JP3290565B2

JP3290565B2 - ポジ型レジスト組成物

Info

Publication number: JP3290565B2
Application number: JP17563895A
Authority: JP
Inventors: 和史佐藤; 和行新田; 晃義山崎; 与日坂井; 寿昌中山
Original assignee: Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd
Current assignee: Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd
Priority date: 1995-06-20
Filing date: 1995-06-20
Publication date: 2002-06-10
Anticipated expiration: 2017-06-10
Also published as: JPH096002A

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、ポジ型レジスト組成
物、さらに詳しくは、高感度、高解像性で、かつ耐熱性
及び引置き経時安定性に優れるとともに、基板に依存す
ることなくプロファイル形状の優れたレジストパターン
を形成できる紫外線、遠紫外線、ＫｒＦ、ＡｒＦなどの
エキシマレーザー、Ｘ線、及び電子線などの放射線に感
応する化学増幅型のポジ型レジスト組成物に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来、ＩＣやＬＳＩなどの半導体素子
は、ホトレジスト組成物を用いたフォトリソグラフイ
ー、エッチング、不純物拡散及び配線形成などの工程を
数回繰り返し製造されている。フォトリソグラフイーに
おいては、ホトレジスト組成物をシリコンウエーハ上に
回転塗布などの方法により塗布し薄膜を形成し、それを
マスクパターンを介して、紫外線などの放射線を照射
し、現像してレジストパターンを形成し、次いで、前記
レジストパターンを保護膜としてエッチングが行われて
いる。これまで、前記フォトリソグラフイーで使用され
ているホトレジスト組成物は、それに要求される解像性
が、サブミクロン（１μｍ以下）、ハーフミクロン
（０．５μｍ以下）程度であり、ｇ線（４３６ｎｍ）、
ｉ線（３６５ｎｍ）などの紫外線を利用したアルカリ可
溶性ノボラック樹脂とキノンジアジド基含有化合物を基
本成分としたポジ型ホトレジストが実用に供されてき
た。

【０００３】しかしながら、近年、半導体素子の微細化
が益々高まり、今日ではクオーターミクロン（０．２５
μｍ以下）の超微細パターンを用いた超ＬＳＩの量産が
はじまろうとしている。このようなクオーターミクロン
の超微細パターンを得るには、従来のアルカリ可溶性ノ
ボラック樹脂とキノンジアジド基含有化合物を基本成分
としたポジ型ホトレジストでは困難なことから、より短
波長の遠紫外線（２００〜３００ｎｍ）、ＫｒＦ、Ａｒ
Ｆなどのエキシマレーザー、電子線及びＸ線を利用した
レジストの開発が要望されている。かかるレジストとし
て高解像性が達成される上に、放射線の照射により発生
した酸の触媒反応、連鎖反応を利用し量子収率が１以上
であり、かつ高感度が達成できる化学増幅型レジストが
注目され、盛んに開発が行われている。

【０００４】上記化学増幅型レジストとしては、例えば
ポリヒドロキシスチレンの水酸基をｔｅｒｔ−ブトキシ
カルボニルオキシ基で置換した樹脂成分とオニウム塩な
どの酸発生剤を組み合わせたレジスト組成物が米国特許
４，４９１，６２８号明細書に提案されている。しかし
ながら、前記レジスト組成物は、解像度、焦点深度幅特
性において十分なものでない上、化学増幅型レジストに
特有の露光により発生した酸の失活の起因する露光後一
定時間放置した後、現像した場合のパターン形状劣化の
問題（以下引置き経時安定性という）、すなわちレジス
トパターン上部が庇状に連なってしまうブリッジングの
問題がある。このようなブリッジングができると所望の
配線パターンが得られないため、半導体素子製造におい
て致命的なものとなる。このような引置き経時の問題を
解決する方法として、レジスト層上に露光により発生し
た酸の失活を防止するためトップコート層を設ける方法
があるが、このような方法は、製造工程が増えスループ
ットが悪くなるし、コスト高となるため好ましくない。
従って、トップコート層を設ける必要のない引置き安定
性に優れたレジストが強く望まれている。

【０００５】また、上記化学増幅型レジストは、シリコ
ン窒化膜（ＳｉＮ）、ホウ素−リン−シリケートガラス
（ＢＰＳＧ）などの絶縁膜やチタンナイトライド（Ｔｉ
Ｎ）の膜を設けた基板に対して裾引きのパターン形状と
なる問題（以下基板依存性という）がある。これは前記
膜を形成する際に基板付近にアミンが残存し、これによ
り露光で発生した酸が失活し、裾引きの形状となるもの
と推測されている。さらに、アルミニウム−珪素−銅
（Ａｌ−Ｓｉ−Ｃｕ）の合金、タングステン（Ｗ）など
の金属膜を設けた基板を使用すると定在波の影響を受け
パターン断面形状が波形となる問題がある。前記問題点
を解決する方法としては、基板とレジスト層との間に反
射防止層を設ける方法があるが、この方法は上述トップ
コート層と同様に製造工程が増えスループットが悪くな
るし、コスト高となるため好ましくない。

【０００６】従って、基板依存性がなく反射防止層を設
ける必要のない上に、定在波の影響を受けにくいプロフ
ァイル形状の優れたレジストパターンを形成できるレジ
ストが強く望まれている。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】こうした現状に鑑み、
本発明者等は、鋭意研究を重ねた結果、ポジ型レジスト
組成物の酸の作用によりアルカリ水溶液に対する溶解性
が増大する樹脂成分として、異なる２種の置換基で各々
置換されたポリヒドロキシスチレンの混合物を使用し、
さらに有機カルボン酸化合物を添加することで、高感
度、高解像性、耐熱性及び引置き経時安定性が優れると
ともに、種々の基板に依存しない断面形状の優れたレジ
ストパターンが形成できるポジ型レジスト組成物が得ら
れることを見出し、本発明を完成したものである。すな
わち

【０００８】本発明は、放射線、特にｄｅｅｐ−ＵＶや
ＫｒＦ、ＡｒＦなどのエキシマレーザー光に対する光透
過性に優れ、高感度、高解像性で、耐熱性及び引置き経
時安定性に優れているポジ型レジスト組成物を提供する
ことを目的とする。

