いると、塩素系又は窒素系のエッチング
ガスを用いる場合に比べて、反応生成物がマスクとなっ
て発生する被エッチング膜１１からなる残渣が半導体基
板１０の上に多く存在するという問題はあるが、塩素系
のエッチングガスのように半導体基板１０がエッチング
されるという問題、及び窒素系のエッチングガスのよう
に被エッチング膜のパターンの寸法変動及び寸法ばらつ
きが大きくなるという問題は発生しない。
【００４４】そして、感光性材料にスルホン化合物ある
いはスルホネート化合物を含有していると、前述したよ
うに、反射防止膜１２と感光性材料膜１３との界面にお
けるアロマティックな反応生成物の生成を防止できるた
め、被エッチング膜１１からなるパターンを形成したと
きに、半導体基板１０の上に形成される被エッチング膜
からなる残渣の数を低減することができる。
【００４５】従って、スルホン化合物あるいはスルホネ
ート化合物を含有するパターン化された感光性材料膜１
３ｂをマスクとし且つ硫黄系のエッチングガスを用いて
被エッチング膜１１に対してドライエッチングを行なう
と、被エッチング膜１１に対する選択性を向上させるこ
とができると共に、被エッチング膜のパターンの寸法変
動及び寸法ばらつきを低減できる上に、半導体基板１０
の上に形成される被エッチング膜の残渣の数を低減する
ことができる。
【００４６】
【実施例】以下、本発明を実施例及び比較例により更に
具体的に説明するが、本発明がこれら実施例記載のもの
に限定されるものではない。
【００４７】実施例１ シリコンからなる２００ｍｍの半導体基板１０の上にエ
ッチングストッパーとしてのシリコン酸化膜を介してポ
リシリコンからなる被エッチング膜１１を堆積した後、
ポリスルフォン共重合体を溶媒としてのシクロヘキサノ
ンに溶解させた有機材料を被エッチング膜１１の上に塗
布して、１５０ｎｍの膜厚を有する反射防止膜１２を形
成した。
【００４８】次に、ポリ［ｐ−（１−エトキシエトキ
シ）スチレン−ｐ−ヒドロキシスチレン］１００ｇに対
して、トリフェニルスルホニウムトリフレート０．５６
７ｇ、ビスシクロヘキシルスルホニルジアゾメタン３．
０ｇ、０．１ミリモル／ｇのトリフェニルスルホニウム
アセテート（ＴＰＳＡ）のプロピレングリコールモノメ
チルエーテルアセテート（ＰＧＭＥＡ）溶液７．９ｇお
よびメガファック（大日本インキ化学工業社製の界面活
性剤：レジストの塗布時の成膜、基板との親和性改良
剤）０．０６ｇをＰＧＭＥＡにより、固形分の比率が１
５．５重量％となるように調整して製造されたレジスト
溶液を反射防止膜上に塗布した後、９０℃で６０秒間ダ
イレクトホットプレートでベークして、０．６９０μｍ
の膜厚の感光性材料膜を形成した。この感光性材料膜を
２４８．４ｎｍＫｒＦエキシマレーザー光により、マス
クを介し選択的に露光し、１１０℃で９０秒間ダイレク
トホットプレートでポストエクスポージャーベーク（Ｐ
ＥＢ）した後、アルカリ現像液（２．３８％重量テトラ
メチルアンモニウムヒドロキシド（ＴＭＡＨ）水溶液）
で６０秒間パドル現象することによりポジ型のライン・
アンド・スペースパターンを得た。得られたポジ型パタ
ーンを走査型電子顕微鏡によって、その線幅と断面形状
を観測したところ、３６．０ｍＪ／ｃｍ2 の露光量にお
いて、０．１８μｍ以下の矩形性の良いパターンであっ
た。
【００４９】次に、反射防止膜１２に対して、パターン
化された感光性材料膜１３ｂをマスクとして二酸化硫黄
ガス（ＳＯ2 ）と酸素ガス（Ｏ2 ）との混合ガスからな
るエッチングガスによりドライエッチングを行なって、
パターン化された反射防止膜を形成した。更に、次に、
ポリシリコンからなる被エッチング膜１１に対して、パ
ターン化された感光性材料膜１３ｂ及び反射防止膜をマ
スクとして臭化水素ガス（ＨＢｒ）と酸素ガス（Ｏ2 ）
との混合ガスからなるエッチングガスによりドライエッ
チングを行なって、被エッチング膜１１からなるパター
ンを形成した。この場合、パターンとしては、０．２５
μｍのデザインルールを有する配線パターンを粗密を変
化させて形成し、パターン占有率は約５％であった。約
５０ｎｍ以上の大きさを有する残渣の数を測定したとこ
ろ、約６０００個／ウエハであった。
【００５０】比較例１ 半導体基板の上に堆積されたポリシリコンからなる被エ
ッチング膜の上に実施例１と同様の反射防止膜を形成
し、該反射防止膜の上に、ビスシクロヘキシルスルホニ
ルジアゾメタンを含有しない以外実施例１と同様の感光
性材料膜を形成し、実施例１と同様の条件で被エッチン
グ膜からなるパターンを形成したところ、残渣の数は約
１００００個／ウエハであった。
【００５１】実施例１と比較例１との比較から分かるよ
うに、実施例１によると、残渣の数を約４０％減少させ
ることができた。この結果、半導体集積回路装置におけ
る配線パターン同士の間又は導電層と配線パターンとの
間のリーク電流の発生を約４０％低減することができ
る。
【００５２】比較例２ 半導体基板の上に堆積されたポリシリコンからなる被エ
ッチング膜の上に、反射防止膜を形成することなく、実
施例１と同様の感光性材料膜を形成し、実施例１と同様
