JPH10123703A - ポジ型感光性組成物 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 光分解効率が大きく、従って感度が高く、高
い解像力を有し、優れたレジストパターンが得られ、露
光後加熱処理までの経時でレジストパターンの細りが生
じることのないポジ型感光性組成物を提供すること。 【解決手段】 （Ａ）有機塩基性化合物、（Ｂ）活性光
線または放射線の照射により、スルホン酸を発生する特
定の化合物、及び酸分解性基を有する樹脂を含有し、且
つ前記（Ｂ）の化合物と（Ａ）の組成物中の含有モル比
〔（Ｂ）／（Ａ）〕が２．５〜３０．０であるポジ型感
光性組成物。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、平版印刷板やＩＣ
等の半導体製造工程、液晶、サーマルヘッド等の回路基
板の製造、更にその他のフォトファブリケーション工程
に使用されるポジ型感光性組成物に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】ポジ型フォトレジスト組成物としては、
一般にアルカリ可溶性樹脂と感光物としてのナフトキノ
ンジアジド化合物とを含む組成物が用いられている。例
えば、「ノボラック型フェノール樹脂／ナフトキノンジ
アジド置換化合物」として米国特許第3,666,473 号、米
国特許第4,115,128 号及び米国特許第4,173,470 号等
に、また最も典型的な組成物として「クレゾール−ホル
ムアルデヒドより成るノボラック樹脂／トリヒドロキシ
ベンゾフェノン−１，２−ナフトキノンジアジドスルホ
ン酸エステル」の例がトンプソン「イントロダクション
・トゥー・マイクロリソグラフィー」（L.F.Thompson
「Introduction to Microlithography」）（ＡＣＳ出
版、Ｎｏ．２，１９号、ｐ１１２〜１２１）に記載され
ている。このような基本的にノボラック樹脂とキノンジ
アジド化合物から成るポジ型フォトレジストは、ノボラ
ック樹脂がプラズマエッチングに対して高い耐性を与
え、ナフトキノンジアジド化合物は溶解阻止剤として作
用する。そして、ナフトキノンジアジドは光照射を受け
るとカルボン酸を生じることにより溶解阻止能を失い、
ノボラック樹脂のアルカリ溶解度を高めるという特性を
持つ。

【０００３】これまで、かかる観点からノボラック樹脂
とナフトキノンジアジド系感光物を含有する数多くのポ
ジ型フォトレジストが開発、実用化され、０．８μｍ〜
２μｍ程度までの線幅加工に於いては十分な成果をおさ
めてきた。しかし、集積回路はその集積度を益々高めて
おり、超ＬＳＩなどの半導体基板の製造に於いてはハー
フミクロン以下の線幅から成る超微細パターンの加工が
必要とされるようになってきた。この必要な解像力を達
成するためにフォトリソグラフィーに用いられる露光装
置の使用波長は益々短波化し、今では、遠紫外光やエキ
シマレーザー光（ＸｅＣｌ、ＫｒＦ、ＡｒＦなど）が検
討されるまでになってきている。従来のノボラックとナ
フトキノンジアジド化合物から成るレジストを遠紫外光
やエキシマレーザー光を用いたリソグラフィーのパター
ン形成に用いると、ノボラック及びナフトキノンジアジ
ドの遠紫外領域に於ける吸収が強いために光がレジスト
底部まで到達しにくくなり、低感度でテーパーのついた
パターンしか得られない。

【０００４】このような問題を解決する手段の一つが、
米国特許第4,491,628 号、欧州特許第249,139 号等に記
載されている化学増幅系レジスト組成物である。化学増
幅系ポジ型レジスト組成物は、遠紫外光などの放射線の
照射により露光部に酸を生成させ、この酸を触媒とする
反応によって、活性放射線の照射部と非照射部の現像液
に対する溶解性を変化させパターンを基板上に形成させ
るパターン形成材料である。

【０００５】このような例として、光分解により酸を発
生する化合物と、アセタールまたはＯ，Ｎ−アセタール
化合物との組合せ（特開昭４８−８９００３号）、オル
トエステル又はアミドアセタール化合物との組合せ（特
開昭５１−１２０７１４号）、主鎖にアセタール又はケ
タール基を有するポリマーとの組合せ（特開昭５３−１
３３４２９号）、エノールエーテル化合物との組合せ
（特開昭５５−１２９９５号）、Ｎ−アシルイミノ炭酸
化合物との組合せ（特開昭５５−１２６２３６号）、主
鎖にオルトエステル基を有するポリマーとの組合せ（特
開昭５６−１７３４５号）、第３級アルキルエステル化
合物との組合せ（特開昭６０−３６２５号）、シリルエ
ステル化合物との組合せ（特開昭６０−１０２４７
号）、及びシリルエーテル化合物との組合せ（特開昭６
０−３７５４９号、特開昭６０−１２１４４６号）等を
挙げることができる。これらは原理的に量子収率が１を
越えるため、高い感光性を示す。

【０００６】同様に、室温経時下では安定であるが、酸
存在下加熱することにより分解し、アルカリ可溶化する
系として、例えば、特開昭５９−４５４３９号、特開昭
６０−３６２５号、特開昭６２−２２９２４２号、特開
昭６３−２７８２９号、特開昭６３−３６２４０号、特
開昭６３−２５０６４２号、Polym.Eng.Sce.,23 巻、10
12頁（1983）；ACS.Sym.242 巻、11頁（1984）；Semico
nductor World 1987年、11月号、91頁；Macromolecule
s,21 巻、1475頁（1988）；SPIE,920巻、42頁（1988）
等に記載されている露光により酸を発生する化合物と、
第３級又は２級炭素（例えばt-ブチル、2-シクロヘキセ
ニル）のエステル又は炭酸エステル化合物との組合せ系
が挙げられる。これらの系も高感度を有し、且つ、ナフ
トキノンジアジド／ノボラツク樹脂系と比べて、Deep-U
V 領域での吸収が小さいことから、前記の光源短波長化
に有効な系となり得る。

【０００７】上記ポジ型化学増幅レジストは、アルカリ
可溶性樹脂、放射線露光によつて酸を発生する化合物
（光酸発生剤）、及び酸分解性基を有するアルカリ可溶
性樹脂に対する溶解阻止化合物から成る３成分系と、酸
との反応により分解しアルカリ可溶となる基を有する樹
脂と光酸発生剤からなる２成分系に大別できる。これら
２成分系あるいは３成分系のポジ型化学増幅レジストに
おいては、露光により光酸発生剤からの酸を介在させ
て、熱処理後現像してレジストパターンを得るものであ
る。

【０００８】ここで、上記のようなポジ型化学増幅レジ
ストにおいて用いられる光酸発生剤については、Ｎ−イ
ミドスルホネート、Ｎ−オキシムスルホネート、ｏ−ニ
トロベンジルスルホネート、ピロガロールのトリスメタ
ンスルホネート等が知られているが、光分解効率が大き
く画像形成性が優れるものとして、代表的には特開昭５
９−４５４３９号、Polym. Eng. Sci., 23, 1012 (198
3).等に記載されたスルホニウム、ヨードニウムのＰＦ
₆ ^- 、ＡｓＦ₆ ^- 、ＳｂＦ₆ ^- 等の過フルオロルイス酸
塩が使用されてきた。しかしながら半導体用レジスト材
料に用いる場合、該光酸発生剤の対アニオンからのリ
ン、砒素、アンチモン等の汚染が問題であった。

【０００９】そこでこれらの汚染がないスルホニウム、
ヨードニウム化合物として、特開昭６３−２７８２９
号、特開平２−２５８５０号、特開平２−１５０８４８
号、特開平５−１３４４１４号、特開平５−２３２７０
５号等に記載されたトリフルオロメタンスルホン酸アニ
オンを対アニオンとする塩が使用されている。但しこの
化合物の場合、露光により発生するトリフルオロメタン
スルホン酸のレジスト膜中での拡散性が大きい為、露光
後加熱処理までの経時でレジストパターンの細りが生じ
るという問題があった。

【００１０】またスルホニウム、ヨードニウムの別の対
アニオンとして、トルエンスルホン酸アニオンの使用が
特開平２−２５８５０号、特開平２−１５０８４８号、
特開平６−４３６５３号、特開平６−１２３９７２号等
に記載されているが、通常使用するレジスト溶剤への溶
解性が十分でなく、その添加量が制限される為、結果と
して感度の点で問題があった。また、溶剤溶解性も向上
させるという観点から直鎖のアルキル基、アルコキシ基
を１個有するベンゼンスルホン酸、ナフタレンスルホン
酸又はアントラセンスルホン酸のスルホニウム、ヨード
ニウム塩が、特開平６−１９９７７０号公報に記載され
ている。しかし、この場合においても発生した酸のレジ
スト膜中での拡散性の低減が十分でなく、露光後加熱処
理までの経時でレジストパターンの細りが生じる問題が
あった。

【００１１】

【発明が解決しようとする課題】従って、本発明の目的
は、上記従来の技術の課題を解決することであり、詳し
くは光分解効率が大きく、従って感度が高く、高い解像
力を有し、優れたレジストパターンが得られ、露光後加
熱処理までの経時でレジストパターンの細りが生じるこ
とのないポジ型感光性組成物を提供することである。

【００１２】

【課題を解決するための手段】本発明者等は、上記諸特
性に留意し鋭意検討した結果、本発明の目的が、ポジ型
化学増幅系において、下記のスルホン酸を発生する特定
の化合物と有機塩基性化合物を特定の比率で用いること
で達成されることを見いだした。即ち、本発明は下記構
成である。 （１） （Ａ）有機塩基性化合物、（Ｂ）活性光線また
は放射線の照射により、スルホン酸を発生する下記一般
式（Ｉ）または（II）で表される化合物、及び（Ｃ）酸
の作用により分解し、アルカリ現像液中での溶解性を増
大させる基を有する樹脂を含有し、且つ前記（Ｂ）の化
合物と（Ａ）の有機塩基性化合物の組成物中の含有モル
比〔（Ｂ）／（Ａ）〕が、２．５〜３０．０であること
を特徴とするポジ型感光性組成物。

【００１３】

【化２】

【００１４】式中、Ｒ₁ 〜Ｒ₅ は水素原子、アルキル
基、シクロアルキル基、アルコキシ基、ヒドロキシ基、
ハロゲン原子、又は−Ｓ−Ｒ₆ 基を示す。Ｒ₆ はアルキ
ル基、又はアリール基を示す。Ｘ^- は、分岐状又は環状
の炭素数８個以上のアルキル基及びアルコキシ基の群の
中から選ばれる基を少なくとも１個有するか、直鎖状、
分岐状又は環状の炭素数４〜７個のアルキル基及びアル
コキシ基の群の中から選ばれる基を少なくとも２個有す
るか、もしくは直鎖状又は分岐状の炭素数１〜３個のア
ルキル基及びアルコキシ基の群の中から選ばれる基を少
なくとも３個有するベンゼンスルホン酸、ナフタレンス
ルホン酸又はアントラセンスルホン酸のアニオンを示
す。

【００１５】（２） 酸により分解し得る基を有し、ア
ルカリ現像液中での溶解度が酸の作用により増大する、
分子量３０００以下の低分子酸分解性溶解阻止化合物を
含有することを特徴とする上記（１）に記載のポジ型感
光性組成物。 （３） 水に不溶でアルカリ水溶液に可溶な樹脂を含有
することを特徴とする上記（１）又は（２）に記載のポ
ジ型感光性組成物。 （４） 前記（Ｃ）の樹脂が、部分的にアセタール基で
保護されたポリ−ｐ−ヒドロキシスチレンであることを
特徴とする上記（１）〜（３）のいずれか１つに記載の
ポジ型感光性組成物。 （５） 前記部分的にアセタール基で保護されたポリ−
ｐ−ヒドロキシスチレンが架橋構造を含むことを特徴と
する上記（４）に記載のポジ型感光性組成物。

【００１６】（６） （Ａ）有機塩基性化合物、酸によ
り分解し得る基を有し、アルカリ現像液中での溶解度が
酸の作用により増大する、分子量３０００以下の低分子
酸分解性溶解阻止化合物、水に不溶でアルカリ水溶液に
可溶な樹脂、及び（Ｂ）活性光線または放射線の照射に
より、スルホン酸を発生する上記（１）に記載の一般式
（Ｉ）または（II）で表される化合物を含有し、且つ前
記（Ｂ）の化合物と（Ａ）の有機塩基性化合物の組成物
中の含有モル比〔（Ｂ）／（Ａ）〕が、２．５〜３０．
０であることを特徴とするポジ型感光性組成物。