【０００９】また、本発明は、基板に依存することなく
プロファイル形状の優れたレジストパターンを形成でき
るポジ型レジスト組成物を提供することを目的とする。

【００１０】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成する本発
明は、（Ａ）酸の作用によりアルカリ水溶液に対する溶
解性が増大する樹脂成分、（Ｂ）放射線の照射により酸
を発生する化合物、及び（Ｃ）有機カルボン酸化合物を
含むポジ型レジスト組成物において、（Ａ）成分が
（イ）水酸基の１０〜６０モル％をｔｅｒｔ−ブチルオ
キシ基としたポリヒドロキシスチレンと、（ロ）水酸基
の１０〜６０モル％が、一般式化６

【００１１】

【化６】（式中、Ｒ¹は水素原子又はメチル基であり、Ｒ²はメチ
ル基又はエチル基であり、Ｒ³は低級アルキル基であ
る。）で表わされる残基で置換されたポリヒドロキシス
チレンとの混合物であることを特徴とするポジ型レジス
ト組成物に係る。

【００１２】上記（Ａ）樹脂成分の配合割合は、（イ）
成分が１０〜７０重量％、（ロ）成分が３０〜９０重量
％、好ましくは（イ）成分が２０〜５０重量％、（ロ）
成分が５０〜８０重量％の範囲がよい。そして、前記
（ロ）成分の一般式化６で表わされる残基の具体例とし
ては、例えば１−メトキシエトキシ基、１−エトキシエ
トキシ基、１−ｎ−プロポキシエトキシ基、１−イソプ
ロポキシエトキシ基、１−ｎ−ブトキシエトキシ基、１
−イソブトキシエトキシ基、１−（１，１−ジメチルエ
トキシ）−１−メチルエトキシ基、１−メトキシ−１−
メチルエトキシ基、１−エトキシ−１−メチルエトキシ
基、１−ｎ−プロポキシ−１−メチルエトキシ基、１−
イソブトキシ−１−メチルエトキシ基、１−メトキシ−
ｎ−プロポキシ基、１−エトキシ−ｎ−プロポキシ基な
どが挙げられる。中でも、特に１−エトキシエトキシ基
及び１−メトキシ−ｎ−プロポキシ基が感度、解像力が
バランス良く向上するので好ましい。

【００１３】本発明のポジ型レジスト組成物は、酸発生
剤から生じる酸がｔｅｒｔ−ブチルオキシ基や一般式化
６で表わされる残基を分解し、これらが樹脂成分のアル
カリに対する溶解性と溶解阻害能を程よく釣り合わせ、
高感度、高解像性及び高耐熱性を達成することができ
る。

【００１４】上記（イ）成分は、ポリｔｅｒｔ−ブチル
オキシスチレンのｔｅｒｔ−ブチル基を、塩酸、硫酸、
シュウ酸、ｐ−トルエンスルホン酸などの酸により、一
部脱離させることにより、得ることができ、残存するｔ
ｅｒｔ−ブチルオキシ基をポリヒドロキシスチレンの水
酸基の１０〜６０モル％、好ましくは２０〜５０モル％
の範囲とすることが必要である。ｔｅｒｔ−ブチル基が
１０モル％未満ではプロファイル形状に優れたレジスト
パターンが得られず、また６０モル％を超えると感度が
低下するため好ましくなく、実用上は２０〜５０モル％
の範囲が有効である。

【００１５】一方、（ロ）成分は、ポリヒドロキシスチ
レンの水酸基を、例えば１−クロロ−１−エトキシエタ
ンや１−クロロ−１−メトキシプロパンなどにより、公
知の置換反応に従い前記一般式化６の基で置換したもの
で、その置換率は１０〜６０モル％、好ましくは２０〜
５０モル％とすることが必要である。この置換率が１０
モル％未満では形状の優れたパターンが得られず、また
６０モル％を超えるとレジストの感度が低下するため好
ましくなく、実用的には２０〜５０モル％の範囲が有効
である。

【００１６】さらに、上記各樹脂成分の重量平均分子量
は、ゲルパーミエーションクロマト法（ＧＰＣ法）に基
づきポリスチレン基準で３，０００〜３０，０００、好
ましくは８，０００〜２２，０００の範囲がよい。重量
平均分子量が前記範囲未満では被膜性に劣り、また前記
上限範囲を超えるとアルカリ水溶液に対する溶解性が低
下する。さらに、前記各樹脂は重量平均分子量と数平均
分子量の比で表わした分子量分布（Ｍ_W／Ｍ_n）が３〜５
の範囲であるのが好ましい。

