JP2003177538A5

JP2003177538A5 -

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Publication number: JP2003177538A5
Application number: JP2002170065A
Authority: JP
Filing date: 2002-06-11
Publication date: 2005-09-29
Anticipated expiration: 2022-06-11

Claims

（Ａ）少なくとも、ジヒドロキシアダマンチル基またはトリヒドロキシアダマンチル基を有する繰り返し単位Ａ１、及び酸分解性脂環基を有する繰り返し単位Ａ２を構成単位として含有し、酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解速度が増加する樹脂、並びに（Ｂ）活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物を含有するポジ型レジスト組成物であって、樹脂（Ａ）中の繰り返し単位Ａ１と繰り返し単位Ａ２との組成モル比Ａ１／Ａ２が０．１５以上１．０以下であり、かつ、樹脂（Ａ）中の繰り返し単位Ａ１と繰り返し単位Ａ２の合計含有量が４０〜７０モル％であることを特徴とするポジ型レジスト組成物。
Ａ１／Ａ２が０．３５以上１．０以下である請求項１に記載の組成物。
ジヒドロキシアダマンチル基またはトリヒドロキシアダマンチル基を有する繰り返し単位Ａ１が、下記一般式（Ｉ）で表される繰り返し単位である請求項１または２に記載の組成物。
一般式（Ｉ）において、Ｒ₁は水素原子、アルキル基、ハロゲン原子又はシアノ基を表し、Ｒ₂は水素原子又は水酸基を表す。
酸分解性脂環基を有する繰り返し単位Ａ２が、下記一般式（ｐＩ）〜一般式（ｐＶＩ）で示される脂環式炭化水素を含む部分構造を有する繰り返し単位の群から選択される請求項１〜３のいずれかに記載の組成物。
（式中、Ｒ₁₁は、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基又はｓｅｃ−ブチル基を表し、Ｚは、炭素原子とともに脂環式炭化水素基を形成するのに必要な原子団を表す。
Ｒ₁₂〜Ｒ₁₆は、各々独立に、炭素数１〜４個の、直鎖もしくは分岐のアルキル基又は脂環式炭化水素基を表し、但し、Ｒ₁₂〜Ｒ₁₄のうち少なくとも１つ、もしくはＲ₁₅、Ｒ₁₆のいずれかは脂環式炭化水素基を表す。
Ｒ₁₇〜Ｒ₂₁は、各々独立に、水素原子、炭素数１〜４個の、直鎖もしくは分岐のアルキル基又は脂環式炭化水素基を表し、但し、Ｒ₁₇〜Ｒ₂₁のうち少なくとも１つは脂環式炭化水素基を表す。また、Ｒ₁₉、Ｒ₂₁のいずれかは炭素数１〜４個の、直鎖もしくは分岐のアルキル基又は脂環式炭化水素基を表す。
Ｒ₂₂〜Ｒ₂₅は、各々独立に、炭素数１〜４個の、直鎖もしくは分岐のアルキル基又は脂環式炭化水素基を表し、但し、Ｒ₂₂〜Ｒ₂₅のうち少なくとも１つは脂環式炭化水素基を表す。また、Ｒ₂₃とＲ₂₄は、互いに結合して環を形成していてもよい。）
樹脂（Ａ）が、更に、脂環ラクトン繰り返し単位Ａ３を構成単位として含有する請求項１〜４のいずれかに記載の組成物。
脂環ラクトン繰り返し単位Ａ３が、下記一般式（Ｖ−１）〜（Ｖ−４）のいずれかで表される基を有する繰り返し単位である請求項５に記載の組成物。
一般式（Ｖ−１）〜（Ｖ−４）において、Ｒ_1b〜Ｒ_5bは、各々独立に水素、置換基を有していてもよい、アルキル基、シクロアルキル基又はアルケニル基を表す。Ｒ_1b〜Ｒ_5bの内の２つは、結合して環を形成してもよい。
請求項１〜６のいずれかに記載の組成物によりレジスト膜を形成し、当該レジスト膜を露光、現像することを特徴とするパターン形成方法。