【００１７】上記のように、光酸発生剤として上記一般
式（Ｉ）又は（II）で表される化合物と有機塩基性化合
物を特定の比率で用いることにより、化学増幅型レジス
トにおいて、見事に露光後加熱処理までの経時での問題
が解決され、感度、解像力が良好となり、優れたレジス
トパターンが得られた。

【００１８】

【発明の実施の形態】以下、本発明に使用する化合物に
ついて詳細に説明する。 （Ａ）有機塩基性化合物 本発明で用いることのできる好ましい有機塩基性化合物
とは、フェノールよりも塩基性の強い化合物である。中
でも含窒素塩基性化合物が好ましい。好ましい化学的環
境として、下記式（Ａ）〜（Ｅ）の構造を挙げることが
できる。

【００１９】

【化３】

【００２０】ここで、Ｒ²⁵⁰ 、Ｒ²⁵¹ 及びＲ²⁵² は、同
一でも異なってもよく、水素原子、炭素数１〜６個のア
ルキル基、炭素数１〜６個のアミノアルキル基、炭素数
１〜６個のヒドロキシアルキル基又は炭素数６〜２０個
の置換もしくは非置換のアリール基を表し、ここで、Ｒ
²⁵⁴ とＲ²⁵⁵ は、互いに結合して環を形成してもよい。
Ｒ²⁵³ 、Ｒ²⁵⁴ 、Ｒ²⁵⁵ 及びＲ²⁵⁶ は、同一でも異なっ
てもよく、炭素数１〜６個のアルキル基を表す。

【００２１】更に好ましい化合物は、一分子中に異なる
化学的環境の窒素原子を２個以上有する含窒素塩基性化
合物であり、特に好ましくは、置換もしくは未置換のア
ミノ基と窒素原子を含む環構造の両方を含む化合物もし
くはアルキルアミノ基を有する化合物である。

【００２２】好ましい具体例としては、置換もしくは未
置換のグアニジン、置換もしくは未置換のアミノピリジ
ン、置換もしくは未置換のアミノアルキルピリジン、置
換もしくは未置換のアミノピロリジン、置換もしくは未
置換のインダゾール、イミダゾール、置換もしくは未置
換のピラゾール、置換もしくは未置換のピラジン、置換
もしくは未置換のピリミジン、置換もしくは未置換のプ
リン、置換もしくは未置換のイミダゾリン、置換もしく
は未置換のピラゾリン、置換もしくは未置換のピペラジ
ン、置換もしくは未置換のアミノモルフォリン、置換も
しくは未置換のアミノアルキルモルフォリン等が挙げら
れる。好ましい置換基は、アミノ基、アミノアルキル
基、アルキルアミノ基、アミノアリール基、アリールア
ミノ基、アルキル基、アルコキシ基、アシル基、アシロ
キシ基、アリール基、アリールオキシ基、ニトロ基、水
酸基、シアノ基である。

【００２３】特に好ましい化合物として、グアニジン、
１，１−ジメチルグアニジン、１，１，３，３，−テト
ラメチルグアニジン、イミダゾール、２−メチルイミダ
ゾール、４−メチルイミダゾール、Ｎ−メチルイミダゾ
ール、２−フェニルイミダゾール、４，５−ジフェニル
イミダゾール、２，４，５−トリフェニルイミダゾー
ル、２−アミノピリジン、３−アミノピリジン、４−ア
ミノピリジン、２−ジメチルアミノピリジン、４−ジメ
チルアミノピリジン、２−ジエチルアミノピリジン、２
−（アミノメチル）ピリジン、２−アミノ−３−メチル
ピリジン、２−アミノ−４−メチルピリジン、２−アミ
ノ−５−メチルピリジン、２−アミノ−６−メチルピリ
ジン、３−アミノエチルピリジン、４−アミノエチルピ
リジン、３−アミノピロリジン、ピペラジン、Ｎ−（２
−アミノエチル）ピペラジン、Ｎ−（２−アミノエチ
ル）ピペリジン、４−アミノ−２，２，６，６−テトラ
メチルピペリジン、４−ピペリジノピペリジン、２−イ
ミノピペリジン、１−（２−アミノエチル）ピロリジ
ン、ピラゾール、３−アミノ−５−メチルピラゾール、
５−アミノ−３−メチル−１−ｐ−トリルピラゾール、
ピラジン、２−（アミノメチル）−５−メチルピラジ
ン、ピリミジン、２，４−ジアミノピリミジン、４，６
−ジヒドロキシピリミジン、２−ピラゾリン、３−ピラ
ゾリン、Ｎ−アミノモルフォリン、Ｎ−（２−アミノエ
チル）モルフォリンなどが挙げられるがこれに限定され
るものではない。

【００２４】これらの含窒素塩基性化合物は、単独であ
るいは２種以上一緒に用いられる。光酸発生剤と有機塩
基性化合物の組成物中の使用割合は、 （光酸発生剤）／（有機塩基性化合物）（モル比）＝
２．５〜３０．０ である。該モル比が２．５未満では低感度となり、解像
力が低下し、また、３０．０を越えると露光後加熱処理
までの経時でレジストパターンの細りが大きくなり、解
像力も低下する。（光酸発生剤）／（有機塩基性化合
物）（モル比）は、好ましくは３．０〜２５．０、更に
好ましくは５．０〜２０．０である。

【００２５】（Ｂ）一般式（Ｉ）又は（II）で表される
光酸発生剤 前記一般式（Ｉ）又は（II）における、Ｒ₁ 〜Ｒ₆ のア
ルキル基としては、置換基を有してもよい、メチル基、
エチル基、プロピル基、ｎ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル
基、ｔ−ブチル基のような炭素数１〜４個のものが挙げ
られる。シクロアルキル基としては、置換基を有しても
よい、シクロプロピル基、シクロペンチル基、シクロヘ
キシル基のような炭素数３〜８個のものが挙げられる。
アルコキシ基としては、メトキシ基、エトキシ基、ヒド
ロキシエトキシ基、プロポキシ基、ｎ−ブトキシ基、イ
ソブトキシ基、ｓｅｃ−ブトキシ基、ｔ−ブトキシ基の
ような炭素数１〜４個のものが挙げられる。ハロゲン原
子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、沃素原
子を挙げることができる。アリール基としては、フェニ
ル基、トリル基、メトキシフェニル基、ナフチル基のよ
うな置換基を有してもよい炭素数６〜１４個のものが挙
げられる。

【００２６】置換基として好ましくは、炭素数１〜４個
のアルコキシ基、ハロゲン原子（フッ素原子、塩素原
子、沃素原子）、炭素数６〜１０個のアリール基、炭素
数２〜６個のアルケニル基、シアノ基、ヒドロキシ基、
カルボキシ基、アルコキシカルボニル基、ニトロ基等が
挙げられる。本発明で使用される一般式（Ｉ）又は（I
I）で表わされるスルホニウム、ヨードニウム化合物
は、その対アニオン、Ｘ^- として、分岐状又は環状の炭
素数８個以上、好ましくは１０個以上のアルキル基又は
アルコキシ基を少なくとも１個以上有するか、直鎖状、
分岐状又は環状の炭素数４〜７個のアルキル基又はアル
コキシ基を少なくとも２個以上有するか、もしくは直鎖
状又は分岐状の炭素数１〜３個のアルキル基又はアルコ
キシ基を少なくとも３個有するベンゼンスルホン酸、ナ
フタレンスルホン酸又はアントラセンスルホン酸のアニ
オンを有する。これにより露光後発生する酸（上記基を
有するベンゼンスルホン酸、ナフタレンスルホン酸、又
はアントラセンスルホン酸）の拡散性が小さくなり、且
つ該スルホニウム、ヨードニウム化合物の溶剤溶解性が
向上する。特に、拡散性を低減させるという観点からは
上記基として直鎖状のアルキル基又はアルコキシ基よ
り、分岐状又は環状のアルキル基又はアルコキシ基の方
が好ましい。上記基が１個の場合は、直鎖状と分岐状又
は環状との拡散性の差異はより顕著になる。

【００２７】炭素数８個以上、好ましくは炭素数８〜２
０個のアルキル基としては、分岐状又は環状のオクチル
基、ノニル基、デシル基、ウンデシル基、ドデシル基、
トリデシル基、テトラデシル基、オクタデシル基等が挙
げられる。炭素数８個以上、好ましくは炭素数８〜２０
個のアルコキシ基としては、分岐状又は環状のオクチル
オキシ基、ノニルオキシ基、デシルオキシ基、ウンデシ
ルオキシ基、ドデシルオキシ基、トリデシルオキシ基、
テトラデシルオキシ基、オクタデシルオキシ基等が挙げ
られる。炭素数４〜７個のアルキル基としては、直鎖
状、分岐状又は環状のブチル基、ペンチル基、ヘキシル
基、ヘプチル基等が挙げられる。炭素数４〜７個のアル
コキシ基としては、直鎖状、分岐状又は環状のブトキシ
基、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、ヘプチルオ
キシ基等が挙げられる。炭素数１〜３個のアルキル基と
しては、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプ
ロピル基が挙げられる。炭素数１〜３個のアルコキシ基
としては、メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ
基、イソプロポキシ基が挙げられる。

【００２８】また、Ｘ^- で表される芳香族スルホン酸に
は、上記特定の置換基以外に、ハロゲン原子（フッ素原
子、塩素原子、臭素原子、沃素原子）、炭素数６〜１０
個のアリール基、シアノ基、スルフィド基、ヒドロキシ
基、カルボキシ基、ニトロ基等を置換基として含有して
もよい。

【００２９】一般式（Ｉ）又は（II）で表される本発明
の化合物の含量は、全組成物の固形分に対し、０．１〜
２０重量％が適当であり、好ましくは０．５〜１０重量
％、更に好ましくは１〜７重量％である。以下に、これ
らの化合物の具体例（Ｉ−１）〜（Ｉ−５９）、（II−
１）〜（II−５３）を示すが、これに限定されるもので
はない。

【００３０】

【化４】

【００３１】

【化５】

【００３２】

【化６】

【００３３】

【化７】

【００３４】

【化８】

【００３５】

【化９】

【００３６】

【化１０】

【００３７】

【化１１】

【００３８】

【化１２】

【００３９】

【化１３】

【００４０】

【化１４】

【００４１】

【化１５】

【００４２】

【化１６】

【００４３】

【化１７】

【００４４】

【化１８】

【００４５】尚、具体例中、ｎは直鎖、ｓは第２級、ｔ
は第３級、ｉは分岐であることを示す。一般式（Ｉ）又
は（II）で表される化合物は、例えば対応するＣｌ^- 塩
（一般式（Ｉ）又は（II）でＸ^- をＣｌ^- で置換した化
合物）と、Ｘ^- Ｙ⁺ で表わされる化合物（Ｘ^- は一般式
（Ｉ）又は（II）の場合と同義、Ｙ⁺ はＨ⁺ 、Ｎａ⁺ 、
Ｋ⁺ 、ＮＨ₄ ⁺ 、Ｎ（ＣＨ₃)₄ ⁺ 等のカチオンを示
す。）とを水溶液中で塩交換させることにより合成でき
る。

【００４６】（他の併用しうる光酸発生剤）本発明にお
いて、上記スルホン酸を発生する一般式（Ｉ）又は（I
I）で表わされる化合物以外に、他の活性光線または放
射線の照射により分解して酸を発生する化合物を併用し
てもよい。本発明の一般式（Ｉ）又は（II）で表わされ
る化合物と併用しうる光酸発生剤の比率は、モル比で１
００／０〜２０／８０、好ましくは９０／１０〜４０／
６０、更に好ましくは８０／２０〜５０／５０である。
そのような併用可能な光酸発生剤としては、光カチオン
重合の光開始剤、光ラジカル重合の光開始剤、色素類の
光消色剤、光変色剤、あるいはマイクロレジスト等に使
用されている公知の光により酸を発生する化合物および
それらの混合物を適宜に選択して使用することができ
る。

