JP2009053657A5 - - Google Patents

Claims (14)

1. 脂環式炭化水素構造を有し、分散度が１．７以下又は重量平均分子量が６０００以下であり、かつ酸の作用により極性が増大する樹脂を含有する、活性光線又は放射線の照射により、有機溶剤を含有するネガ型現像液に対する溶解度が減少する、レジスト組成物を塗布することで、レジスト膜を形成し、
   前記レジスト膜を露光し、
   露光後のレジスト膜を、前記ネガ型現像液を用いて現像することを含むパターン形成方法。
2. 前記樹脂が、分散度が１．７以下である、脂環式炭化水素構造を有し、かつ酸の作用により極性が増大する樹脂である請求項１に記載のパターン形成方法。
3. 前記樹脂が、分散度が１．７以下であり、重量平均分子量が６０００以下である、脂環式炭化水素構造を有し、かつ酸の作用により極性が増大する樹脂である請求項１に記載のパターン形成方法。
4. 前記ネガ型現像液が、２０℃における蒸気圧が５．０ｋＰａ以下の現像液である請求項１〜３のいずれか一項に記載のパターン形成方法。
5. 前記現像後、有機溶剤を含むリンス液を用いて洗浄することを含む請求項１〜４のいずれか一項に記載のパターン形成方法。
6. 前記有機溶剤を含むリンス液が、２０℃における蒸気圧が０．１ｋＰａ以上のリンス液である請求項５に記載のパターン形成方法。
7. 露光後のレジスト膜を、前記ネガ型現像液を用いた現像の前及び後の少なくともいずれかで、アルカリ現像液であるポジ型現像液を用いて現像することを含む請求項１〜６のいずれか一項に記載のパターン形成方法。
8. 前記ネガ型現像液が含有する有機溶剤が、ケトン系溶剤、エステル系溶剤及びエーテル系溶剤からなる群より選ばれる少なくとも一種の有機溶剤である請求項１〜７のいずれか
   一項に記載のパターン形成方法。
9. 前記リンス液が含有する有機溶剤がアルコール系溶剤である請求項５〜８のいずれか一項に記載のパターン形成方法。
10. 前記樹脂が、単環又は多環の脂環炭化水素構造として下記一般式（ｐＩ）又は（ｐＩＩ）で示される脂環式炭化水素を含む部分構造を有する請求項１〜９のいずれか一項に記載のパターン形成方法。
    

    

    
    一般式（ｐＩ）又は（ｐＩＩ）中、
    Ｒ ₁₁ は、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基又はｓｅｃ−ブチル基を表し、Ｚは、炭素原子とともにシクロアルキル基を形成するのに必要な原子団を表す。
    Ｒ ₁₂ 〜Ｒ ₁₄ は、各々独立に、炭素数１〜４個の、直鎖もしくは分岐のアルキル基又はシクロアルキル基を表す。但し、Ｒ ₁₂ 〜Ｒ ₁₄ のうち少なくとも１つはシクロアルキル基を表す。
11. 前記樹脂が、下記一般式（ｐＡ）で示される繰り返し単位を含有する請求項１〜１０のいずれか一項に記載のパターン形成方法。
    

    

    
    ここで、Ｒは、水素原子、ハロゲン原子又は１〜４個の炭素原子を有する直鎖もしくは分岐のアルキル基を表す。複数のＲは、各々同じでも異なっていてもよい。
    Ａは、単結合、アルキレン基、エーテル基、チオエーテル基、カルボニル基、エステル基、アミド基、スルホンアミド基、ウレタン基、又はウレア基よりなる群から選択される単独あるいは２つ以上の基の組み合わせを表す。
    Ｒｐ ₁ は、下記式（ｐＩ）又は（ｐＩＩ）のいずれかの基を表す。
    

    

    
    一般式（ｐＩ）又は（ｐＩＩ）中、
    Ｒ ₁₁ は、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基又はｓｅｃ−ブチル基を表し、Ｚは、炭素原子とともにシクロアルキル基を形成
    するのに必要な原子団を表す。
    Ｒ ₁₂ 〜Ｒ ₁₄ は、各々独立に、炭素数１〜４個の、直鎖もしくは分岐のアルキル基又はシクロアルキル基を表す。但し、Ｒ ₁₂ 〜Ｒ ₁₄ のうち少なくとも１つはシクロアルキル基を表す。
12. 前記レジスト組成物が、塩基性化合物を含有する請求項１〜１１のいずれか一項に記載のパターン形成方法。
13. 前記樹脂が、芳香族基を有さない請求項１〜１２のいずれか一項に記載のパターン形成方法。
14. 前記レジスト膜の露光を、ＡｒＦエキシマレーザーにより行う請求項１〜１３のいずれか一項に記載のパターン形成方法。