の条件で被エッチング膜からなるパターンを形成したと
ころ、残渣の数は約５００個／ウエハであった。
【００５３】なお、比較例１において反射防止膜を形成
するための有機材料として、ＤＵＶ−１８、ＣＤ９、Ｃ
Ｄ１１（すべてブリュ−ワ・サイエンス社製）、ＡＲ２
（シプレイ社製）、ＳＷＫ−ＥＸ２（東京応化工業社
製）、ＫｒＦ−２Ａ（クラリアント社製）等の材料を用
いて実施例１と同様の評価試験をした場合においても、
残渣の数は比較例２に比べてかなり多かった。このこと
から、被エッチング膜と感光性材料膜との間に反射防止
膜を介在させる場合には、反射防止膜を介在させない場
合に比べて、残渣の数の増加は避けられないことが分か
る。
【００５４】実施例２ ビスシクロヘキシルスルホニルジアゾメタンに代えてビ
スシクロヘキシルスルホニルメタンを用いる以外実施例
１と同様にしてエッチングパターンを形成した。残渣の
数は約８４００個／ウエハであり、残渣の数を比較例１
に比べて約１６％減少させることができた。
【００５５】実施例３ ビスシクロヘキシルスルホニルジアゾメタンに代えてビ
ス（３−メチルフェニルスルホニル）メタンを用いる以
外実施例１と同様にしてエッチングパターンを形成し
た。残渣の数は約６０００個／ウエハであり、残渣の数
を比較例１に比べて約４０％減少させることができた。
【００５６】実施例４ ビスシクロヘキシルスルホニルジアゾメタンに代えてビ
ス（３−メチルフェニルスルホニル）ジアゾメタン１．
０ｇを用いる以外実施例１と同様にしてエッチングパタ
ーンを形成した。残渣の数は約４６００個／ウエハであ
り、残渣の数を比較例１に比べて約６４％減少させるこ
とができた。
【００５７】実施例５ ビスシクロヘキシルスルホニルジアゾメタンに代えて下
記式で示される化合物１．０ｇを用いる以外実施例１と
同様にしてエッチングパターンを形成した。残渣の数は
約６０００個／ウエハであり、残渣の数を比較例１に比
べて約４０％減少させることができた。
【００５８】
【化３】
【００５９】実施例６ ビスシクロヘキシルスルホニルジアゾメタンに代えてピ
ロガロールトリスメタンスルホネート１．０ｇを用いる
以外実施例１と同様にしてエッチングパターンを形成し
た。残渣の数は約４５００個／ウエハであり、残渣の数
を比較例１に比べて約５５％減少させることができた。
【００６０】なお、上記発明の実施の形態および実施例
などでは、反射防止膜１２をドライエッチングする際す
べて反射防止膜１２のみをドライエッチングし、下層で
ある被エッチング膜１１を同時にドライエッチングする
ことは行っていない。この方法では、仮に反射防止膜１
２のドライエッチング工程のトラブルによる寸法の変動
または残留物や異物の増加等が確認された場合、感光性
材料１３と反射防止膜１２を除去し、再度反射防止膜の
塗布工程から新たにやり直すことができる。したがっ
て、工程間でウエハ特性の状況を確認しながらパターン
形成を行えば、未然に特性不良ウエハの発生を防ぐこと
ができるという利点がある。しかし、本発明におけるド
ライエッチング工程は上記反射防止膜のみをドライエッ
チングする方法に限られるものではなく、例えば反射防
止膜１２と被エッチング膜１１とを同一のドライエッチ
ングにより行うという方法をも含むものである。反射防
止膜１２と被エッチング膜１１を同一のドライエッチン
グで行う方法では工程を短縮できるという大きなメリッ
トがあり、この方法も本発明のパターン形成方法の有用
な方法の一つである。
【００６１】
【発明の効果】本発明のパターン形成方法によると、感
光性材料膜がスルホン化合物及び／又はスルホネート化
合物を含有しているため、感光性材料膜にエネルギービ
ームが照射されたとき、これら化合物から発生するアリ
ール系の酸により反射防止膜と感光性材料膜との界面に
おけるラジカル反応が抑止され、反射防止膜と感光性材
料膜との界面におけるアロマティックな反応生成物の生
成を防止できる。従って、パターン化された感光性材料
膜及び反射防止膜をマスクにして被エッチング膜に対し
てドライエッチングを行なって、被エッチング膜からな
るパターンを形成したときに、半導体基板の上に形成さ
れる被エッチング膜からなる残渣の数を低減することが
できる。
【００６２】このため、本発明のパターン形成方法によ
ると、被エッチング膜が導電性膜である場合には、半導
体集積回路装置において、同一の導電層に形成されてい
る配線パターン同士が導電性の残渣を介して電気的に接
続されたり、半導体基板に形成されている導電層と配線
パターンとが導電性の残渣を介して電気的に接続された
りして、配線パターン同士の間又は導電層と配線パター
ンとの間にリーク電流が流れ、半導体集積回路装置の特
性が劣化する事態を確実に防止できる。
【００６３】また、感光性材料中に酸発生剤としてオニ
ウム塩化合物とスルホン化合物及び／又はスルホネート
化合物とが含まれているため、高解像度で、スタンディ
ングウエーブ、Ｔ−トップの形成、孤立パターンと密集
パターンの線幅の差のない高解像度のレジストパターン
が形成でき、引いては設計通りの線幅を有する高解像度
のエッチングパターンを形成することができる。