【００４７】たとえば S.I.Schlesinger,Photogr.Sci.E
ng.,18,387(1974)、T.S.Bal etal,Polymer,21,423(198
0) 等に記載のジアゾニウム塩、米国特許第4,069,055
号、同4,069,056号、同 Re 27,992号、特願平3-140,140
号等に記載のアンモニウム塩、D.C.Necker etal,Macrom
olecules,17,2468(1984)、C.S.Wen etal,Teh,Proc.Con
f.Rad.Curing ASIA,p478 Tokyo,Oct(1988) 、米国特許
第4,069,055 号、同4,069,056 号等に記載のホスホニウ
ム塩、J.V.Crivello etal,Macromorecules,10(6),1307
(1977) 、Chem.&Eng.News,Nov.28,p31(1988) 、欧州特
許第104,143 号、米国特許第339,049 号、同第410,201
号、特開平2-150,848 号、特開平2-296,514 号等に記載
のヨードニウム塩、J.V.Crivello etal,Polymer J.17,7
3(1985) 、J.V.Crivello etal.J.Org.Chem.,43,3055(19
78) 、W.R.Watt etal,J.Polymer Sci.,Polymer Chem.E
d.,22,1789(1984) 、J.V.Crivello etal,Polymer Bul
l.,14,279(1985)、J.V.Crivello etal,Macromorecules,
14(5),1141(1981) 、J.V.Crivello etal,J.PolymerSc
i.,Polymer Chem.Ed.,17,2877(1979)、欧州特許第370,6
93 号、同3,902,114 号、同233,567 号、同297,443
号、同297,442 号、米国特許第4,933,377 号、同161,81
1 号、同410,201 号、同339,049 号、同4,760,013 号、
同4,734,444 号、同2,833,827 号、獨国特許第2,904,62
6 号、同3,604,580 号、同3,604,581 号等に記載のスル
ホニウム塩、J.V.Crivello etal,Macromorecules,10
(6),1307(1977) 、J.V.Crivello etal,J.PolymerSci.,P
olymer Chem.Ed., 17,1047(1979) 等に記載のセレノニ
ウム塩、C.S.Wen etal,Teh,Proc.Conf.Rad.CuringASIA,
p478 Tokyo,Oct(1988) 等に記載のアルソニウム塩等の
オニウム塩、米国特許第3,905,815 号、特公昭46-4605
号、特開昭48-36281号、特開昭55-32070号、特開昭60-2
39736 号、特開昭61-169835 号、特開昭61-169837 号、
特開昭62-58241号、特開昭62-212401 号、特開昭63-702
43号、特開昭63-298339 号等に記載の有機ハロゲン化合
物、K.Meier etal,J.Rad.Curing,13(4),26(1986)、T.P.
Gilletal,Inorg.Chem.,19,3007(1980)、D.Astruc,Acc.C
hem.Res.,19(12),377(1896)、特開平2-161445号等に記
載の有機金属／有機ハロゲン化物、S.Hayase etal,J.P
olymer Sci.,25,753(1987)、 E.Reichmanis etal,J.Phol
ymer Sci.,Polymer Chem.Ed.,23,1(1985)、 Q.Q.Zhu eta
l,J.Photochem.,36,85,39,317(1987)、 B.Amitetal,Tetr
ahedron Lett.,(24)2205(1973)、D.H.R.Barton etal,J.C
hem Soc.,3571(1965)、 P.M.Collins etal,J.Chem.SoC.,
Perkin I,1695(1975)、 M.Rudinstein etal,Tetrahedron
Lett.,(17),1445(1975)、 J.W.Walker etalJ.Am.Chem.S
oc.,110,7170(1988)、 S.C.Busman etal,J.Imaging Tech
nol.,11(4),191(1985)、 H.M.Houlihan etal,Macormolec
ules,21,2001(1988)、P.M.Collins etal,J.Chem.Soc.,Ch
em.Commun.,532(1972)、S.Hayase etal,Macromolecules,
18,1799(1985)、 E.Reichmanis etal,J.Electrochem.So
c.,Solid State Sci.Technol.,130(6)、 F.M.Houlihan e
tal,Macromolcules,21,2001(1988)、欧州特許第0290,750
号、同046,083 号、同156,535 号、同271,851 号、同0,
388,343 号、 米国特許第3,901,710 号、同4,181,531
号、特開昭60-198538 号、特開昭53-133022 号等に記載
のｏ−ニトロベンジル型保護基を有する光酸発生剤、M.
TUNOOKA etal,Polymer Preprints Japan,35(8)、G.Bern
er etal,J.Rad.Curing,13(4)、 W.J.Mijs etal,Coating
Technol.,55(697),45(1983),Akzo 、 H.Adachi etal,Po
lymer Preprints,Japan,37(3)、欧州特許第0199,672号、
同84515 号、同199,672 号、同044,115 号、同0101,122
号、米国特許第618,564 号、同4,371,605 号、同4,431,
774 号、特開昭64-18143号、特開平2-245756号、特願平
3-140109号等に記載のイミノスルフォネ−ト等に代表さ
れる光分解してスルホン酸を発生する化合物、特開昭61
-166544 号等に記載のジスルホン化合物を挙げることが
できる。

【００４８】また、これらの光により酸を発生する基、
あるいは化合物をポリマーの主鎖または側鎖に導入した
化合物、たとえば、M.E.Woodhouse etal,J.Am.Chem.So
c.,104,5586(1982) 、S.P.Pappas etal,J.Imaging Sc
i.,30(5),218(1986) 、S.Kondoetal,Makromol.Chem.,Ra
pid Commun.,9,625(1988)、Y.Yamada etal,Makromol.C
hem.,152,153,163(1972) 、J.V.Crivello etal,J.Polym
erSci.,Polymer Chem.Ed., 17,3845(1979) 、米国特許
第3,849,137 号、獨国特許第3914407 号、特開昭63-266
53号、特開昭55-164824 号、特開昭62-69263号、特開昭
63-146038 号、特開昭63-163452 号、特開昭62-153853
号、特開昭63-146029 号等に記載の化合物を用いること
ができる。

【００４９】さらにV.N.R.Pillai,Synthesis,(1),1(198
0)、A.Abad etal,Tetrahedron Lett.,(47)4555(1971)、
D.H.R.Barton etal,J.Chem.Soc.,(C),329(1970) 、米国
特許第3,779,778 号、欧州特許第126,712 号等に記載の
光により酸を発生する化合物も使用することができる。

【００５０】上記併用可能な活性光線または放射線の照
射により分解して酸を発生する化合物の中で、特に有効
に用いられるものについて以下に説明する。 （１）トリハロメチル基が置換した下記一般式（ＰＡＧ
１）で表されるオキサゾール誘導体または一般式（ＰＡ
Ｇ２）で表されるＳ−トリアジン誘導体。

【００５１】

【化１９】

【００５２】式中、Ｒ²⁰¹ は置換もしくは未置換のアリ
ール基、アルケニル基、Ｒ²⁰² は置換もしくは未置換の
アリール基、アルケニル基、アルキル基、−Ｃ（Ｙ）₃
をしめす。Ｙは塩素原子または臭素原子を示す。具体的
には以下の化合物を挙げることができるがこれらに限定
されるものではない。

【００５３】

【化２０】

【００５４】

【化２１】

【００５５】

【化２２】

【００５６】（２）下記の一般式（ＰＡＧ３）で表され
るヨードニウム塩、または一般式（ＰＡＧ４）で表され
るスルホニウム塩。

【００５７】

【化２３】

【００５８】式中、Ａｒ¹ 、Ａｒ² は各々独立に置換も
しくは未置換のアリール基を示す。ここで、好ましい置
換基としては、アルキル基、ハロアルキル基、シクロア
ルキル基、アリール基、アルコキシ基、ニトロ基、カル
ボキシル基、アルコキシカルボニル基、ヒロドキシ基、
メルカプト基およびハロゲン原子が挙げられる。

【００５９】Ｒ²⁰³ 、Ｒ²⁰⁴ 、Ｒ²⁰⁵ は各々独立に、置
換もしくは未置換のアルキル基、アリール基を示す。好
ましくは、炭素数６〜１４のアリール基、炭素数１〜８
のアルキル基およびそれらの置換誘導体である。好まし
い置換基としては、アリール基に対しては炭素数１〜８
のアルコキシ基、炭素数１〜８のアルキル基、ニトロ
基、カルボキシル基、ヒロドキシ基およびハロゲン原子
であり、アルキル基に対しては炭素数１〜８のアルコキ
シ基、カルボキシル基、アルコシキカルボニル基であ
る。

【００６０】Ｚ^- は対アニオンを示し、ＣＦ₃ ＳＯ₃ ^-
等のパーフルオロアルカンスルホン酸アニオン、ペンタ
フルオロベンゼンスルホン酸アニオンを示す。

【００６１】またＲ²⁰³ 、Ｒ²⁰⁴ 、Ｒ²⁰⁵ のうちの２つ
およびＡｒ¹、Ａｒ²はそれぞれの単結合または置換基を
介して結合してもよい。

【００６２】具体例としては以下に示す化合物が挙げら
れるが、これらに限定されるものではない。

【００６３】

【化２４】

【００６４】

【化２５】

【００６５】

【化２６】

【００６６】

【化２７】

【００６７】

【化２８】

【００６８】

【化２９】

【００６９】

【化３０】

【００７０】

【化３１】

【００７１】一般式（ＰＡＧ３）、（ＰＡＧ４）で示さ
れる上記オニウム塩は公知であり、たとえばJ.W.Knapcz
yk etal,J.Am.Chem.Soc.,91,145(1969) 、A.L.Maycok e
tal,J.Org.Chem.,35,2532,(1970)、E.Goethas etal ,Bu
ll.Soc.Chem.Belg.,73,546,(1964) 、H.M.Leicester 、
J.Ame.Chem.Soc.,51,3587(1929) 、J.V.Crivello etal,
J.Polym.Chem.Ed.,18,2677(1980)、米国特許第2,807,64
8 号および同4,247,473 号、特開昭53-101,331号等に記
載の方法により合成することができる。

【００７２】（３）下記一般式（ＰＡＧ５）で表される
ジスルホン誘導体または一般式（ＰＡＧ６）で表される
イミノスルホネート誘導体。

【００７３】

【化３２】

【００７４】式中、Ａｒ³、Ａｒ⁴は各々独立に置換もし
くは未置換のアリール基を示す。Ｒ ²⁰⁶ は置換もしくは
未置換のアルキル基、アリール基を示す。Ａは置換もし
くは未置換のアルキレン基、アルケニレン基、アリーレ
ン基を示す。具体例としては以下に示す化合物が挙げら
れるが、これらに限定されるものではない。

【００７５】

【化３３】

【００７６】

【化３４】

【００７７】

【化３５】

【００７８】

【化３６】

【００７９】

【化３７】

【００８０】（Ｃ）酸の作用により分解し、アルカリ現
像液中での溶解性を増大させる基を有する樹脂 本発明における化学増幅型レジストにおいて用いられる
酸により分解し、アルカリ現像液中での溶解性を増大さ
せる基を有する樹脂としては、樹脂の主鎖または側鎖、
あるいは、主鎖及び側鎖の両方に、酸で分解し得る基を
有する樹脂である。この内、酸で分解し得る基を側鎖に
有する樹脂がより好ましい。酸で分解し得る基として好
ましい基は、−ＣＯＯＡ⁰ 、−Ｏ−Ｂ⁰ 基であり、更に
これらを含む基としては、−Ｒ⁰ −ＣＯＯＡ⁰ 、又は−
Ａ_r −Ｏ−Ｂ⁰ で示される基が挙げられる。ここでＡ⁰
は、−Ｃ（Ｒ⁰¹）（Ｒ⁰²）（Ｒ⁰³）、−Ｓｉ（Ｒ⁰¹）
（Ｒ⁰²）（Ｒ ⁰³）もしくは−Ｃ（Ｒ⁰⁴）（Ｒ⁰⁵）−Ｏ−
Ｒ⁰⁶基を示す。Ｂ⁰ は、−Ａ⁰ 又は−ＣＯ−Ｏ−Ａ⁰ 基
を示す（Ｒ⁰ 、Ｒ⁰¹〜Ｒ⁰⁶、及びＡｒは後述のものと同
義）。

【００８１】酸分解性基としては好ましくは、シリルエ
ーテル基、クミルエステル基、アセタール基、テトラヒ
ドロピラニルエーテル基、テトラヒドロピラニルエステ
ル基、エノールエーテル基、エノールエステル基、第３
級のアルキルエーテル基、第３級のアルキルエステル
基、第３級のアルキルカーボネート基等である。更に好
ましくは、第３級アルキルエステル基、第３級アルキル
カーボネート基、クミルエステル基、アセタール基、テ
トラヒドロピラニルエーテル基である。特に好ましくは
アセタール基である。

【００８２】次に、これら酸で分解し得る基が側鎖とし
て結合する場合の母体樹脂としては、側鎖に−ＯＨもし
くは−ＣＯＯＨ、好ましくは−Ｒ⁰ −ＣＯＯＨもしくは
−Ａ _r −ＯＨ基を有するアルカリ可溶性樹脂である。例
えば、後述するアルカリ可溶性樹脂を挙げることができ
る。

