JP5358630B2 - レジストパターン形成方法、ナノインプリント用モールドの製造方法、及びフォトマスクの製造方法 - Google Patents
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Description
一般的なレジストパターン形成方法としては、レジスト組成物に電子線や、活性光線を照射してパターン露光し、次いで、アルカリ水溶液を用いて現像する方法が用いられている。しかしながら、超微細パターンの形成においては、解像力の更なる向上が求められている。
アルカリ水溶液を用いた現像の場合、露光部と未露光部でレジスト膜の溶解性が大きく変わるため、非常に大きな溶解コントラストを与えることができる。しかしながら、微細パターンを形成させる場合には、溶解コントラストが大きすぎることで、局所的な溶解性の差が大きくなり、パターン表面のがたつき、部分的なパターンのもげなどにより、パターン品質が悪化する。また、アルカリ水溶液は表面張力が高いため、微細なスペース部への浸透が起こりにくく、スペース部に残渣、ブリッジなどの欠陥が発生しやすいなどの別の問題もある。
上記課題を解決するために、例えば、有機溶剤を用いた現像を行うネガ型パターン形成方法が提案されている(例えば、特許文献1及び2)。しかしながら、特に、超微細な(例えば、線幅40nm以下の1:1のラインアンドスペース)パターン形成において、高感度、高解像性、及び、未露光部における残渣の低減について同時に満足できていないのが現状である。
即ち、本発明は以下の通りである。
下記一般式(1)で表される繰り返し単位を有する高分子化合物(A)、酸の作用により前記高分子化合物(A)を架橋する、2個以上のベンゼン環と4個以上のアルコキシメチル基とを有するフェノール性化合物(B)、及び、活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物(C)を含有する、ネガ型化学増幅型レジスト組成物を用いてレジスト膜を形成する工程(1)、該膜を露光する工程(2)、及び、露光後に、炭素数7又は8のエステル系溶剤を含む現像液を用いて現像する工程(4)をこの順番で有する、レジストパターン形成方法。
式(I)中、
Aは水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、ハロゲン原子、又はシアノ基を表す。
Rはハロゲン原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アルケニル基、アラルキル基、アルコキシ基、アルキルカルボニルオキシ基又はアルキルスルホニルオキシ基を表し、複数存在する場合は同じでも異なっていてもよく、互いに結合して環を形成してもよい。
bは0〜2の整数を表す。
〔2〕
前記現像液に含まれる炭素数7又は8のエステル系溶剤が、下記一般式(II)で表されるエステル系溶剤である、上記〔1〕に記載のレジストパターン形成方法。
式(II)中、
Yは、炭素数5又は6の、アルキル基又はシクロアルキル基を表す。
〔3〕
前記現像液に含まれる炭素数7又は8のエステル系溶剤が、酢酸n−ペンチル、酢酸3−メチルブチル、酢酸2−メチルブチル、酢酸n−ヘキシル、酢酸シクロヘキシル、酢酸2−エチルブチル、及び、酢酸3−メチルペンチルからなる群より選ばれる1種類以上の溶剤である、上記〔2〕に記載のレジストパターン形成方法。
〔4〕
前記現像工程(4)の後に、一価のアルコール系溶剤及び炭化水素系溶剤からなる群より選ばれる1種類以上の溶剤を含む有機溶剤を用いてリンス処理する工程(5)を更に有する、上記〔1〕〜〔3〕のいずれか1項に記載のレジストパターン形成方法。
〔5〕
前記現像工程(4)において、実質的に新鮮な現像液を連続的に供給して現像する、上記〔1〕〜〔4〕のいずれか1項に記載のレジストパターン形成方法。
〔6〕
前記露光工程(2)と前記現像工程(4)との間に、ベーク工程(3)を更に有する、上記〔1〕〜〔5〕のいずれか1項に記載のレジストパターン形成方法。
〔7〕
前記露光工程(2)における露光が、電子線又はEUV光により行われる、上記〔1〕〜〔6〕のいずれか1項に記載のレジストパターン形成方法。
〔8〕
前記ネガ型化学増幅型レジスト組成物が、(C)活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物として、(C’)活性光線又は放射線の照射により酸を発生するイオン性化合物を、前記ネガ型化学増幅型レジスト組成物の全固形分に対して9質量%以上含有する、上記〔1〕〜〔7〕のいずれか1項に記載のレジストパターン形成方法。
〔9〕
前記化合物(C)が、活性光線又は放射線の照射により、スルホン酸、ビス(アルキルスルホニル)イミド、及びトリス(アルキルスルホニル)メチドの少なくとも何れかの酸を発生する化合物であることを特徴とする、上記〔1〕〜〔8〕のいずれか1項に記載のレジストパターン形成方法。
〔10〕
上記〔1〕〜〔9〕のいずれか1項に記載のレジストパターン形成方法を含有する、ナノインプリント用モールドの製造方法。
〔11〕
上記〔1〕〜〔9〕のいずれか1項に記載のレジストパターン形成方法を含有する、フォトマスクの製造方法。
なお、本明細書に於ける基(原子団)の表記に於いて、置換及び無置換を記していない表記は、置換基を有さないものと共に置換基を有するものをも包含するものである。例えば、「アルキル基」とは、置換基を有さないアルキル基(無置換アルキル基)のみならず、置換基を有するアルキル基(置換アルキル基)をも包含するものである。
本発明において「活性光線」又は「放射線」とは、例えば、水銀灯の輝線スペクトル、エキシマレーザーに代表される遠紫外線、極紫外線(EUV光)、X線、電子線等を意味する。また、本発明において光とは、活性光線又は放射線を意味する。
また、本明細書中における「露光」とは、特に断らない限り、水銀灯、エキシマレーザーに代表され遠紫外線、X線、EUV光などによる露光のみならず、電子線、イオンビーム等の粒子線による描画も露光に含める。
まず、本発明のネガ型化学増幅型レジスト組成物の使用形態を説明する。
本発明のパターン形成方法は、架橋反応によりネガ化する、後述のネガ型化学増幅型レジスト組成物を用いてレジスト膜を形成する工程(1)、該膜を露光する工程(2)、及び、露光後に、炭素数7又は8のエステル系溶剤を含む現像液を用いて現像する工程(4)をこの順番で有する。
