JPH096001A - ポジ型レジスト膜形成用塗布液 - Google Patents
ポジ型レジスト膜形成用塗布液Info
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- JPH096001A JPH096001A JP7172899A JP17289995A JPH096001A JP H096001 A JPH096001 A JP H096001A JP 7172899 A JP7172899 A JP 7172899A JP 17289995 A JP17289995 A JP 17289995A JP H096001 A JPH096001 A JP H096001A
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- acid
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- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/039—Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
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- G03F7/004—Photosensitive materials
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- G—PHYSICS
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- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/0045—Photosensitive materials with organic non-macromolecular light-sensitive compounds not otherwise provided for, e.g. dissolution inhibitors
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- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S430/00—Radiation imagery chemistry: process, composition, or product thereof
- Y10S430/1053—Imaging affecting physical property or radiation sensitive material, or producing nonplanar or printing surface - process, composition, or product: radiation sensitive composition or product or process of making binder containing
- Y10S430/1055—Radiation sensitive composition or product or process of making
- Y10S430/106—Binder containing
Abstract
(57)【要約】
【構成】 基本成分として、（Ａ）放射線の照射により
酸を発生する成分、（Ｂ）酸の作用によりアルカリ水溶
液への溶解度が増大する樹脂成分及び（Ｃ）アミン成分
を含有する有機溶剤溶液に、（Ｄ）有機カルボン酸を添
加してなるポジ型レジスト膜形成用塗布液である。 【効果】 化学増幅型であって、引置経時安定性の良好
なレジストパターンを与えることができる上、高解像性
及び高感度を有しており、超ＬＳＩの製造における微細
加工などに好適に用いられる。
酸を発生する成分、（Ｂ）酸の作用によりアルカリ水溶
液への溶解度が増大する樹脂成分及び（Ｃ）アミン成分
を含有する有機溶剤溶液に、（Ｄ）有機カルボン酸を添
加してなるポジ型レジスト膜形成用塗布液である。 【効果】 化学増幅型であって、引置経時安定性の良好
なレジストパターンを与えることができる上、高解像性
及び高感度を有しており、超ＬＳＩの製造における微細
加工などに好適に用いられる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、マスクパターンに対し
て忠実な、しかも像形成露光からＰＥＢ（ＰＯＳＴ Ｅ
ＸＰＯＳＵＲＥ ＢＡＫＥ）までの間の安定性すなわち
引置経時安定性の良好なレジストパターンを与えること
のできる、高解像性、高感度の化学増幅型ポジ型レジス
ト膜形成用塗布液に関するものである。
て忠実な、しかも像形成露光からＰＥＢ（ＰＯＳＴ Ｅ
ＸＰＯＳＵＲＥ ＢＡＫＥ）までの間の安定性すなわち
引置経時安定性の良好なレジストパターンを与えること
のできる、高解像性、高感度の化学増幅型ポジ型レジス
ト膜形成用塗布液に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、ＩＣやＬＳＩなどの半導体デバイ
スの製造プロセスにおいては、ホトレジスト組成物を用
いたリソグラフィーによる微細加工がなされている。こ
れはシリコンウエーハ上にホトレジスト組成物の薄膜を
形成し、その上に半導体デバイスのパターンが描かれた
マスクパターンを介して紫外線などの活性光線を照射
し、それを現像して得られたレジストパターンを保護膜
として該シリコンウエーハをエッチングする方法であ
る。そして、この方法において用いられる好適なホトレ
ジスト組成物として、被膜形成用のアルカリ可溶性ノボ
ラック樹脂に、キノンジアジド基含有化合物から成る感
光成分を組み合わせたポジ型ホトレジスト組成物が知ら
れている。
スの製造プロセスにおいては、ホトレジスト組成物を用
いたリソグラフィーによる微細加工がなされている。こ
れはシリコンウエーハ上にホトレジスト組成物の薄膜を
形成し、その上に半導体デバイスのパターンが描かれた
マスクパターンを介して紫外線などの活性光線を照射
し、それを現像して得られたレジストパターンを保護膜
として該シリコンウエーハをエッチングする方法であ
る。そして、この方法において用いられる好適なホトレ
ジスト組成物として、被膜形成用のアルカリ可溶性ノボ
ラック樹脂に、キノンジアジド基含有化合物から成る感
光成分を組み合わせたポジ型ホトレジスト組成物が知ら
れている。
【０００３】ところが、近年、半導体デバイスの高集積
度化が急速に高まり、超ＬＳＩなどの製造においてはサ
ブミクロン領域やクオーターミクロン領域の超微細パタ
ーンの加工精度が要求されるようになってきており、そ
れに伴って露光波長もｇ線からｉ線やｄｅｅｐ−ＵＶ
に、さらにＫｒＦレーザー光のようなエキシマレーザー
光にというように短波長化の傾向がみられ、現在ではｄ
ｅｅｐ−ＵＶやエキシマレーザー光を用いるリソグラフ
ィー法がこの分野における重要な加工技術となってきて
いる。
度化が急速に高まり、超ＬＳＩなどの製造においてはサ
ブミクロン領域やクオーターミクロン領域の超微細パタ
ーンの加工精度が要求されるようになってきており、そ
れに伴って露光波長もｇ線からｉ線やｄｅｅｐ−ＵＶ
に、さらにＫｒＦレーザー光のようなエキシマレーザー
光にというように短波長化の傾向がみられ、現在ではｄ
ｅｅｐ−ＵＶやエキシマレーザー光を用いるリソグラフ
ィー法がこの分野における重要な加工技術となってきて
いる。
【０００４】そして、ｇ線やｉ線用のノボラック‐キノ
ンジアジド系レジストは、ｄｅｅｐ−ＵＶやエキシマレ
ーザー光の吸収が大きいことから、これらに対する吸収
が少ないポリヒドロキシスチレンをベース樹脂とした化
学増幅型レジストが注目されるようになってきた。
ンジアジド系レジストは、ｄｅｅｐ−ＵＶやエキシマレ
ーザー光の吸収が大きいことから、これらに対する吸収
が少ないポリヒドロキシスチレンをベース樹脂とした化
学増幅型レジストが注目されるようになってきた。
【０００５】この化学増幅型レジストは、放射線照射に
より生成した酸の触媒作用を利用したレジストであっ
て、高い感度と解像性を有し、少量の放射線の照射によ
り酸を発生する化合物（以下酸発生剤という）で像形成
できるという利点を有している。ところで、化学増幅型
レジストにはポジ型とネガ型の２つのタイプがあり、ポ
ジ型レジストは、一般に酸発生剤とこの酸の作用により
アルカリ水溶液に対する溶解性が増大する樹脂成分（以
下樹脂成分という）とから構成されている。一方、ネガ
型レジストは、酸発生剤と架橋剤とアルカリ可溶性樹脂
成分とから構成されている。
より生成した酸の触媒作用を利用したレジストであっ
て、高い感度と解像性を有し、少量の放射線の照射によ
り酸を発生する化合物（以下酸発生剤という）で像形成
できるという利点を有している。ところで、化学増幅型
レジストにはポジ型とネガ型の２つのタイプがあり、ポ
ジ型レジストは、一般に酸発生剤とこの酸の作用により
アルカリ水溶液に対する溶解性が増大する樹脂成分（以
下樹脂成分という）とから構成されている。一方、ネガ
型レジストは、酸発生剤と架橋剤とアルカリ可溶性樹脂
成分とから構成されている。
【０００６】このような化学増幅型のポジ型レジストに
ついては、最近、化学増幅型レジスト特有の酸発生剤と
溶解抑制基との反応機構から、第三成分として、酸捕捉
剤を添加することにより、発生した酸の拡散を防止して
レジスト特性の向上を図ることが試みられ、その中の１
つとしてアミンを添加したものが提案されている（特開
平５−１２７３６９号公報、特開平５−２３２７０６号
公報、特開平５−２４９６６２号公報、特開平５−２８
９３２２号公報、特開平６−３１７９０２号公報、特開
平７−９２６７８号公報、特開平７−１２０９２９号公
報）。
ついては、最近、化学増幅型レジスト特有の酸発生剤と
溶解抑制基との反応機構から、第三成分として、酸捕捉
剤を添加することにより、発生した酸の拡散を防止して