【００８３】これらアルカリ可溶性樹脂のアルカリ溶解
速度は、０．２６１Ｎテトラメチルアンモニウムハイド
ロオキサイド（ＴＭＡＨ）で測定（２３℃）して２０Å
／秒以上のものが好ましい。特に好ましくは２００Å／
秒以上のものである（Åはオングストローム）。また、
矩形プロファイルを達成する点から遠紫外光やエキシマ
レーザー光に対する透過率が高いアルカリ可溶性樹脂が
好ましい。好ましくは、１μｍ膜厚の２４８ｎｍでの透
過率が２０〜９０％である。このような観点から、特に
好ましいアルカリ可溶性樹脂は、ｏ−，ｍ−，ｐ−ポリ
（ヒドロキシスチレン）及びこれらの共重合体、水素化
ポリ（ヒドロキシスチレン）、ハロゲンもしくはアルキ
ル置換ポリ（ヒドロキシスチレン）、ポリ（ヒドロキシ
スチレン）の一部、Ｏ−アルキル化もしくはＯ−アシル
化物、スチレン−ヒドロキシスチレン共重合体、α−メ
チルスチレン−ヒドロキシスチレン共重合体及び水素化
ノボラック樹脂である。特に好ましい母体樹脂として
は、ポリ−ｐ−ヒドロキシスチレンである。

【００８４】本発明に用いられる酸で分解し得る基を有
する樹脂は、欧州特許２５４８５３号、特開平２−２５
８５０号、同３−２２３８６０号、同４−２５１２５９
号等に開示されているように、アルカリ可溶性樹脂に酸
で分解し得る基の前駆体を反応させる、もしくは、酸で
分解し得る基の結合したアルカリ可溶性樹脂モノマーを
種々のモノマーと共重合して得ることができる。

【００８５】本発明に使用される酸により分解し得る基
を有する樹脂の具体例を以下に示すが、本発明がこれら
に限定されるものではない。

【００８６】

【化３８】

【００８７】

【化３９】

【００８８】

【化４０】

【００８９】

【化４１】

【００９０】酸で分解し得る基の含有率は、樹脂中の酸
で分解し得る基の数（Ｂ）と酸で分解し得る基で保護さ
れていないアルカリ可溶性基の数（Ｓ）をもって、Ｂ／
（Ｂ＋Ｓ）で表される。含有率は好ましくは０．０１〜
０．７０、より好ましくは０．０５〜０．６０、更に好
ましくは０．０５〜０．５０である。Ｂ／（Ｂ＋Ｓ）＞
０．７０ではＰＥＢ後の膜収縮、基板への密着不良、膜
減り現象やスカムの原因となり好ましくない。一方、Ｂ
／（Ｂ＋Ｓ）＜０．０１では、パターン側壁に顕著に定
在波が残ることがあるので好ましくない。

【００９１】酸で分解し得る基を有する樹脂の重量平均
分子量（Ｍｗ）は、２，０００〜２００，０００の範囲
であることが好ましい。２，０００未満では未露光部の
現像により膜減りが大きく、２００，０００を越えると
アルカリ可溶性樹脂自体のアルカリに対する溶解速度が
遅くなり感度が低下してしまう。より好ましくは、５，
０００〜１００，０００の範囲であり、更に好ましくは
８，０００〜５０，０００の範囲である。また、分散度
（Ｍｗ／Ｍｎ）は、好ましくは１．０〜４．０、より好
ましくは１．０〜２．０、特に好ましくは１．０〜１．
６であり、分散度が小さいほど、耐熱性、画像形成性
（パターンプロファイル、デフォーカスラチチュード
等）が良好となる。ここで、重量平均分子量は、ゲルパ
ーミエーションクロマトグラフィーのポリスチレン換算
値をもって定義される。

【００９２】本発明において、酸分解性基を有する樹脂
としては、部分的にアセタール基で保護されたポリ−ｐ
−ヒドロキシスチレンが好ましく、更に好ましくは該樹
脂が架橋構造を含む樹脂である。このような樹脂として
は、更に好ましくは下記一般式（ａ）、（ｂ）及び
（ｃ）で示される繰り返し構造単位を含み、該一般式
（ｃ）で表される繰り返し構造単位において一般式
（ｄ）で表される連結基による架橋構造を有する樹脂、
あるいは、下記一般式（ｅ）で表される樹脂である。

【００９３】

【化４２】

【００９４】式（ａ）、（ｂ）、（ｃ）、（ｄ）中、Ｒ
_X ：水素原子、メチル基 Ｒａ、Ｒｂ、Ｒｄ、Ｒｅ、Ｒｇ、Ｒｈ：各々独立に水素
原子、炭素数１〜８個の直鎖アルキル基、炭素数３〜８
個の分岐アルキル基、炭素数３〜６個の環状アルキル基
（但し、Ｒａ、Ｒｂ、Ｒｄ、Ｒｅ、Ｒｇ、Ｒｈは同時に
水素原子を表さない。また、ＲａとＲｂ、ＲａとＲｃ、
ＲｄとＲｅ、又はＲｇとＲｈは、それぞれ結合して環を
形成してもよい。）、 Ｒｃ：炭素数１〜８個の直鎖アルキル基、炭素数３〜８
個の分岐アルキル基、炭素数３〜６個の環状アルキル
基、

【００９５】

【化４３】

【００９６】Ｒｆ：炭素数１〜６個の直鎖アルキレン
基、炭素数３〜８個の分岐アルキレン基、炭素数３〜６
個の環状アルキレン基、

【００９７】

【化４４】

【００９８】Ｒｉ、Ｒｊ：各々独立に水素原子、炭素数
１〜６個の直鎖アルキル基、炭素数３〜８個の分岐アル
キル基、炭素数３〜６個の環状アルキル基を表し、ここ
で、式（ａ）、（ｂ）、（ｃ）で表される繰り返し構造
単位の含有モル比は、 ０．０１≦式（ｂ）／（式
（ａ）＋式（ｂ）＋式（ｃ））≦０．７０ ０．００１≦式（ｃ）／（式（ａ）＋式（ｂ）＋式
（ｃ））≦０．２０ である。

【００９９】

【化４５】

【０１００】式（ｅ）中、Ｒ_X 、Ｒａ、Ｒｂ、Ｒｃは、
前記と同義である。 ｌ、ｍ：ｌ＋ｍ＝１００ ０．０５≦ｍ／（ｌ＋ｍ）≦０．９０ を表す。

【０１０１】上記の一般式（ｅ）、一般式（ａ）〜
（ｄ）において、炭素数１〜８個の直鎖アルキルとして
は、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペン
チル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基が挙げら
れるが、特に炭素数１〜４個の直鎖アルキル基が好まし
い。炭素数３〜８個の分岐アルキル基としては、例えば
イソプロピル基、イソブチル基、ｔ−ブチル基、ネオペ
ンチル基、２−メチルブチル基、３−メチルペンチル
基、２−エチルブチル基、１，１−ジメチル−２−メチ
ルプロピル基、１−メチルヘキシル基、２−エチルペン
チル基、２−エチル−３−メチルブチル基、２−エチル
ヘキシル基等が挙げられるが、特に炭素数３〜５個の分
岐アルキル基が好ましい。炭素数３〜６個の環状アルキ
ル基としては、シクロプロピル基、シクロブチル基、シ
クロペンチル基、シクロヘキシル基が挙げられるが、中
でもシクロペンチル基、シクロヘキシル基が好ましい。
ＲａとＲｂ、ＲａとＲｃ、ＲｄとＲｅ、又はＲｇとＲｈ
は、それぞれ結合して環を形成してもよく、その環とし
てはシクロプロピル、シクロブチル、シクロペンチル、
シクロヘキシル等を挙げることができる。

【０１０２】Ｒｆにおいて炭素数１〜６個の直鎖アルキ
レン基、炭素数３〜８個の分岐アルキレン基、炭素数３
〜６個の環状アルキレン基としては、各々上記炭素数１
〜６個の直鎖アルキル、炭素数３〜８個の分岐アルキル
基、炭素数３〜６個の環状アルキル基のところで挙げた
具体例に対応する２価の基を挙げることができる。

【０１０３】一般式（ａ）、（ｂ）、（ｃ）で表される
繰り返し構造単位の含有モル比は、０．０１≦式（ｂ）
／（式（ａ）＋式（ｂ）＋式（ｃ））≦０．７０であ
り、好ましくは０．０５≦式（ｂ）／（式（ａ）＋式
（ｂ）＋式（ｃ））≦０．６０、特に好ましくは０．０
５≦式（ｂ）／（式（ａ）＋式（ｂ）＋式（ｃ））≦
０．５０である。また、０．００１≦式（ｃ）／（式
（ａ）＋式（ｂ）＋式（ｃ））≦０．２０は、好ましく
は０．００５≦式（ｃ）／（式（ａ）＋式（ｂ）＋式
（ｃ））≦０．１５、特に好ましくは０．００７≦式
（ｃ）／（式（ａ）＋式（ｂ）＋式（ｃ））≦０．１０
である。

【０１０４】一般式（ａ）、（ｂ）及び（ｃ）で表され
る繰り返し構造単位を含み、該一般式（ｃ）で表される
繰り返し構造単位において一般式（ｄ）で表される連結
基による架橋構造を有する樹脂の重量平均分子量として
は、５０００〜１０００００が好ましく、より好ましく
は７０００〜５００００である。一般式（ｅ）で表され
る樹脂の重量平均分子量としては、３０００〜５０００
０が好ましく、より好ましくは５０００〜３００００で
ある。

【０１０５】本発明において、上記一般式（ｅ）で表さ
れる樹脂及び／又は一般式（ａ）、（ｂ）及び（ｃ）で
表される繰り返し構造単位を含み、該一般式（ｃ）で表
される繰り返し構造単位において一般式（ｄ）で表され
る連結基による架橋構造を有する樹脂の組成物中の添加
量としては、全固形分に対して２０重量％〜９９重量
％、好ましくは４０重量％〜９７重量％である。

【０１０６】また、本発明における酸で分解し得る基を
有する樹脂は２種類以上混合して使用しても良い。本発
明におけるこれら樹脂の使用量は、感光性組成物の全重
量（溶媒を除く）を基準として４０〜９９重量％、好ま
しくは６０〜９７重量％である。更に、アルカリ溶解性
を調節するために、酸で分解し得る基を有さないアルカ
リ可溶性樹脂を混合しても良い。

【０１０７】上記酸発生剤、酸で分解し得る基を有する
樹脂とともに、後記する酸分解性低分子溶解阻止化合物
を混合することが好ましい。この場合、該溶解阻止化合
物の含量は、感光性組成物の全重量（溶媒を除く）を基
準として３〜４５重量％、好ましくは５〜３０重量％、
より好ましくは１０〜２０重量％である。

【０１０８】本発明で使用されるアルカリ可溶性樹脂 本発明において、水不溶でアルカリ水溶液に可溶な樹脂
（以下、アルカリ可溶性樹脂ともいう）を用いることが
好ましい。本発明に用いられるアルカリ可溶性樹脂とし
ては、例えばノボラック樹脂、水素化ノボラツク樹脂、
アセトン−ピロガロール樹脂、ｏ−ポリヒドロキシスチ
レン、ｍ−ポリヒドロキシスチレン、ｐ−ポリヒドロキ
シスチレン、水素化ポリヒドロキシスチレン、ハロゲン
もしくはアルキル置換ポリヒドロキシスチレン、ヒドロ
キシスチレン−Ｎ−置換マレイミド共重合体、ｏ／ｐ−
及びｍ／ｐ−ヒドロキシスチレン共重合体、ポリヒドロ
キシスチレンの水酸基に対する一部Ｏ−アルキル化物
（例えば、５〜３０モル％のＯ−メチル化物、Ｏ−（１
−メトキシ）エチル化物、Ｏ−（１−エトキシ）エチル
化物、Ｏ−２−テトラヒドロピラニル化物、Ｏ−（ｔ−
ブトキシカルボニル）メチル化物等）もしくはＯ−アシ
ル化物（例えば、５〜３０モル％のｏ−アセチル化物、
Ｏ−（ｔ−ブトキシ）カルボニル化物等）、スチレン−
無水マレイン酸共重合体、スチレン−ヒドロキシスチレ
ン共重合体、α−メチルスチレン−ヒドロキシスチレン
共重合体、カルボキシル基含有メタクリル系樹脂及びそ
の誘導体を挙げることができるが、これらに限定される
ものではない。特に好ましいアルカリ可溶性樹脂はノボ
ラック樹脂及びｏ−ポリヒドロキシスチレン、ｍ−ポリ
ヒドロキシスチレン、ｐ−ポリヒドロキシスチレン及び
これらの共重合体、アルキル置換ポリヒドロキシスチレ
ン、ポリヒドロキシスチレンの一部Ｏ−アルキル化、も
しくはＯ−アシル化物、スチレン−ヒドロキシスチレン
共重合体、α−メチルスチレン−ヒドロキシスチレン共
重合体である。該ノボラック樹脂は所定のモノマーを主
成分として、酸性触媒の存在下、アルデヒド類と付加縮
合させることにより得られる。