【００１７】本発明で使用する酸発生剤としては、従来
より酸発生剤として公知のものを使用することができ、
特に制限はないが、具体的には（ａ）ビス（ｐ−トルエ
ンスルホニル）ジアゾメタン、メチルスルホニル−ｐ−
トルエンスルホニルジアゾメタン、１−シクロヘキシル
スルホニル−１−（１，１−ジメチルエチルスルホニ
ル）ジアゾメタン、ビス（１，１−ジメチルエチルスル
ホニル）ジアゾメタン、ビス（１−メチルエチルスルホ
ニル）ジアゾメタン、ビス（シクロヘキシルスルホニ
ル）ジアゾメタン、ビス（２，４−ジメチルフェニルス
ルホニル）ジアゾメタン、ビス（４−エチルフェニルス
ルホニル）ジアゾメタン、ビス（３−メチルフェニルス
ルホニル）ジアゾメタン、ビス（４−メトキシフェニル
スルホニル）ジアゾメタン、ビス（４−フルオロフェニ
ルスルホニル）ジアゾメタン、ビス（４−クロロフェニ
ルスルホニル）ジアゾメタン、ビス（４−ｔｅｒｔ−ブ
チルフェニルスルホニル）ジアゾメタンなどのビススル
ホニルジアゾメタン類、（ｂ）２−メチル−２−（ｐ−
トルエンスルホニル）プロピオフエノン、２−（シクロ
ヘキシルカルボニル）−２−（ｐ−トルエンスルホニ
ル）プロパン、２−メタンスルホニル−２−メチル−
（４−メチルチオ）プロピオフエノン、２，４−ジメチ
ル−２−（ｐ−トルエンスルホニル）ペンタン−３−オ
ンなどのスルホニルカルボニルアルカン類、（ｃ）１−
ｐ−トルエンスルホニル−１−シクロヘキシルカルボニ
ルジアゾメタン、１−ジアゾ−１−メチルスルホニル−
４−フエニル−２−ブタノン、１−シクロヘキシルスル
ホニル−１−シクロヘキシルカルボニルジアゾメタン、
１−ジアゾ−１−シクロヘキシルスルホニル−３，３−
ジメチル−２−ブタノン、１−ジアゾ−１−（１，１−
ジメチルエチルスルホニル）−３，３−ジメチル−２−
ブタノン、１−アセチル−１−（１−メチルエチルスル
ホニル）ジアゾメタン、１−ジアゾ−１−（ｐ−トルエ
ンスルホニル）−３，３−ジメチル−２−ブタノン、１
−ジアゾ−１−ベンゼンスルホニル−３，３−ジメチル
−２−ブタノン、１−ジアゾ−１−（ｐ−トルエンスル
ホニル）−３−メチル−２−ブタノン、２−ジアゾ−２
−（ｐ−トルエンスルホニル）酢酸シクロヘキシル、２
−ジアゾ−２−ベンゼンスルホニル酢酸ｔｅｒｔ−ブチ
ル、２−ジアゾ−２−メタンスルホニル酢酸イソプロピ
ル、２−ジアゾ−２−ベンゼンスルホニル酢酸シクロヘ
キシル、２−ジアゾ−２−（ｐ−トルエンスルホニル）
酢酸ｔｅｒｔ−ブチルなどのスルホニルカルボニルジア
ゾメタン類、（ｄ）ｐ−トルエンスルホン酸２−ニトロ
ベンジル、ｐ−トルエンスルホン酸２，６−ジニトロベ
ンジル、ｐ−トリフルオロメチルベンゼンスルホン酸
２，４−ジニトロベンジルなどのニトロベンジル誘導
体、（ｅ）ピロガロールのメタンスルホン酸エステル、
ピロガロールのベンゼンスルホン酸エステル、ピロガロ
ールのｐ−トルエンスルホン酸エステル、ピロガロール
のｐ−メトキシベンゼンスルホン酸エステル、ピロガロ
ールのメシチレンスルホン酸エステル、ピロガロールの
ベンジルスルホン酸エステル、没食子酸アルキルのメタ
ンスルホン酸エステル、没食子酸アルキルのベンゼンス
ルホン酸エステル、没食子酸アルキルのｐ−トルエンス
ルホン酸エステル、没食子酸アルキルのｐ−メトキシベ
ンゼンスルホン酸エステル、没食子酸アルキルのメシチ
レンスルホン酸エステル、没食子酸アルキルのベンジル
スルホン酸エステルなどのポリヒドロキシ化合物と脂肪
族または芳香族スルホン酸エステル類などを挙げること
ができる。前記没食子酸アルキルにおけるアルキル基
は、炭素数１〜１５のアルキル基、特にオクチル基及び
ラウリル基が好ましい。また、（ｆ）次の一般式化７、
化８で表わされるオニウム塩系酸発生剤、（ｇ）一般式
化９で表わされるベンゾイントレシート系酸発生剤も使
用できる。

【００１８】

【化７】（Ｒ⁴及びＲ⁵は、アリール基、置換基を有するアリール
基であり、それぞれ同一であっても異なってもよく、Ｘ
^-はＡｓＦ^- ₆、ＰＦ^- ₆、ＢＦ^- ₄ 、ＳｂＦ^- ₆、ＣＦ₃ＳＯ^- ₃
のいずれかである）

【００１９】

【化７】（Ｒ⁶、Ｒ⁷及びＲ⁸は、アリール基、置換基を有するア
リール基であり、それぞれ同一であっても異なってもよ
く、Ｘ^-はＡｓＦ^- ₆、ＰＦ^- ₆、ＢＦ^- ₄ 、ＳｂＦ^- ₆、ＣＦ₃
ＳＯ^- ₃のいずれかである）

【００２０】

【化９】（Ｒ⁹、Ｒ¹⁰はアリール基、置換基を有するアルール基
であり同一でも異なっていてもよく、Ｒ¹¹、Ｒ¹²は水素
原子、低級アルキル基、水酸基、アリール基であり同一
でも異なってもよい。ｎは０又は１である）

【００２１】上記一般式化７、８で表わされるオニウム
塩の具体的なものとしては、以下の化１０〜３１の化合
物が挙げられる。

【００２２】

【化１０】

【００２３】

【化１１】

【００２４】

【化１２】

【００２５】

【化１３】

【００２６】

【化１４】

【００２７】

【化１５】

【００２８】

【化１６】

【００２９】

【化１７】

【００３０】

【化１８】

【００３１】

【化１９】

【００３２】

【化２０】

【００３３】

【化２１】

【００３４】

【化２２】

【００３５】

【化２３】

【００３６】

【化２４】

【００３７】

【化２５】

【００３８】

【化２６】

【００３９】

【化２７】

【００４０】

【化２８】

【００４１】

【化２９】

【００４２】

【化３０】

【００４３】

【化３１】

【００４４】上記オニウム塩の中でトリフルオロメタン
スルホネートを陰イオンとするオニウム塩が半導体素子
製造の際に使用されるリン、ホウ素、アンチモンなどの
拡散剤として用いられる原子を含まないため好ましい。

【００４５】（ｇ）ベンゾイントシレート系酸発生剤の
具体的なものとしては以下の化３２〜３６の化合物が挙
げられる。

【００４６】

【化３２】

【００４７】

【化３３】

【００４８】

【化３４】

【００４９】

【化３５】

【００５０】

【化３６】

【００５１】上記酸発生剤は１種を用いてもよいし、２
種以上を組み合せて用いてもよい。前記酸発生剤の中
で、エキシマレーザ用のレジストに好適なものとしては
特にビススルホニルジアゾメタン類が好ましく、中でも
ビス（シクロヘキシルスルホニル）ジアゾメタン又はビ
ス（２，４−ジメチルフェニルスルホニル）ジアゾメタ
ン、或はそれらの混合物が好適である。特に、前記混合
物がより高感度となるため好ましい。