レジスト特性の向上を図ることが試みられ、その中の１
つとしてアミンを添加したものが提案されている（特開
平５−１２７３６９号公報、特開平５−２３２７０６号
公報、特開平５−２４９６６２号公報、特開平５−２８
９３２２号公報、特開平６−３１７９０２号公報、特開
平７−９２６７８号公報、特開平７−１２０９２９号公
報）。
【０００７】しかしながら、このようにアミンを添加し
たものは、解像度はある程度向上するが、６４メガビッ
ト、１ギガビット級の超集積度の半導体素子を製造する
にはまだ不十分である上に、感度が低下するのを免れな
い。
たものは、解像度はある程度向上するが、６４メガビッ
ト、１ギガビット級の超集積度の半導体素子を製造する
にはまだ不十分である上に、感度が低下するのを免れな
い。
【０００８】他方、感度向上やレジストパターンの形状
改善を目的として、化学増幅型レジスト組成物に、カル
ボン酸を単独で添加することも試みられているが（特開
平５−１８１２７９号公報、特開平７−９２６７９号公
報）、このものはレジストパターンの形状改善も不十分
な上に、解像度が低く、実用的ではない。
改善を目的として、化学増幅型レジスト組成物に、カル
ボン酸を単独で添加することも試みられているが（特開
平５−１８１２７９号公報、特開平７−９２６７９号公
報）、このものはレジストパターンの形状改善も不十分
な上に、解像度が低く、実用的ではない。
【０００９】そのほか、半導体素子の製造には、窒化ケ
イ素、窒化チタン、アルミニウム・ケイ素・銅合金、タ
ングステンなどの薄膜を設けた基板が用いられるが、こ
のような薄膜の種類によってはレジストパターンが裾曳
きになることがあり、このような薄膜の存在により影響
されることのないレジスト組成物の出現が望まれてい
る。
イ素、窒化チタン、アルミニウム・ケイ素・銅合金、タ
ングステンなどの薄膜を設けた基板が用いられるが、こ
のような薄膜の種類によってはレジストパターンが裾曳
きになることがあり、このような薄膜の存在により影響
されることのないレジスト組成物の出現が望まれてい
る。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、特にアミン
を含有する化学増幅型レジスト組成物において、前記し
たようなアミンに基づく悪影響を除き、マスクパターン
に忠実で、しかも像形成処理からＰＥＢ（ＰＯＳＴ Ｅ
ＸＰＯＳＵＲＥ ＢＡＫＥ）の間にパターン形状がそこ
なわれることのない、すなわち引置経時安定性に優れ
た、かつ高解像度、高感度のレジスト組成物を得ること
を目的としてなされたものである。
を含有する化学増幅型レジスト組成物において、前記し
たようなアミンに基づく悪影響を除き、マスクパターン
に忠実で、しかも像形成処理からＰＥＢ（ＰＯＳＴ Ｅ
ＸＰＯＳＵＲＥ ＢＡＫＥ）の間にパターン形状がそこ
なわれることのない、すなわち引置経時安定性に優れ
た、かつ高解像度、高感度のレジスト組成物を得ること
を目的としてなされたものである。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、アミンを
成分として含有する化学増幅型レジスト組成物について
種々研究を重ねた結果、この溶液に有機カルボン酸を添
加することにより、マスクパターンに忠実でかつ正確な
矩形断面を有するレジストパターンを与えることがで
き、しかも高感度、高解像度を示す塗布液が得られるこ
とを見出し、この知見に基づいて本発明をなすに至っ
た。
成分として含有する化学増幅型レジスト組成物について
種々研究を重ねた結果、この溶液に有機カルボン酸を添
加することにより、マスクパターンに忠実でかつ正確な
矩形断面を有するレジストパターンを与えることがで
き、しかも高感度、高解像度を示す塗布液が得られるこ
とを見出し、この知見に基づいて本発明をなすに至っ
た。
【００１２】すなわち、本発明は、基本成分として、
（Ａ）放射線の照射により酸を発生する成分、（Ｂ）酸
の作用によりアルカリ水溶液への溶解度が増大する樹脂
成分及び（Ｃ）アミン成分を含有する有機溶剤溶液に、
（Ｄ）有機カルボン酸を添加してなるポジ型レジスト膜
形成用塗布液を提供するものである。
（Ａ）放射線の照射により酸を発生する成分、（Ｂ）酸
の作用によりアルカリ水溶液への溶解度が増大する樹脂
成分及び（Ｃ）アミン成分を含有する有機溶剤溶液に、
（Ｄ）有機カルボン酸を添加してなるポジ型レジスト膜
形成用塗布液を提供するものである。
【００１３】本発明のポジ型レジスト膜形成用塗布液
は、（Ａ）放射線照射により酸を発生しうる化合物、
（Ｂ）酸の作用によりアルカリ水溶液への溶解度が増大
する樹脂成分及び（Ｃ）アミン成分を基本組成とするも
のであるが、このような基本組成自体は既に知られてい
るものである。
は、（Ａ）放射線照射により酸を発生しうる化合物、
（Ｂ）酸の作用によりアルカリ水溶液への溶解度が増大
する樹脂成分及び（Ｃ）アミン成分を基本組成とするも
のであるが、このような基本組成自体は既に知られてい
るものである。
【００１４】そして、本発明塗布液における（Ａ）成分
及び（Ｂ）成分としては、従来知られている基本組成に
おいて用いられている（Ａ）成分と（Ｂ）成分の中から
任意に選ぶことができる。
及び（Ｂ）成分としては、従来知られている基本組成に
おいて用いられている（Ａ）成分と（Ｂ）成分の中から
任意に選ぶことができる。
【００１５】このような（Ａ）成分の例としては、例え
ば（ａ）ビス（ｐ‐トルエンスルホニル）ジアゾメタ
ン、メチルスルホニル‐ｐ‐トルエンスルホニルジアゾ
メタン、１‐シクロヘキシルスルホニル‐１‐（１，１
‐ジメチルエチルスルホニル）ジアゾメタン、ビス
（１，１‐ジメチルエチルスルホニル）ジアゾメタン、
ビス（１‐メチルエチルスルホニル）ジアゾメタン、ビ
ス（シクロヘキシルスルホニル）ジアゾメタン、ビス
（２，４‐ジメチルフェニルスルホニル）ジアゾメタ
ン、ビス（４‐エチルフェニルスルホニル）ジアゾメタ
ン、ビス（３‐メチルフェニルスルホニル）ジアゾメタ
ン、ビス（４‐メトキシフェニルスルホニル）ジアゾメ
タン、ビス（４‐フルオロフェニルスルホニル）ジアゾ
メタン、ビス（４‐クロロフェニルスルホニル）ジアゾ
メタン、ビス（４‐ｔｅｒｔ‐ブチルフェニルスルホニ
ル）ジアゾメタンなどのビススルホニルジアゾメタン
類、（ｂ）２‐メチル‐２‐（ｐ‐トルエンスルホニ
ル）プロピオフェノン、２‐（シクロヘキシルカルボニ
ル）‐２‐（ｐ‐トルエンスルホニル）プロパン、２‐
メタンスルホニル‐２‐メチル‐（ｐ‐メチルチオ）プ
ロピオフェノン、２，４‐ジメチル‐２‐（ｐ‐トルエ
ンスルホニル）ペンタン‐３‐オンなどのスルホニルカ
ルボニルアルカン類、（ｃ）１‐ｐ‐トルエンスルホニ
ル‐１‐シクロヘキシルカルボニルジアゾメタン、１‐
ジアゾ‐１‐メチルスルホニル‐４‐フェニル‐２‐ブ
タノン、１‐シクロヘキシルスルホニル‐１‐シクロヘ
キシルカルボニルジアゾメタン、１‐ジアゾ‐１‐シク
ロヘキシルスルホニル‐３，３‐ジメチル‐２‐ブタノ
ン、１‐ジアゾ‐１‐（１，１‐ジメチルエチルスルホ
ニル）‐３，３‐ジメチル‐２‐ブタノン、１‐アセチ
ル‐１‐（１‐メチルエチルスルホニル）ジアゾメタ
ン、１‐ジアゾ‐１‐（ｐ‐トルエンスルホニル）‐
３，３‐ジメチル‐２‐ブタノン、１‐ジアゾ‐１‐ベ
ンゼンスルホニル‐３，３‐ジメチル‐２‐ブタノン、
１‐ジアゾ‐１‐（ｐ‐トルエンスルホニル）‐３‐メ
チル‐２‐ブタノン、２‐ジアゾ‐２‐（ｐ‐トルエン
スルホニル）酢酸シクロヘキシル、２‐ジアゾ‐２‐ベ
ンゼンスルホニル酢酸ｔｅｒｔ‐ブチル、２‐ジアゾ‐
２‐メタンスルホニル酢酸イソプロピル、２‐ジアゾ‐
２‐ベンゼンスルホニル酢酸シクロヘキシル、２‐ジア
ゾ‐２‐（ｐ‐トルエンスルホニル）酢酸ｔｅｒｔ‐ブ
チルなどのスルホニルカルボニルジアゾメタン類、
（ｄ）ｐ‐トルエンスルホン酸２‐ニトロベンジル、ｐ
‐トルエンスルホン酸２，６‐ジニトロベンジル、ｐ‐
トリフルオロメチルベンゼンスルホン酸２，４‐ジニト
ロベンジルなどのニトロベンジル誘導体、（ｅ）ピロガ
ロールのメタンスルホン酸エステル、ピロガロールのベ
ンゼンスルホン酸エステル、ピロガロールのｐ‐トルエ
ンスルホン酸エステル、ピロガロールのｐ‐メトキシベ
ンゼンスルホン酸エステル、ピロガロールのメシチレン
スルホン酸エステル、ピロガロールのベンジルスルホン
酸エステル、没食子酸アルキルのメタンスルホン酸エス
テル、没食子酸アルキルのベンゼンスルホン酸エステ
ル、没食子酸アルキルのｐ‐トルエンスルホン酸エステ
ル、没食子酸アルキルのｐ‐メトキシベンゼンスルホン
酸エステル、没食子酸アルキルのメシチレンスルホン酸
エステル、没食子酸アルキルのベンジルスルホン酸エス
テルなどのポリヒドロキシ化合物と脂肪族又は芳香族ス
ルホン酸とのエステル類などを挙げることができる。前
記没食子酸アルキルにおけるアルキル基は、炭素数１〜
１５のアルキル基、特にオクチル基及びラウリル基が好
ましい。そのほか（ｆ）ビス（ｐ‐ｔｅｒｔ‐ブチルフ
ェニル）ヨードニウムトリフルオロメタンスルホネー
ト、トリフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスル
ホネートなどのオニウム塩なども用いることができる。
これらの化合物の中で、特にビススルホニルジアゾメタ
ン類が好ましく、中でもビス（シクロヘキシルスルホニ
ル）ジアゾメタン及びビス（２，４‐ジメチルフェニル
スルホニル）ジアゾメタンが好適である。これらの化合
物は単独で用いてもよいし、２種以上を組み合わせて用
いてもよい。
ば（ａ）ビス（ｐ‐トルエンスルホニル）ジアゾメタ
ン、メチルスルホニル‐ｐ‐トルエンスルホニルジアゾ
メタン、１‐シクロヘキシルスルホニル‐１‐（１，１
‐ジメチルエチルスルホニル）ジアゾメタン、ビス
（１，１‐ジメチルエチルスルホニル）ジアゾメタン、
ビス（１‐メチルエチルスルホニル）ジアゾメタン、ビ
ス（シクロヘキシルスルホニル）ジアゾメタン、ビス
（２，４‐ジメチルフェニルスルホニル）ジアゾメタ