【０１０９】所定のモノマーとしては、フェノール、ｍ
−クレゾール、ｐ−クレゾール、ｏ−クレゾール等のク
レゾール類、２，５−キシレノール、３，５−キシレノ
ール、３，４−キシレノール、２，３−キシレノール等
のキシレノール類、ｍ−エチルフェノール、ｐ−エチル
フェノール、ｏ−エチルフェノール、ｐ−ｔ−ブチルフ
ェノール、ｐ−オクチルフエノール、２，３，５−トリ
メチルフェノール等のアルキルフェノール類、ｐ−メト
キシフェノール、ｍ−メトキシフェノール、３，５−ジ
メトキシフェノール、２−メトキシ−４−メチルフェノ
ール、ｍ−エトキシフェノール、ｐ−エトキシフェノー
ル、ｍ−プロポキシフェノール、ｐ−プロポキシフェノ
ール、ｍ−ブトキシフェノール、ｐ−ブトキシフェノー
ル等のアルコキシフェノール類、２−メチル−４−イソ
プロピルフェノール等のビスアルキルフェノール類、ｍ
−クロロフェノール、ｐ−クロロフェノール、ｏ−クロ
ロフェノール、ジヒドロキシビフェニル、ビスフェノー
ルＡ、フェニルフェノール、レゾルシノール、ナフトー
ル等のヒドロキシ芳香化合物を単独もしくは２種類以上
混合して使用することができるが、これらに限定される
ものではない。

【０１１０】アルデヒド類としては、例えばホルムアル
デヒド、パラホルムアルデヒド、アセトアルデヒド、プ
ロピオンアルデヒド、ベンズアルデヒド、フェニルアセ
トアルデヒド、α−フェニルプロピルアルデヒド、β−
フェニルプロピルアルデヒド、ｏ−ヒドロキシベンズア
ルデヒド、ｍ−ヒドロキシベンズアルデヒド、ｐ−ヒド
ロキシベンズアルデヒド、ｏ−クロロベンズアルデヒ
ド、ｍ−クロロベンズアルデヒド、ｐ−クロロベンズア
ルデヒド、ｏ−ニトロベンズアルデヒド、ｍ−ニトロベ
ンズアルデヒド、ｐ−ニトロベンズアルデヒド、ｏ−メ
チルベンズアルデヒド、ｍ−メチルベンズアルデヒド、
ｐ−メチルベンズアルデヒド、ｐ−エチルベンズアルデ
ヒド、ｐ−ｎ−ブチルベンズアルデヒド、フルフラー
ル、クロロアセトアルデヒド及びこれらのアセタール
体、例えばクロロアセトアルデヒドジエチルアセタール
等を使用することができるが、これらの中で、ホルムア
ルデヒドを使用するのが好ましい。これらのアルデヒド
類は、単独でもしくは２種類以上組み合わせて用いられ
る。酸性触媒としては塩酸、硫酸、ギ酸、酢酸、シュウ
酸等を使用することができる。

【０１１１】こうして得られたノボラック樹脂の重量平
均分子量は、１，０００〜３０，０００の範囲であるこ
とが好ましい。１，０００未満では未露光部の現像後の
膜減りが大きく、３０，０００を越えると現像速度が小
さくなってしまう。特に好適なのは２，０００〜２０，
０００の範囲である。また、ノボラック樹脂以外の前記
ポリヒドロキシスチレン、及びその誘導体、共重合体の
重量平均分子量は、２０００以上、好ましくは５０００
〜２０００００、より好ましくは１００００〜１０００
００である。また、レジスト膜の耐熱性を向上させると
いう観点からは、２５０００以上が好ましい。ここで、
重量平均分子量はゲルパーミエーションクロマトグラフ
ィーのポリスチレン換算値をもって定義される。本発明
に於けるこれらのアルカリ可溶性樹脂は２種類以上混合
して使用しても良い。アルカリ可溶性樹脂の使用量は、
感光性組成物の全重量（溶媒を除く）を基準として、４
０〜９７重量％、好ましくは６０〜９０重量％である。

【０１１２】本発明に使用される低分子酸分解性溶解阻
止化合物 本発明において、低分子酸分解性溶解阻止化合物を用い
ることが好ましい。本発明に用いられる酸分解性溶解阻
止化合物としては、その構造中に酸で分解し得る基を少
なくとも２個有し、該酸分解性基間の距離が最も離れた
位置において、酸分解性基を除く結合原子を少なくとも
８個経由する化合物である。本発明において、好ましく
は酸分解性溶解阻止化合物は、その構造中に酸で分解し
得る基を少なくとも２個有し、該酸分解性基間の距離が
最も離れた位置において、酸分解性基を除く結合原子を
少なくとも１０個、好ましくは少なくとも１１個、更に
好ましくは少なくとも１２個経由する化合物、又は酸分
解性基を少なくとも３個有し、該酸分解性基間の距離が
最も離れた位置において、酸分解性基を除く結合原子を
少なくとも９個、好ましくは少なくとも１０個、更に好
ましくは少なくとも１１個経由する化合物である。又、
上記結合原子の好ましい上限は５０個、更に好ましくは
３０個である。本発明において、酸分解性溶解阻止化合
物が、酸分解性基を３個以上、好ましくは４個以上有す
る場合、又酸分解性基を２個有するものにおいても、該
酸分解性基が互いにある一定の距離以上離れている場
合、アルカリ可溶性樹脂に対する溶解阻止性が著しく向
上する。なお、本発明における酸分解性基間の距離は、
酸分解性基を除く、経由結合原子数で示される。例え
ば、以下の化合物（１），（２）の場合、酸分解性基間
の距離は、各々結合原子４個であり、化合物（３）では
結合原子１２個である。

【０１１３】

【化４６】

【０１１４】また、本発明の酸分解性溶解阻止化合物
は、１つのベンゼン環上に複数個の酸分解性基を有して
いても良いが、好ましくは、１つのベンゼン環上に１個
の酸分解性基を有する骨格から構成される化合物であ
る。更に、本発明の酸分解性溶解阻止化合物の分子量は
３，０００以下であり、好ましくは５００〜３，００
０、更に好ましくは１，０００〜２，５００である。

【０１１５】本発明の好ましい実施態様においては、酸
により分解し得る基、即ち−ＣＯＯ−Ａ⁰ 、−Ｏ−Ｂ⁰
基を含む基としては、−Ｒ⁰ −ＣＯＯ−Ａ⁰ 、又は−Ａ
ｒ−Ｏ−Ｂ⁰ で示される基が挙げられる。ここでＡ
⁰ は、−Ｃ（Ｒ⁰¹）（Ｒ⁰²）（Ｒ⁰³）、−Ｓｉ（Ｒ⁰¹）
（Ｒ⁰²）（Ｒ ⁰³）もしくは−Ｃ（Ｒ⁰⁴）（Ｒ⁰⁵）−Ｏ−
Ｒ⁰⁶基を示す。Ｂ⁰ は、Ａ⁰ 又は−ＣＯ−Ｏ−Ａ⁰ 基を
示す。Ｒ⁰¹、Ｒ⁰²、Ｒ⁰³、Ｒ⁰⁴及びＲ⁰⁵は、それぞれ同
一でも相異していても良く、水素原子、アルキル基、シ
クロアルキル基、アルケニル基もしくはアリール基を示
し、Ｒ⁰⁶はアルキル基もしくはアリール基を示す。但
し、Ｒ⁰¹〜Ｒ⁰³の内少なくとも２つは水素原子以外の基
であり、又、Ｒ⁰¹〜Ｒ⁰³、及びＲ⁰⁴〜Ｒ⁰⁶の内の２つの
基が結合して環を形成してもよい。Ｒ⁰ は置換基を有し
ていても良い２価以上の脂肪族もしくは芳香族炭化水素
基を示し、−Ａｒ−は単環もしくは多環の置換基を有し
ていても良い２価以上の芳香族基を示す。

【０１１６】ここで、アルキル基としてはメチル基、エ
チル基、プロピル基、ｎ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル
基、ｔ−ブチル基の様な炭素数１〜４個のものが好まし
く、シクロアルキル基としてはシクロプロピル基、シク
ロブチル基、シクロヘキシル基、アダマンチル基の様な
炭素数３〜１０個のものが好ましく、アルケニル基とし
てはビニル基、プロペニル基、アリル基、ブテニル基の
様な炭素数２〜４個のものが好ましく、アリール基とし
てはフエニル基、キシリル基、トルイル基、クメニル
基、ナフチル基、アントラセニル基の様な炭素数６〜１
４個のものが好ましい。また、置換基としては水酸基、
ハロゲン原子（フツ素、塩素、臭素、ヨウ素）、ニトロ
基、シアノ基、上記のアルキル基、メトキシ基・エトキ
シ基・ヒドロキシエトキシ基・プロポキシ基・ヒドロキ
シプロポキシ基・ｎ−ブトキシ基・イソブトキシ基・ｓ
ｅｃ−ブトキシ基・ｔ−ブトキシ基等のアルコキシ基、
メトキシカルボニル基・エトキシカルボニル基等のアル
コキシカルボニル基、ベンジル基・フエネチル基・クミ
ル基等のアラルキル基、アラルキルオキシ基、ホルミル
基・アセチル基・ブチリル基・ベンゾイル基・シアナミ
ル基・バレリル基等のアシル基、ブチリルオキシ基等の
アシロキシ基、上記のアルケニル基、ビニルオキシ基・
プロペニルオキシ基・アリルオキシ基・ブテニルオキシ
基等のアルケニルオキシ基、上記のアリール基、フエノ
キシ基等のアリールオキシ基、ベンゾイルオキシ基等の
アリールオキシカルボニル基を挙げることができる。

【０１１７】酸により分解しうる基として、好ましく
は、シリルエーテル基、クミルエステル基、アセタール
基、テトラヒドロピラニルエーテル基、エノールエーテ
ル基、エノールエステル基、第３級のアルキルエーテル
基、第３級のアルキルエステル基、第３級のアルキルカ
ーボネート基等である。更に好ましくは、第３級アルキ
ルエステル基、第３級アルキルカーボネート基、クミル
エステル基、テトラヒドロピラニルエーテル基である。

【０１１８】酸分解性溶解阻止化合物としては、好まし
くは、特開平１−２８９９４６号、特開平１−２８９９
４７号、特開平２−２５６０号、特開平３−１２８９５
９号、特開平３−１５８８５５号、特開平３−１７９３
５３号、特開平３−１９１３５１号、特開平３−２００
２５１号、特開平３−２００２５２号、特開平３−２０
０２５３号、特開平３−２００２５４号、特開平３−２
００２５５号、特開平３−２５９１４９号、特開平３−
２７９９５８号、特開平３−２７９９５９号、特開平４
−１６５０号、特開平４−１６５１号、特開平４−１１
２６０号、特開平４−１２３５６号、特開平４−１２３
５７号、特願平３−３３２２９号、特願平３−２３０７
９０号、特願平３−３２０４３８号、特願平４−２５１
５７号、特願平４−５２７３２号、特願平４−１０３２
１５号、特願平４−１０４５４２号、特願平４−１０７
８８５号、特願平４−１０７８８９号、同４−１５２１
９５号等の明細書に記載されたポリヒドロキシ化合物の
フエノール性ＯＨ基の一部もしくは全部を上に示した
基、−Ｒ⁰ −ＣＯＯ−Ａ⁰ もしくはＢ⁰ 基で結合し、保
護した化合物が含まれる。

【０１１９】更に好ましくは、特開平１−２８９９４６
号、特開平３−１２８９５９号、特開平３−１５８８５
５号、特開平３−１７９３５３号、特開平３−２００２
５１号、特開平３−２００２５２号、特開平３−２００
２５５号、特開平３−２５９１４９号、特開平３−２７
９９５８号、特開平４−１６５０号、特開平４−１１２
６０号、特開平４−１２３５６号、特開平４−１２３５
７号、特願平４−２５１５７号、特願平４−１０３２１
５号、特願平４−１０４５４２号、特願平４−１０７８
８５号、特願平４−１０７８８９号、同４−１５２１９
５号の明細書に記載されたポリヒドロキシ化合物を用い
たものが挙げられる。