ここでネガ化とは、架橋反応により樹脂の分子量が増大して、溶剤(現像液)に不溶化することである。
また本発明のレジストパターンは、上記本発明のパターン形成方法により形成される。
また本発明は、後述するように、上記本発明のレジストパターン形成方法に用いられる、有機溶剤現像用の架橋性ネガ型化学増幅型レジスト組成物にも関する。
ネガ型化学増幅型レジスト組成物膜を得るには、後述する各成分を溶剤に溶解し、必要に応じてフィルター濾過した後、支持体(基板)に塗布して用いる。フィルターとしては、ポアサイズ0.1ミクロン以下、より好ましくは0.05ミクロン以下、更に好ましくは0.03ミクロン以下のポリテトラフロロエチレン製、ポリエチレン製、ナイロン製のものが好ましい。塗布膜は60〜150℃で1〜20分間、好ましくは80〜140℃で1〜10分間プリベークして薄膜を形成する。
組成物は、集積回路素子の製造に使用されるような基板(例:シリコン、二酸化シリコン被覆)上にスピナー等の適当な塗布方法により塗布される。その後乾燥し、感光性の膜を形成する。
必要により、市販の無機あるいは有機反射防止膜を使用することができる。更にレジスト下層に反射防止膜を塗布して用いることもできる。
形成した該膜に、所定のマスクを通して活性光線又は放射線を照射する。なお、電子ビームの照射では、マスクを介さない描画(直描)が一般的である。
活性光線又は放射線としては特に限定されないが、例えばKrFエキシマレーザー、ArFエキシマレーザー、EUV光、電子線等であり、EUV光、電子線が好ましい。すなわち、膜を露光する工程(2)における露光が、電子線又はEUV光を用いて行われることが好ましい。
露光後、現像を行う前にベーク(加熱)を行うことが好ましい。
加熱温度は80〜150℃で行うことが好ましく、90〜150℃で行うことがより好ましく、100〜140℃で行うことが更に好ましい。
加熱時間は30〜600秒が好ましく、30〜300秒がより好ましく、60〜300秒が更に好ましい。
加熱は通常の露光・現像機に備わっている手段で行うことができ、ホットプレート等を用いて行っても良い。
ベークにより露光部の反応が促進され、感度やパターンプロファイルが改善する。
本発明においては、炭素数7又は8のエステル系溶剤を含む現像液を用いて現像を行う。好ましくは、炭素数7又は8のエステル系溶剤は、下記一般式(II)で表されるエステル系溶剤である。
Yは、炭素数5又は6の、アルキル基又はシクロアルキル基を表す。
炭素数7又は8のエステル系溶剤は、特に好ましくは、酢酸3−メチルブチル、酢酸n−ヘキシル又は酢酸シクロヘキシルである。
上述した有機溶剤を含む現像液を用いて現像することで、後述するレジスト組成物を用いたパターン形成(特に、超微細な(例えば、線幅40nm以下の1:1のラインアンドスペース)パターン形成)において、高感度、高解像性(例えば、高い解像力、小さいラインエッジラフネス(LER))、及び、未露光部における残渣の低減を同時に満足することができる。
現像液に含有されるエステル系溶剤の炭素数が9以上であると、レジスト膜の未露光部が現像液に溶解され難くなって、解像力が低くなるとともに、未露光部における残渣も発生しやすくなる。
アルコール系溶剤としては、例えば、メチルアルコール、エチルアルコール、n−プロピルアルコール、イソプロピルアルコール、n−ブチルアルコール、sec−ブチルアルコール、tert−ブチルアルコール、イソブチルアルコール、n−ヘキシルアルコール等のヘキシルアルコール、n−ヘプチルアルコール等のヘプチルアルコール、n−オクチルアルコール等のオクチルアルコール、n−デカノール等のデカノール等のアルコールや、エチレングリコール、ジエチレングリコール、トリエチレングリコール、1,2−プロピレングリコール、1,3−プロピレングリコール、1,2−ブチレングリコール、1,3−ブチレングリコール、1,4−ブチレングリコール等のグリコール系溶剤や、エチレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル(PGME;別名、1−メトキシ−2−プロパノール)、エチレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、トリエチレングリコールモノエチルエーテル等のアルキレングリコールモノアルキルエーテル系溶剤、メトキシメチルブタノール、プロピレングリコールジメチルエーテル等のグリコールエーテル系溶剤、フェノール、クレゾールなどのフェノール系溶剤等を挙げることができる。
エーテル系溶剤としては、例えば、上記アルキレングリコールモノアルキルエーテル系溶剤及びグリコールエーテル系溶剤の他、ジオキサン、テトラヒドロフラン、テトラヒドロピラン等が挙げられる。
炭化水素系溶剤としては、例えば、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素系溶剤、ペンタン、ヘキサン、オクタン、デカン、ウンデカン、ドデカン等の脂肪族炭化水素系溶剤が挙げられる。
有機溶剤を含む現像液には、必要に応じて界面活性剤を適当量添加することができる。
界面活性剤としては、後述する、レジスト組成物に用いられる界面活性剤と同様のものを用いることができる。
界面活性剤の使用量は現像液の全量に対して、通常0.001〜5質量%、好ましくは0.005〜2質量%、更に好ましくは0.01〜0.5質量%である。
現像方法としては、たとえば、現像液が満たされた槽中に基板を一定時間浸漬する方法(ディップ法)、基板表面に現像液を表面張力によって盛り上げて一定時間静止することで現像する方法(パドル法)、基板表面に現像液を噴霧する方法(スプレー法)、一定速度で回転している基板上に一定速度で現像液塗出ノズルをスキャンしながら現像液を塗出しつづける方法(ダイナミックディスペンス法)などを適用することができる。
また、現像を行う工程の後に、他の溶媒に置換しながら、現像を停止する工程を実施してもよい。