ン、ビス（４‐エチルフェニルスルホニル）ジアゾメタ
ン、ビス（３‐メチルフェニルスルホニル）ジアゾメタ
ン、ビス（４‐メトキシフェニルスルホニル）ジアゾメ
タン、ビス（４‐フルオロフェニルスルホニル）ジアゾ
メタン、ビス（４‐クロロフェニルスルホニル）ジアゾ
メタン、ビス（４‐ｔｅｒｔ‐ブチルフェニルスルホニ
ル）ジアゾメタンなどのビススルホニルジアゾメタン
類、（ｂ）２‐メチル‐２‐（ｐ‐トルエンスルホニ
ル）プロピオフェノン、２‐（シクロヘキシルカルボニ
ル）‐２‐（ｐ‐トルエンスルホニル）プロパン、２‐
メタンスルホニル‐２‐メチル‐（ｐ‐メチルチオ）プ
ロピオフェノン、２，４‐ジメチル‐２‐（ｐ‐トルエ
ンスルホニル）ペンタン‐３‐オンなどのスルホニルカ
ルボニルアルカン類、（ｃ）１‐ｐ‐トルエンスルホニ
ル‐１‐シクロヘキシルカルボニルジアゾメタン、１‐
ジアゾ‐１‐メチルスルホニル‐４‐フェニル‐２‐ブ
タノン、１‐シクロヘキシルスルホニル‐１‐シクロヘ
キシルカルボニルジアゾメタン、１‐ジアゾ‐１‐シク
ロヘキシルスルホニル‐３，３‐ジメチル‐２‐ブタノ
ン、１‐ジアゾ‐１‐（１，１‐ジメチルエチルスルホ
ニル）‐３，３‐ジメチル‐２‐ブタノン、１‐アセチ
ル‐１‐（１‐メチルエチルスルホニル）ジアゾメタ
ン、１‐ジアゾ‐１‐（ｐ‐トルエンスルホニル）‐
３，３‐ジメチル‐２‐ブタノン、１‐ジアゾ‐１‐ベ
ンゼンスルホニル‐３，３‐ジメチル‐２‐ブタノン、
１‐ジアゾ‐１‐（ｐ‐トルエンスルホニル）‐３‐メ
チル‐２‐ブタノン、２‐ジアゾ‐２‐（ｐ‐トルエン
スルホニル）酢酸シクロヘキシル、２‐ジアゾ‐２‐ベ
ンゼンスルホニル酢酸ｔｅｒｔ‐ブチル、２‐ジアゾ‐
２‐メタンスルホニル酢酸イソプロピル、２‐ジアゾ‐
２‐ベンゼンスルホニル酢酸シクロヘキシル、２‐ジア
ゾ‐２‐（ｐ‐トルエンスルホニル）酢酸ｔｅｒｔ‐ブ
チルなどのスルホニルカルボニルジアゾメタン類、
（ｄ）ｐ‐トルエンスルホン酸２‐ニトロベンジル、ｐ
‐トルエンスルホン酸２，６‐ジニトロベンジル、ｐ‐
トリフルオロメチルベンゼンスルホン酸２，４‐ジニト
ロベンジルなどのニトロベンジル誘導体、（ｅ）ピロガ
ロールのメタンスルホン酸エステル、ピロガロールのベ
ンゼンスルホン酸エステル、ピロガロールのｐ‐トルエ
ンスルホン酸エステル、ピロガロールのｐ‐メトキシベ
ンゼンスルホン酸エステル、ピロガロールのメシチレン
スルホン酸エステル、ピロガロールのベンジルスルホン
酸エステル、没食子酸アルキルのメタンスルホン酸エス
テル、没食子酸アルキルのベンゼンスルホン酸エステ
ル、没食子酸アルキルのｐ‐トルエンスルホン酸エステ
ル、没食子酸アルキルのｐ‐メトキシベンゼンスルホン
酸エステル、没食子酸アルキルのメシチレンスルホン酸
エステル、没食子酸アルキルのベンジルスルホン酸エス
テルなどのポリヒドロキシ化合物と脂肪族又は芳香族ス
ルホン酸とのエステル類などを挙げることができる。前
記没食子酸アルキルにおけるアルキル基は、炭素数１〜
１５のアルキル基、特にオクチル基及びラウリル基が好
ましい。そのほか（ｆ）ビス（ｐ‐ｔｅｒｔ‐ブチルフ
ェニル）ヨードニウムトリフルオロメタンスルホネー
ト、トリフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスル
ホネートなどのオニウム塩なども用いることができる。
これらの化合物の中で、特にビススルホニルジアゾメタ
ン類が好ましく、中でもビス（シクロヘキシルスルホニ
ル）ジアゾメタン及びビス（２，４‐ジメチルフェニル
スルホニル）ジアゾメタンが好適である。これらの化合
物は単独で用いてもよいし、２種以上を組み合わせて用
いてもよい。
【００１６】一方、本発明塗布液の基本組成において、
（Ｂ）成分として用いられる酸の作用によりアルカリ水
溶液への溶解度が増大する樹脂成分についても特に制限
はなく、従来、化学増幅型ポジ型レジストに樹脂成分と
して使用されている公知の合成樹脂の中から任意に選ん
で用いることができる。このようなものとしては、例え
ば水酸基の水素原子が保護基により置換されたポリヒド
ロキシスチレンを挙げることができる。この保護基とし
ては、例えばｔｅｒｔ‐ブトキシカルボニル基、ｔｅｒ
ｔ‐ブチル基、ｔｅｒｔ‐アミルオキシカルボニル基、
及びアルコキシアルキル基、テトラヒドロピラニル基、
テトラヒドロフラニル基などのアセタール基が挙げられ
る。水酸基の水素原子が前記保護基により置換されたポ
リヒドロキシスチレンは、ヒドロキシスチレンモノマー
と保護基を有するスチレンモノマーを常法に従い共重合
させて得てもよいし、ポリヒドロキシスチレンに保護基
を化学的に導入して得てもよい。具体的にはｔｅｒｔ‐
ブトキシカルボニルオキシスチレンとｐ‐ヒドロキシス
チレンとの共重合体（特開平２―２０９９７７号公
報）、ｐ‐テトラヒドロピラニルオキシスチレンとｐ‐
ヒドロキシスチレンとの共重合体（特開平２―１９８４
７号公報）、ｔｅｒｔ‐ブトキシスチレンとｐ‐ヒドロ
キシスチレンとの共重合体（特開平２―６２５４４号公
報）、アセタール基によって水酸基が保護されているポ
リヒドロキシスチレン（特開平３―２８２５５０号公
報）、アルコキシアルキル基によって水酸基が保護され
ているポリヒドロキシスチレン（特開平５―２４９６８
２号公報）などを挙げることができ、これらのポリヒド
ロキシスチレンは単独でも、また２種以上混合しても使
用できる。好ましい樹脂成分は、（イ）水酸基の１０〜
６０モル％の水素原子がｔｅｒｔ‐ブトキシカルボニル
基で保護されたポリヒドロキシスチレンと、（ロ）水酸
基の１０〜６０モル％の水素原子が、例えば１‐メトキ
シエチル基、１‐エトキシエチル基、１‐ｎ‐プロポキ
シエチル基、１‐イソプロポキシエチル基、１‐ｎ‐ブ
トキシエチル基、１‐イソブトキシエチル基、１‐
（１，１‐ジメチルエトキシ）‐１‐メチルエチル基、
１‐メトキシ‐１‐メチルエチル基、１‐エトキシ‐１
‐メチルエチル基、１‐ｎ‐プロポキシ‐１‐メチルエ
チル基、１‐イソブトキシ‐１‐メチルエチル基、１‐
メトキシ‐ｎ‐プロピル基、１‐エトキシ‐ｎ‐プロピ
ル基などのアルコキシアルキル基で保護されたポリヒド
ロキシスチレンとの混合物である。（ロ）成分のアルコ
キシアルキル基の中では１‐エトキシエチル基及び１‐
メトキシ‐ｎ‐プロピル基が感度、解像力がバランスよ
く向上するので好ましい。混合割合としては、（イ）成
分１０〜７０重量％と（ロ）成分３０〜９０重量％、好
ましくは（イ）成分２０〜５０重量％と（ロ）成分５０
〜８０重量％とを配合するのが望ましい。このような樹
脂成分においては、（Ａ）成分から生じる酸が、保護基
のｔｅｒｔ‐ブトキシカルボニル基及び前記のアルコキ
シアルキル基を脱離し、これらが樹脂成分の溶解と前記
ｔｅｒｔ‐ブトキシカルボニル基による溶解阻害能をほ
どよく釣り合わせ、高感度、高解像性及び高耐熱性を達
成することができる。前記混合物から成る樹脂成分を用
いる場合には、（イ）成分と（ロ）成分の配合割合が前
記範囲を逸脱するとこれらの特性が低下するため好まし
くない。
（Ｂ）成分として用いられる酸の作用によりアルカリ水
溶液への溶解度が増大する樹脂成分についても特に制限
はなく、従来、化学増幅型ポジ型レジストに樹脂成分と
して使用されている公知の合成樹脂の中から任意に選ん
で用いることができる。このようなものとしては、例え
ば水酸基の水素原子が保護基により置換されたポリヒド
ロキシスチレンを挙げることができる。この保護基とし
ては、例えばｔｅｒｔ‐ブトキシカルボニル基、ｔｅｒ
ｔ‐ブチル基、ｔｅｒｔ‐アミルオキシカルボニル基、
及びアルコキシアルキル基、テトラヒドロピラニル基、
テトラヒドロフラニル基などのアセタール基が挙げられ
る。水酸基の水素原子が前記保護基により置換されたポ
リヒドロキシスチレンは、ヒドロキシスチレンモノマー
と保護基を有するスチレンモノマーを常法に従い共重合
させて得てもよいし、ポリヒドロキシスチレンに保護基
を化学的に導入して得てもよい。具体的にはｔｅｒｔ‐
ブトキシカルボニルオキシスチレンとｐ‐ヒドロキシス
チレンとの共重合体（特開平２―２０９９７７号公
報）、ｐ‐テトラヒドロピラニルオキシスチレンとｐ‐
ヒドロキシスチレンとの共重合体（特開平２―１９８４
７号公報）、ｔｅｒｔ‐ブトキシスチレンとｐ‐ヒドロ
キシスチレンとの共重合体（特開平２―６２５４４号公
報）、アセタール基によって水酸基が保護されているポ
リヒドロキシスチレン（特開平３―２８２５５０号公
報）、アルコキシアルキル基によって水酸基が保護され
ているポリヒドロキシスチレン（特開平５―２４９６８
２号公報）などを挙げることができ、これらのポリヒド
ロキシスチレンは単独でも、また２種以上混合しても使
用できる。好ましい樹脂成分は、（イ）水酸基の１０〜
６０モル％の水素原子がｔｅｒｔ‐ブトキシカルボニル
基で保護されたポリヒドロキシスチレンと、（ロ）水酸
基の１０〜６０モル％の水素原子が、例えば１‐メトキ
シエチル基、１‐エトキシエチル基、１‐ｎ‐プロポキ
シエチル基、１‐イソプロポキシエチル基、１‐ｎ‐ブ
トキシエチル基、１‐イソブトキシエチル基、１‐
（１，１‐ジメチルエトキシ）‐１‐メチルエチル基、
１‐メトキシ‐１‐メチルエチル基、１‐エトキシ‐１
‐メチルエチル基、１‐ｎ‐プロポキシ‐１‐メチルエ
チル基、１‐イソブトキシ‐１‐メチルエチル基、１‐
メトキシ‐ｎ‐プロピル基、１‐エトキシ‐ｎ‐プロピ
ル基などのアルコキシアルキル基で保護されたポリヒド
ロキシスチレンとの混合物である。（ロ）成分のアルコ
キシアルキル基の中では１‐エトキシエチル基及び１‐
メトキシ‐ｎ‐プロピル基が感度、解像力がバランスよ
く向上するので好ましい。混合割合としては、（イ）成
分１０〜７０重量％と（ロ）成分３０〜９０重量％、好
ましくは（イ）成分２０〜５０重量％と（ロ）成分５０
〜８０重量％とを配合するのが望ましい。このような樹
脂成分においては、（Ａ）成分から生じる酸が、保護基
のｔｅｒｔ‐ブトキシカルボニル基及び前記のアルコキ
シアルキル基を脱離し、これらが樹脂成分の溶解と前記