【０１２０】より具体的には、一般式［Ｉ］〜［ＸＶ
Ｉ］で表される化合物が挙げられる。

【０１２１】

【化４７】

【０１２２】

【化４８】

【０１２３】

【化４９】

【０１２４】

【化５０】

【０１２５】Ｒ¹⁰¹ 、Ｒ¹⁰² 、Ｒ¹⁰⁸ 、Ｒ¹³⁰ ：同一で
も異なっていても良く、水素原子、−Ｒ⁰−ＣＯＯ−Ｃ
（Ｒ⁰¹）（Ｒ⁰²）（Ｒ⁰³）又は−ＣＯ−Ｏ−Ｃ（Ｒ⁰¹）
（Ｒ^{0 2}）（Ｒ⁰³）、但し、Ｒ⁰、Ｒ⁰¹、Ｒ⁰²及びＲ⁰³の
定義は前記と同じである。

【０１２６】Ｒ¹⁰⁰ ：−ＣＯ−，−ＣＯＯ−，−ＮＨＣ
ＯＮＨ−，−ＮＨＣＯＯ−，−Ｏ−、−Ｓ−，−ＳＯ
−，−ＳＯ₂−，−ＳＯ₃−，もしくは

【０１２７】

【化５１】

【０１２８】ここで、Ｇ＝２〜６ 但し、Ｇ＝２の時は
Ｒ¹⁵⁰ 、Ｒ¹⁵¹ のうち少なくとも一方はアルキル基、 Ｒ¹⁵⁰ 、Ｒ¹⁵¹ ：同一でも異なっていても良く、水素原
子，アルキル基，アルコキシ基、−ＯＨ，−ＣＯＯＨ，
−ＣＮ，ハロゲン原子，−Ｒ¹⁵² −ＣＯＯＲ^{15 3} もしく
は−Ｒ¹⁵⁴ −ＯＨ、 Ｒ¹⁵² 、Ｒ¹⁵⁴ ：アルキレン基、 Ｒ¹⁵³ ：水素原子，アルキル基，アリール基，もしくは
アラルキル基、 Ｒ⁹⁹、Ｒ¹⁰³ 〜Ｒ¹⁰⁷ 、Ｒ¹⁰⁹ 、Ｒ¹¹¹ 〜Ｒ¹¹⁸ 、Ｒ
¹²¹ 〜Ｒ¹²³ 、Ｒ¹²⁸ 〜Ｒ¹²⁹ 、Ｒ¹³¹ 〜Ｒ¹³⁴ 、Ｒ
¹³⁸ 〜Ｒ¹⁴¹ 及びＲ¹⁴³ ：同一でも異なっても良く、水
素原子，水酸基，アルキル基，アルコキシ基，アシル
基，アシロキシ基，アリール基，アリールオキシ基，ア
ラルキル基，アラルキルオキシ基，ハロゲン原子，ニト
ロ基，カルボキシル基，シアノ基，もしくは−N(R¹⁵⁵)
(R¹⁵⁶)(R¹⁵⁵、R¹⁵⁶：Ｈ，アルキル基，もしくはアリー
ル基） Ｒ¹¹⁰ ：単結合，アルキレン基，もしくは

【０１２９】

【化５２】

【０１３０】Ｒ¹⁵⁷ 、Ｒ¹⁵⁹ ：同一でも異なっても良
く、単結合，アルキレン基，−Ｏ−，−Ｓ−，−ＣＯ
−，もしくはカルボキシル基、 Ｒ¹⁵⁸ ：水素原子，アルキル基，アルコキシ基，アシル
基，アシロキシ基，アリール基，ニトロ基，水酸基，シ
アノ基，もしくはカルボキシル基、但し、水酸基が酸分
解性基（例えば、ｔ−ブトキシカルボニルメチル基、テ
トラヒドロピラニル基、１−エトキシ−１−エチル基、
１−ｔ−ブトキシ−１−エチル基）で置き換ってもよ
い。

【０１３１】Ｒ¹¹⁹ 、Ｒ¹²⁰ ：同一でも異なっても良
く、メチレン基，低級アルキル置換メチレン基，ハロメ
チレン基，もしくはハロアルキル基、但し本願において
低級アルキル基とは炭素数１〜４のアルキル基を指す、 Ｒ¹²⁴ 〜Ｒ¹²⁷ ：同一でも異なっても良く、水素原子も
しくはアルキル基、 Ｒ¹³⁵ 〜Ｒ¹³⁷ ：同一でも異なっても良く、水素原子，
アルキル基，アルコキシ基，アシル基，もしくはアシロ
キシ基、 Ｒ¹⁴² ：水素原子，−Ｒ⁰−ＣＯＯ−Ｃ（Ｒ⁰¹）
（Ｒ⁰²）（Ｒ⁰³）又は−ＣＯ−Ｏ−Ｃ（Ｒ⁰¹）（Ｒ⁰²）
（Ｒ⁰³）、もしくは

【０１３２】

【化５３】

【０１３３】Ｒ¹⁴⁴ 、Ｒ¹⁴⁵ ：同一でも異なっても良
く、水素原子，低級アルキル基，低級ハロアルキル基，
もしくはアリール基、 Ｒ¹⁴⁶ 〜Ｒ¹⁴⁹ ：同一でも異なっていても良く、水素原
子，水酸基，ハロゲン原子，ニトロ基，シアノ基，カル
ボニル基，アルキル基，アルコキシ基，アルコキシカル
ボニル基，アラルキル基，アラルキルオキシ基，アシル
基，アシロキシ基，アルケニル基，アルケニルオキシ
基，アリール基，アリールオキシ基，もしくはアリール
オキシカルボニル基、但し、各４個の同一記号の置換基
は同一の基でなくても良い、 Ｙ：−ＣＯ−，もしくは−ＳＯ₂−、 Ｚ，Ｂ：単結合，もしくは−Ｏ−、 Ａ：メチレン基，低級アルキル置換メチレン基，ハロメ
チレン基，もしくはハロアルキル基、 Ｅ：単結合，もしくはオキシメチレン基、 a〜z，a1〜y1：複数の時、（）内の基は同一または異な
っていてもよい、 a〜q、s,t,v,g1〜i1,k1〜m1,o1,q1,s1,u1：０もしくは
１〜５の整数、 r,u,w,x,y,z,a1〜f1,p1,r1,t1,v1〜x1：０もしくは１〜
４の整数、 j1,n1,z1,a2,b2,c2,d2：０もしくは１〜３の整数、z1,a
2,c2,d2のうち少なくとも１つは１以上、 y1：３〜８の整数、 (a+b),(e+f+g),(k+l+m),(q+r+s),(w+x+y),(c1+d1),(g1+
h1+i1+j1),(o1+p1),(s1+t1)≧２、 (j1+n1)≦３、 (r+u),(w+z),(x+a1),(y+b1),(c1+e1),(d1+f1),(p1+r1),
(t1+v1),(x1+w1)≦４、但し一般式［Ｖ］の場合は(w+
z),(x+a1)≦５、 (a+c),(b+d),(e+h),(f+i),(g+j),(k+n),(l+o),(m+p),(q
+t),(s+v),(g1+k1),(h1+l1),(i1+m1),(o1+q1),(s1+u1)
≦５、 を表す。

【０１３４】

【化５４】

【０１３５】

【化５５】

【０１３６】

【化５６】

【０１３７】

【化５７】

【０１３８】好ましい化合物骨格の具体例を以下に示
す。

【０１３９】

【化５８】

【０１４０】

【化５９】

【０１４１】

【化６０】

【０１４２】

【化６１】

【０１４３】

【化６２】

【０１４４】

【化６３】

【０１４５】

【化６４】

【０１４６】

【化６５】

【０１４７】

【化６６】

【０１４８】

【化６７】

【０１４９】

【化６８】

【０１５０】

【化６９】

【０１５１】

【化７０】

【０１５２】

【化７１】

【０１５３】

【化７２】

【０１５４】

【化７３】

【０１５５】

【化７４】

【０１５６】

【化７５】

【０１５７】

【化７６】

【０１５８】化合物（１）〜（６３）中のＲは、水素原
子、

【０１５９】

【化７７】

【０１６０】を表す。但し、少なくとも２個、もしくは
構造により３個は水素原子以外の基であり、各置換基Ｒ
は同一の基でなくても良い。

【０１６１】本発明において、上記溶解阻止化合物の添
加量は、酸発生化合物、アルカリ可溶性樹脂と組み合わ
せる場合、感光性組成物の全重量（溶媒を除く）を基準
として３〜５０重量％であり、好ましくは５〜４０重量
％、より好ましくは１０〜３５重量％の範囲である。

【０１６２】〔ＶＩ〕本発明に使用されるその他の成分 本発明の感光性組成物には必要に応じて、更に染料、顔
料、可塑剤、界面活性剤、光増感剤、及び現像液に対す
る溶解性を促進させるフエノール性ＯＨ基を２個以上有
する化合物などを含有させることができる。

【０１６３】本発明で使用できるフェノール性ＯＨ基を
２個以上有する化合物は、好ましくは分子量１０００以
下のフェノール化合物である。また、分子中に少なくと
も２個のフェノール性水酸基を有することが必要である
が、これが１０を越えると、現像ラチチュードの改良効
果が失われる。また、フェノ−ル性水酸基と芳香環との
比が０．５未満では膜厚依存性が大きく、また、現像ラ
チチュードが狭くなる傾向がある。この比が１．４を越
えると該組成物の安定性が劣化し、高解像力及び良好な
膜厚依存性を得るのが困難となって好ましくない。

【０１６４】このフェノール化合物の好ましい添加量は
アルカリ可溶性樹脂に対して２〜５０重量％であり、更
に好ましくは５〜３０重量％である。５０重量％を越え
た添加量では、現像残渣が悪化し、また現像時にパター
ンが変形するという新たな欠点が発生して好ましくな
い。

【０１６５】このような分子量１０００以下のフェノー
ル化合物は、例えば、特開平４−１２２９３８、特開平
２−２８５３１、米国特許第４９１６２１０、欧州特許
第２１９２９４等に記載の方法を参考にして、当業者に
於て容易に合成することが出来る。フェノール化合物の
具体例を以下に示すが、本発明で使用できる化合物はこ
れらに限定されるものではない。

【０１６６】レゾルシン、フロログルシン、２，３，４
−トリヒドロキシベンゾフェノン、２，３，４，４′−
テトラヒドロキシベンゾフェノン、２，３，４，３′，
４′，５′−ヘキサヒドロキシベンゾフェノン、アセト
ン−ピロガロール縮合樹脂、フロログルコシド、２，
４，２′，４′−ビフェニルテトロール、４，４′−チ
オビス（１，３−ジヒドロキシ）ベンゼン、２，２′，
４，４′−テトラヒドロキシジフェニルエーテル、２，
２′，４，４′−テトラヒドロキシジフェニルスルフォ
キシド、２，２′，４，４′−テトラヒドロキシジフェ
ニルスルフォン、トリス（４−ヒドロキシフェニル）メ
タン、１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）シクロ
ヘキサン、４，４−（α−メチルベンジリデン）ビスフ
ェノール、α，α′，α″−トリス（４−ヒドロキシフ
ェニル）−１，３，５−トリイソプロピルベンゼン、
α，α′，α″−トリス（４−ヒドロキシフェニル）−
１−エチル−４−イソプロピルベンゼン、１，２，２−
トリス（ヒドロキシフェニル）プロパン、１，１，２−
トリス（３，５−ジメチル−４−ヒドロキシフェニル）
プロパン、２，２，５，５−テトラキス（４−ヒドロキ
シフェニル）ヘキサン、１，２−テトラキス（４−ヒド
ロキシフェニル）エタン、１，１，３−トリス（ヒドロ
キシフェニル）ブタン、パラ〔α，α，α′，α′−テ
トラキス（４−ヒドロキシフェニル）〕−キシレン等を
挙げることができる。

【０１６７】好適な染料としては油性染料及び塩基性染
料がある。具体的にはオイルイエロー＃１０１、オイル
イエロー＃１０３、オイルピンク＃３１２、オイルグリ
ーンＢＧ、オイルブルーＢＯＳ，オイルブルー＃６０
３、オイルブラックＢＹ、オイルブラックＢＳ、オイル
ブラックＴ−５０５（以上オリエント化学工業株式会社
製）、クリスタルバイオレット（ＣＩ４２５５５）、メ
チルバイオレット（ＣＩ４２５３５）、ローダミンＢ
（ＣＩ４５１７０Ｂ）、マラカイトグリーン（ＣＩ４２
０００）、メチレンブルー（ＣＩ５２０１５）等を挙げ
ることができる。

