JP2002278068A5 - - Google Patents
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【特許請求の範囲】
【請求項1】 (A)電子線又はX線の照射によりスルホン酸を発生する化合物、
(B)水不溶でアルカリ水溶液に可溶な樹脂、
(C)酸の作用により(B)の樹脂と架橋を生じる架橋剤、及び
(D)電子線又はX線の照射により、下記一般式(a)で表されるカルボン酸を発生する化合物
を含有することを特徴とする電子線又はX線用ネガ型レジスト組成物。
Ra-COOH (a)
式中、Raは、炭素数1〜4のアルキル基、又は炭素数1〜8のパーフルオロアルキル基を表す。
【請求項2】 さらに(E)含窒素有機塩基性化合物
を含有することを特徴とする請求項1に記載の電子線又はX線用ネガ型レジスト組成物。
【請求項3】 (B)成分の樹脂が、下記一般式(b)で表される繰り返し単位を含有する樹脂であることを特徴とする請求項1又は2に記載の電子線又はX線用ネガ型レジスト組成物。
【化1】
式中、 R1は水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、置換基を有していても良い、アルキル基又はハロアルキル基を表す。R2は水素原子、置換基を有していても良い、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アラルキル基、あるいはアシル基を表す。R3、R4は同じでも異なっていても良く、水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、又は置換基を有していても良い、アルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基、アラルキル基、もしくはアリール基を表す。
Aは単結合、置換基を有しても良い、アルキレン基、アルケニレン基、シクロアルキレン基、もしくはアリーレン基、又は−O−、−SO2−、−O−CO−R5−、−CO−O−R6−、−CO−N(R7)−R8−を表す。
R5、R6、R8は同じでも異なっていても良く、単結合、置換基を有しても良い、アルキレン基、アルケニレン基、シクロアルキレン基、もしくはアリーレン基の単独、又はこれらの基とエーテル構造、エステル構造、アミド構造、ウレタン構造もしくはウレイド構造の群より選択される少なくとも1種が一緒になって形成した2価の基を表す。
R7は同じでも異なっていても良く、水素原子、置換基を有していても良い、アルキル基、シクロアルキル基、アラルキル基、又はアリール基を表す。
nは1〜3の整数を表す。また複数のR2、又はR2とR3もしくはR4が結合して環を形成しても良い。
【請求項4】 (B)成分の樹脂が、下記一般式(b-2)又は(b-3)で表される繰返し単位から選ばれる少なくとも1種を含有することを特徴とする請求項1又は2に記載の電子線又はX線用ネガ型レジスト組成物。
【化2】
式中、R1とAは、一般式(b)のR1、Aとそれぞれ同義である。R101〜R106は、それぞれ独立に、ヒドロキシ基、直鎖状、分岐状、あるいは環状のアルキル基、アルコキシ基、アルキルカルボニルオキシ基、アルキルスルホニルオキシ基、アルケニル基、アリール基、アラルキル基、カルボキシ基、アミノ基、N−アルキルアミノ基、又はN−ジアルキルアミノ基を表す。a〜fは、それぞれ独立に0〜3の整数を表す。Yは、下記縮合多環式芳香族構造から選ばれるいずれかを表す。
【化3】
【請求項5】 請求項1〜4のいずれかに記載の電子線又はX線用ネガ型レジスト組成物によりレジスト膜を形成し、当該レジスト膜に電子線又はX線を照射し、現像することを特徴とするパターン形成方法。
【請求項1】 (A)電子線又はX線の照射によりスルホン酸を発生する化合物、
(B)水不溶でアルカリ水溶液に可溶な樹脂、
(C)酸の作用により(B)の樹脂と架橋を生じる架橋剤、及び
(D)電子線又はX線の照射により、下記一般式(a)で表されるカルボン酸を発生する化合物
を含有することを特徴とする電子線又はX線用ネガ型レジスト組成物。
Ra-COOH (a)
式中、Raは、炭素数1〜4のアルキル基、又は炭素数1〜8のパーフルオロアルキル基を表す。
【請求項2】 さらに(E)含窒素有機塩基性化合物
を含有することを特徴とする請求項1に記載の電子線又はX線用ネガ型レジスト組成物。
【請求項3】 (B)成分の樹脂が、下記一般式(b)で表される繰り返し単位を含有する樹脂であることを特徴とする請求項1又は2に記載の電子線又はX線用ネガ型レジスト組成物。
【化1】
式中、 R1は水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、置換基を有していても良い、アルキル基又はハロアルキル基を表す。R2は水素原子、置換基を有していても良い、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アラルキル基、あるいはアシル基を表す。R3、R4は同じでも異なっていても良く、水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、又は置換基を有していても良い、アルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基、アラルキル基、もしくはアリール基を表す。
Aは単結合、置換基を有しても良い、アルキレン基、アルケニレン基、シクロアルキレン基、もしくはアリーレン基、又は−O−、−SO2−、−O−CO−R5−、−CO−O−R6−、−CO−N(R7)−R8−を表す。
R5、R6、R8は同じでも異なっていても良く、単結合、置換基を有しても良い、アルキレン基、アルケニレン基、シクロアルキレン基、もしくはアリーレン基の単独、又はこれらの基とエーテル構造、エステル構造、アミド構造、ウレタン構造もしくはウレイド構造の群より選択される少なくとも1種が一緒になって形成した2価の基を表す。
R7は同じでも異なっていても良く、水素原子、置換基を有していても良い、アルキル基、シクロアルキル基、アラルキル基、又はアリール基を表す。
nは1〜3の整数を表す。また複数のR2、又はR2とR3もしくはR4が結合して環を形成しても良い。
【請求項4】 (B)成分の樹脂が、下記一般式(b-2)又は(b-3)で表される繰返し単位から選ばれる少なくとも1種を含有することを特徴とする請求項1又は2に記載の電子線又はX線用ネガ型レジスト組成物。
【化2】
式中、R1とAは、一般式(b)のR1、Aとそれぞれ同義である。R101〜R106は、それぞれ独立に、ヒドロキシ基、直鎖状、分岐状、あるいは環状のアルキル基、アルコキシ基、アルキルカルボニルオキシ基、アルキルスルホニルオキシ基、アルケニル基、アリール基、アラルキル基、カルボキシ基、アミノ基、N−アルキルアミノ基、又はN−ジアルキルアミノ基を表す。a〜fは、それぞれ独立に0〜3の整数を表す。Yは、下記縮合多環式芳香族構造から選ばれるいずれかを表す。
【化3】
【請求項5】 請求項1〜4のいずれかに記載の電子線又はX線用ネガ型レジスト組成物によりレジスト膜を形成し、当該レジスト膜に電子線又はX線を照射し、現像することを特徴とするパターン形成方法。
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JP3982958B2 (ja) * | 1999-08-30 | 2007-09-26 | 富士フイルム株式会社 | ポジ型感光性組成物 |
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2001
- 2001-03-21 JP JP2001080858A patent/JP4092083B2/ja not_active Expired - Fee Related
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2002
- 2002-03-18 TW TW091105074A patent/TWI251121B/zh not_active IP Right Cessation
- 2002-03-20 KR KR1020020015120A patent/KR100891133B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2002-03-20 US US10/101,178 patent/US6887647B2/en not_active Expired - Fee Related