【００５２】また、電子線用レジストの酸発生剤として
は、上記（ａ）、（ｃ）以外の酸発生剤、特には、
（ｄ）のニトロベンジル誘導体、中でもｐ−トルエンス
ルホン酸２，６−ジニトロベンジル、（ｅ）のポリヒド
ロキシ化合物の脂肪族又は芳香族スルホン酸エステル、
中でもピロガロールトリメシレート、（ｆ）のオニウム
塩、中でもビス（ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）ヨー
ドニウムトリフルオロメタンスルホネート、トリフェニ
ルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、及び
（ｇ）ベンゾイントシレート系酸発生剤が好ましい。上
記酸発生剤の配合割合は、樹脂成分１００重量部に対し
１〜２０重量部、好ましくは２〜１０重量部の割合であ
る。酸発生剤が１重量部未満の配合では効果が不十分で
あり、２０重量部を超えると、溶剤に溶け切れず、また
樹脂成分との混和性が悪くなる。

【００５３】本発明においては有機カルボン酸化合物を
添加することにより、感度、解像度に優れ、断面形状の
良好なレジストパターンを形成できるとともに、露光後
の引置き経時安定性にも優れる。さらには種々の基板に
対して断面形状の良好なレジストパターンが得られるよ
うになる。

【００５４】本発明で使用する有機カルボン酸化合物と
しては、飽和又は不飽和脂肪族カルボン酸、脂環式カル
ボン酸、オキシカルボン酸、アルコキシカルボン酸、ケ
トカルボン酸、芳香族カルボン酸などいずれも使用で
き、特に限定されるものではなく、例えば、ギ酸、酢
酸、プロピオン酸、酪酸、イソ酪酸、シュウ酸、マロン
酸、コハク酸、グルタル酸、アジピン酸などの１価或は
多価脂肪族カルボン酸、１，１−シクロヘキサンジカル
ボン酸、１，２−シクロヘキサンジカルボン酸、１，３
−シクロヘキサンジカルボン酸、１，４−シクロヘキサ
ンジカルボン酸、１，１−シクロヘキシルジ酢酸などの
脂環式カルボン酸、アクリル酸、クロトン酸、イソクロ
トン酸、３−ブテン酸、メタクリル酸、４−ペンテン
酸、プロピオル酸、２−ブチン酸、マレイン酸、フマル
酸、アセチレンカルボン酸などの不飽和脂肪族カルボン
酸、オキシ酢酸などのオキシカルボン酸、メトキシ酢
酸、エトキシ酢酸などのアルコキシカルボン酸、ピルビ
ン酸などのケトカルボン酸や一般式化３７

【００５５】

【化３７】［式中、Ｒ¹³ 及びＲ¹⁴ はそれぞれ独立して水素原子、水
酸基、ニトロ基、カルボキシル基、ビニル基を表す（た
だし、Ｒ¹³ 及びＲ¹⁴ が共に水素原子の場合は除く。）］
及び一般式化３８

【００５６】

【化３８】［式中、ｎは０又は１〜１０の整数を示す］で表される
芳香族カルボン酸などを挙げることができるが、脂環式
カルボン酸、不飽和脂肪族カルボン酸、及び芳香族カル
ボン酸が好ましく使用される。

【００５７】上記一般式化３７で表される芳香族カルボ
ン酸としては、例えばｐ−ヒドロキシ安息香酸、ｏ−ヒ
ドロキシ安息香酸、２−ヒドロキシ−３−ニトロ安息香
酸、３，５−ジニトロ安息香酸、２−ニトロ安息香酸、
２，４−ジヒドロキシ安息香酸、２，５−ジヒドロキシ
安息香酸、２，６−ジヒドロキシ安息香酸、３，４−ジ
ヒドロキシ安息香酸、３，５−ジヒドロキシ安息香酸、
２ービニル安息香酸、４ービニル安息香酸、フタル酸、
テレフタル酸、イソフタル酸などを挙げることができ、
特にｏ−位に置換基を有する安息香酸、例えばｏ−ヒド
ロキシ安息香酸、ｏ−ニトロ安息香酸、フタル酸などが
好適である。

【００５８】また、一般式化３８で表される芳香族カル
ボン酸化合物としては、式中のｎが単一のもののみ、ま
たは異種のものを組み合わせても使用することができる
が、実用的にはフェノール化合物として市販されている
ＳＡＸ（商品名、三井東圧化学社製）が好ましく用いら
れる。

【００５９】上記一般式化３７及び化３８で表される芳
香族カルボン酸化合物は、それぞれ単独でも２種以上を
混合して用いてもよい。これらの芳香族カルボン酸化合
物の配合により断面形状の良好なレジストパターンを形
成することができるとともに、露光後の引置き経時安定
性が優れ、露光後に施される加熱処理までの時間の長さ
に関係なく、良好なプロファイル形状が形成でき、特に
一般式化３８で表される芳香族カルボン酸化合物は矩形
の断面形状が形成できるため好適である。

【００６０】本発明組成物で使用される上記有機カルボ
ン酸化合物の配合量としては、樹脂成分及び酸発生剤の
合計量に対して０．０１〜１重量％、好ましくは０．０
５〜０．５重量％の範囲で用いられる。有機カルボン酸
化合物の配合量が０．０１重量％未満では断面形状の良
好なレジストパターンが得られず、また１重量％を超え
ると現像性が低下するため好ましくない。

【００６１】本発明のポジ型レジスト組成物は上記樹脂
成分、酸発生剤及び有機カルボン酸化合物に加えて感度
や解像性を向上させるため吸光剤を配合するのが良い。
前記吸光剤としては、例えばメルカプトオキサゾール、
メルカプトベンゾキサゾール、メルカプトオキサゾリ
ン、メルカプトベンゾチアゾール、ベンゾキサゾリノ
ン、ベンゾチアゾロン、メルカプトベンゾイミダゾー
ル、ウラゾール、チオウラシル、メルカプトピリミジ
ン、ベンゾフエノン及びこれらの誘導体を挙げることが
でき、特にベンゾフエノンが感度及び解像性の向上効果
に優れるとともに、定在波の影響を抑制し断面形状が波
状とならず矩形のレジストパターンを形成する作用をも
有するため好ましく使用できる。この吸光剤の配合量と
しては上記した（Ａ）樹脂成分と（Ｂ）酸発生剤との合
計量に対して３０重量％を超えない範囲で配合され、好
ましくは０．５〜１５重量％の範囲で配合される。この
配合量が３０重量％を超えるとプロファイル形状が悪く
なるため好ましくない。

