JP2004302080A5 - - Google Patents

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  1. （ａ）下記一般式（Ｘ）で示される基を含有する構造単位を有し、重量平均分子量が５０００以下で、酸分解基が、樹脂中の酸分解性基と酸分解性基で保護されていないアルカリ可溶性基の数の合計の４０％以下である、酸の作用により分解してアルカリ現像液に対する溶解性が増大する樹脂、及び（ｂ）活性放射線の照射により酸を発生する化合物を含有することを特徴とするポジ型レジスト組成物。
    Figure 2004302080
     一般式（Ｘ）中、Ｒ１及びＲ２は、同一でも異なっていてもよく、水素原子又は炭素数１〜４のアルキル基を表す。Ｒ３及びＲ４は、同一でも異なっていてもよく、水素原子又はアルキル基を表す。Ｚは、フェニル基又は脂環基を表す。ｍは１〜２０の整数を表す。
  2. さらに、含窒素塩基性化合物を含有することを特徴とする、請求項１に記載のポジ型レジスト組成物。
  3. 請求項１または２に記載のポジ型レジスト組成物によりレジスト膜を形成し、当該レジスト膜を露光、現像することを特徴とするパターン形成方法。
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