【００６４】また、本発明のパターン形成方法におい
て、第４の工程が、反射防止膜に対してパターン化され
た感光性材料膜をマスクとして硫黄系のエッチングガス
によりドライエッチングを行なって反射防止膜をパター
ン化する工程を含むと、被エッチング膜に対する選択性
を向上させることができると共に、被エッチング膜から
なるパターンの寸法変動及び寸法ばらつきを低減できる
上に、半導体基板の上に形成される被エッチング膜から
なる残渣の数を低減することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明における感光性材料膜が設けられた半導
体基板の露光状態を示す断面図である。
【図２】本発明の第１の実施形態に係るパターン形成方
法の効果を説明する拡大断面図である。
【図３】従来のパターン形成方法における問題点を示す
断面図である。
【図４】従来のパターン形成方法により形成されたパタ
ーン化された被エッチング膜の断面図である。
【符号の説明】
１、１０ 半導体基板 ２、１１ 被エッチング膜 ３、１２ 反射防止膜 ４、１３ 感光性材料膜 ５ 反応生成物 ６ 残渣 ７、１６ ゲート電極 ８、１７ サイドウォール ９、１８ シリサイド層 １３ａ 照射部 １３ｂ 未照射部 １４ マスク １５ エネルギービーム
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 ＦＩ Ｈ０１Ｌ 21/3065 Ｈ０１Ｌ 21/302 Ｈ (72)発明者 木下 義章 静岡県小笠郡大東町千浜3810 クラリアン ト ジャパン株式会社内 (72)発明者 山口 優子 静岡県小笠郡大東町千浜3810 クラリアン ト ジャパン株式会社内 (72)発明者 船戸 覚 静岡県小笠郡大東町千浜3810 クラリアン ト ジャパン株式会社内

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 半導体基板上に形成された被エッチング
    膜の上に有機材料からなりエネルギービームを吸収する
    反射防止膜を形成する第１の工程と、前記反射防止膜の
    上に感光性材料膜を形成する第２の工程と、前記感光性
    材料膜にエネルギービームを選択的に照射した後、前記
    感光性材料膜の照射部又は未照射部を除去して、パター
    ン化された感光性材料膜を形成する第３の工程と、パタ
    ーン化された前記感光性材料膜をマスクとして前記被エ
    ッチング膜に対してドライエッチングを行なって、前記
    被エッチング膜からなるパターンを形成する第４の工程
    とを備えたパターン形成方法において、 前記感光性材料膜が、（ａ）酸により遊離しうる置換基
    を含有する有機物および（ｂ）オニウム塩化合物の少な
    くとも１種とスルホン化合物およびスルホネート化合物
    から選ばれた少なくとも１種とからなる放射線の照射に
    より酸を発生する化合物を含有する化学増幅型レジスト
    材料からなることを特徴とするパターン形成方法。
  2. 【請求項２】 前記第４の工程は、前記反射防止膜に対
    してパターン化された前記感光性材料膜をマスクとして
    硫黄系のエッチングガスによりドライエッチングを行な
    って前記反射防止膜をパターン化した後、パターン化さ
    れた前記感光性材料膜及び前記反射防止膜をマスクとし
    て前記被エッチング膜に対してドライエッチングを行な
    って、前記被エッチング膜からなるパターンを形成する
    工程を含むことを特徴とする請求項１に記載のパターン
    形成方法。
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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001249460A (ja) * 1999-12-27 2001-09-14 Fuji Photo Film Co Ltd ポジ型感放射線性組成物
JP2001318464A (ja) * 2000-05-10 2001-11-16 Fuji Photo Film Co Ltd ポジ型感放射線性組成物
JP2005266787A (ja) * 2004-02-16 2005-09-29 Fuji Photo Film Co Ltd 液浸プロセス用化学増幅型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法
JP2010123868A (ja) * 2008-11-21 2010-06-03 Fujitsu Microelectronics Ltd 電子デバイスの製造方法及び設定装置

Families Citing this family (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3955384B2 (ja) * 1998-04-08 2007-08-08 Ａｚエレクトロニックマテリアルズ株式会社 化学増幅型レジスト組成物
