JP2009244829A5 - - Google Patents

Description

本発明者らは、鋭意検討した結果、本発明の課題は、下記の構成によって達成された。
１．
（Ａ)一般式（Ｉ）−ａ、（ＩＩ）及び（ＩＩＩ）で表される各繰り返し単位をすべて含有する、酸の作用によりアルカリ現像液に可溶となる樹脂、
（Ｂ)活性光線または放射線の照射により酸を発生する化合物、及び、
溶剤、
を含有し、固形分濃度が２〜３０質量％である、ポジ型レジスト組成物。

式（ＩＩ）及び（ＩＩＩ）中、
Ａは酸の作用により分解し脱離する基を表す。
Ｒ ₁ は各々独立して水素原子またはメチル基を表す。
Ｒ ₂ はフェニル基またはシクロヘキシル基を表す。
ｎは０〜２の整数を表す。
２．
一般式（ＩＩ)で表される繰り返し単位が式(II)-aで表される構造である、上記１に記載のポジ型レジスト組成物。

式(II)-a中、Ｒ ₁ は水素原子またはメチル基を表す。
３．
一般式（ＩＩＩ)のＲ ₂ がフェニル基である、上記１又は２に記載のポジ型レジスト組成物。
４．
（Ａ）成分の樹脂の質量平均分子量が１０，０００以上である、上記１〜３のいずれか１項に記載のポジ型レジスト組成物。
５．
（Ａ）成分の樹脂の質量平均分子量が１０，０００〜２５，０００である、上記４に記載のポジ型レジスト組成物。
６．
全レジスト成分の固形分濃度が３〜２５質量％である、上記１〜５のいずれか１項に記載のポジ型レジスト組成物。
７．
樹脂（Ａ）が、一般式（Ｉ）−ａ、（ＩＩ）及び（ＩＩＩ）で表される各繰り返し単位のみからなる、上記１〜６のいずれか１項に記載のポジ型レジスト組成物。
８．
上記１〜７のいずれか１項に記載のレジスト組成物により、レジスト膜を形成し、露光、現像する、パターン形成方法。
尚、本発明は特許請求の範囲に記載された構成を有するが、以下、その他についても参考のため記載した。

Claims (8)

1. （Ａ)一般式（Ｉ）−ａ、（ＩＩ）及び（ＩＩＩ）で表される各繰り返し単位をすべて含有する、酸の作用によりアルカリ現像液に可溶となる樹脂、
   （Ｂ)活性光線または放射線の照射により酸を発生する化合物、及び、
   溶剤、
   を含有し、固形分濃度が２〜３０質量％である、ポジ型レジスト組成物。
   

   

   式（ＩＩ）及び（ＩＩＩ）中、
   Ａは酸の作用により分解し脱離する基を表す。
   Ｒ₁は各々独立して水素原子またはメチル基を表す。
   Ｒ₂はフェニル基またはシクロヘキシル基を表す。
   ｎは０〜２の整数を表す。
2. 一般式（ＩＩ)で表される繰り返し単位が式(II)-aで表される構造である、請求項１に記載のポジ型レジスト組成物。
   

   

   式(II)-a中、Ｒ₁は水素原子またはメチル基を表す。
3. 一般式（ＩＩＩ)のＲ₂がフェニル基であることを特徴とする請求項１又は２に記載のポジ型レジスト組成物。
4. （Ａ）成分の樹脂の質量平均分子量が１０，０００以上である、請求項１〜３のいずれか１項に記載のポジ型レジスト組成物。
5. （Ａ）成分の樹脂の質量平均分子量が１０，０００〜２５，０００である、請求項４に記載のポジ型レジスト組成物。
6. 全レジスト成分の固形分濃度が３〜２５質量％である、請求項１〜５のいずれか１項に記載のポジ型レジスト組成物。
7. 樹脂（Ａ）が、一般式（Ｉ）−ａ、（ＩＩ）及び（ＩＩＩ）で表される各繰り返し単位のみからなる、請求項１〜６のいずれか１項に記載のポジ型レジスト組成物。
8. 請求項１〜７のいずれか１項に記載のレジスト組成物により、レジスト膜を形成し、露光、現像する、パターン形成方法。