JP2008268931A5

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Publication number: JP2008268931A5
Application number: JP2008076598A
Authority: JP
Filing date: 2008-03-24
Publication date: 2010-03-25
Anticipated expiration: 2028-03-24

Claims

（Ａ）下記一般式（Ｉ）で表される酸分解性繰り返し単位を有し、酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解速度が増大する樹脂、（Ｂ）活性光線又は放射線の照射により、酸を発生する化合物、（Ｃ）フッ素原子及びケイ素原子の少なくとも一方を含有し、酸の作用により分解する基を含有する樹脂、並びに（Ｄ）溶剤、を含有するポジ型レジスト組成物。

一般式（Ｉ）中、
Ｘａ₁は、水素原子、アルキル基、シアノ基又はハロゲン原子を表す。
Ｒｙ₁〜Ｒｙ₃は、各々独立に、アルキル基又はシクロアルキル基を表す。Ｒｙ₁〜Ｒｙ₃の内の少なくとも２つが結合して環構造を形成してもよい。
Ｚは、２価の連結基を表す。
一般式（Ｉ）におけるＺが、２価の鎖状炭化水素基又は２価の環状炭化水素基である請求項１に記載のポジ型レジスト組成物。
（Ａ）成分の樹脂が、更に、ラクトン基、水酸基、シアノ基及び酸基からなる群より選ばれる少なくとも１種類を有する繰り返し単位を有する請求項１または２に記載のポジ型レジスト組成物。
（Ａ）成分の樹脂が、下記一般式（ＬＣ１−４）、（ＬＣ１−８）、及び（ＬＣ１−１４）のいずれかの式で表されるラクトン基を有する繰り返し単位を有する請求項３に記載のポジ型レジスト組成物。

式中、Ｒｂ' ₂ は置換基を表し、ｎ _２は、０〜４の整数を表す。ｎ _２が２以上の時、複数存在するＲｂ' ₂ は、同一でも異なっていてもよく、また、複数存在するＲｂ' ₂ 同士が結合して環を形成してもよい。
前記Ｒｂ' ₂ が炭素数１〜８のアルキル基、炭素数４〜７のシクロアルキル基、炭素数１〜８のアルコキシ基、炭素数１〜８のアルコキシカルボニル基、カルボキシル基、ハロゲン原子、水酸基、シアノ基、又は酸分解性基である請求項４に記載のポジ型レジスト組成物。
（Ｂ）成分として、下記一般式（ＢＩＩ）で表される酸を発生する化合物を含有する請求項１〜５のいずれかに記載のポジ型レジスト組成物。

一般式（ＢＩＩ）中、
Ｒｂ₁は、電子求引性基を有する基を表す。
Ｒｂ₂は、電子求引性基を有さない有機基を表す。
ｍ、ｎは各々０〜５の整数を表す。但しｍ＋ｎ≦５である。
ｍが２以上の場合、複数存在するＲｂ₁は同一でも異なっていてもよい。
ｎが２以上の場合、複数存在するＲｂ₂は同一でも異なっていてもよい。
一般式（ＢＩＩ）において、ｍが１〜５であって、Ｒｂ₁の電子求引性基がフッ素原子、フロロアルキル基、ニトロ基、エステル基、シアノ基からなる群より選ばれる少なくとも１種である請求項６に記載のポジ型レジスト組成物。
一般式（ＢＩＩ）において、Ｒｂ₂の電子求引性基を有さない有機基が、脂環基を有する基である請求項６または７に記載のポジ型レジスト組成物。
（Ｃ）成分の樹脂がラクトン基を有する繰り返し単位を有する請求項１〜８のいずれかに記載のポジ型レジスト組成物。
（Ｃ）成分の樹脂がフッ素原子を有する炭素数１〜４のアルキル基、フッ素原子を有するシクロアルキル基、または、フッ素原子を有するアリール基を含有する樹脂である請求項１〜９のいずれかに記載のポジ型レジスト組成物。
（Ｃ）成分の樹脂がアルコール性水酸基を有し、該アルコール性水酸基のアルコール部分がフッ素化アルコールである請求項１〜１０のいずれかに記載のポジ型レジスト組成物。
請求項１〜１１のいずれかに記載のポジ型レジスト組成物によりレジスト膜を形成し、該レジスト膜を露光、現像するパターン形成方法。
前記レジスト膜の露光が、液浸液を介して行われる請求項１２に記載のパターン形成方法。
請求項１〜１１のいずれかに記載のポジ型レジスト組成物により形成されたレジスト膜。