特に好ましい現像方法は、実質的に新鮮な現像液を連続的に供給して現像する方法であり、具体的には、基板表面に実質的に新鮮な現像液を噴霧しつづける方法(スプレー法)か、一定速度で回転している基板上に一定速度で現像液塗出ノズルをスキャンしながら、実質的に新鮮な現像液を塗出しつづける方法(ダイナミックディスペンス法)である。実質的に新鮮な現像液を連続的に供給して現像することで、露光部の現像が速やかに進行し、解像性能が向上する。また、新鮮な現像液を連続的に供給しつづけて現像することで、現像からリンスに切り替わる段階で発生する残渣系の現像欠陥をさらに低減させることもできる。
現像時間は未露光部の樹脂、架橋剤などが充分に溶解する時間が好ましく、通常は10秒〜300秒が好ましい。更に好ましくは、20秒〜120秒である。
現像液の温度は0℃〜50℃が好ましく、15℃〜35℃が更に好ましい。
現像液量は現像方法により適宜調整可能である。
本発明のパターン形成方法では、現像工程(4)の後に、有機溶剤を含むリンス液を用いて洗浄する工程(5)を含むことできる。
リンス液に用いられる有機溶剤は、20℃に於ける蒸気圧が0.05kPa以上、5kPa以下のものが好ましく、0.1kPa以上、5kPa以下のものが更に好ましく、0.12kPa以上、3kPa以下のものが最も好ましい。リンス液に用いられる有機溶剤の蒸気圧を0.05kPa以上、5kPa以下にすることにより、ウェハ面内の温度均一性が向上し、更にはリンス液の浸透に起因した膨潤が抑制され、ウェハ面内の寸法均一性が良化する。
更に好ましくは、一価のアルコール系溶剤及び炭化水素系溶剤からなる群より選ばれる少なくとも1種類以上の有機溶剤を含有するリンス液であり、特に好ましくは、炭素数10から12の炭化水素系溶剤である。
炭化水素系溶剤としては、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素系溶剤、オクタン、デカン、ウンデカン、ドデカン等の脂肪族炭化水素系溶剤が挙げられる。
界面活性剤としては、後述する、レジスト組成物に用いられる界面活性剤と同様のものを用いることができ、その使用量はリンス液の全量に対して、通常0.001〜5質量%、好ましくは0.005〜2質量%、更に好ましくは0.01〜0.5質量%である。
リンス工程においては、現像を行ったウェハーを前記の有機溶剤を含むリンス液を用いて洗浄処理する。
洗浄処理の方法は特に限定されないが、たとえば、一定速度で回転している基板上にリンス液を塗出しつづける方法(回転塗布法)、リンス液が満たされた槽中に基板を一定時間浸漬する方法(ディップ法)、基板表面にリンス液を噴霧する方法(スプレー法)、などを適用することができ、この中でも回転塗布方法で洗浄処理を行い、洗浄後に基板を2000rpm〜4000rpmの回転数で回転させ、リンス液を基板上から除去することが好ましい。基板の回転時間は、回転数に応じて、リンス液の基板上からの除去を達成する範囲で設定可能だが、通常10秒間から3分間である。なお、室温条件で、リンスすることが好ましい。
リンス時間は現像溶剤がウエハー上に残存しないようにすることが好ましく、通常は10秒〜300秒が好ましい。更に好ましくは、20秒〜120秒である。
リンス液の温度は0℃〜50℃が好ましく、15℃〜35℃が更に好ましい。
リンス液量はリンス方法により適宜調整できる。
更に、現像処理、リンス処理又は超臨界流体による処理の後、パターン中に残存する溶剤を除去するために加熱処理を行うことができる。加熱温度及び時間は、良好なレジストパターンが得られる限り特に限定されるものではなく、通常40℃〜160℃、10秒間から3分間である。加熱処理は複数回行っても良い。
このようなナノインプリント用モールド、及び、フォトマスクは、マスクブランクスに本発明のネガ型化学増幅型レジスト組成物から得られるレジスト膜を塗布した、レジスト塗布マスクブランクスを用いて製造されることが好ましい。
このようなレジスト塗布マスクブランクス上に、本発明のレジストパターン形成方法に基づいてレジストパターンを形成する場合、使用される基板としては、石英、フッ化カルシウム等の透明基板を挙げることができる。一般には、該基板上に、遮光膜、反射防止膜、更に位相シフト膜、追加的にはエッチングストッパー膜、エッチングマスク膜といった機能性膜の必要なものを積層する。機能性膜の材料としては、ケイ素、又はクロム、モリブデン、ジルコニウム、タンタル、タングステン、チタン、ニオブ等の遷移金属を含有する膜が積層される。また、最表層に用いられる材料としては、ケイ素又はケイ素に酸素及び/又は窒素を含有する材料を主構成材料とするもの、更にそれらに遷移金属を含有する材料を主構成材料とするケイ素化合物材料や、遷移金属、特にクロム、モリブデン、ジルコニウム、タンタル、タングステン、チタン、ニオブ等より選ばれる1種以上、又は更にそれらに酸素、窒素、炭素より選ばれる元素を1以上含む材料を主構成材料とする遷移金属化合物材料が例示される。
遮光膜は単層でも良いが、複数の材料を塗り重ねた複層構造であることがより好ましい。複層構造の場合、1層当たりの膜の厚みは、特に限定されないが、5nm〜100nmであることが好ましく、10nm〜80nmであることがより好ましい。遮光膜全体の厚みとしては、特に限定されないが、5nm〜200nmであることが好ましく、10nm〜150nmであることがより好ましい。
以下に、本発明のパターン形成方法に用いる、架橋反応によりネガ化する、ネガ型化学増幅型レジスト組成物について説明する。
架橋反応によりネガ化する、ネガ型化学増幅型レジスト組成物は、下記一般式(1)で表される繰り返し単位を有する高分子化合物(A)、酸の作用により前記高分子化合物(A)を架橋する、2個以上のベンゼン環と4個以上のアルコキシメチル基とを有するフェノール性化合物(B)、及び、活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物(C)を含有する。
本発明に係るネガ型化学増幅型レジスト組成物は、下記一般式(1)で表される繰り返し単位を有する高分子化合物(A)を含有している。これにより、電子線やEUV露光における二次電子発生効率、及び、露光部における架橋効率が優れ、未露光部の上記した現像液に対する溶解性も適切なものとなる。
具体的には、ヒドロキシベンゼン環における、後述する架橋剤との架橋反応は、ベンゼン環上の水酸基の結合位置に隣接する炭素原子を反応部位として進行する。よって、一般式(1)で表されるように、水酸基が、ベンゼン環の主鎖への結合手に対して、メタ位に存在している場合、主鎖に対して最も外方に位置するパラ位が反応部位となり、架橋剤からの攻撃を受けやすい。これにより、露光部における架橋効率が優れるものと推察される。