ｔｅｒｔ‐ブトキシカルボニル基による溶解阻害能をほ
どよく釣り合わせ、高感度、高解像性及び高耐熱性を達
成することができる。前記混合物から成る樹脂成分を用
いる場合には、（イ）成分と（ロ）成分の配合割合が前
記範囲を逸脱するとこれらの特性が低下するため好まし
くない。
【００１７】前記（イ）成分は、ポリヒドロキシスチレ
ンの水酸基の水素原子を、例えばジ‐ｔｅｒｔ‐ブチル
‐ジカーボネートなどにより、公知の反応に従いｔｅｒ
ｔ‐ブトキシカルボニル基で置換し、保護したもので、
その保護率は１０〜６０モル％、好ましくは２０〜５０
モル％の範囲が望ましい。この保護率が１０モル％未満
ではプロファイル形状に優れたレジストパターンが得ら
れず、また６０モル％を超えると感度が低下するため好
ましくない。
ンの水酸基の水素原子を、例えばジ‐ｔｅｒｔ‐ブチル
‐ジカーボネートなどにより、公知の反応に従いｔｅｒ
ｔ‐ブトキシカルボニル基で置換し、保護したもので、
その保護率は１０〜６０モル％、好ましくは２０〜５０
モル％の範囲が望ましい。この保護率が１０モル％未満
ではプロファイル形状に優れたレジストパターンが得ら
れず、また６０モル％を超えると感度が低下するため好
ましくない。
【００１８】一方、（ロ）成分は、ポリヒドロキシスチ
レンの水酸基の水素原子を、例えば１‐クロロ‐１‐エ
トキシエタンや１‐クロロ‐１‐メトキシプロパンなど
により、公知の反応に従い前記アルコキシアルキル基で
置換し、保護したもので、その保護率は１０〜６０モル
％、好ましくは２０〜５０モル％が望ましい。この保護
率が１０モル％未満ではプロファイル形状の優れたパタ
ーンが得られず、また６０モル％を超えるとレジストの
感度が低下するため好ましくない。
レンの水酸基の水素原子を、例えば１‐クロロ‐１‐エ
トキシエタンや１‐クロロ‐１‐メトキシプロパンなど
により、公知の反応に従い前記アルコキシアルキル基で
置換し、保護したもので、その保護率は１０〜６０モル
％、好ましくは２０〜５０モル％が望ましい。この保護
率が１０モル％未満ではプロファイル形状の優れたパタ
ーンが得られず、また６０モル％を超えるとレジストの
感度が低下するため好ましくない。
【００１９】さらに、前記（Ｂ）成分の重量平均分子量
は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー法（ＧＰ
Ｃ法）に基づき、通常ポリスチレン基準で３，０００〜
３０，０００の範囲である。この重量平均分子量が３，
０００未満では被膜性に劣るし、３０，０００を超える
とアルカリ水溶液への溶解度が低下する傾向がみられ
る。
は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー法（ＧＰ
Ｃ法）に基づき、通常ポリスチレン基準で３，０００〜
３０，０００の範囲である。この重量平均分子量が３，
０００未満では被膜性に劣るし、３０，０００を超える
とアルカリ水溶液への溶解度が低下する傾向がみられ
る。
【００２０】本発明塗布液においては、前記（Ａ）成分
は、（Ｂ）成分１００重量部に対し、通常１〜２０重量
部、好ましくは２〜１０重量部の割合で配合される。こ
の配合量が１重量部未満では、放射線を照射したときに
発生する酸の量が不足し、十分な作用が発揮されない
し、また２０重量部を超えると溶剤に溶解しにくくなる
とともに、（Ａ）成分と混合しにくくなる。
は、（Ｂ）成分１００重量部に対し、通常１〜２０重量
部、好ましくは２〜１０重量部の割合で配合される。こ
の配合量が１重量部未満では、放射線を照射したときに
発生する酸の量が不足し、十分な作用が発揮されない
し、また２０重量部を超えると溶剤に溶解しにくくなる
とともに、（Ａ）成分と混合しにくくなる。
【００２１】次に、本発明塗布液の基本組成において、
（Ｃ）成分として用いられるアミン成分としては、従来
知られている基本組成において用いられているものの中
から任意のものを選ぶことができる。このようなアミン
成分としては、例えば脂肪族アミン、芳香族アミン、複
素環式アミンなどが挙げられる。ここで、脂肪族アミン
としては、例えばメチルアミン、ジメチルアミン、トリ
メチルアミン、エチルアミン、ジエチルアミン、トリエ
チルアミン、ｎ‐プロピルアミン、ジ‐ｎ‐プロピルア
ミン、トリ‐ｎ‐プロピルアミン、イソプロピルアミン
などが挙げられる。また、芳香族アミンとしては、例え
ばベンジルアミン、アニリン、Ｎ‐メチルアニリン、
Ｎ，Ｎ‐ジメチルアニリン、ｏ‐メチルアニリン、ｍ‐
メチルアニリン、ｐ‐メチルアニリン、Ｎ，Ｎ‐ジエチ
ルアニリン、ジフェニルアミン、ジ‐ｐ‐トリルアミン
などが挙げられる。さらに、複素環式アミンとしては、
例えばピリジン、ｏ‐メチルピリジン、ｏ‐エチルピリ
ジン、２，３‐ジメチルピリジン、４‐エチル‐２‐メ
チルピリジン、３‐エチル‐４‐メチルピリジンなどが
挙げられるが、特に強塩基性で、低沸点のもの、例えば
メチルアミン、ジメチルアミン、トリメチルアミン、エ
チルアミン、ジエチルアミン、トリエチルアミンのよう
な脂肪族アミンが好ましい。
（Ｃ）成分として用いられるアミン成分としては、従来
知られている基本組成において用いられているものの中
から任意のものを選ぶことができる。このようなアミン
成分としては、例えば脂肪族アミン、芳香族アミン、複
素環式アミンなどが挙げられる。ここで、脂肪族アミン
としては、例えばメチルアミン、ジメチルアミン、トリ
メチルアミン、エチルアミン、ジエチルアミン、トリエ
チルアミン、ｎ‐プロピルアミン、ジ‐ｎ‐プロピルア
ミン、トリ‐ｎ‐プロピルアミン、イソプロピルアミン
などが挙げられる。また、芳香族アミンとしては、例え
ばベンジルアミン、アニリン、Ｎ‐メチルアニリン、
Ｎ，Ｎ‐ジメチルアニリン、ｏ‐メチルアニリン、ｍ‐
メチルアニリン、ｐ‐メチルアニリン、Ｎ，Ｎ‐ジエチ
ルアニリン、ジフェニルアミン、ジ‐ｐ‐トリルアミン
などが挙げられる。さらに、複素環式アミンとしては、
例えばピリジン、ｏ‐メチルピリジン、ｏ‐エチルピリ
ジン、２，３‐ジメチルピリジン、４‐エチル‐２‐メ
チルピリジン、３‐エチル‐４‐メチルピリジンなどが
挙げられるが、特に強塩基性で、低沸点のもの、例えば
メチルアミン、ジメチルアミン、トリメチルアミン、エ
チルアミン、ジエチルアミン、トリエチルアミンのよう
な脂肪族アミンが好ましい。
【００２２】これらは単独で用いてもよいし、２種以上
を組み合わせて用いてもよいが、これらの中で、特にト
リエチルアミン単独がレジストパターン形状及び引置経
時安定性に優れる点から好適である。
を組み合わせて用いてもよいが、これらの中で、特にト
リエチルアミン単独がレジストパターン形状及び引置経
時安定性に優れる点から好適である。
【００２３】本発明塗布液においては、この（Ｃ）成分
は、前記（Ｂ）成分に対し、通常０．０１〜１重量％、
好ましくは０．０５〜０．５重量％の割合で配合され
る。これにより、放射線の照射により発生した際の必要
以上の拡散を防止することができてマスクパターンに忠
実なレジストパターンを得ることができ、解像度、引置
経時安定性も向上する。（Ｃ）成分の配合量が０．０１
重量％未満では十分な解像力が得られないし、１重量％
を超えると感度が劣化する傾向がみられる。
は、前記（Ｂ）成分に対し、通常０．０１〜１重量％、
好ましくは０．０５〜０．５重量％の割合で配合され
る。これにより、放射線の照射により発生した際の必要
以上の拡散を防止することができてマスクパターンに忠
実なレジストパターンを得ることができ、解像度、引置
経時安定性も向上する。（Ｃ）成分の配合量が０．０１
重量％未満では十分な解像力が得られないし、１重量％
を超えると感度が劣化する傾向がみられる。
【００２４】本発明塗布液は、前記（Ａ）、（Ｂ）及び
（Ｃ）成分を基本組成として含有する有機溶剤溶液に、
（Ｄ）成分として有機カルボン酸を添加したものである
が、前記有機溶剤溶液の調製に用いられる有機溶剤とし
ては、例えばアセトン、メチルエチルケトン、シクロヘ
キサノン、メチルイソアミルケトン、２‐ヘプタノンな
どのケトン類；エチレングリコール、エチルグリコール
モノアセテート、ジエチレングリコール、ジエチレング
リコールモノアセテート、プロピレングリコール、プロ
ピレングリコールモノアセテート、ジプロピレングリコ
ール又はジプロピレングリコールモノアセテートのモノ
メチルエーテル、モノエチルエーテル、モノプロピルエ
ーテル、モノブチルエーテル又はモノフェニルエーテル
などの多価アルコール類及びその誘導体や、ジオキサン
のような環式エーテル類や乳酸メチル、乳酸エチル、酢
酸メチル、酢酸エチル、酢酸ブチル、ピルビン酸メチ
ル、ピルビン酸エチル、メトキシプロピオン酸メチル、
エトキシプロピオン酸エチルなどのエステル類を挙げる
ことができる。これらは単独で用いてもよいし、２種以
上混合して用いてもよい。
（Ｃ）成分を基本組成として含有する有機溶剤溶液に、
（Ｄ）成分として有機カルボン酸を添加したものである
が、前記有機溶剤溶液の調製に用いられる有機溶剤とし
ては、例えばアセトン、メチルエチルケトン、シクロヘ
キサノン、メチルイソアミルケトン、２‐ヘプタノンな
どのケトン類；エチレングリコール、エチルグリコール
モノアセテート、ジエチレングリコール、ジエチレング
リコールモノアセテート、プロピレングリコール、プロ
ピレングリコールモノアセテート、ジプロピレングリコ
ール又はジプロピレングリコールモノアセテートのモノ
メチルエーテル、モノエチルエーテル、モノプロピルエ
ーテル、モノブチルエーテル又はモノフェニルエーテル
などの多価アルコール類及びその誘導体や、ジオキサン
のような環式エーテル類や乳酸メチル、乳酸エチル、酢
酸メチル、酢酸エチル、酢酸ブチル、ピルビン酸メチ
ル、ピルビン酸エチル、メトキシプロピオン酸メチル、
エトキシプロピオン酸エチルなどのエステル類を挙げる
ことができる。これらは単独で用いてもよいし、２種以
上混合して用いてもよい。
【００２５】一方、（Ｄ）成分の有機カルボン酸につい
ては特に制限はなく、例えば飽和又は不飽和脂肪族カル