【００６２】本発明のポジ型レジスト組成物は、その使
用に当たっては上記成分を溶剤に溶解した溶液の形で用
いるのが好ましい。このような溶剤の例としては、アセ
トン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン、メチル
イソアミルケトンなどのケトン類；エチレングリコー
ル、エチレングリコールモノアセテート、ジエチレング
リコール、ジエチレングリコールモノアセテート、プロ
ピレングリコール、プロピレングリコールモノアセテー
ト、ジプロピレングリコール又はジプロピレングリコー
ルモノアセテートのモノメチルエーテル、モノエチルエ
ーテル、モノプロピルエーテル、モノブチルエーテル又
はモノフエニルエーテルなどの多価アルコール類及びそ
の誘導体；ジオキサンのような環式エーテル類；及び乳
酸メチル、乳酸エチル、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸
ブチル、ピルビン酸メチル、ピルビン酸エチル、メトキ
シプロピオン酸メチル、エトキシプロピオン酸エチルな
どのエステル類を挙げることができる。これらは単独で
用いてもよいし、２種以上混合して用いてもよい。

【００６３】本発明のポジ型レジスト組成物には、さら
に所望により混和性のある添加物、例えばレジスト膜の
性能を改良するための付加的樹脂、可塑剤、安定剤、着
色剤、界面活性剤などの慣用されているものを添加含有
させることができる。

【００６４】上記本発明のポジ型レジスト組成物を溶剤
に溶解しそれをスピンナー等を用いて、例えばシリコン
窒化膜（ＳｉＮ）、ＢＰＳＧ等の絶縁膜を設けた基板、
チタンナイトライド（ＴｉＮ）、Ａｌ−Ｓｉ−Ｃｕ、タ
ングステン等の金属膜を設けた基板等に塗布し、乾燥
し、感光層を形成させたのち、縮小投影露光装置等によ
り、ｄｅｅｐーＵＶ光、ＫｒＦ、ＡｒＦなどのエキシマ
レーザー光を所望のマスクパターンを介して照射する
か、電子線により描画し、現像液、例えば１〜１０重量
％テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液のよう
な弱アルカリ性水溶液などを用いて現像処理すると、マ
スクパターンに忠実で良好なレジストパターンが各種基
板に依存することなく形成される。

【００６５】

【実施例】次に製造例及び実施例により本発明をさらに
詳細に説明するが、本発明はこれらの例によってなんら
限定されるものではない。

【００６６】製造例１（水酸基３５モル％をｔｅｒｔ−ブチルオキシ基とした
ポリヒドロキシスチレンの合成）重量平均分子量１０，０００、分子量分布（Ｍ_w／Ｍ_n）
４のポリｔｅｒｔ−ブチルオキシスチレン１２０ｇをジ
オキサン４８０ｇに溶解し、この溶液に２１．６ｇの塩
酸水溶液を加え、８０℃で２時間かき混ぜた。次いで、
得られた溶液に対して２０倍量の純水を加え、かき混ぜ
てｔｅｒｔ−ブチルオキシ基が６５モル％離脱したポリ
ヒドロキシスチレンを析出させた。該析出物を純水で洗
浄、脱水、乾燥して、水酸基の３５モル％をｔｅｒｔ−
ブチルオキシ基としたポリヒドロキシスチレン１２５ｇ
を得た。

【００６７】製造例２（水酸基の３５モル％をエトキシエトキシ基で置換した
ポリヒドロキシスチレンの合成）重量平均分子量１０，０００、分子量分布（Ｍ_w／Ｍ_n）
４のポリヒドロキシスチレン１２０ｇをＮ，Ｎ−ジメチ
ルアセトアミド６８０ｇに溶解し、この溶液の中に１−
クロロ−１−エトキシエタン３７．２ｇを加え、かき混
ぜて完全に溶解したのち、かき混ぜながらトリエチルア
ミン７８．８ｇを約３０分間かけて滴下した。滴下終了
後、そのまま約３時間かき混ぜた。次いで、得られた溶
液に対して２０倍量の純水を加え、かき混ぜて水酸基が
１−エトキシエトキシ基で置換されたポリヒドロキシス
チレン１３０ｇを得た。

【００６８】実施例１製造例１で得られた水酸基の３５モル％をｔｅｒｔ−ブ
チルオキシ基としたポリヒドロキシスチレン｛重量平均
分子量１０，０００、分子量分布（Ｍ_w／Ｍ_n）４｝１．
４８ｇと製造例２で得られた水酸基の３５モル％をエト
キシエトキシ基で置換したポリヒドロキシスチレン｛重
量平均分子量１０，０００、分子量分布（Ｍ_w／Ｍ_n）
４｝１．４８ｇをプロピレングリコールモノメチルエー
テルアセテート１６．８ｇに溶解したのち、ビス（シク
ロヘキシルスルホニル）ジアゾメタン０．１４８ｇとベ
ンゾフエノン０．０９３ｇとｏ−ヒドロキシ安息香酸
０．００３２ｇを更に加えて溶解して得られた溶液を孔
径０．２μｍのメンブレンフイルターでろ過したものを
ポジ型レジストの塗布液として調製した。

【００６９】調製された塗布液をスピンナーを使用して
６インチシリコンウエ−ハ上に塗布し、ホットプレート
で９０℃、９０秒間乾燥して膜厚０．７μｍのレジスト
膜を得た。この膜に縮小投影露光装置ＮＳＲ−２００５
ＥＸ８Ａ（ニコン社製）を用い、テストチャートマスク
を介してエキシマレーザーを露光したのち、１２０℃、
９０秒間加熱し、次いで２．３８重量％テトラメチルア
ンモニウムヒドロキシド水溶液で６５秒間パドル現像
し、３０秒間水洗・乾燥してレジストパターンを形成し
た。形成されたレジストパターン断面は、若干トップが
丸みを帯びているが、定在波の影響はなく矩形に近い良
好なものであり、０．２１μｍのラインアンドスペース
パターンが形成された。また、目視で確認できる大面積
のレジストパターンがパターニングされ基板表面が現れ
る最小露光量（以下最小露光量という）を測定した結
果、７ｍＪ／ｃｍ²であった。さらに、形成された０．
５μｍのラインパターンの耐熱性（熱によるフローが生
じる温度）を調べた結果、１３０℃であった。

