JP2001117232A5

JP2001117232A5 -

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Publication number: JP2001117232A5
Application number: JP1999297145A
Authority: JP
Filing date: 1999-10-19
Publication date: 2005-07-14
Anticipated expiration: 2019-10-19

Claims

（Ａ）下記一般式（Ｉ）及び(II)で示される繰り返し構造単位を含有し、酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解速度が増加する樹脂であり、更に、その分子鎖の少なくとも一方の末端に下記構造式（１）で表される基を有する樹脂、

（上記一般式（Ｉ）、（II）中、Ｒ₁は、水素原子又はメチル基を表す。Ｒ₂は炭素数１〜４のアルキル基を表す。
Ｗは、単結合、アルキレン基、エーテル基、チオエーテル基、カルボニル基、エステル
基よりなる群から選択される単独あるいは２つ以上の基の組み合わせを表す。
Ｒａ，Ｒｂ，Ｒｃ，Ｒｄ，Ｒｅは各々独立に、水素原子又は炭素数１〜４のアルキル基を表す。ｍ，ｎは各々独立に０〜３の整数を表し、ｍ＋ｎは、２以上６以下である。）
−Ｘ₁−Ａ₁ （１）
（式中、Ｘ₁は−Ａ₂−、−Ｓ−Ａ₂−、−Ｏ−Ａ₂−、−ＮＨ−Ａ₂−、−ＮＡ₃−Ａ₂
−、
Ａ₁はアルコキシ基、水酸基、カルボキシル基、−ＣＯＯ−Ａ₃、−ＣＯＮＨ−Ａ₃、−ＣＯＮＨＳＯ₂ −Ａ₃、−ＣＯＮＨ₂ 、
Ａ₂は炭素数１〜２０の２価の炭化水素基、
Ａ₃はアルキル基を示す。）
及び
（Ｂ）活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物
を含有することを特徴とする遠紫外線露光用ポジ型レジスト組成物。
上記（Ａ）酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解速度が増加する樹脂が下記一般式（III-a）〜（III-ｄ）で示される繰り返し構造単位のうち少なくとも１種を含有することを特徴とする請求項１に記載の遠紫外線露光用ポジ型レジスト組成物。

（上記式中、Ｒ₁は、水素原子又はメチル基を表す。
Ｒ₃〜Ｒ₁₀は、各々独立に、水素原子又は置換基を有していてもよいアルキル基を表す。
Ｒは、水素原子あるいは、置換基を有していてもよい、アルキル基、環状アルキル基、アリール基又はアラルキル基を表す。
ｍは、１〜１０の整数を表す。
Ｘは、単結合又は、置換基を有していてもよい、アルキレン基、環状アルキレン基、アリーレン基あるいは、エーテル基、チオエーテル基、カルボニル基、エステル基、アミド基、スルフォンアミド基、ウレタン基、ウレア基からなる群から選択される単独、あるいはこれらの基の少なくとも２つ以上が組み合わされ、酸の作用により分解しない２価の基を表す。
Ｚは、単結合、エーテル基、エステル基、アミド基、アルキレン基、又はこれらを組み合わせた２価の基を表す。
Ｒ₁₁は、単結合、アルキレン基、アリーレン基、又はこれらを組み合わせた２価の基を表す。
Ｒ₁₂は置換基を有していてもよい、アルキル基、環状アルキル基、アリール基又はアラルキル基を表す。
Ｒ₁₃は、アルキレン基、アリーレン基、又はこれらを組み合わせた２価の基を表す。
Ｒ₁₄は、水素原子あるいは、置換基を有していてもよい、アルキル基、環状アルキル基、アルケニル基、アリール基又はアラルキル基を表す。
Ａは、下記に示す官能基のいずれかを表す。）
フッ素系及び／又はシリコン系界面活性剤を含有することを特徴とする請求項１又は２に記載の遠紫外線露光用ポジ型レジスト組成物。
請求項１〜３のいずれかに記載の遠紫外線露光用ポジ型レジスト組成物によりレジスト膜を形成し、当該レジスト膜を露光、現像することを特徴とするパターン形成方法。