ボン酸、脂環式カルボン酸、オキシカルボン酸、アルコ
キシカルボン酸、ケトカルボン酸、芳香族カルボン酸な
どを挙げることができる。ここで、飽和脂肪族カルボン
酸としては、例えばギ酸、酢酸、プロピオン酸、酪酸、
イソ酪酸、シュウ酸、マロン酸、コハク酸、グルタル
酸、アジピン酸などの１価又は多価カルボン酸が挙げら
れる。不飽和脂肪族カルボン酸としては、例えばアクリ
ル酸、クロトン酸、イソクロトン酸、３‐ブテン酸、メ
タクリル酸、４‐ペンテン酸、プロピオン酸、２‐ブチ
ン酸、マレイン酸、フマル酸、アセチレンカルボン酸な
どが挙げられる。また、脂環式カルボン酸としては、例
えば１，１‐シクロヘキサンジカルボン酸、１，２‐シ
クロヘキサンジカルボン酸、１，３‐シクロヘキサンジ
カルボン酸、１，４‐シクロヘキサンジカルボン酸、
１，１‐シクロヘキシルジ酢酸などが挙げられる。
ては特に制限はなく、例えば飽和又は不飽和脂肪族カル
ボン酸、脂環式カルボン酸、オキシカルボン酸、アルコ
キシカルボン酸、ケトカルボン酸、芳香族カルボン酸な
どを挙げることができる。ここで、飽和脂肪族カルボン
酸としては、例えばギ酸、酢酸、プロピオン酸、酪酸、
イソ酪酸、シュウ酸、マロン酸、コハク酸、グルタル
酸、アジピン酸などの１価又は多価カルボン酸が挙げら
れる。不飽和脂肪族カルボン酸としては、例えばアクリ
ル酸、クロトン酸、イソクロトン酸、３‐ブテン酸、メ
タクリル酸、４‐ペンテン酸、プロピオン酸、２‐ブチ
ン酸、マレイン酸、フマル酸、アセチレンカルボン酸な
どが挙げられる。また、脂環式カルボン酸としては、例
えば１，１‐シクロヘキサンジカルボン酸、１，２‐シ
クロヘキサンジカルボン酸、１，３‐シクロヘキサンジ
カルボン酸、１，４‐シクロヘキサンジカルボン酸、
１，１‐シクロヘキシルジ酢酸などが挙げられる。
【００２６】さらに、オキシカルボン酸としては、例え
ばオキシ酢酸などが、アルコキシカルボン酸としては、
例えばメトキシ酢酸、エトキシ酢酸などが、ケトカルボ
ン酸としては、例えばピルビン酸などが挙げられる。一
方芳香族カルボン酸としては、例えばｐ‐ヒドロキシ安
息香酸、ｏ‐ヒドロキシ安息香酸、２‐ヒドロキシ‐３
‐ニトロ安息香酸、３，５‐ジニトロ安息香酸、２‐ニ
トロ安息香酸、２，４‐ジヒドロキシ安息香酸、２，５
‐ジヒドロキシ安息香酸、２，６‐ジヒドロキシ安息香
酸、３，４‐ジヒドロキシ安息香酸、３，５‐ジヒドロ
キシ安息香酸、２‐ビニル安息香酸、４‐ビニル安息香
酸、フタル酸、テレフタル酸、イソフタル酸などの水酸
基、ニトロ基、カルボキシル基、ビニル基などの置換基
を有する芳香族カルボン酸が挙げられる。
ばオキシ酢酸などが、アルコキシカルボン酸としては、
例えばメトキシ酢酸、エトキシ酢酸などが、ケトカルボ
ン酸としては、例えばピルビン酸などが挙げられる。一
方芳香族カルボン酸としては、例えばｐ‐ヒドロキシ安
息香酸、ｏ‐ヒドロキシ安息香酸、２‐ヒドロキシ‐３
‐ニトロ安息香酸、３，５‐ジニトロ安息香酸、２‐ニ
トロ安息香酸、２，４‐ジヒドロキシ安息香酸、２，５
‐ジヒドロキシ安息香酸、２，６‐ジヒドロキシ安息香
酸、３，４‐ジヒドロキシ安息香酸、３，５‐ジヒドロ
キシ安息香酸、２‐ビニル安息香酸、４‐ビニル安息香
酸、フタル酸、テレフタル酸、イソフタル酸などの水酸
基、ニトロ基、カルボキシル基、ビニル基などの置換基
を有する芳香族カルボン酸が挙げられる。
【００２７】これらの有機カルボン酸の中で、芳香族カ
ルボン酸が適当な酸性度を有し、かつ非揮発性なので好
ましく、特にサリチル酸がレジスト溶剤に対する溶解性
及び各種基板に対して良好なレジストパターンが得られ
るので好適である。
ルボン酸が適当な酸性度を有し、かつ非揮発性なので好
ましく、特にサリチル酸がレジスト溶剤に対する溶解性
及び各種基板に対して良好なレジストパターンが得られ
るので好適である。
【００２８】本発明塗布液においては、この（Ｄ）成分
は、前記（Ｂ）成分に対し、通常０．０１〜５重量％、
好ましくは０．０５〜２．０重量％配合される。また、
（Ｃ）成分のアミンに対して、２〜２０倍重量用いるの
が有利である。これにより、（Ｃ）成分に起因する感度
劣化を防止しうるとともに、さらに解像度を向上させる
ことができる上、各種基板に対して良好なレジストパタ
ーンを形成することができる。この（Ｄ）成分の配合量
が、前記範囲より少ないと各種基板に対して良好なレジ
ストパターンを形成できなくなるし、多すぎると現像時
における未露光部の膜減りが大きくなるので好ましくな
い。
は、前記（Ｂ）成分に対し、通常０．０１〜５重量％、
好ましくは０．０５〜２．０重量％配合される。また、
（Ｃ）成分のアミンに対して、２〜２０倍重量用いるの
が有利である。これにより、（Ｃ）成分に起因する感度
劣化を防止しうるとともに、さらに解像度を向上させる
ことができる上、各種基板に対して良好なレジストパタ
ーンを形成することができる。この（Ｄ）成分の配合量
が、前記範囲より少ないと各種基板に対して良好なレジ
ストパターンを形成できなくなるし、多すぎると現像時
における未露光部の膜減りが大きくなるので好ましくな
い。
【００２９】本発明において、特定量の有機カルボン酸
を加えることにより、前記レジスト特性の向上が達成さ
れる理由については、必ずしも明確ではないが、おそら
く、弱酸と強塩基による緩衝作用のためではないかと考
えられる。
を加えることにより、前記レジスト特性の向上が達成さ
れる理由については、必ずしも明確ではないが、おそら
く、弱酸と強塩基による緩衝作用のためではないかと考
えられる。
【００３０】本発明のポジ型レジスト膜形成用塗布液に
は、さらに所望により混和性のある添加物、例えばレジ
スト膜の性能を改良するための付加的樹脂、可塑剤、安
定剤、着色剤、界面活性剤などの慣用されているものを
添加含有させることができる。
は、さらに所望により混和性のある添加物、例えばレジ
スト膜の性能を改良するための付加的樹脂、可塑剤、安
定剤、着色剤、界面活性剤などの慣用されているものを
添加含有させることができる。
【００３１】本発明のポジ型レジスト膜形成用塗布液の
使用方法としては従来のホトレジスト技術のレジストパ
ターン形成方法が用いられるが、その好適な例を次に示
す。まずシリコンウエーハのような支持体上に、前記し
た（Ａ）成分、（Ｂ）成分、（Ｃ）成分及び（Ｄ）成分
と必要に応じて配合される各種添加物を溶剤に溶解した
塗布液をスピンナーなどで塗布し、乾燥して感光層を形
成させ、これに縮小投影露光装置などにより、ｄｅｅｐ
−ＵＶ、エキシマレーザー光を所望のマスクパターンを
介して照射し、次いでこれを現像液、例えば１〜１０重
量％テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液のよ
うなアルカリ性水溶液などを用いて現像処理する。この
形成方法でマスクパターンに忠実な画像を得ることがで
きる。
使用方法としては従来のホトレジスト技術のレジストパ
ターン形成方法が用いられるが、その好適な例を次に示
す。まずシリコンウエーハのような支持体上に、前記し
た（Ａ）成分、（Ｂ）成分、（Ｃ）成分及び（Ｄ）成分
と必要に応じて配合される各種添加物を溶剤に溶解した
塗布液をスピンナーなどで塗布し、乾燥して感光層を形
成させ、これに縮小投影露光装置などにより、ｄｅｅｐ
−ＵＶ、エキシマレーザー光を所望のマスクパターンを
介して照射し、次いでこれを現像液、例えば１〜１０重
量％テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液のよ
うなアルカリ性水溶液などを用いて現像処理する。この
形成方法でマスクパターンに忠実な画像を得ることがで
きる。
【００３２】
【発明の効果】本発明のポジ型レジスト膜形成用塗布液
は、化学増幅型であって、マスクパターンに対して忠実
な、しかも像形成露光からＰＥＢ（ＰＯＳＴ ＥＸＰＯ
ＳＵＲＥ ＢＡＫＥ）までの間の安定性すなわち引置経
時安定性の良好なレジストパターンを与えることができ
る上、高解像性及び高感度を有しており、超ＬＳＩの製
造における微細加工などに好適に用いられる。
は、化学増幅型であって、マスクパターンに対して忠実
な、しかも像形成露光からＰＥＢ（ＰＯＳＴ ＥＸＰＯ
ＳＵＲＥ ＢＡＫＥ）までの間の安定性すなわち引置経
時安定性の良好なレジストパターンを与えることができ
る上、高解像性及び高感度を有しており、超ＬＳＩの製
造における微細加工などに好適に用いられる。
【００３３】
【実施例】次に本発明を実施例によりさらに詳細に説明
する。なお、ポジ型レジスト膜形成用塗布液の諸物性は
次のようにして求めた。 （１）感度：試料をスピンナーを用いてシリコンウエー
ハ上に塗布し、これをホットプレート上で９０℃、９０
秒間乾燥して膜厚０．７μｍのレジスト膜を得た。この
膜に縮小投影露光装置ＮＳＲ−２００５ＥＸ８Ａ（ニコ
ン社製）を用いて、１ｍＪずつドーズ量を加え露光した
のち、１１０℃、９０秒間のＰＥＢ（ＰＯＳＴ ＥＸＰ
ＯＳＵＲＥ ＢＡＫＥ）を行い、２．３８重量％テトラ
メチルアンモニウムヒドロキシド水溶液で２３℃にて６
０秒間現像し、３０秒間水洗して乾燥したとき、現像後
の露光部の膜厚が０となる最小露光時間を感度としてｍ
Ｊ（エネルギー量）単位で測定した。
する。なお、ポジ型レジスト膜形成用塗布液の諸物性は
次のようにして求めた。 （１）感度：試料をスピンナーを用いてシリコンウエー
ハ上に塗布し、これをホットプレート上で９０℃、９０
秒間乾燥して膜厚０．７μｍのレジスト膜を得た。この
膜に縮小投影露光装置ＮＳＲ−２００５ＥＸ８Ａ（ニコ
ン社製）を用いて、１ｍＪずつドーズ量を加え露光した
のち、１１０℃、９０秒間のＰＥＢ（ＰＯＳＴ ＥＸＰ
ＯＳＵＲＥ ＢＡＫＥ）を行い、２．３８重量％テトラ
メチルアンモニウムヒドロキシド水溶液で２３℃にて６
０秒間現像し、３０秒間水洗して乾燥したとき、現像後
の露光部の膜厚が０となる最小露光時間を感度としてｍ
Ｊ（エネルギー量）単位で測定した。
【００３４】（２）解像性：０．２５μｍのマスクパタ
