JP2014041327A5 - - Google Patents
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上記一般式(1−13)中、R2、R3、L1、Raは一般式(1−1)におけるR2、R3、L1、Raと同義である。R24〜R26は、それぞれ独立に、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アラルキル基、ヘテロ環基を表す。R24〜R26の少なくとも2つは、互いに結合して環を形成しても良い。R24〜R26の少なくとも1つと、R2とが結合して、環を形成していてもよい。
〔9〕
上記樹脂(A)が一般式(2)で表される繰り返し単位を更に含有し、
前記一般式(1−1)で表される繰り返し単位の含有量が、樹脂(A)の全繰り返し単位に対して35〜85モル%であり、
前記一般式(1−2)で表される繰り返し単位の含有量が、樹脂(A)の全繰り返し単位に対して10〜45モル%であり、かつ
前記一般式(2)で表される繰り返し単位の含有量が、樹脂(A)の全繰り返し単位に対して1〜40モル%である、〔1〕〜〔8〕のいずれか1項に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。
〔9〕
上記樹脂(A)が一般式(2)で表される繰り返し単位を更に含有し、
前記一般式(1−1)で表される繰り返し単位の含有量が、樹脂(A)の全繰り返し単位に対して35〜85モル%であり、
前記一般式(1−2)で表される繰り返し単位の含有量が、樹脂(A)の全繰り返し単位に対して10〜45モル%であり、かつ
前記一般式(2)で表される繰り返し単位の含有量が、樹脂(A)の全繰り返し単位に対して1〜40モル%である、〔1〕〜〔8〕のいずれか1項に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。
Claims (15)
- 下記一般式(1−1)で表される繰り返し単位と、下記一般式(1−2)で表される繰り返し単位とを有する樹脂(A)を含有し、下記一般式(1−1)で表される繰り返し単位の含有量が、樹脂(A)の全繰り返し単位に対して35モル%以上である、感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。
一般式(1―1)中、
R1はアルキル基又はシクロアルキル基を表し、R2はアルキル基又はシクロアルキル基を表し、R3は水素原子又はアルキル基を表す。R1とR2とは連結して環を形成してもよい。
Raは水素原子、アルキル基、シアノ基又はハロゲン原子を表す。
L1は単結合又は2価の連結基を表す。
一般式(1−2)中、
R4は置換基を表す。n1は1又は2を、n2は0〜4の整数を表す。L2は単結合、−COO−又は−CONR5−を表し、R5は水素原子又はアルキル基を表す。 - 前記一般式(1−1)で表される繰り返し単位の含有量が、樹脂(A)の全繰り返し単位に対して55モル%以上である、請求項1に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。
- 前記一般式(1−1)におけるRaがメチル基である、請求項1又は2記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。
- 前記一般式(1−1)におけるL1が単結合である、請求項1〜3のいずれか1項に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。
- 前記一般式(1−2)で表される繰り返し単位の含有量が、樹脂(A)の全繰り返し単位の15モル%以上65モル%以下である、請求項1〜4のいずれか1項に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。
- 前記一般式(1−11)で表される繰り返し単位が下記一般式(1―12)で表される繰り返し単位である、請求項6に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。
上記一般式(1−12)中、
R2、R3、L1、Raは一般式(1−1)におけるR2、R3、L1、Raと同義である。
R21〜R23は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アラルキル基又はヘテロ環基を表し、R21〜R23の少なくとも2つは、それぞれ独立に、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アラルキル基又はヘテロ環基を表す。
R21〜R23の少なくとも2つは、互いに結合して環を形成しても良い。R21〜R23の少なくとも1つと、R2とが結合して、環を形成していてもよい。 - 前記樹脂(A)が一般式(2)で表される繰り返し単位を更に含有し、
前記一般式(1−1)で表される繰り返し単位の含有量が、樹脂(A)の全繰り返し単位に対して35〜85モル%であり、
前記一般式(1−2)で表される繰り返し単位の含有量が、樹脂(A)の全繰り返し単位に対して10〜45モル%であり、かつ
前記一般式(2)で表される繰り返し単位の含有量が、樹脂(A)の全繰り返し単位に対して1〜40モル%である、請求項1〜8のいずれか1項に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。
上記一般式(2)中、
L3、L4は、それぞれ独立に、単結合又は2価の連結基を表し、Yはラクトン構造を形成しうる原子団を表し、Rb0は水素原子、アルキル基、シアノ基又はハロゲン原子を表す。 - 請求項1〜9のいずれか1項に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物を用いて形成されるレジスト膜。
- (ア)請求項1〜9のいずれか1項に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物により膜を形成する工程、
(イ)該膜を露光する工程、及び
(ウ)該露光された膜を、現像液を用いて現像してパターンを形成する工程を有するパターン形成方法。 - (ア)請求項1〜9のいずれか1項に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物により膜を形成する工程、
(イ)該膜を露光する工程、及び
(ウ’)該露光された膜を、有機溶剤を含む現像液を用いて現像してネガ型のパターンを形成する工程を有するパターン形成方法。 - 前記露光がX線、電子線又はEUVを用いて行われる、請求項11又は12記載のパターン形成方法。
- 請求項13に記載のパターン形成方法を含む、電子デバイスの製造方法。
- 請求項14に記載の電子デバイスの製造方法により製造された電子デバイス。
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