JP2004078105A5 - - Google Patents

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Claims (3)

  1. (A)下記一般式(1)で表されるオキシムスルホネート化合物、
    (B)下記一般式(X)で表される構造単位を有し、酸の作用により分解し、アルカリ現像液に対する溶解性が増大する樹脂、及び、
    (C)一般式(2)で表されるモノマーに由来する繰り返し単位を含有するフルオロ脂肪族含有高分子化合物とを含有することを特徴とするポジ型フォトレジスト組成物。
    Figure 2004078105
    一般式(1)中、R1及びR2は、各々独立に、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、複素環基又はシアノ基を表す。R1とR2は結合して環を形成してもよい。R3はアルキル基又はアリール基を表す。
    また、R1とR2は、単結合又は連結基を介して、別の一般式(1)で表される化合物のR1またはR2と結合されていても良い。
    Figure 2004078105
    一般式(X)中、R4及びR5は、各々独立に、水素原子又はアルキル基を表す。Zはアルキル基を表す。
    mは1〜20の整数を表す。
    Figure 2004078105
    一般式(2)においてR6は水素原子またはメチル基を表し、Xは酸素原子、イオウ原子または−N(R7)−を表し、pは1以上6以下の整数、qは2〜4の整数を表す。R7は水素原子または炭素数1〜4のアルキル基を表す。
  2. 更に下記一般式(3)で表される活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物を含有することを特徴とする請求項1に記載のポジ型フォトレジスト組成物。
    Figure 2004078105
    一般式(3)中、R8及びR9は、各々独立に、アルキル基又はアリール基を表す。
  3. 請求項1又は2に記載のフォトレジスト組成物によりレジスト膜を形成し、当該レジスト膜を露光、現像することを特徴とするパターン形成方法。
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