ーンを再現する露光量における限界解像度で示した。 （３）マスクパターン忠実度：マスクパターンどおりに
レジストパターンが得られた場合を○、マスクパターン
よりレジストパターンがやや細いパターンとなった場合
を△、マスクパターンよりレジストパターンが極めて細
いパターンとなった場合を×として評価した。
ーンを再現する露光量における限界解像度で示した。 （３）マスクパターン忠実度：マスクパターンどおりに
レジストパターンが得られた場合を○、マスクパターン
よりレジストパターンがやや細いパターンとなった場合
を△、マスクパターンよりレジストパターンが極めて細
いパターンとなった場合を×として評価した。
【００３５】（４）各種基板に対するパターン形状：基
板をシリコンウエーハ上にシリコン窒化膜（ＳｉＮ）が
形成された基板（基板）、チタンナイトライド（Ｔｉ
Ｎ）が形成された基板（基板）、ＢＰＳＧ絶縁膜が形
成された基板（基板）にそれぞれ代え、０．２５μｍ
のレジストパターンの断面形状をＳＥＭ（走査型電子顕
微鏡）写真により観察し、矩形状のものをＡとし、裾曳
き形状になっているものをＢとした。
板をシリコンウエーハ上にシリコン窒化膜（ＳｉＮ）が
形成された基板（基板）、チタンナイトライド（Ｔｉ
Ｎ）が形成された基板（基板）、ＢＰＳＧ絶縁膜が形
成された基板（基板）にそれぞれ代え、０．２５μｍ
のレジストパターンの断面形状をＳＥＭ（走査型電子顕
微鏡）写真により観察し、矩形状のものをＡとし、裾曳
き形状になっているものをＢとした。
【００３６】（５）引置経時安定性 （１）において、露光までの操作を行ったのち、６０分
間放置したあと、同様な操作を行い０．２５μｍのレジ
ストパターンの断面形状をＳＥＭ（走査型電子顕微鏡）
写真により観察し、マスクパターンどおりにレジストパ
ターンが得られた場合を○、マスクパターンよりレジス
トパターンが細いパターンとなった場合を×として評価
した。
間放置したあと、同様な操作を行い０．２５μｍのレジ
ストパターンの断面形状をＳＥＭ（走査型電子顕微鏡）
写真により観察し、マスクパターンどおりにレジストパ
ターンが得られた場合を○、マスクパターンよりレジス
トパターンが細いパターンとなった場合を×として評価
した。
【００３７】実施例１ 水酸基の３９モル％がｔｅｒｔ−ブチルオキシカルボニ
ルオキシ基で置換された重量平均分子量１０，０００の
ポリヒドロキシスチレンと水酸基の３９モル％がエトキ
シエトキシ基で置換された重量平均分子量１０，０００
のポリヒドロキシスチレンとの重量比３：７の混合物１
００重量部、ビス（シクロヘキシルスルホニル）ジアゾ
メタン７重量部、トリエチルアミン０．１重量部、及び
サリチル酸０．５重量部をプロピレングリコールモノメ
チルエーテルアセテート４９０重量部に溶解したのち、
このものを孔径０．２μｍのメンブランフィルターを用
いてろ過し、ポジ型レジスト膜形成用塗布液を調製し
た。
ルオキシ基で置換された重量平均分子量１０，０００の
ポリヒドロキシスチレンと水酸基の３９モル％がエトキ
シエトキシ基で置換された重量平均分子量１０，０００
のポリヒドロキシスチレンとの重量比３：７の混合物１
００重量部、ビス（シクロヘキシルスルホニル）ジアゾ
メタン７重量部、トリエチルアミン０．１重量部、及び
サリチル酸０．５重量部をプロピレングリコールモノメ
チルエーテルアセテート４９０重量部に溶解したのち、
このものを孔径０．２μｍのメンブランフィルターを用
いてろ過し、ポジ型レジスト膜形成用塗布液を調製し
た。
【００３８】このものについての上記特性を評価した結
果を表１に示す。
果を表１に示す。
【００３９】実施例２〜５ 実施例１において、トリエチルアミンとその量を表１に
示すアミン及び量に代え、かつサリチル酸とその量を表
１に示す有機カルボン酸及び量に代えた以外は、実施例
１と同様にして、ポジ型レジスト膜形成用塗布液を得
た。このものについての上記特性を評価した結果を表１
に示す。
示すアミン及び量に代え、かつサリチル酸とその量を表
１に示す有機カルボン酸及び量に代えた以外は、実施例
１と同様にして、ポジ型レジスト膜形成用塗布液を得
た。このものについての上記特性を評価した結果を表１
に示す。
【００４０】比較例１ 実施例１において、サリチル酸を除いた以外は、実施例
１と同様にしてポジ型レジスト膜形成用塗布液を得た。
このものについての上記特性を評価した結果を表１に示
す。
１と同様にしてポジ型レジスト膜形成用塗布液を得た。
このものについての上記特性を評価した結果を表１に示
す。
【００４１】比較例２ 実施例１において、トリエチルアミンを除いた以外は実
施例１と同様にしてポジ型レジスト膜形成用塗布液を得
た。このものについての上記特性を評価した結果を表１
に示す。
施例１と同様にしてポジ型レジスト膜形成用塗布液を得
た。このものについての上記特性を評価した結果を表１
に示す。
【００４２】比較例３ 実施例１において、サリチル酸の量を表１に示すように
代えた以外は、実施例１と同様にしてポジ型レジスト膜
形成用塗布液を得た。このものについての上記特性を評
価した結果を表１に示す。
代えた以外は、実施例１と同様にしてポジ型レジスト膜
形成用塗布液を得た。このものについての上記特性を評
価した結果を表１に示す。
【００４３】
【表１】
【００４４】なお、比較例３においては未露光部の膜減
りが大きかった。
りが大きかった。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 坂井 与日 神奈川県川崎市中原区中丸子150番地 東 京応化工業株式会社内 (72)発明者 中山 寿昌 神奈川県川崎市中原区中丸子150番地 東 京応化工業株式会社内
Claims (4)
- 【請求項１】 基本成分として、（Ａ）放射線の照射に
より酸を発生する成分、（Ｂ）酸の作用によりアルカリ
水溶液への溶解度が増大する樹脂成分及び（Ｃ）アミン
成分を含有する有機溶剤溶液に、（Ｄ）有機カルボン酸
を添加してなるポジ型レジスト膜形成用塗布液。 - 【請求項２】 （Ｂ）成分に対し、（Ｃ）成分が０．０
１〜１重量％、（Ｄ）成分が０．０１〜５重量％の割合
で含まれている請求項１記載のポジ型レジスト膜形成用
塗布液。 - 【請求項３】 （Ｃ）成分が脂肪族アミンである請求項
１又は２記載のポジ型レジスト膜形成用塗布液。 - 【請求項４】 有機カルボン酸が芳香族カルボン酸であ
る請求項１、２又は３記載のポジ型レジスト膜形成用塗
布液。
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7172899A JP3046225B2 (ja) | 1995-06-15 | 1995-06-15 | ポジ型レジスト膜形成用塗布液 |
| US08/658,234 US5948589A (en) | 1995-06-15 | 1996-06-04 | Positive-working photoresist composition |
| TW085106741A TW412663B (en) | 1995-06-15 | 1996-06-05 | Positive-working photoresist composition |
| EP96304231A EP0749046B1 (en) | 1995-06-15 | 1996-06-06 | Positive-working photoresist composition |
| DE69608167T DE69608167T2 (de) | 1995-06-15 | 1996-06-06 | Positiv arbeitende Photoresistzusammensetzung |
| KR1019960021658A KR100240184B1 (ko) | 1995-06-15 | 1996-06-15 | 포지티브형 포토레지스트조성물 |
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7172899A JP3046225B2 (ja) | 1995-06-15 | 1995-06-15 | ポジ型レジスト膜形成用塗布液 |
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25061199A Division JP3164305B2 (ja) | 1995-06-15 | 1999-09-03 | ポジ型レジスト膜形成用塗布液及びそれを用いたレジストパターン形成方法 |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH096001A true JPH096001A (ja) | 1997-01-10 |
| JP3046225B2 JP3046225B2 (ja) | 2000-05-29 |
Family
ID=15950407
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7172899A Expired - Lifetime JP3046225B2 (ja) | 1995-06-15 | 1995-06-15 | ポジ型レジスト膜形成用塗布液 |
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|---|---|
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| EP (1) | EP0749046B1 (ja) |
| JP (1) | JP3046225B2 (ja) |
| KR (1) | KR100240184B1 (ja) |
| DE (1) | DE69608167T2 (ja) |
| TW (1) | TW412663B (ja) |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003177516A (ja) * | 2001-08-15 | 2003-06-27 | Shipley Co Llc | 化学増幅ポジ型フォトレジスト組成物 |
