JP2002333713A5

JP2002333713A5 -

Info

Publication number: JP2002333713A5
Application number: JP2001138738A
Authority: JP
Filing date: 2001-05-09
Publication date: 2006-01-19
Anticipated expiration: 2021-05-09

Description

【特許請求の範囲】
【請求項１】（ａ）電子線またはＸ線の照射により酸を発生する化合物、
（ｂ１）酸の作用により脱離する基の中に、ｐ−エチルフェノールのイオン化ポテンシャル値より小さいイオン化ポテンシャル値を示す化合物の残基を有する、酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解性が増大する樹脂、及び
（ｃ）一般式（Ａ）または一般式（Ｂ）で表されるアセタール化合物のうち少なくとも一種
を含有することを特徴とする電子線またはＸ線用ポジ型レジスト組成物。
【化１】

式（Ａ）または（Ｂ）中、Ｒ₁’およびＲ₂’は互いに独立して炭素数１〜３０の有機基を表す。
【請求項２】前記（ｂ１）樹脂が、水酸基を有するアルカリ可溶性ポリマーと下記一般式（C）で表されるビニルエーテル化合物および下記一般式（D）で表されるアルコール化合物とを酸触媒下反応させて得られる樹脂であることを特徴とする請求項１記載の電子線またはＸ線用ポジ型レジスト組成物。
【化２】

式（Ｃ）中、Ｒ₃’は炭素数１〜３０の有機基を表す。
式（Ｄ）中、Ｗは２価の有機基を表す。Ｘは有機基であり、ＨＯ−Ｘのイオン化ポテンシャル（Ｉｐ）の値がｐ−エチルフェノールのＩｐ値より小さい値を示す基である。ｎは０〜４の整数を表す。ｎが２〜４のとき、複数のＷは同じでも異なっていても良い。
【請求項３】（ａ）電子線またはＸ線の照射により酸を発生する化合物、
（ｂ２）式（Ｉ）で表される繰り返し単位を有する、酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解性が増大する樹脂、及び
（ｃ）請求項１に記載の一般式（Ａ）または一般式（Ｂ）で表されるアセタール化合物のうち少なくとも一種
を含有することを特徴とする電子線またはＸ線用ポジ型レジスト組成物。
【化３】

式（Ｉ）中、Ｒ¹は水素原子またはメチル基を表す。Ｒ²及びＲ³は、各々独立に水素原子または炭素数１〜４のアルキル基を表す。Ｗ、Ｘ、ｎは前記と同義である。
【請求項４】Ｘが式（II）で表されることを特徴とする請求項２又は３記載の電子線またはＸ線用ポジ型レジスト組成物。
−Ｌ−Ｙ（II）
式(II)中、Ｌは単結合又はアルキレン基を表す。Ｙは
【化４】

の群から選ばれる基を表す。Ｒ⁴は、各々独立に炭素数１〜６の直鎖又は分岐のアルキル基を表す。ｎ１は０〜３の整数、ｎ２は０〜７の整数、ｎ３は０〜９の整数、ｎ４は０〜９の整数、ｎ５は０〜９の整数を表す。
【請求項５】前記（ｃ）アセタール化合物の総量が、前記（ｂ１）あるいは（ｂ２）のポリマーの総重量に対して０．１重量部以上１００重量部未満であることを特徴とする、請求項１〜４のいずれかに記載の電子線またはＸ線用ポジ型レジスト組成物。
【請求項６】（ａ）電子線またはＸ線の照射により酸を発生する化合物が、一般式(Ｉ')〜(III'）のいずれかで表される化合物のうち少なくとも１つを含有することを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載の電子線またはＸ線用ポジ型レジスト組成物。
【化５】

式中、Ｒ₁〜Ｒ₃₇は、同一又は異なって、水素原子、直鎖状、分岐状あるいは環状アルキル基、直鎖状、分岐状あるいは環状アルコキシ基、ヒドロキシル基、ハロゲン原子、又は−Ｓ−Ｒ₃₈基を表す。Ｒ₃₈は、直鎖状、分岐状あるいは環状アルキル基又はアリール基を表す。また、Ｒ₁〜Ｒ₁₅、Ｒ₁₆〜Ｒ₂₇、Ｒ₂₈〜Ｒ₃₇のうち、２つ以上が結合して、単結合、炭素、酸素、イオウ、及び窒素から選択される１種又は２種以上を含む環を形成していてもよい。
Ｘ^-は、スルホン酸のアニオンを表す。
【請求項７】請求項１〜６のいずれかに記載の電子線またはＸ線用ポジ型レジスト組成物によりレジスト膜を形成し、当該レジスト膜に電子線またはＸ線を照射し、現像することを特徴とするパターン形成方法。