【０１６８】さらに、下記に挙げるような分光増感剤を
添加し、使用する光酸発生剤が吸収を持たない遠紫外よ
り長波長領域に増感させることで、本発明の感光性組成
物をｉまたはｇ線に感度を持たせることができる。好適
な分光増感剤としては、具体的にはベンゾフェノン、
ｐ，ｐ’−テトラメチルジアミノベンゾフェノン、ｐ，
ｐ’−テトラエチルエチルアミノベンゾフェノン、２−
クロロチオキサントン、アントロン、９−エトキシアン
トラセン、アントラセン、ピレン、ペリレン、フェノチ
アジン、ベンジル、アクリジンオレンジ、ベンゾフラビ
ン、セトフラビン−Ｔ、９，１０−ジフェニルアントラ
セン、９−フルオレノン、アセトフェノン、フェナント
レン、２−ニトロフルオレン、５−ニトロアセナフテ
ン、ベンゾキノン、２−クロロ−４−ニトロアニリン、
Ｎ−アセチル−ｐ−ニトロアニリン、ｐ−ニトロアニリ
ン、、Ｎ−アセチル−４−ニトロ−１−ナフチルアミ
ン、ピクラミド、アントラキノン、２−エチルアントラ
キノン、２−tert−ブチルアントラキノン１，２−ベン
ズアンスラキノン、３−メチル−１，３−ジアザ−１，
９−ベンズアンスロン、ジベンザルアセトン、１，２−
ナフトキノン、３，３’−カルボニル−ビス（５，７−
ジメトキシカルボニルクマリン）及びコロネン等である
がこれらに限定されるものではない。また、これらの分
光増感剤は、光源の遠紫外光の吸光剤としても使用可能
である。この場合、吸光剤は基板からの反射光を低減
し、レジスト膜内の多重反射の影響を少なくさせること
で、定在波改良の効果を発現する。

【０１６９】本発明の感光性組成物は、上記各成分を溶
解する溶媒に溶かして支持体上に塗布する。ここで使用
する溶媒としては、エチレンジクロライド、シクロヘキ
サノン、シクロペンタノン、２−ヘプタノン、γ−ブチ
ロラクトン、メチルエチルケトン、エチレングリコール
モノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエ
ーテル、２−メトキシエチルアセテート、エチレングリ
コールモノエチルエーテルアセテート、プロピレングリ
コールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノ
メチルエーテルアセテート、トルエン、酢酸エチル、乳
酸メチル、乳酸エチル、メトキシプロピオン酸メチル、
エトキシプロピオン酸エチル、ピルビン酸メチル、ピル
ビン酸エチル、ピルビン酸プロピル、Ｎ，Ｎ−ジメチル
ホルムアミド、ジメチルスルホキシド、Ｎ−メチルピロ
リドン、テトラヒドロフラン等が好ましく、これらの溶
媒を単独あるいは混合して使用する。

【０１７０】上記溶媒に界面活性剤を加えることもでき
る。具体的には、ポリオキシエチレンラウリルエーテ
ル、ポリオキシエチレンステアリルエーテル、ポリオキ
シエチレンセチルエーテル、ポリオキシエチレンオレイ
ルエーテル等のポリオキシエチレンアルキルエーテル
類、ポリオキシエチレンオクチルフェノールエーテル、
ポリオキシエチレンノニルフェノールエーテル等のポリ
オキシエチレンアルキルアリルエーテル類、ポリオキシ
エチレン・ポリオキシプロピレンブロックコポリマー
類、ソルビタンモノラウレート、ソルビタンモノパルミ
テート、ソルビタンモノステアレート、ソルビタンモノ
オレエート、ソルビタントリオレエート、ソルビタント
リステアレート等のソルビタン脂肪酸エステル類、ポリ
オキシエチレンソルビタンモノラウレート、ポリオキシ
エチレンソルビタンモノパルミテ−ト、ポリオキシエチ
レンソルビタンモノステアレート、ポリオキシエチレン
ソルビタントリオレエート、ポリオキシエチレンソルビ
タントリステアレート等のポリオキシエチレンソルビタ
ン脂肪酸エステル類等のノニオン系界面活性剤、エフト
ップＥＦ３０１，ＥＦ３０３，ＥＦ３５２（新秋田化成
（株）製）、メガファックＦ１７１，Ｆ１７３ （大日
本インキ（株）製）、フロラ−ドＦＣ４３０，ＦＣ４３
１（住友スリーエム（株）製）、アサヒガードＡＧ７１
０，サーフロンＳ−３８２，ＳＣ１０１，ＳＣ１０２，
ＳＣ１０３，ＳＣ１０４，ＳＣ１０５，ＳＣ１０６（旭
硝子（株）製）等のフッ素系界面活性剤、オルガノシロ
キサンポリマーＫＰ３４１（信越化学工業（株）製）や
アクリル酸系もしくはメタクリル酸系（共）重合ポリフ
ローＮｏ．７５，Ｎｏ．９５（共栄社油脂化学工業
（株）製）等を挙げることができる。これらの界面活性
剤の配合量は、本発明の組成物中の固形分１００重量部
当たり、通常、２重量部以下、好ましくは１重量部以下
である。これらの界面活性剤は単独で添加してもよい
し、また、いくつかの組み合わせで添加することもでき
る。

【０１７１】上記感光性組成物を精密集積回路素子の製
造に使用されるような基板（例：シリコン／二酸化シリ
コン被覆）上にスピナー、コーター等の適当な塗布方法
により塗布後、所定のマスクを通して露光し、ベークを
行い現像することにより良好なレジストパターンを得る
ことができる。

【０１７２】本発明の感光性組成物の現像液としては、
水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸ナトリウム、
ケイ酸ナトリウム、メタケイ酸ナトリウム、アンモニア
水等の無機アルカリ類、エチルアミン、ｎ−プロピルア
ミン等の第一アミン類、ジエチルアミン、ジ−ｎ−ブチ
ルアミン等の第二アミン類、トリエチルアミン、メチル
ジエチルアミン等の第三アミン類、ジメチルエタノール
アミン、トリエタノールアミン等のアルコールアミン
類、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、テトラエ
チルアンモニウムヒドロキシド等の第四級アンモニウム
塩、ピロール、ピヘリジン等の環状アミン類等のアルカ
リ性水溶液を使用することができる。更に、上記アルカ
リ性水溶液にアルコール類、界面活性剤を適当量添加し
て使用することもできる。

【０１７３】

【実施例】以下、本発明を実施例により更に詳細に説明
するが、本発明の内容がこれにより限定されるものでは
ない。 ［合成例 １］トリフェニルスルホニウムＣｌ塩の４５
％水溶液１９．９ｇ（０．０３０モル）をイオン交換水
２００ｍｌに溶解した。この溶液にハード型（分岐型）
ドデシルベンゼンスルホン酸Ｎａ塩１０．５ｇ（０．０
３０モル）のイオン交換水４００ｍｌ溶液を、室温にて
撹拌下添加した。析出した粘調固体をデカントにて分離
し、イオン交換水１Ｌにて水洗した。得られた粘調固体
をアセトン１００ｍｌに溶解し、イオン交換水５００ｍ
ｌに撹拌下投入して再晶析させた。析出物を真空下、５
０℃にて乾燥した結果、ガラス状固体１５．５ｇを得
た。ＮＭＲ測定により、この固体が本発明の化合物（Ｉ
−３）であることを確認した。

【０１７４】［合成例 ２］合成例１のドデシルベンゼ
ンスルホン酸Ｎａ塩１０．５ｇ（０．０３０モル）の代
わりに分岐型オクチルオキシベンゼンスルホン酸Ｎａ塩
９．３ｇ（０．０３０モル）を用い、その他は合成例１
と同様にしてガラス状固体１３．２ｇを得た。 ＮＭＲ
測定により、この固体が本発明の化合物（Ｉ−１０）で
あることを確認した。

【０１７５】［合成例 ３］合成例１のドデシルベンゼ
ンスルホン酸Ｎａ塩１０．５ｇ（０．０３０モル）の代
わりにジブチルナフタレンスルホン酸Ｎａ塩の４０％水
溶液２５．７ｇ（０．０３０モル）を用い、その他は合
成例１と同様にしてガラス状固体１４．８ｇを得た。Ｎ
ＭＲ測定により、この固体が本発明の化合物（Ｉ−３
４）であることを確認した。

【０１７６】［合成例 ４］ジフェニルヨードニウムＣ
ｌ塩９．５ｇ（０．０３０モル）をイオン交換水２００
ｍｌに溶解した。この溶液にハード型（分岐型）ドデシ
ルベンゼンスルホン酸Ｎａ塩１０．５ｇ（０．０３０モ
ル）のイオン交換水４００ｍｌ溶液を、室温にて撹拌下
添加した。析出した粘調固体をデカントにて分離し、イ
オン交換水１Ｌにて水洗した。得られた粘調固体をアセ
トン１００ｍｌに溶解し、イオン交換水５００ｍｌに撹
拌下投入して再晶析させた。析出物を真空下、５０℃に
て乾燥した結果、ガラス状固体１４．５ｇを得た。ＮＭ
Ｒ測定により、この固体が本発明の化合物（ＩＩ−３）
であることを確認した。

【０１７７】［合成例 ５］合成例４のドデシルベンゼ
ンスルホン酸Ｎａ塩１０．５ｇ（０．０３０モル）の代
わりに分岐型オクチルオキシナフタレンスルホン酸Ｎａ
塩１２．３ｇ（０．０３０モル）を用い、その他は合成
例４と同様にしてガラス状固体１６．２ｇを得た。ＮＭ
Ｒ測定により、この固体が本発明の化合物（ＩＩ−３
１）であることを確認した。

【０１７８】［合成例 ６］４，４’−ビス（ｔ−ブチ
ルフェニル）ヨードニウムＣｌ塩１２．９ｇ（０．０３
０モル）をイオン交換水４００ｍｌに溶解した。この溶
液に９，１０−ｎ−ジブトキシ−２−アントラセンスル
ホン酸Ｎａ塩１２．７ｇ（０．０３０モル）のイオン交
換水４００ｍｌ溶液を、室温にて撹拌下添加した。析出
した粘調固体をデカントにて分離し、イオン交換水１Ｌ
にて水洗した。得られた固体をアセトン１００ｍｌに溶
解し、イオン交換水５００ｍｌに撹拌下投入して再晶析
させた。析出物を真空下、５０℃にて乾燥した結果、粉
体２１．７ｇを得た。ＮＭＲ測定により、この固体が本
発明の化合物（ＩＩ−４１）であることを確認した。以
下同様にして、本発明のスルホニウム、ヨードニウム化
合物を合成した。

【０１７９】〔溶解阻止剤化合物の合成例−１〕α,
α',α''−トリス（４−ヒドロキシフエニル）−１,
３, ５−トリイソプロピルベンゼン20g をテトラヒドロ
フラン４００mlに溶解した。この溶液に窒素雰囲気下で
tert- ブトキシカリウム14g を加え、室温にて１０分間
攪拌後、ジ−ｔｅｒｔ−ブチルジカーボネート29.2g を
加えた。室温下、３時間反応させ、反応液を氷水に注
ぎ、生成物を酢酸エチルで抽出した。酢酸エチル層を更
に水洗浄し、乾燥させた後溶媒を留去した。得られた結
晶性の固体を再結晶後（ジエチルエーテル）、乾燥さ
せ、化合物例（３１：Ｒは全てｔ−ＢＯＣ基）25.6g を
得た。

【０１８０】〔溶解阻止剤化合物の合成例−２〕α,
α',α''−トリス（４−ヒドロキシフエニル）−１,
３, ５−トリイソプロピルベンゼン20g をジエチルエー
テル400ml に溶解した。この溶液に窒素雰囲気下で３，
４−ジヒドロ−２Ｈ−ピラン３１．６ｇ、触媒量 の塩
酸を加え、リフラツクス下２４時間反応させた。反応終
了後、少量の水酸化ナトリウムを加え濾過した。濾液の
溶媒を留去し、得られた生成物をカラムクロマトグラフ
イーで精製し、乾燥させ、化合物例（３１：Ｒは総てＴ
ＨＰ基）を得た。

【０１８１】〔溶解阻止剤化合物の合成例−３〕α,
α',α" −トリス（４−ヒドロキシフエニル）−１,
３, ５−トリイソプロピルベンゼン１９．２ｇ（０．０
４０モル）のＮ，Ｎ−ジメチルアセトアミド１２０ｍｌ
溶液に、炭酸カリウム２１．２ｇ（０．１５モル）、更
にブロモ酢酸ｔ−ブチル２７．１ｇ（０．１４モル）を
添加し、１２０℃にて７時間撹拌した。その後反応混合
物を水１．５ｌに投入し、酢酸エチルにて抽出した。硫
酸マグネシウムにて乾燥後、抽出液を濃縮し、カラムク
ロマトグラフイー（担体：シリカゲル，展開溶媒：酢酸
エチル／ｎ−ヘキサン＝３／７（体積比））にて精製し
た結果淡黄色粘稠固体３０ｇを得た。ＮＭＲにより、こ
れが化合物例（３１：Ｒは総て−ＣＨ₂ ＣＯＯＣ₄ Ｈ₉
^t 基）であることを確認した。