| WO2005081061A1 (ja) * | 2004-02-19 | 2005-09-01 | Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. | フォトレジスト組成物およびレジストパターン形成方法 |
| US7105265B2 (en) | 2003-12-12 | 2006-09-12 | Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. | Method for removing resist pattern |
| US7329478B2 (en) | 2003-05-22 | 2008-02-12 | Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. | Chemical amplified positive photo resist composition and method for forming resist pattern |
| US7358028B2 (en) | 2003-05-20 | 2008-04-15 | Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. | Chemically amplified positive photo resist composition and method for forming resist pattern |
| KR100825465B1 (ko) * | 2004-02-19 | 2008-04-28 | 도쿄 오카 고교 가부시키가이샤 | 포토레지스트 조성물 및 레지스트 패턴 형성방법 |
| EP2447773A1 (en) | 2010-11-02 | 2012-05-02 | Fujifilm Corporation | Photosensitive resin composition, method for producing pattern, MEMS structure, method for producing the structure, method for dry etching, method for wet etching, MEMS shutter device, and image display apparatus |
| EP2498133A2 (en) | 2011-03-11 | 2012-09-12 | Fujifilm Corporation | Resin pattern, method for producing the pattern, method for producing MEMS structure, method for manufacturing semiconductor device, and method for producing plated pattern |
| US8999631B2 (en) | 2010-09-14 | 2015-04-07 | Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. | Primer and pattern forming method for layer including block copolymer |
Families Citing this family (20)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR19980035211A (ko) * | 1996-11-12 | 1998-08-05 | 박병재 | 배기관 오염 경보장치 |
| US6042988A (en) * | 1996-12-26 | 2000-03-28 | Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. | Chemical-amplification-type negative resist composition |
| JP2998682B2 (ja) * | 1997-03-13 | 2000-01-11 | 日本電気株式会社 | 化学増幅系レジスト |
| TW546540B (en) * | 1997-04-30 | 2003-08-11 | Wako Pure Chem Ind Ltd | An agent for reducing the substrate dependence of resist and a resist composition |
| EP0887707B1 (en) * | 1997-06-24 | 2003-09-03 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Positive photoresist composition |
| US6103447A (en) * | 1998-02-25 | 2000-08-15 | International Business Machines Corp. | Approach to formulating irradiation sensitive positive resists |
| JP4327360B2 (ja) * | 1998-09-23 | 2009-09-09 | イー・アイ・デュポン・ドウ・ヌムール・アンド・カンパニー | ホトレジスト、ポリマーおよびマイクロリソグラフィの方法 |
| JP3707655B2 (ja) * | 1998-10-24 | 2005-10-19 | 東京応化工業株式会社 | ネガ型レジスト組成物 |
| KR100363273B1 (ko) * | 2000-07-29 | 2002-12-05 | 주식회사 동진쎄미켐 | 액정표시장치 회로용 포토레지스트 조성물 |
| JP2002091003A (ja) * | 2000-09-19 | 2002-03-27 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | 薄膜形成用ポジ型レジスト組成物及びそれを用いた感光材料 |
| JP3771815B2 (ja) * | 2001-05-31 | 2006-04-26 | 東京応化工業株式会社 | 感光性積層体、それに用いるポジ型レジスト組成物及びそれらを用いるレジストパターン形成方法 |
| JP4053402B2 (ja) * | 2002-10-23 | 2008-02-27 | 東京応化工業株式会社 | Ｌｃｄ製造用ポジ型ホトレジスト組成物およびレジストパターンの形成方法 |
| JP4131864B2 (ja) * | 2003-11-25 | 2008-08-13 | 東京応化工業株式会社 | 化学増幅型ポジ型感光性熱硬化性樹脂組成物、硬化物の形成方法、及び機能素子の製造方法 |
| DE112005002819B4 (de) * | 2004-12-03 | 2016-12-22 | Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. | Positivresist - Zusammensetzung und Verfahren zur Erzeugung eines Resist - Musters |
| US7816072B2 (en) * | 2005-05-02 | 2010-10-19 | Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. | Positive resist composition and method for forming resist pattern |
| US8153346B2 (en) | 2007-02-23 | 2012-04-10 | Fujifilm Electronic Materials, U.S.A., Inc. | Thermally cured underlayer for lithographic application |
| US8715918B2 (en) * | 2007-09-25 | 2014-05-06 | Az Electronic Materials Usa Corp. | Thick film resists |
| KR102181241B1 (ko) * | 2015-02-23 | 2020-11-20 | 현대중공업 주식회사 | Scr 시스템의 촉매 성능진단 장치 및 방법 |
| JP6818888B2 (ja) | 2016-08-09 | 2021-01-20 | メルク パテント ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツングＭｅｒｃｋ Ｐａｔｅｎｔ Ｇｅｓｅｌｌｓｃｈａｆｔ ｍｉｔ ｂｅｓｃｈｒａｅｎｋｔｅｒ Ｈａｆｔｕｎｇ | 環境的に安定した厚膜化学増幅レジスト |
| JP7407587B2 (ja) * | 2019-12-19 | 2024-01-04 | 東京応化工業株式会社 | レジスト組成物及びレジストパターン形成方法 |
Family Cites Families (18)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4491628A (en) * | 1982-08-23 | 1985-01-01 | International Business Machines Corporation | Positive- and negative-working resist compositions with acid generating photoinitiator and polymer with acid labile groups pendant from polymer backbone |
