JP2000147774A5 - - Google Patents
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Claims (2)
- 下記一般式（Ｉ）で示される繰り返し単位を含有し、酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解速度が増加する樹脂、活性光線または放射線の照射により酸を発生する化合物および溶剤を含有することを特徴とするポジ型レジスト液。
Ｚは、単結合、エーテル基、エステル基、アミド基、アルキレン基又はそれらを組み合わせた２価の基を表す。
Ｒ4は、単結合、アルキレン基、アリーレン基、又はそれらを組み合わせた２価の基を表す。
Ｒ5は、アルキル基、アリール基又はアラルキル基を表す。
Ａ；下記に示す官能基のいずれかを表す。
- 請求項１に記載のポジ型レジスト液によりポジ型レジスト膜を形成し、当該ポジ型レジスト膜を露光、現像することを特徴とするパターン形成方法。
Priority Applications (3)
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Applications Claiming Priority (1)
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| JP32378398A JP3835786B2 (ja) | 1998-11-13 | 1998-11-13 | ポジ型レジスト液 |
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1998
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