EP1179750B1 (en) * 2000-08-08 2012-07-25 FUJIFILM Corporation Positive photosensitive composition and method for producing a precision integrated circuit element using the same
US6605394B2 (en) 2001-05-03 2003-08-12 Applied Materials, Inc. Organic bottom antireflective coating for high performance mask making using optical imaging
US6703169B2 (en) 2001-07-23 2004-03-09 Applied Materials, Inc. Method of preparing optically imaged high performance photomasks
US6760153B2 (en) * 2001-11-26 2004-07-06 Nortel Networks Limited Optical component with signal amplification
JP4080784B2 (ja) * 2002-04-26 2008-04-23 東京応化工業株式会社 レジスト用現像液及びそれを用いたレジストパターン形成方法、並びにレジスト用現像原液
US7270931B2 (en) * 2003-10-06 2007-09-18 International Business Machines Corporation Silicon-containing compositions for spin-on ARC/hardmask materials
US7144820B2 (en) * 2004-01-02 2006-12-05 Infineon Technologies Ag Method of manufacturing a layer sequence and a method of manufacturing an integrated circuit
CN100361275C (zh) * 2004-10-12 2008-01-09 联华电子股份有限公司 蚀刻工艺以及图案化工艺
WO2006101458A1 (en) * 2005-03-22 2006-09-28 National University Of Singapore Method for patterning ferrelectric/piezoelectric films
FR2899502B1 (fr) * 2006-04-06 2009-04-10 Macdermid Printing Solutions E Dispositif de gaufrage, tel qu'un cylindre ou manchon
US8367303B2 (en) 2006-07-14 2013-02-05 Micron Technology, Inc. Semiconductor device fabrication and dry develop process suitable for critical dimension tunability and profile control
JP5561192B2 (ja) * 2010-02-26 2014-07-30 信越化学工業株式会社 高分子化合物及びこれを用いた化学増幅ポジ型レジスト組成物並びにパターン形成方法
US9105587B2 (en) 2012-11-08 2015-08-11 Micron Technology, Inc. Methods of forming semiconductor structures with sulfur dioxide etch chemistries
CN112162469B (zh) * 2020-10-22 2021-06-08 南京晶驱集成电路有限公司 一种光刻图形的仿真方法及仿真系统

Family Cites Families (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2919142B2 (ja) * 1990-12-27 1999-07-12 株式会社東芝 感光性組成物およびそれを用いたパターン形成方法
JPH06333817A (ja) * 1993-05-24 1994-12-02 Matsushita Electric Ind Co Ltd 微細パターン形成方法
JPH07226396A (ja) * 1994-02-10 1995-08-22 Sony Corp パターン形成方法
US5663035A (en) * 1994-04-13 1997-09-02 Hoechst Japan Limited Radiation-sensitive mixture comprising a basic iodonium compound
