JP2004264767A5 - - Google Patents

Claims (5)

1. （Ａ）酸の作用により分解し、アルカリ現像液に対する溶解度が増大する樹脂及び
   （Ｂ）活性光線又は放射線の照射により、酸を発生する化合物を含有するポジ型レジスト組成物に於いて、
   （Ａ）成分の樹脂が、下記一般式（Ａ）で表される基を有するビニルエーテル系繰り返し単位、下記一般式（Ａ）で表される基を有するビニルエステル系繰り返し単位及び下記一般式（Ａ）で表される基を有するβ−アルキルアクリル酸系繰り返し単位から選ばれる少なくとも１種類の繰り返し単位を有することを特徴とするポジ型レジスト組成物。
   

   

   一般式（Ａ）中、
   Ｒ₁は、置換基を有していてもよい、直鎖状、分岐状若しくは環状アルキル基を表す。複数のＲ₁は、同一であっても異なっていてもよい。
2. 一般式（Ａ）で表される基を有するビニルエーテル系繰り返し単位が、下記一般式（ＶＡ−１）、（ＶＡ−２）又は（ＶＡ−３）で表されることを特徴とする請求項１に記載のポジ型レジスト組成物。
   

   

   一般式（ＶＡ−１）〜（ＶＡ−３）中、 Ｒ^2e、Ｒ^3e、Ｒ^2e'、Ｒ^3e'及びＲ^3e''は、各々独立に、水素原子、アルキル基又はアルコキシ基を表わす。
   Ｒ^4e'及びＲ^2e'' は、アルキル基を表わす。
   Ｒ^4e及びＲ^4e''は、水素原子又はアルキル基を表わす。
   Ｍは、２価の連結基を表わす。
   Ａは、一般式（Ａ）で表わされる基を表わす。
   Ｒ^2eとＲ^3e、Ｒ^2e'とＲ^3e'は、同時にアルコキシ基とはならない。
   Ｍの一部とＲ^3e、Ｒ^2eとＲ^4e、Ｍの一部とＲ^2e'、Ｒ^3e'とＲ^4e'、Ｍの一部とＲ^4e''、Ｒ^3e''とＲ^2e''が互いに結合して環を形成してもよい。
3. 一般式（Ａ）で表される基を有するビニルエステル系繰り返し単位が、下記一般式（ＶＢ−１）、（ＶＢ−２）又は（ＶＢ−３）で表わされることを特徴とする請求項１に記載のポジ型レジスト組成物。
   

   

   一般式（ＶＢ−１）〜（ＶＢ−３）中、
   Ｒ^2s、Ｒ^3s、Ｒ^4s、Ｒ^2s'、Ｒ^3s'、Ｒ^3s''及びＲ^4s''は、各々独立に、水素原子又はアルキル基を表わす。
   Ｒ^4s'及びＲ^2s''は、アルキル基を表わす。
   Ｍは、２価の連結基を表わす。
   Ａは、一般式（Ａ）で表わされる基を表わす。
   Ｍの一部とＲ^3s、Ｒ^2sとＲ^4s、Ｍの一部とＲ^2s'、Ｒ^3s'とＲ^4s'、Ｍの一部とＲ^4s''、Ｒ^3s''とＲ^2s''とが互いに結合して環を形成してもよい。
4. 一般式（Ａ）で表される基を有するβ−アルキルアクリル酸系繰り返し単位が、下記一般式（ＡＡ−１）、（ＡＡ−２）又は（ＡＡ−３）で表わされることを特徴とする請求項１に記載のポジ型レジスト組成物。
   

   

   一般式（ＡＡ−１）〜（ＡＡ−３）中、
   Ｒ^2a、Ｒ^2a'、Ｒ^4a'及びＲ^2a''は、各々独立に、アルキル基を表わす。
   Ｒ^3a、Ｒ^4a、Ｒ^3a'、Ｒ^3a''及びＲ^4a''は、各々独立に、水素原子又はアルキル基を表わす。
   Ｍは、２価の連結基を表わす。
   Ｍ’は、２価の連結基であり、主鎖に結合する原子は炭素原子又は珪素原子である。
   Ａは、一般式（Ａ）で表わされる基を表わす。
   Ｍの一部とＲ^3a、Ｒ^2aとＲ^4a、Ｍの一部とＲ^2a'、Ｒ^3a'とＲ^4a'、Ｍ’の一部とＲ^4a''、Ｒ^3a''とＲ^2a''が互いに結合して環を形成してもよい。
5. 請求項１〜４のいずれかに記載のポジ型レジスト組成物によりレジスト膜を形成し、当該レジスト膜を露光、現像することを特徴とするパターン形成方法。