一方、一般式(I)で表される繰り返し単位において、水酸基が、ベンゼン環の主鎖への結合手に対して、パラ位に存在している場合、上記理由により、高い架橋効率が得られない上、このような繰り返し単位は、極性がより高く、上記した現像液に対する溶解性が劣る。このような理由から、水酸基が、ベンゼン環の主鎖への結合手に対して、パラ位に存在する繰り返し単位を有する樹脂を用いた場合には、解像力が低く、LERが大きくなり、結果、解像性が劣る。
Aは、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、ハロゲン原子、又はシアノ基を表す。
Rはハロゲン原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アルケニル基、アラルキル基、アルコキシ基、アルキルカルボニルオキシ基又はアルキルスルホニルオキシ基を表し、複数存在する場合は同じでも異なっていてもよい。
bは0〜2の整数を表す。bは好ましくは0又は1であり、より好ましくは0である。
Rとしてはハロゲン原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アルケニル基、アラルキル基、アルコキシ基、アルキルカルボニルオキシ基又はアルキルスルホニルオキシ基を挙げることができ、更に置換基を有していてもよい。Rとしてのハロゲン原子は、Cl、Br、F、I等を挙げることができる。また、複数のRを有する場合には、互いに結合して環(好ましくは5又は6員環)を形成してもよい。
R1は、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、ハロゲン原子、又はシアノ基を表す。
R1としてのアルキル基、シクロアルキル基、及びハロゲン原子の具体例及び好ましい例は、上記一般式(I)におけるアルキル基、シクロアルキル基、及びハロゲン原子で記載したものと同様である。
R1の好ましい例は、上記一般式(I)におけるRの上記した好ましい例と同様である。
Xは単結合、−COO−基、−O−基、又は−CON(R16)−基を表し、R16は水素原子又はアルキル基(好ましくは炭素数1〜3のアルキル基、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基等)を表す。Xとして好ましくは、単結合、−COO−基、−CON(R16)−基であり、特に好ましくは単結合、−COO−基である。
Yで示される環構造は、3環以上の多環芳香族炭化水素環構造を表し、好ましくは下記構造式で表されるいずれかを表す。
R101〜R106はそれぞれ独立に、ヒドロキシ基、ハロゲン原子(Cl、Br、F、I)、置換基を有していてもよい炭素数1〜8の直鎖又は分岐状のアルキル基、置換基を有していてもよい炭素数1〜8の直鎖又は分岐状のアルコキシ基、置換基を有していてもよい炭素数2〜8の直鎖又は分岐状のアルキルカルボニルオキシ基、置換基を有していてもよい炭素数1〜8の直鎖又は分岐状のアルキルスルホニルオキシ基、置換基を有していてもよい炭素数1〜8のアルケニル基、置換基を有していてもよい炭素数6〜15のアリール基、置換基を有していてもよい炭素数7〜16のアラルキル基、カルボキシ基、水酸基を有していてもよい炭素数1〜4のパーフルオロアルキル基を表す。
c〜hはそれぞれ独立に0〜3の整数を表す。
R101〜R106として好ましくは、それぞれ独立に、ハロゲン原子、置換基を有していてもよい炭素数1〜4のアルキル基、置換基を有していてもよい炭素数1〜4のアルコキシ基、置換基を有していてもよい炭素数2〜4のアルキルカルボニルオキシ基であり、特に好ましくは、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子、炭素数1〜3のアルキル基(メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基)、炭素数1〜3のアルコキシ基(メトキシ基、エトキシ基、プロピルオキシ基、イソプロピルオキシ基)、炭素数2又は3のアルキルカルボニルオキシ基(アセトキシ基、プロピオニルオキシ基等)である。
R101〜R106が主鎖の炭素原子と連結して、環構造を形成する場合、形成される環構造は4〜6員環が好ましい。
c〜hはそれぞれ独立に0又は1を表すことが好ましく、0であることがより好ましい。
これらの重合性モノマーの例としては、スチレン、アルキル置換スチレン、アルコキシスチレン、アシルオキシスチレン、水素化ヒドロキシスチレン、無水マレイン酸、アクリル酸誘導体(アクリル酸、アクリル酸エステル等)、メタクリル酸誘導体(メタクリル酸、メタクリル酸エステル等)、N−置換マレイミド、アクリロニトリル、メタクリロニトリル等を挙げることができるが、これらに限定されるものではない。
また、上記とは別に、好ましい樹脂の繰り返し単位として、主鎖に環状構造を有する単位(インデン構造を有するモノマーに由来する単位など)、ナフトール構造を有する単位、−C(CF3)2OH基を有する繰り返し単位なども挙げられる。
本発明において、樹脂(A)は単独で用いてもよいし、2種以上組み合わせて用いてもよい。
また、樹脂(A)が、一般式(I)で表される繰り返し単位以外の繰り返し単位を含有する場合、一般式(1)で表される繰り返し単位と、一般式(2)〜(4)で表される繰り返し単位の比率は、モル比で99/1〜50/50が好ましく、より好ましくは99/1〜60/40であり、特に好ましくは99/1〜70/30である。
樹脂(A)の好ましい分子量は、質量平均分子量として1000〜50000であり、更に好ましくは2000〜10000であり、2000〜6000が特に好ましい。
樹脂(A)の好ましい分子量分布(Mw/Mn)は、1.0〜2.0であり、より好ましくは1.0〜1.35である。
なお、樹脂の分子量及び分子量分布は、GPC測定によるポリスチレン換算値として定義される。
樹脂(A)の添加量(複数併用する場合は合計の量)は組成物の全固形分に対して、30〜95質量%、好ましくは40〜90質量%、特に好ましくは50〜80質量%で用いられる。