【００７０】また、露光処理を施したのち、１５分間静
置してから１２０℃、９０秒間の加熱処理を施した以外
は、上記と同様にしてレジストパターンを形成したとこ
ろ、側面が垂直で良好なプロファイル形状の０．２１μ
ｍのラインアンドスペースパターンが形成された。

【００７１】実施例２実施例１の塗布液の調製において、ベンゾフェノンを除
いた以外は実施例１と同様の操作によりレジストパター
ンを形成した。形成されたレジストパターン断面は、若
干トップが丸みを帯び、波を打っているが支障のない程
度のものであり、矩形に近い良好なもので、０．２３μ
ｍのラインアンドスペースパターンが形成された。ま
た、最小露光量を測定した結果、８ｍＪ／ｃｍ²であっ
た。さらに、形成された０．５μｍのラインパターンの
耐熱性を調べた結果、１３０℃であった。

【００７２】また、露光処理を施したのち、１５分間静
置してから１２０℃、９０秒間の加熱処理を施した以外
は、実施例１と同様にしてレジストパターンを形成した
ところ、良好なプロファイル形状の０．２３μｍのライ
ンアンドスペースパターンが形成された。

【００７３】実施例３実施例１の塗布液の調製において、ｏ−ヒドロキシ安息
香酸の代わりに、フエノール化合物として市販されてい
るＳＡＸ（商品名、三井東圧化学社製）０．００６２ｇ
を加えた以外は実施例１と同様の操作によりレジストパ
ターンを形成した。形成されたレジストパターン断面
は、定在波の影響がなく矩形状の良好なものであり、
０．２１μｍのラインアンドスペースパターンが形成さ
れた。また、最小露光量を測定した結果、７ｍＪ／ｃｍ
²であった。さらに形成された０．５μｍのラインパタ
ーンの耐熱性を調べた結果、１３０℃であった。

【００７４】また、露光処理を施したのち、１５分間静
置してから１２０℃、９０秒間の加熱処理を施した以外
は、実施例１と同様にしてレジストパターンを形成した
ところ、側面が垂直で、かつ矩形の良好なプロファイル
形状の０．２１μｍのラインアンドスペースパターンが
形成された。

【００７５】実施例４実施例１の塗布液の調製において、ｏーヒドロキシ安息
香酸の代わりにアクリル酸０．００６２ｇを加えた以外
は実施例１と同様の操作によりレジストパターンを形成
した。形成されたレジストパターン断面は、定在波の影
響がなく矩形状の良好なものであり、０．２１μｍのラ
インアンドスペースパターンが形成された。また、最小
露光量を測定した結果、７ｍＪ／ｃｍ²であった。さら
に形成された０．５μｍのラインパターンの耐熱性を調
べた結果、１３０℃であった。

【００７６】また、露光処理を施したのち、１５分間静
置してから１２０℃、９０秒間の加熱処理を施した以外
は、実施例１と同様にしてレジストパターンを形成した
ところ、側面が垂直で良好なプロファイル形状の０．２
１μｍのラインアンドスペースパターンが形成された。

【００７７】実施例５製造例１で得られた水酸基の３５モル％をｔｅｒｔ−ブ
チルオキシ基としたポリヒドロキシスチレン１．０５ｇ
と製造例２で得られた水酸基の３５モル％を１−エトキ
シエトキシ基で置換したポリヒドロキシスチレン１．９
５ｇをプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテ
ート１６．８ｇに溶解したのち、ビス（シクロヘキシル
スルホニル）ジアゾメタン０．２１ｇとｏ−ニトロ安息
香酸０．００９ｇを更に加えて、溶解して得られた溶液
を孔径０．２μｍのメンブレンフイルターでろ過し、ポ
ジ型レジストの塗布液として調製した。

【００７８】調製された塗布液をスピンナーを使用して
６インチシリコンウエ−ハ上に塗布し、ホットプレート
で９０℃、９０秒間乾燥して膜厚０．７μｍのレジスト
膜を得た。この膜に縮小投影露光装置ＮＳＲ−２００５
ＥＸ８Ａ（ニコン社製）を用い、テストチャートマスク
を介して露光したのち、１１０℃、９０秒間加熱し、次
いで２．３８重量％テトラメチルアンモニウムヒドロキ
シド水溶液で６５秒間パドル現像し、３０秒間水洗し、
次いで乾燥させレジストパターンを形成したところ、
０．２２μｍのラインアンドスペースパターンが形成さ
れた。そのレジストパターン断面は、若干波を打ってい
るものの支障のない程度のものであり、矩形で良好なも
のであった。また、最小露光量を測定した結果、１５ｍ
Ｊ／ｃｍ²であった。さらに、形成された０．５μｍの
ラインパターンの耐熱性を調べた結果、１３０℃であっ
た。

【００７９】実施例６実施例５の塗布液の調製において、ｏ−ニトロ安息香酸
をＳＡＸ（商品名、三井東圧化学社製）に代え、さらに
ベンゾフェノン０．１２８ｇを加えた以外は、実施例５
と同様の操作によりレジスト特性の評価を行ったとこ
ろ、０．２２μｍのラインアンドスペースパターンが形
成され、そのレジストパターン断面は、定在波の影響が
なく矩形で良好なものであった。また、最小露光量を測
定した結果、１３ｍＪ／ｃｍ²であった。さらに形成さ
れた０．５μｍのラインパターンの耐熱性を調べた結
果、１３０℃であった。

【００８０】実施例７実施例５の塗布液の調製において、ｏーニトロ安息香酸
をサリチル酸に代え、かつその添加量を０．００３ｇに
代え、さらにベンゾフェノン０．１２８ｇを加えた以外
は、実施例５と同様にして塗布液を調製した。

【００８１】次いで、実施例５と同様なレジスト特性の
評価を行ったところ、０．２２μｍのラインアンドスペ
ースパターンが形成され、そのレジストパターン断面
は、トップがやや丸みを帯びているが、定在波の影響が
なく矩形に近い良好なものであった。また、最小露光量
は７ｍＪ／ｃｍ²であった。さらに形成された０．５μ
ｍのラインパターンの耐熱性を調べた結果、１３０℃で
あった。

【００８２】実施例８実施例５の塗布液の調製において、ｏーニトロ安息香酸
を、１，１−シクロヘキサンジカルボン酸０．００９ｇ
代えた以外は、実施例５と同様にして塗布液を調製し
た。