US5736296A (en) * 1994-04-25 1998-04-07 Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. Positive resist composition comprising a mixture of two polyhydroxystyrenes having different acid cleavable groups and an acid generating compound
JP2964874B2 (ja) 1994-06-10 1999-10-18 信越化学工業株式会社 化学増幅ポジ型レジスト材料
US5558971A (en) 1994-09-02 1996-09-24 Wako Pure Chemical Industries, Ltd. Resist material
JP2942167B2 (ja) 1994-09-02 1999-08-30 和光純薬工業株式会社 レジスト材料及びこれを用いたパターン形成方法
US5879856A (en) * 1995-12-05 1999-03-09 Shipley Company, L.L.C. Chemically amplified positive photoresists
EP0780732B1 (en) 1995-12-21 2003-07-09 Wako Pure Chemical Industries Ltd Polymer composition and resist material
JP3125678B2 (ja) * 1996-04-08 2001-01-22 信越化学工業株式会社 化学増幅ポジ型レジスト材料
JP3482069B2 (ja) 1996-04-30 2003-12-22 松下電器産業株式会社 有機膜のエッチング方法
JP3679206B2 (ja) * 1996-09-20 2005-08-03 東京応化工業株式会社 ポジ型レジスト組成物、それを用いた多層レジスト材料及びレジストパターン形成方法
US6187504B1 (en) * 1996-12-19 2001-02-13 Jsr Corporation Radiation sensitive resin composition
EP0903777A4 (en) * 1997-01-21 2005-09-14 Matsushita Electric Ind Co Ltd CONFIGURATION FORMATION METHOD
US6013582A (en) * 1997-12-08 2000-01-11 Applied Materials, Inc. Method for etching silicon oxynitride and inorganic antireflection coatings
US6103447A (en) * 1998-02-25 2000-08-15 International Business Machines Corp. Approach to formulating irradiation sensitive positive resists
US6001538A (en) * 1998-04-06 1999-12-14 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Ltd. Damage free passivation layer etching process

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001249460A (ja) * 1999-12-27 2001-09-14 Fuji Photo Film Co Ltd ポジ型感放射線性組成物
JP2001318464A (ja) * 2000-05-10 2001-11-16 Fuji Photo Film Co Ltd ポジ型感放射線性組成物
JP4562240B2 (ja) * 2000-05-10 2010-10-13 富士フイルム株式会社 ポジ型感放射線性組成物及びそれを用いたパターン形成方法
JP2005266787A (ja) * 2004-02-16 2005-09-29 Fuji Photo Film Co Ltd 液浸プロセス用化学増幅型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法
JP4524199B2 (ja) * 2004-02-16 2010-08-11 富士フイルム株式会社 液浸プロセス用化学増幅型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法
JP2010123868A (ja) * 2008-11-21 2010-06-03 Fujitsu Microelectronics Ltd 電子デバイスの製造方法及び設定装置

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KR20010013561A (ko) 2001-02-26
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