【０１８２】〔溶解阻止剤化合物の合成例−４〕１−
［α−メチル−α−（４' −ヒドロキシフェニル）エチ
ル］−４−［α'，α' −ビス（４" −ヒドロキシフェ
ニル）エチル］ベンゼン４２．４ｇ（０．１０モル）を
Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド３００ｍｌに溶解し、こ
れに炭酸カリウム４９．５ｇ（０．３５モル）、及びブ
ロモ酢酸クミルエステル８４．８ｇ（０．３３モル）を
添加した。その後、１２０℃にて７時間撹拌した。反応
混合物をイオン交換水２ｌに投入し、酢酸にて中和した
後、酢酸エチルにて抽出した。酢酸エチル抽出液を濃縮
し、合成例［３］と同様に精製し、化合物例（１８：Ｒ
は総て−ＣＨ₂ ＣＯＯＣ（ＣＨ₃ ）₂ Ｃ₆ Ｈ₅ 基）７０
ｇを得た。

【０１８３】〔溶解阻止剤化合物の合成例−５〕α,
α, α',α',α",α" −ヘキサキス（４−ヒドロキシフ
エニル）−１, ３, ５−トリエチルベンゼン１４．３ｇ
（０．０２０モル）のＮ, Ｎ−ジメチルアセトアミド１
２０ｍｌ溶液に、炭酸カリウム２１．２ｇ（０．１５モ
ル）、更にブロモ酢酸ｔ−ブチル２７．１ｇ（０．１４
モル）を添加し、１２０℃にて７時間撹拌した。その
後、反応混合物を水１．５ｌに投入し、酢酸エチルにて
抽出した。硫酸マグネシウムにて乾燥後、抽出液を濃縮
し、カラムクロマトグラフイー（担体：シリカゲル、展
開溶媒：酢酸エチル／ｎ−ヘキサン＝２／８( 体積
比)）にて精製した結果、淡黄色粉体２４ｇを得た。Ｎ
ＭＲにより、これが化合物例（６２：Ｒは総て−ＣＨ₂
−ＣＯＯ−Ｃ₄ Ｈ₉ ^t 基）であることを確認した。

【０１８４】〔溶解阻止剤化合物の合成例−６〕α,
α',α" −トリス（４−ヒドロキシフエニル）−１,
３, ５−トリイソプロピルベンゼン２０ｇ（０．０４２
モル）をテトラヒドロフラン（ＴＨＦ）４００ｍｌに溶
解した。この溶液に窒素雰囲気下でｔ−ブトキシカリウ
ム９．３ｇ（０．０８３モル）を加え、室温にて１０分
間撹拌後、ジ−ｔ−ブチルジカーボネート１９．５ｇ
（０．０８７モル）を加えた。室温下、３時間反応さ
せ、反応液を氷水に注ぎ、生成物を酢酸エチルで抽出し
た。酢酸エチル抽出液を濃縮し、カラムクロマトグラフ
イー（担体：シリカゲル、展開溶媒：酢酸エチル／ｎ−
ヘキサン＝１／５( 体積比) ）にて分別精製した結果、
化合物例( ３１：２個のＲはｔ−ＢＯＣ基、１個のＲは
水素原子) ７ｇを得た。

【０１８５】〔溶解阻止剤化合物の合成例−７〕α,
α',α" −トリス（４−ヒドロキシフエニル）−１,
３, ５−トリイソプロピルベンゼン４８．１ｇ（０．１
０モル）をジメチルアセトアミド３００ｍｌに溶解し、
これに炭酸カリウム２２．１ｇ（０．１６モル）、及び
ブロモ酢酸ｔ−ブチル４２．９ｇ（０．２２モル）を添
加した。その後、１２０℃にて５時間撹拌した。反応混
合物をイオン交換水２ｌに投入し、酢酸にて中和した
後、酢酸エチルで抽出した。酢酸エチル抽出液を濃縮
し、カラムクロマトグラフイー（担体：シリカゲル、展
開溶媒：酢酸エチル／ｎ−ヘキサン＝１／５( 体積比)
）にて分別精製した結果、化合物例（３１：２個のＲ
は−ＣＨ₂ −ＣＯＯ−Ｃ₄ Ｈ₉ ^t 基、１個のＲは水素原
子）１０ｇを得た。

【０１８６】〔ポリマーの合成例−１〕２１ｇのパラヒ
ドロキシスチレンと１１．５ｇのｔ−ブチルビニルエー
テルを１００ｍｌのＴＨＦに溶解し、そこへｐ−トルエ
ンスルホン酸０．００５ｇを加え、室温にて２４時間攪
拌した。その反応液を水３リットルに投入し、析出した
粉体をろ取、乾燥し、目的物（Ｐ−１）（重量平均分子
量１１，０００）を得た。保護率は６０％であった。

【０１８７】〔ポリマーの合成例−２〕２１ｇのパラヒ
ドロキシスチレンと５．８ｇのｔ−ブチルビニルエーテ
ル、及び０．８６ｇの２，２−ビス（４−ヒドロキシシ
クロヘキシル）プロパンを１００ｍｌのＴＨＦに溶解
し、そこへｐ−トルエンスルホン酸０．００５ｇを加
え、室温にて２４時間攪拌した。その反応液を水３リッ
トルに投入し、析出した粉体をろ取、乾燥し、目的物
（Ｐ−２）（重量平均分子量４５，０００）を得た。保
護率は３０％であった。

【０１８８】実施例１〜１５、及び比較例１〜２ 上記合成例で示した本発明の化合物を用いレジストを調
製した。そのときの処方を下記表１に示す。

【０１８９】

【表１】

【０１９０】表１において使用した略号は下記の内容を
表す。 ＜ポリマー＞（ ）内はモル比 PHS/EES p-ヒドロキシスチレン／p-(1- エトキシエトキシ) スチレン共重 合体（７０／３０） （重量平均分子量21,000） PHS/BES p-ヒドロキシスチレン／p-(1-t- ブトキシエトキシ) スチレン共 重合体（７０／３０） （重量平均分子量22,000） PHS/TBOMS p-ヒドロキシスチレン／t-ブトキシカルボニルメチルオキシスチ レン共重合体（８０／２０）（重量平均分子量20,000） PHS/THPS p-ヒドロキシスチレン／p-(2- テトラヒドロピラニルオキシ) スチレン共重合体(70/30) （重量平均分子量22,000） PHS/St p-ヒドロキシスチレン／スチレン共重合体（８５／１５） （重量平均分子量35,000） PHS/AcST p-ヒドロキシスチレン／ｐ−アセトキシスチレン共重合体 （80／20） （重量平均分子量20,000） PHS/OHS p-ヒドロキシスチレン／ｏ−ヒドロキシスチレン共重合体 （80／20） （重量平均分子量32,000）

【０１９１】＜有機塩基性化合物＞

【０１９２】

【化７８】

【０１９３】＜溶解阻止剤中酸分解性基＞

【０１９４】

【化７９】

【０１９５】［感光性組成物の調製と評価］表１に示す
各素材に、プロピレングリコールモノメチルエーテルア
セテート９．５ｇに溶解し、０．２μｍのフィルターで
濾過してレジスト溶液を作成した。このレジスト溶液
を、スピンコーターを利用して、シリコンウエハー上に
塗布し、１１０℃９０秒間真空吸着型のホットプレート
で乾燥して、膜厚０．８３μｍのレジスト膜を得た。こ
のレジスト膜に、２４８ｎｍＫｒＦエキシマレーザース
テツパー（ＮＡ＝０．４２）を用いて露光を行った。露
光直後にそれぞれ１００℃の真空吸着型ホットプレート
で６０秒間加熱を行い、ただちに２．３８％テトラメチ
ルアンモニウムハイドロオキサイド（ＴＭＡＨ）水溶液
で６０秒間浸漬し、３０秒間水でリンスして乾燥した。
このようにして得られたシリコンウエハー上のパターン
のプロファイル、感度、解像力を各々下記のように評価
し、比較した。その結果を下記表２に示す。

【０１９６】〔感度〕感度は０．４０μｍのマスクパタ
ーンを再現する露光量をもって定義した。 〔解像力〕解像力は０．４０μｍのマスクパターンを再
現する露光量における限界解像力を表す。

【０１９７】〔線幅変化〕更に同様にして露光後２時間
経時した後、上記の通り加熱し、ただちに２．３８％テ
トラメチルアンモニウムハイドロオキサイド（ＴＭＡ
Ｈ）水溶液で６０秒間浸漬し、３０秒間水でリンスして
乾燥した。このようにして得られた０．３５μｍのマス
クパターンの線巾を測り、露光直後での値からの変化率
を計算した。その結果を表２に示す。

【０１９８】

【表２】

【０１９９】表２の結果から本発明のレジストは、良好
なプロファイルと高感度、高解像力を有し、且つ比較例
１〜２に対し露光後経時でのパターンの線巾変化の小さ
いポジ型感光性組成物であることがわかる。

【０２００】

【発明の効果】本発明の化学増幅型のポジ型感光性組成
物により、良好なプロファイルと高感度、高解像力を有
し、露光後経時での性能変化の少ないポジ型感光性組成
物を提供することができる。

フロントページの続き (72)発明者 児玉 邦彦 静岡県榛原郡吉田町川尻4000番地 富士写 真フイルム株式会社内

Claims (6)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 （Ａ）有機塩基性化合物、（Ｂ）活性光
   線または放射線の照射により、スルホン酸を発生する下
   記一般式（Ｉ）または（II）で表される化合物、及び
   （Ｃ）酸の作用により分解し、アルカリ現像液中での溶
   解性を増大させる基を有する樹脂を含有し、且つ前記
   （Ｂ）の化合物と（Ａ）の有機塩基性化合物の組成物中
   の含有モル比〔（Ｂ）／（Ａ）〕が、２．５〜３０．０
   であることを特徴とするポジ型感光性組成物。 【化１】 式中、Ｒ₁ 〜Ｒ₅ は水素原子、アルキル基、シクロアル
   キル基、アルコキシ基、ヒドロキシ基、ハロゲン原子、
   又は−Ｓ−Ｒ₆ 基を示す。Ｒ₆ はアルキル基、又はアリ
   ール基を示す。Ｘ^- は、分岐状又は環状の炭素数８個以
   上のアルキル基及びアルコキシ基の群の中から選ばれる
   基を少なくとも１個有するか、直鎖状、分岐状又は環状
   の炭素数４〜７個のアルキル基及びアルコキシ基の群の
   中から選ばれる基を少なくとも２個有するか、もしくは
   直鎖状又は分岐状の炭素数１〜３個のアルキル基及びア
   ルコキシ基の群の中から選ばれる基を少なくとも３個有
   するベンゼンスルホン酸、ナフタレンスルホン酸又はア
   ントラセンスルホン酸のアニオンを示す。
2. 【請求項２】 酸により分解し得る基を有し、アルカリ
   現像液中での溶解度が酸の作用により増大する、分子量
   ３０００以下の低分子酸分解性溶解阻止化合物を含有す
   ることを特徴とする請求項１に記載のポジ型感光性組成
   物。
3. 【請求項３】 水に不溶でアルカリ水溶液に可溶な樹脂
   を含有することを特徴とする請求項１又は２に記載のポ
   ジ型感光性組成物。
4. 【請求項４】 前記（Ｃ）の樹脂が、部分的にアセター
   ル基で保護されたポリ−ｐ−ヒドロキシスチレンである
   ことを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の
   ポジ型感光性組成物。
5. 【請求項５】 前記部分的にアセタール基で保護された
   ポリ−ｐ−ヒドロキシスチレンが架橋構造を含むことを
   特徴とする請求項４に記載のポジ型感光性組成物。
6. 【請求項６】 （Ａ）有機塩基性化合物、酸により分解
   し得る基を有し、アルカリ現像液中での溶解度が酸の作
   用により増大する、分子量３０００以下の低分子酸分解
   性溶解阻止化合物、水に不溶でアルカリ水溶液に可溶な
   樹脂、及び（Ｂ）活性光線または放射線の照射により、
   スルホン酸を発生する前記請求項１に記載の一般式
   （Ｉ）または（II）で表される化合物を含有し、且つ前
   記（Ｂ）の化合物と（Ａ）の有機塩基性化合物の組成物
   中の含有モル比〔（Ｂ）／（Ａ）〕が、２．５〜３０．
   ０であることを特徴とするポジ型感光性組成物。