【００８３】次いで、実施例５と同様なレジスト特性の
評価を行ったところ、０．２１μｍのラインアンドスペ
ースパターンが形成され、そのレジストパターン断面
は、若干波を打っているが支障のない程度のものであ
り、矩形で良好なものであった。また、最小露光量を測
定した結果、１３ｍＪ／ｃｍ²であった。形成された
０．５μｍのラインパターンの耐熱性を調べた結果、１
３０℃であった。

【００８４】さらに、露光処理を施したのち、３０分間
静置してから１１０℃、９０秒間の加熱処理を施した以
外は、上記と同様にしてレジストパターンを形成したと
ころ、側面が垂直で良好なプロファイル形状の０．２１
μｍのラインアンドスペースパターンが形成された。

【００８５】実施例９実施例８の塗布液の調製において、さらにベンゾフェノ
ン０．１２ｇを加えた以外は実施例８と同様にしてポジ
型レジストの塗布液として調製した。

【００８６】次いで、実施例８と同様なレジスト特性の
評価を行ったところ、０．２１μｍのラインアンドスペ
ースパターンが形成され、そのレジストパターン断面
は、定在波の影響はなく矩形で良好なものであった。ま
た、最小露光量は、１３ｍＪ／ｃｍ²であった。さら
に、形成された０．５μｍのラインパターンの耐熱性を
調べた結果、１３０℃であった。

【００８７】また、露光処理を施したのち、３０分間静
置してから１１０℃、９０秒間の加熱処理を施したもの
は、側面が垂直で良好なプロファイル形状の０．２１μ
ｍのラインアンドスペースパターンが形成された。

【００８８】比較例１水酸基の８％をｔｅｒｔ−ブチルオキシ基としたポリヒ
ドロキシスチレン１．０５ｇと水酸基の８％がメトキシ
−ｎ−プロピルオキシ基で置換されたポリヒドロキシス
チレン１．９５ｇをプロピレングリコールモノメチルエ
ーテルアセテート１６．８ｇに溶解したのち、ビス（シ
クロヘキシルスルホニル）ジアゾメタン０．２１ｇ、ｏ
−ニトロ安息香酸０．００９ｇ、ベンゾフェノン０．１
２８ｇを更に加えて、溶解して得られた溶液を０．２μ
ｍメンブレンフイルターでろ過し、ポジ型レジストの塗
布液を調製した。

【００８９】上記塗布液について実施例５と同様のレジ
スト特性の評価を行ったところ、レジストパターンが得
られず、評価が不能であった。

【００９０】比較例２水酸基の７０％をｔｅｒｔ−ブチルオキシ基としたポリ
ヒドロキシスチレン１．０５ｇと水酸基の７０％が１−
メトキシ−ｎ−プロピルオキシ基で置換されたポリヒド
ロキシスチレン１．９５ｇをプロピレングリコールモノ
メチルエーテルアセテート１６．８ｇに溶解したのち、
ビス（シクロヘキシルスルホニル）ジアゾメタン０．２
１ｇ、ＳＡＸ（商品名、三井東圧化学社製）０．００９
ｇ、ベンゾフェノン０．１２８ｇを更に加えて、溶解し
て得られた溶液を０．２μｍメンブレンフイルターでろ
過し、ポジ型レジストの塗布液を調製した。

【００９１】上記塗布液について実施例５と同様のレジ
スト特性の評価を行ったところ、０．３μｍのラインア
ンドスペースパターンが限界であり、そのレジストパタ
ーン断面は、Ｔ字形を呈し不良なものであった。また、
最小露光量は２０ｍＪ／ｃｍ²であった。さらに形成さ
れた０．５μｍのラインパターンの耐熱性を調べた結
果、１３０℃であった。

【００９２】比較例３水酸基の８％をｔｅｒｔ−ブチルオキシ基としたポリヒ
ドロキシスチレン１．０５ｇと水酸基の７０％が１−メ
トキシ−ｎ−プロピルオキシ基で置換されたポリヒドロ
キシスチレン１．９５ｇをプロピレングリコールモノメ
チルエーテルアセテート１６．８ｇに溶解したのち、ビ
ス（シクロヘキシルスルホニル）ジアゾメタン０．２１
ｇ、フタル酸０．００９ｇ、ベンゾフェノン０．１２８
ｇを更に加えて、溶解して得られた溶液を０．２μｍメ
ンブレンフイルターでろ過し、ポジ型レジストの塗布液
を調製した。

【００９３】上記塗布液について実施例５と同様のレジ
スト特性の評価を行ったところ、０．３μｍのラインア
ンドスペースパターンが限界であり、そのレジストパタ
ーン断面は、逆三角形に近い形を呈し不良なものであっ
た。また、最小露光量は１０ｍＪ／ｃｍ²であった。さ
らに形成された０．５μｍのラインパターンの耐熱性を
調べた結果、１３０℃であった。

【００９４】実施例１０実施例１において、基板をシリコン窒化絶縁膜（Ｓｉ
Ｎ）が形成されたシリコンウェーハとした以外は、実施
例１と同様にしてレジストパターンを形成した。形成さ
れたレジストパターン断面は、定在波の影響がなく矩形
に近い良好なものであり、０．２３μｍのラインアンド
スペースパターンが形成された。

【００９５】実施例１１実施例１において、基板をＴｉＮの金属膜が形成された
シリコンウェーハとした以外は、実施例１と同様にして
レジストパターンを形成した。形成されたレジストパタ
ーン断面は、定在波の影響がなく矩形に近い良好なもの
であり、０．２３μｍのラインアンドスペースパターン
が形成された。

【００９６】実施例１２実施例３において、基板をＢＰＳＧ絶縁膜が形成された
シリコンウェーハとした以外は、実施例３と同様にして
レジストパターンを形成した。形成されたレジストパタ
ーン断面は、定在波の影響がなく矩形に近い良好なもの
であり、０．２３μｍのラインアンドスペースパターン
が形成された。

【００９７】

【００９８】調製した塗布液を使用して実施例１と同様
の操作によりレジストパターンを形成したところ、０．
２１μｍのラインアンドスペースパターンが形成された
が、露光処理を施したのち、１５分間静置してから１２
０℃、９０秒間の加熱処理を施したものはＴシェープ形
状となり０．３０μｍのラインアンドスペースパターン
が最小解像度であった。

