JP2002099085A5 - - Google Patents

Description

【特許請求の範囲】
【請求項１】 （Ａ）電子線又はＸ線の照射により、酸を発生する化合物、（Ｂ）メタ位に少なくともＯＨ基を１個有するフェノール構造を含む繰り返し単位を含有し、分子量分布が１．０〜１．５の範囲にある、水不溶でアルカリ水溶液に可溶な樹脂、及び（Ｃ）酸の作用により（Ｂ）の樹脂と架橋を生じる架橋剤、を含有することを特徴とする電子線又はＸ線用ネガ型レジスト組成物。
【請求項２】 （Ｂ）成分の樹脂が、一般式（ａ）の繰り返し単位を含有する樹脂であることを特徴とする請求項１に記載の電子線又はＸ線用ネガ型レジスト組成物。
【化１】

式中、 Ｒ₁は水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、置換基を有していても良い、アルキル基、オキシアルキル基又はハロアルキル基を表す。ｘは０〜３の整数を表す。Ｒ₂は水素原子、置換基を有していても良い、アルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基、アラルキル基、アリール基、あるいはアシル基を表す。Ｒ₂が複数存在するとき、複数のＲ₂は同じでも異なっていてもよい。Ｒ₃は水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、又は置換基を有していても良い、アルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基、アラルキル基、もしくはアリール基を表す。Ｒ₃が複数存在するとき、複数のＲ₃は同じでも異なっていてもよい。また複数のＲ₂のうちの二つ、複数のＲ₃のうちの二つ、又はＲ₂とＲ₃は、結合して環を形成しても良い。Ａ₁は単結合、置換基を有しても良い、２価のアルキレン基、アルケニレン基、シクロアルキレン基、もしくはアリーレン基、又は−Ｏ−、−ＳＯ₂−、−Ｏ−ＣＯ−Ｒ₅−、−ＣＯ−Ｏ−Ｒ₆−、又は−ＣＯ−Ｎ（Ｒ₇）−Ｒ₈−を表す。Ｒ₅、Ｒ₆及びＲ₈は同じでも異なっていても良く、単結合、又はエーテル基、エステル基、アミド基、ウレタン基もしくはウレイド基を有しても良く、また置換基を有しても良い、２価のアルキレン基、アルケニレン基、シクロアルキレン基、又はアリーレン基を表す。Ｒ₇は水素原子、置換基を有していても良い、アルキル基、シクロアルキル基、アラルキル基、又はアリール基を表す。
【請求項３】 更に（Ｄ）有機塩基性化合物を含有することを特徴とする請求項１〜２に記載の電子線又はＸ線用ネガ型レジスト組成物。
【請求項４】 （Ａ）成分の化合物が、スルホニウム、又はヨードニウムのスルホン酸塩化合物から選択されることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の電子線又はＸ線用ネガ型レジスト組成物。
【請求項５】 （Ａ）成分の化合物が、Ｎ−ヒドロキシイミドのスルホン酸エステル化合物、ジスルホン化合物、又はジスルホニルジアゾメタン化合物であることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の電子線又はＸ線用ネガ型レジスト組成物。
【請求項６】 請求項１〜５のいずれかに記載の電子線又はＸ線用ネガ型レジスト組成物によりレジスト膜を形成し、当該レジスト膜に電子線又はＸ線を照射し、現像することを特徴とするパターン形成方法。