本発明に係るネガ型化学増幅型レジスト組成物は、架橋剤として、酸の作用により高分子化合物(A)を架橋する、2個以上のベンゼン環と4個以上のアルコキシメチル基とを有するフェノール性化合物(以下、架橋剤(B)と称する)を使用する。ここで、アルコキシメチル基は、架橋性基として作用する。架橋剤(B)としては、公知の架橋剤を有効に使用することができる。
架橋剤においてアルコキシメチル基が3個以下であると、露光部における架橋効率が劣るため、レジストパターンに現像液が浸透しやすくなる。これにより、解像力が低く、LERが大きくなり、結果、解像性が劣る。
更には、架橋剤(B)は、アルコキシメチル基を4〜6個有することがより好ましい。
本発明において、架橋剤は単独で用いてもよいし、2種以上組み合わせて用いてもよい。例えば、上記の架橋剤(B)に加え、他の架橋剤を併用する場合、上記の架橋剤(B)と他の架橋剤の比率は、モル比で99/1〜20/80、好ましくは90/10〜40/60、更に好ましくは80/20〜50/50である。
本発明のネガ型化学増幅型レジスト組成物は、活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物(C)(以下、「酸発生剤」ともいう)を含有する。
酸発生剤としては、活性光線又は放射線の照射により、有機酸、例えば、スルホン酸、ビス(アルキルスルホニル)イミド、及びトリス(アルキルスルホニル)メチドの少なくともいずれかを発生する化合物が好ましい。
より好ましくは下記一般式(ZI)、(ZII)、(ZIII)で表される化合物を挙げることができる。
R201、R202及びR203は、各々独立に、有機基を表す。
R201、R202及びR203としての有機基の炭素数は、一般的に1〜30、好ましくは1〜20である。
R201、R202及びR203のアリール基としては、通常炭素数6〜20、好ましくは炭素数6〜10であり、フェニル基、ナフチル基がより好ましく、更に好ましくはフェニル基である。アリール基は、酸素原子、窒素原子、硫黄原子等を有する複素環構造を有するアリール基であってもよい。複素環構造としては、例えば、ピロール、フラン、チオフェン、インドール、ベンゾフラン、ベンゾチオフェン等を挙げることができる。
2−オキソシクロアルキル基は、好ましくは、上記のシクロアルキル基の2位に>C=Oを有する基を挙げることができる。
また、R201〜R203のうち2つが結合して環構造(好ましくは3〜15員環)を形成してもよく、環内に酸素原子、硫黄原子、エステル結合、アミド結合、カルボニル基を含んでいてもよい。R201〜R203の内の2つが結合して形成する基としては、アルキレン基(例えば、ブチレン基、ペンチレン基)を挙げることができる。
Z−は、非求核性アニオン(求核反応を起こす能力が著しく低いアニオン)を表す。
各基が有するアリール基及び環構造については、置換基として更にアルキル基(好ましくは炭素数1〜15)、シクロアルキル基(好ましくは炭素数3〜15)を挙げることができる。
また、ビス(アルキルスルホニル)イミドアニオンにおけるアルキル基は、互いに結合して環構造を形成してもよい。これにより、酸強度が増加する。
Xfは、それぞれ独立に、フッ素原子、又は少なくとも1つのフッ素原子で置換されたアルキル基を表す。
R1、R2は、それぞれ独立に、水素原子、フッ素原子、及び、アルキル基から選ばれる基を表し、複数存在する場合のR1、R2は、それぞれ同一でも異なっていてもよい。
Lは、二価の連結基を表し、複数存在する場合のLは同一でも異なっていてもよい。
Aは、環状の有機基を表す。
xは1〜20の整数を表し、yは0〜10の整数を表し、zは0〜10の整数を表す。
Xfのフッ素原子で置換されたアルキル基におけるアルキル基としては、好ましくは炭素数1〜10であり、より好ましくは炭素数1〜4である。また、Xfのフッ素原子で置換されたアルキル基は、パーフルオロアルキル基であることが好ましい。
Xfとして好ましくは、フッ素原子又は炭素数1〜4のパーフルオロアルキル基である。Xfの具体的としては、フッ素原子、CF3、C2F5、C3F7、C4F9、C5F11、C6F13、C7F15、C8F17、CH2CF3、CH2CH2CF3、CH2C2F5、CH2CH2C2F5、CH2C3F7、CH2CH2C3F7、CH2C4F9、CH2CH2C4F9が挙げられ、中でもフッ素原子、CF3が好ましい。特に、双方のXfがフッ素原子であることが好ましい。
R1、R2としては、好ましくはフッ素原子又はCF3である。
xは1〜10が好ましく、1〜5がより好ましい。
yは0〜4が好ましく、0がより好ましい。
zは0〜5が好ましく、0〜3がより好ましい。
Lの2価の連結基としては特に限定されず、―COO−、−OCO−、−CO−、−O−、−S―、−SO―、―SO2−、アルキレン基、シクロアルキレン基、アルケニレン基又はこれらの複数が連結した連結基を挙げることができ、総炭素数12以下の連結基が好ましい。このなかでも―COO−、−OCO−、−CO−、−O−、−SO2−が好ましく、―COO−、−OCO−、−SO2−がより好ましい。
脂環基としては、単環でも多環でもよく、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロオクチル基などの単環のシクロアルキル基、ノルボルニル基、トリシクロデカニル基、テトラシクロデカニル基、テトラシクロドデカニル基、アダマンチル基などの多環のシクロアルキル基が好ましい。中でも、ノルボルニル基、トリシクロデカニル基、テトラシクロデカニル基、テトラシクロドデカニル基、アダマンチル基等の炭素数7以上のかさ高い構造を有する脂環基が、露光後加熱工程での膜中拡散性を抑制でき、MEEF向上の観点から好ましい。
アリール基としては、ベンゼン環、ナフタレン環、フェナンスレン環、アントラセン環が挙げられる。
複素環基としては、フラン環、チオフェン環、ベンゾフラン環、ベンゾチオフェン環、ジベンゾフラン環、ジベンゾチオフェン環、ピリジン環、ピペリジン環由来のものが挙げられる。中でもフラン環、チオフェン環、ピリジン環、ピペリジン環由来のものが好ましい。 上記環状の有機基は、置換基を有していてもよく、該置換基としては、アルキル基(直鎖、分岐のいずれであっても良く、炭素数1〜12が好ましい)、シクロアルキル基(単環、多環、スピロ環のいずれであっても良く、炭素数3〜20が好ましい)、アリール基(炭素数6〜14が好ましい)、ヒドロキシ基、アルコキシ基(炭素数1〜12が好ましい)、ウレイド基、スルホンアミド基(炭素数0〜12が好ましい)、又はエステル基、アミド基、ウレタン基、チオエーテル基、若しくはスルホン酸エステル基を有する基(炭素数1〜12が好ましい)等が挙げられる。なお、環状の有機基を構成する炭素(環形成に寄与する炭素)はカルボニル炭素であってもよい。
