JP2003140343A5 - - Google Patents

Claims (4)

1. （ａ）下記一般式（Ｘ）で示される基を含有する構造単位を有し、酸の作用により分解してアルカリ現像液に対する溶解性が増大する樹脂（Ａ）及び／又は下記一般式（Ｙ）で示される基を含有する構造単位を有し、酸の作用により分解してアルカリ現像液に対する溶解性が増大する樹脂（Ｂ）、並びに下記一般式（Ｑ）で示される基を含有する構造単位を有し、酸の作用により分解してアルカリ現像液に対する溶解性が増大する樹脂（Ｃ）、並びに（ｂ）活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物を含有することを特徴とするポジ型レジスト組成物。
   一般式（Ｘ）中、Ｒ¹、Ｒ²は、同一でも異なっていてもよく、水素原子又は置換基を有していてもよいアルキル基を表わす。ｍは、１〜２０の整数を表わす。
   上記式中、Ｒ³は、置換基を有していてもよい、アルキル基、アリール基又はアラルキル基を表わす。ｎは、０〜５の整数を表わす。
   一般式（Ｙ）中、Ｒ⁴は、アルキル基を表わす。
   一般式（Ｑ）中、Ｒ⁵、Ｒ⁶は、同一でも異なっていてもよく、水素原子又はアルキル基を表す。Ｘは、置換基を有していてもよいアルキレン基を表す。Ｙは、２価の連結基を表す。Ｚ²は、置換基を有していてもよいヘテロ環基を表す。ｌは、０又は１を表す。
2. （ｂ）の活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物が、スルホニウム塩構造を有する化合物又はジアゾジスルホン構造を有する化合物であることを特徴とする請求項１に記載のポジ型レジスト組成物。
3. （ｂ）の活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物が、スルホニウム塩構造を有する化合物及びジアゾジスルホン構造を有する化合物であることを特徴とする請求項１に記載のポジ型レジスト組成物。
4. 請求項１〜３のいずれかに記載のポジ型レジスト組成物によりレジスト膜を形成し、当該レジスト膜を露光、現像することを特徴とするパターン形成方法。