| DE3930087A1 (de) * | 1989-09-09 | 1991-03-14 | Hoechst Ag | Positiv arbeitendes strahlungsempfindliches gemisch und daraus hergestelltes strahlungsempfindliches aufzeichnungsmaterial |
| US5225316A (en) * | 1990-11-26 | 1993-07-06 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | An imagable article comprising a photosensitive composition comprising a polymer having acid labile pendant groups |
| US5403695A (en) * | 1991-04-30 | 1995-04-04 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Resist for forming patterns comprising an acid generating compound and a polymer having acid decomposable groups |
| EP0537524A1 (en) * | 1991-10-17 | 1993-04-21 | Shipley Company Inc. | Radiation sensitive compositions and methods |
| JPH05127369A (ja) * | 1991-10-31 | 1993-05-25 | Nec Corp | レジスト材料 |
| JP3010607B2 (ja) * | 1992-02-25 | 2000-02-21 | ジェイエスアール株式会社 | 感放射線性樹脂組成物 |
| JPH05289322A (ja) * | 1992-04-10 | 1993-11-05 | Hitachi Ltd | パタン形成材料及びそれを用いたパタン形成方法 |
| JP3351582B2 (ja) * | 1993-03-12 | 2002-11-25 | 株式会社東芝 | 感放射線性樹脂組成物 |
| US5374500A (en) * | 1993-04-02 | 1994-12-20 | International Business Machines Corporation | Positive photoresist composition containing photoacid generator and use thereof |
| JPH0792679A (ja) * | 1993-06-29 | 1995-04-07 | Nippon Zeon Co Ltd | レジスト組成物 |
| JPH0792678A (ja) * | 1993-06-29 | 1995-04-07 | Nippon Zeon Co Ltd | レジスト組成物 |
| JPH07120929A (ja) * | 1993-09-01 | 1995-05-12 | Toshiba Corp | 感光性組成物 |
| JP3297199B2 (ja) * | 1993-09-14 | 2002-07-02 | 株式会社東芝 | レジスト組成物 |
| JPH07104475A (ja) * | 1993-10-08 | 1995-04-21 | Hitachi Ltd | 感光性樹脂組成物 |
| JP3271728B2 (ja) * | 1994-02-14 | 2002-04-08 | 日本電信電話株式会社 | ポジ型レジスト組成物 |
| US5736296A (en) * | 1994-04-25 | 1998-04-07 | Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. | Positive resist composition comprising a mixture of two polyhydroxystyrenes having different acid cleavable groups and an acid generating compound |
| JP2956824B2 (ja) * | 1995-06-15 | 1999-10-04 | 東京応化工業株式会社 | ポジ型レジスト膜形成用塗布液 |
-
1995
- 1995-06-15 JP JP7172899A patent/JP3046225B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1996
- 1996-06-04 US US08/658,234 patent/US5948589A/en not_active Expired - Lifetime
- 1996-06-05 TW TW085106741A patent/TW412663B/zh not_active IP Right Cessation
- 1996-06-06 DE DE69608167T patent/DE69608167T2/de not_active Expired - Fee Related
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- 1996-06-15 KR KR1019960021658A patent/KR100240184B1/ko not_active IP Right Cessation
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003177516A (ja) * | 2001-08-15 | 2003-06-27 | Shipley Co Llc | 化学増幅ポジ型フォトレジスト組成物 |
| JP4504613B2 (ja) * | 2001-08-15 | 2010-07-14 | ローム・アンド・ハース・エレクトロニック・マテリアルズ，エル．エル．シー． | 化学増幅ポジ型フォトレジスト組成物 |
| US7358028B2 (en) | 2003-05-20 | 2008-04-15 | Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. | Chemically amplified positive photo resist composition and method for forming resist pattern |
| US7329478B2 (en) | 2003-05-22 | 2008-02-12 | Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. | Chemical amplified positive photo resist composition and method for forming resist pattern |
| US7105265B2 (en) | 2003-12-12 | 2006-09-12 | Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. | Method for removing resist pattern |
| WO2005081061A1 (ja) * | 2004-02-19 | 2005-09-01 | Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. | フォトレジスト組成物およびレジストパターン形成方法 |
| KR100825465B1 (ko) * | 2004-02-19 | 2008-04-28 | 도쿄 오카 고교 가부시키가이샤 | 포토레지스트 조성물 및 레지스트 패턴 형성방법 |
| US8999631B2 (en) | 2010-09-14 | 2015-04-07 | Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. | Primer and pattern forming method for layer including block copolymer |
| EP2447773A1 (en) | 2010-11-02 | 2012-05-02 | Fujifilm Corporation | Photosensitive resin composition, method for producing pattern, MEMS structure, method for producing the structure, method for dry etching, method for wet etching, MEMS shutter device, and image display apparatus |
| EP2498133A2 (en) | 2011-03-11 | 2012-09-12 | Fujifilm Corporation | Resin pattern, method for producing the pattern, method for producing MEMS structure, method for manufacturing semiconductor device, and method for producing plated pattern |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
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| US5948589A (en) | 1999-09-07 |
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| JP3046225B2 (ja) | 2000-05-29 |
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