R1a〜R13aは、各々独立に、水素原子、ハロゲン原子、ニトロ基又は有機基を表す。
R1a〜R13aのうち、1〜3つが水素原子でないことが好ましく、R9a〜R13aのいずれか1つが水素原子でないことがより好ましい。
Zaは、単結合又は2価の連結基である。
X−は、一般式(ZI)におけるZ−と同義である。
R1a〜R13aが水素原子でない場合としては、水酸基で置換された直鎖、分岐、環状のアルキル基であることが好ましい。
R204〜R207は、各々独立に、アリール基、アルキル基又はシクロアルキル基を表す。
R204〜R207のアリール基、アルキル基、シクロアルキル基は、置換基を有していてもよい。この置換基としても、前述の化合物(ZI)におけるR201〜R203のアリール基、アルキル基、シクロアルキル基が有していてもよいものが挙げられる。
Ar3及びAr4は、各々独立に、アリール基を表す。
R208、R209及びR210は、各々独立に、アルキル基、シクロアルキル基又はアリール基を表す。
Aは、アルキレン基、アルケニレン基又はアリーレン基を表す。
R208、R209及びR210のアルキル基及びシクロアルキル基の具体例としては、それぞれ、上記一般式(ZI)におけるR201、R202及びR203としてのアルキル基及びシクロアルキル基の具体例と同様のものを挙げることができる。
Aのアルキレン基としては、炭素数1〜12のアルキレン(例えば、メチレン基、エチレン基、プロピレン基、イソプロピレン基、ブチレン基、イソブチレン基など)を、Aのアルケニレン基としては、炭素数2〜12のアルケニレン基(例えば、エチニレン基、プロペニレン基、ブテニレン基など)を、Aのアリーレン基としては、炭素数6〜10のアリーレン基(例えば、フェニレン基、トリレン基、ナフチレン基など)を、それぞれ挙げることができる。
(1)の態様としては、例えば、フッ素を有するスルホン酸発生剤とトリス(フルオロアルキルスルホニル)メチド酸発生剤の併用、フッ素を有するスルホン酸発生剤とフッ素を有さないスルホン酸発生剤の併用、アルキルスルホン酸発生剤とアリールスルホン酸発生剤の併用、などが考えられる。
(2)の態様としては、例えば、発生酸アニオンの炭素数が4以上異なる2種の酸発生剤の併用などが考えられる。
酸発生剤の組成物中の含有量(複数併用する場合は合計の量)は、組成物の全固形分を基準として、1〜30質量%が好ましく、より好ましくは5〜25質量%、更に好ましくは8〜20質量%である。
また、ネガ型化学増幅型レジスト組成物は、酸発生剤(C)として、上記一般式(ZI)又は(ZII)で表される化合物に代表される、(C’)活性光線又は放射線の照射により酸を発生するイオン性化合物を、前記ネガ型化学増幅型レジスト組成物の全固形分に対して9質量%以上含有することが好ましい。これにより、露光部と未露光部の発生酸の濃度のコントラストを大きくすることができるため、解像性が向上する。
本発明のネガ型化学増幅型レジスト組成物は、前記成分の他に、塩基性化合物を含有することが好ましい。
塩基性化合物は、含窒素有機塩基性化合物であることが好ましい。
使用可能な化合物は特に限定されないが、例えば以下の(1)〜(4)に分類される化合物が好ましく用いられる。
Rbs1は、各々独立に、水素原子、アルキル基(直鎖又は分岐)、シクロアルキル基(単環又は多環)、アリール基、アラルキル基の何れかを表す。但し、三つのRbs1の全てが水素原子とはならない。
Rbs1としてのアルキル基の炭素数は特に限定されないが、通常1〜20、好ましくは1〜12である。
Rbs1としてのシクロアルキル基の炭素数は特に限定されないが、通常3〜20、好ましくは5〜15である。
Rbs1としてのアリール基の炭素数は特に限定されないが、通常6〜20、好ましくは6〜10である。具体的にはフェニル基やナフチル基などが挙げられる。
Rbs1としてのアラルキル基の炭素数は特に限定されないが、通常7〜20、好ましくは7〜11である。具体的にはベンジル基等が挙げられる。
Rbs1としてのアルキル基、シクロアルキル基、アリール基又はアラルキル基は、水素原子が置換基により置換されていてもよい。この置換基としては、例えば、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アラルキル基、ヒドロキシル基、カルボキシル基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アルキルカルボニルオキシ基、アルキルオキシカルボニル基等が挙げられる。
一般式(BS−1)で表される化合物は、3つのRbs1の1つのみが水素原子、あるいは全てのRbs1が水素原子でないことが好ましい。
また、一般式(BS−1)において、少なくとも1つのRbs1が、ヒドロキシル基で置換されたアルキル基である化合物が、好ましい態様の1つとして挙げられる。具体的化合物としては、トリエタノールアミン、N,N−ジヒドロキシエチルアニリンなどが挙げられる。
複素環構造としては、芳香族性を有していてもいなくてもよい。また、窒素原子を複数有していてもよく、更に、窒素以外のヘテロ原子を含有していてもよい。具体的には、イミダゾール構造を有する化合物(2−フェニルベンゾイミダゾール、2,4,5−トリフェニルイミダゾールなど)、ピペリジン構造を有する化合物(N−ヒドロキシエチルピペリジン、ビス(1,2,2,6,6−ペンタメチル−4−ピペリジル)セバケートなど)、ピリジン構造を有する化合物(4−ジメチルアミノピリジンなど)、アンチピリン構造を有する化合物(アンチピリン、ヒドロキシアンチピリンなど)が挙げられる。
また、環構造を2つ以上有する化合物も好適に用いられる。具体的には1,5−ジアザビシクロ[4.3.0]ノナ−5−エン、1,8−ジアザビシクロ〔5.4.0〕−ウンデカ−7−エンなどが挙げられる。
フェノキシ基を有するアミン化合物とは、アミン化合物のアルキル基の窒素原子と反対側の末端にフェノキシ基を有するものである。フェノキシ基は、例えば、アルキル基、アルコキシ基、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、カルボキシル基、カルボン酸エステル基、スルホン酸エステル基、アリール基、アラルキル基、アシロキシ基、アリールオキシ基等の置換基を有していてもよい。