【００９９】

【発明の効果】本発明のポジ型レジスト組成物は、化学
増幅型であって、高感度、高解像性及び高耐熱性で、し
かも引置き経時安定性に優れ、かつ基板に依存すること
なくプロファイル形状の優れたレジストパターンを形成
でき、しかも放射線、特に紫外線、遠紫外線、ＫｒＦ、
ＡｒＦなどのエキシマレーザー、Ｘ線、及び電子線に良
好に感応し、超ＬＳＩの製造工程の微細加工に特に有効
である。

フロントページの続き (72)発明者坂井与日神奈川県川崎市中原区中丸子150番地東京応化工業株式会社内 (72)発明者中山寿昌神奈川県川崎市中原区中丸子150番地東京応化工業株式会社内 (56)参考文献特開平７−36190（ＪＰ，Ａ) 特開平７−84361（ＪＰ，Ａ) 特開平６−266106（ＪＰ，Ａ) 特開平５−181279（ＪＰ，Ａ) 特開平７−92679（ＪＰ，Ａ) 特開平６−317907（ＪＰ，Ａ) 特開平６−273934（ＪＰ，Ａ) 特開平６−236037（ＪＰ，Ａ) 特開平８−15864（ＪＰ，Ａ) 特開平８−262721（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) G03F 7/00 - 7/42

Claims

(57)【特許請求の範囲】

【請求項１】（Ａ）酸の作用によりアルカリ水溶液に対
する溶解性が増大する樹脂成分、（Ｂ）放射線の照射に
より酸を発生する化合物、及び（Ｃ）有機カルボン酸化
合物を含むポジ型レジスト組成物において、前記（Ａ）
成分が（イ）水酸基の１０〜６０モル％をｔｅｒｔ−ブ
チルオキシ基としたポリヒドロキシスチレンと、（ロ）
水酸基の１０〜６０モル％が一般式化１【化１】（式中、Ｒ¹は水素原子又はメチル基であり、Ｒ²はメチ
ル基又はエチル基であり、Ｒ³は低級アルキル基であ
る。）で表わされる残基で置換されたポリヒドロキシス
チレンとの混合物であることを特徴とするポジ型レジス
ト組成物。
【請求項２】（Ａ）成分が（イ）水酸基の１０〜６０モ
ル％をｔｅｒｔ−ブチルオキシ基とした重量平均分子量
３，０００〜３０，０００のポリヒドロキシスチレン
と、（ロ）水酸基の１０〜６０重量％が一般式化２【化２】（式中、Ｒ¹は水素原子又はメチル基であり、Ｒ²はメチ
ル基又はエチル基であり、Ｒ³は低級アルキル基であ
る）で表わされる残基で置換された重量平均分子量３，００
０〜３０，０００のポリヒドロキシスチレンとの混合物
であることを特徴とする請求項１記載のポジ型レジスト
組成物。
【請求項３】（Ａ）成分が（イ）水酸基の１０〜６０モ
ル％をｔｅｒｔ−ブチルオキシ基とした重量平均分子量
８，０００〜２２，０００、分子量分布（Ｍ_w／Ｍ_n）３
〜５のポリヒドロキシスチレンと、（ロ）水酸基の１０
〜６０重量％が一般式化３【化３】（式中、Ｒ¹は水素原子又はメチル基であり、
Ｒ²はメチル基又はエチル基であり、Ｒ³は低級アルキル
基である）で表わされる残基で置換された重量平均分子量８，００
０〜２２，０００、分子量分布（Ｍ_w／Ｍ_n）３〜５のポ
リヒドロキシスチレンとの混合物であることを特徴とす
る請求項１記載のポジ型レジスト組成物。
【請求項４】（Ａ）成分が（イ）成分１０〜７０重量％
と（ロ）成分３０〜９０重量％との混合物であることを
特徴とする請求項１記載のポジ型レジスト組成物。
【請求項５】（Ａ）成分が（イ）成分２０〜５０重量％
と（ロ）成分５０〜８０重量％の混合物であることを特
徴とする請求項１記載のポジ型レジスト組成物。
【請求項６】（Ｂ）成分がビススルホニルジアゾメタン
類であることを特徴とする請求項１記載のポジ型レジス
ト組成物。
【請求項７】（Ｂ）成分の配合量が（Ａ）成分１００重
量部に対し１〜２０重量部である請求項１記載のポジ型
レジスト組成物。
【請求項８】（Ｃ）成分が、芳香族カルボン酸、脂環式
カルボン酸、及び不飽和脂肪族カルボン酸からなる群か
ら選ばれる少なくとも１種であることを特徴とする請求
項１記載のポジ型レジスト組成物。
【請求項９】芳香族カルボン酸化合物が、一般式化４【化４】［式中、Ｒ¹³ 及びＲ¹⁴ はそれぞれ独立して水素原子、水
酸基、ニトロ基、カルボキシル基、ビニル基を表す（た
だし，Ｒ¹³ 及びＲ¹⁴ が共に水素原子の場合は除く。）］
で表される化合物であることを特徴とする請求項８記載
のポジ型レジスト組成物。
【請求項１０】芳香族カルボン酸化合物が、一般式化５【化５】（式中、ｎは０又は１〜１０の整数を示す）で表される
化合物であることを特徴とする請求項８記載のポジ型レ
ジスト組成物。
【請求項１１】脂環式カルボン酸が１，１−シクロヘキ
サンジカルボン酸、１，２−シクロヘキサンジカルボン
酸、１，３−シクロヘキサンジカルボン酸、１，４−シ
クロヘキサンジカルボン酸、及び１，１−シクロヘキシ
ルジ酢酸からなる群から選ばれる少なくとも１種である
ことを特徴とする請求項８記載のポジ型レジスト組成
物。
【請求項１２】不飽和脂肪族カルボン酸化合物がアクリ
ル酸、クロトン酸、イソクロトン酸、３−ブテン酸、メ
タクリル酸、４−ペンテン酸、プロピオル酸、２−ブチ
ン酸、マレイン酸、フマル酸、及びアセチレンカルボン
酸からなる群から選ばれる少なくとも１種であることを
特徴とする請求項８記載のポジ型レジスト組成物。
【請求項１３】吸光剤を含有することを特徴とする請求
項１記載のポジ型レジスト組成物。
【請求項１４】吸光剤がベンゾフェノンであることを
特徴とする請求項１３記載のポジ型レジスト組成物。