より好ましくは、フェノキシ基と窒素原子との間に、少なくとも1つのアルキレンオキシ鎖を有する化合物である。1分子中のアルキレンオキシ鎖の数は、好ましくは3〜9個、更に好ましくは4〜6個である。アルキレンオキシ鎖の中でも−CH2CH2O−が好ましい。
具体例としては、2−[2−{2―(2,2―ジメトキシ−フェノキシエトキシ)エチル}−ビス−(2−メトキシエチル)]−アミンや、米国特許出願公開第2007/0224539A1号明細書の段落[0066]に例示されている化合物(C1−1)〜(C3−3)などが挙げられる。
アンモニウム塩も適宜用いられる。好ましくはヒドロキシド又はカルボキシレートである。より具体的にはテトラブチルアンモニウムヒドロキシドに代表されるテトラアルキルアンモニウムヒドロキシドが好ましい。これ以外にも上記(1)〜(3)のアミンから誘導されるアンモニウム塩を使用可能である。
塩基性化合物の使用量は、組成物の固形分を基準として、通常、0.001〜10質量%、好ましくは0.01〜5質量%である。
組成物を調製する際に使用できる溶剤としては、各成分を溶解するものである限り特に限定されないが、例えば、アルキレングリコールモノアルキルエーテルカルボキシレート(プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート(PGMEA;1−メトキシ−2−アセトキシプロパン)など)、アルキレングリコールモノアルキルエーテル(プロピレングリコールモノメチルエーテル(PGME;1−メトキシ−2−プロパノール)など)、乳酸アルキルエステル(乳酸エチル、乳酸メチルなど)、環状ラクトン(γ−ブチロラクトンなど、好ましくは炭素数4〜10)、鎖状又は環状のケトン(2−ヘプタノン、シクロヘキサノンなど、好ましくは炭素数4〜10)、アルキレンカーボネート(エチレンカーボネート、プロピレンカーボネートなど)、カルボン酸アルキル(酢酸ブチルなどの酢酸アルキルが好ましい)、アルコキシ酢酸アルキル(エトキシプロピオン酸エチル)などが挙げられる。その他使用可能な溶媒として、例えば、米国特許出願公開第2008/0248425A1号明細書の[0244]以降に記載されている溶剤などが挙げられる。
水酸基を有する溶剤としてはアルキレングリコールモノアルキルエーテルが好ましく、水酸基を有しない溶剤としてはアルキレングリコールモノアルキルエーテルカルボキシレートが好ましい。
本発明の組成物全量中における溶媒の使用量は、所望の膜厚等に応じて適宜調整可能であるが、一般的には組成物の全固形分濃度が0.5〜30質量%、好ましくは0.7〜20質量%、より好ましくは1.0〜10質量%、更に好ましくは1.2〜5質量%となるように調整される。
本発明の組成物は、更に界面活性剤を含有することが好ましい。界面活性剤としては、フッ素系及び/又はシリコン系界面活性剤が好ましい。
これらに該当する界面活性剤としては、大日本インキ化学工業(株)製のメガファックF176、メガファックR08、OMNOVA社製のPF656、PF6320、トロイケミカル(株)製のトロイゾルS−366、住友スリーエム(株)製のフロラードFC430、信越化学工業(株)製のポリシロキサンポリマーKP−341などが挙げられる。
また、フッ素系及び/又はシリコン系界面活性剤以外の他の界面活性剤を使用することもできる。より具体的には、ポリオキシエチレンアルキルエーテル類、ポリオキシエチレンアルキルアリールエーテル類などが挙げられる。
界面活性剤の使用量は、組成物の全固形分に対し、好ましくは0.0001〜2質量%、より好ましくは0.001〜1質量%である。
本発明の組成物は、上記に説明した成分以外にも、カルボン酸、カルボン酸オニウム塩、Proceeding of SPIE,2724,355(1996)等に記載の分子量3000以下の溶解阻止化合物、染料、可塑剤、光増感剤、光吸収剤、酸化防止剤などを適宜含有することができる。
特にカルボン酸は、性能向上のために好適に用いられる。カルボン酸としては、安息香酸、ナフトエ酸などの、芳香族カルボン酸が好ましい。
カルボン酸の含有量は、組成物の全固形分濃度中、0.01〜10質量%が好ましく、より好ましくは0.01〜5質量%、更に好ましくは0.01〜3質量%である。
また、露光源としてEUV光を用いる場合には、アウトオブバンド光を吸収する添加剤を含有することができる。アウトオブバンド光吸収剤の例としては米国特許出願公開第2006/0223000号明細書に記載の芳香族化合物などが挙げられる。
表1に示した組成を有する組成物を0.1μm孔径のメンブレンフィルターで精密ろ過して、レジスト溶液を得た。
TBAH:テトラブチルアンモニウムハイドロキサイド
W−1:PF6320(OMNOVA(株)製)
W−2:メガフアツクF176(大日本インキ(株)製)
PGMEA:プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート
PGME:プロピレングリコールモノメチルエーテル
EL:乳酸エチル
表1に記載の組成物を用い、以下の操作により、レジストパターンを形成した。レジストパターン形成条件の詳細は表2に示す。
表2に示した組成を有する塗液組成物を0.1μm孔径のメンブレンフィルターで精密ろ過して、レジスト溶液を得た。
このレジスト溶液をHMDS(ヘキサメチルジシラザン)処理を施した6インチSiウェハー上に東京エレクトロン製スピンコーターMark8を用いて塗布し、表2に記載の条件でホットプレート上で乾燥して、膜厚0.03μmのレジスト膜を得た。
上記のようにして得られたレジスト膜に、電子線照射装置((株)JEOL製 JBX6000;加速電圧50keV)を用いて、2.5nm刻みで線幅15nm〜30nmのラインパターン(長さ方向0.5mm、描画本数40本)を、露光量を変えて露光した。
露光後ただちに、表2に記載の条件でホットプレート上にて加熱した。
シャワー型現像装置(ACTES(株)製ADE3000S)を用いて、50回転(rpm)でウエハーを回転しながら表2に記載の現像液を、200mL/minの流量で、表2に記載の時間、スプレー吐出して現像を行った。
その後、50回転(rpm)でウエハーを回転しながら表2に記載のリンス液を、200mL/minの流量で、表2に記載の時間、スプレー吐出してリンス処理を行った。
最後に、2500回転(rpm)で60秒間高速回転してウエハーを乾燥させた。
得られたパターンを走査型電子顕微鏡(日立社製S−9220)を用いて観察した。線幅30nm(ライン:スペース=1:1)を解像するときの電子線照射量を感度とした。
各線幅のパターンを観察し、ラインとスペースが分離解像する最小の線幅を解像力とした。
線幅30nmのラインパターンの長さ方向1μmにおける任意の30点について、走査型電子顕微鏡((株)日立製作所製S−9220)を用いてエッジがあるべき基準線からの距離を測定し、標準偏差を求め、3σを算出した。この値が小さい程、ラインエッジラフネスが良好である。
線幅30nmのラインパターンに隣接する未露光部を走査型電子顕微鏡(日立社製S−9220)を用いて観察した。未露光部に残渣が確認できなかった場合は〇、わずかな残渣が確認された場合は△、明らかな残渣が確認された場合は×とした。
〔レジスト塗布〕
表1の組成物1と同様の組成物を、酸化Cr膜を蒸着した6インチウェハーに東京エレクトロン製スピンコーターMark8を用いて塗布し、表4に記載の条件でホットプレート上で乾燥して、膜厚0.03μmのレジスト膜を得た。
上記のようにして得られたレジスト膜に、上記EB露光評価1と同様の操作で露光した。
露光後ただちに、表4に記載の条件でホットプレート上にて加熱した。
上記EB露光評価1と同様の操作で現像を行った。
〔レジスト塗布〕
表1の組成物1をHMDS(ヘキサメチルジシラザン)処理を施した6インチSiウェハー上に東京エレクトロン製スピンコーターMark8を用いて塗布し、表6に記載の条件でホットプレート上で乾燥して、膜厚40nmのレジスト膜を得た。
上記のようにして得られたレジスト膜に、EUV光(波長13nm)を用いて、線幅30nmの1:1ラインアンドスペースのパターン露光した。
露光後ただちに、表6に記載の条件でホットプレート上にて加熱した。
上記EB露光評価1と同様の操作で現像を行った。
得られたパターンを走査型電子顕微鏡(日立社製S−9220)を用いて観察した。線幅0.03μm(30nm)(ライン:スペース=1:1)を解像するときのEUV露光量を感度とした。
線幅0.03μm(30nm)のラインパターンの長さ方向5μmにおける任意の30点について、走査型電子顕微鏡((株)日立製作所製S−9220)を用いてエッジがあるべき基準線からの距離を測定し、標準偏差を求め、3σを算出した。この値が小さい程、ラインエッジラフネスが良好である。
線幅0.03μm(30nm)のパターンに隣接する未露光部を走査型電子顕微鏡(日立社製S−9220)を用いて観察した。未露光部に残渣が確認できなかった場合は〇、わずかな残渣が確認された場合は△、明らかな残渣が確認された場合は×とした。
Claims (11)
- 下記一般式(1)で表される繰り返し単位を有する高分子化合物(A)、酸の作用により前記高分子化合物(A)を架橋する、2個以上のベンゼン環と4個以上のアルコキシメチル基とを有するフェノール性化合物(B)、及び、活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物(C)を含有する、ネガ型化学増幅型レジスト組成物を用いてレジスト膜を形成する工程(1)、該膜を露光する工程(2)、及び、露光後に、炭素数7又は8のエステル系溶剤を含む現像液を用いて現像する工程(4)をこの順番で有する、レジストパターン形成方法。
式(I)中、
Aは水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、ハロゲン原子、又はシアノ基を表す。
Rはハロゲン原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アルケニル基、アラルキル基、アルコキシ基、アルキルカルボニルオキシ基又はアルキルスルホニルオキシ基を表し、複数存在する場合は同じでも異なっていてもよく、互いに結合して環を形成してもよい。
bは0〜2の整数を表す。 - 前記現像液に含まれる炭素数7又は8のエステル系溶剤が、酢酸n−ペンチル、酢酸3−メチルブチル、酢酸2−メチルブチル、酢酸n−ヘキシル、酢酸シクロヘキシル、酢酸2−エチルブチル、及び、酢酸3−メチルペンチルからなる群より選ばれる1種類以上の溶剤である、請求項2に記載のレジストパターン形成方法。
- 前記現像工程(4)の後に、一価のアルコール系溶剤及び炭化水素系溶剤からなる群より選ばれる1種類以上の溶剤を含む有機溶剤を用いてリンス処理する工程(5)を更に有する、請求項1〜3のいずれか1項に記載のレジストパターン形成方法。
- 前記現像工程(4)において、実質的に新鮮な現像液を連続的に供給して現像する、請求項1〜4のいずれか1項に記載のレジストパターン形成方法。
- 前記露光工程(2)と前記現像工程(4)との間に、ベーク工程(3)を更に有する、請求項1〜5のいずれか1項に記載のレジストパターン形成方法。
- 前記露光工程(2)における露光が、電子線又はEUV光により行われる、請求項1〜6のいずれか1項に記載のレジストパターン形成方法。
- 前記ネガ型化学増幅型レジスト組成物が、(C)活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物として、(C’)活性光線又は放射線の照射により酸を発生するイオン性化合物を、前記ネガ型化学増幅型レジスト組成物の全固形分に対して9質量%以上含有する、請求項1〜7のいずれか1項に記載のレジストパターン形成方法。
- 前記化合物(C)が、活性光線又は放射線の照射により、スルホン酸、ビス(アルキルスルホニル)イミド、及びトリス(アルキルスルホニル)メチドの少なくとも何れかの酸を発生する化合物であることを特徴とする、請求項1〜8のいずれか1項に記載のレジストパターン形成方法。
- 請求項1〜9のいずれか1項に記載のレジストパターン形成方法を含有する、ナノインプリント用モールドの製造方法。
- 請求項1〜9のいずれか1項に記載のレジストパターン形成方法を含有する、フォトマスクの製造方法。
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