JP2014041327A5 - - Google Patents

Description

上記一般式（１−１３）中、Ｒ_２、Ｒ_３、Ｌ_１、Ｒａは一般式（１−１）におけるＲ_２、Ｒ_３、Ｌ_１、Ｒａと同義である。Ｒ^２４〜Ｒ^２６は、それぞれ独立に、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アラルキル基、ヘテロ環基を表す。Ｒ^２４〜Ｒ^２６の少なくとも２つは、互いに結合して環を形成しても良い。Ｒ^２４〜Ｒ^２６の少なくとも１つと、Ｒ_２とが結合して、環を形成していてもよい。
〔９〕
上記樹脂（Ａ）が一般式（２）で表される繰り返し単位を更に含有し、
前記一般式（１−１）で表される繰り返し単位の含有量が、樹脂（Ａ）の全繰り返し単位に対して３５〜８５モル％であり、
前記一般式（１−２）で表される繰り返し単位の含有量が、樹脂（Ａ）の全繰り返し単位に対して１０〜４５モル％であり、かつ
前記一般式（２）で表される繰り返し単位の含有量が、樹脂（Ａ）の全繰り返し単位に対して１〜４０モル％である、〔１〕〜〔８〕のいずれか１項に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。

Claims (15)

1. 下記一般式（１−１）で表される繰り返し単位と、下記一般式（１−２）で表される繰り返し単位とを有する樹脂（Ａ）を含有し、下記一般式（１−１）で表される繰り返し単位の含有量が、樹脂（Ａ）の全繰り返し単位に対して３５モル％以上である、感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。
   

   

   
   
   一般式（１―１）中、
   Ｒ_１はアルキル基又はシクロアルキル基を表し、Ｒ_２はアルキル基又はシクロアルキル基を表し、Ｒ_３は水素原子又はアルキル基を表す。Ｒ_１とＲ_２とは連結して環を形成してもよい。
   Ｒａは水素原子、アルキル基、シアノ基又はハロゲン原子を表す。
   Ｌ_１は単結合又は２価の連結基を表す。
   一般式（１−２）中、
   Ｒ_４は置換基を表す。ｎ_１は１又は２を、ｎ_２は０〜４の整数を表す。Ｌ_２は単結合、−ＣＯＯ−又は−ＣＯＮＲ_５−を表し、Ｒ_５は水素原子又はアルキル基を表す。
2. 前記一般式（１−１）で表される繰り返し単位の含有量が、樹脂（Ａ）の全繰り返し単位に対して５５モル％以上である、請求項１に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。
3. 前記一般式（１−１）におけるＲａがメチル基である、請求項１又は２記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。
4. 前記一般式（１−１）におけるＬ_１が単結合である、請求項１〜３のいずれか１項に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。
5. 前記一般式（１−２）で表される繰り返し単位の含有量が、樹脂（Ａ）の全繰り返し単位の１５モル％以上６５モル％以下である、請求項１〜４のいずれか１項に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。
6. 前記一般式（１−１）で表される繰り返し単位が下記一般式（１―１１）で表される繰り返し単位である、請求項１〜５のいずれか１項に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。
   

   

   
   
   上記一般式（１−１１）中、
   Ｒ_２、Ｒ_３、Ｌ_１、Ｒａは一般式（１−１）におけるＲ_２、Ｒ_３、Ｌ_１、Ｒａと同義である。
   Ｒ^１１はアルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アラルキル基、アルコキシ基、アシル基又はヘテロ環基を表す。Ｒ^１１とＲ_２とは連結して環を形成してもよい。
7. 前記一般式（１−１１）で表される繰り返し単位が下記一般式（１―１２）で表される繰り返し単位である、請求項６に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。
   

   

   
   
   上記一般式（１−１２）中、
   Ｒ_２、Ｒ_３、Ｌ_１、Ｒａは一般式（１−１）におけるＲ_２、Ｒ_３、Ｌ_１、Ｒａと同義である。
   Ｒ^２１〜Ｒ^２３は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アラルキル基又はヘテロ環基を表し、Ｒ^２１〜Ｒ^２３の少なくとも２つは、それぞれ独立に、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アラルキル基又はヘテロ環基を表す。
   Ｒ^２１〜Ｒ^２３の少なくとも２つは、互いに結合して環を形成しても良い。Ｒ^２１〜Ｒ^２３の少なくとも１つと、Ｒ_２とが結合して、環を形成していてもよい。
8. 前記一般式（１−１）で表される繰り返し単位が下記一般式（１―１３）で表される繰り返し単位である、請求項１〜５のいずれか１項に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。
   

   

   
   
   上記一般式（１−１３）中、Ｒ_２、Ｒ_３、Ｌ_１、Ｒａは一般式（１−１）におけるＲ_２、Ｒ_３、Ｌ_１、Ｒａと同義である。Ｒ^２４〜Ｒ^２６は、それぞれ独立に、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アラルキル基、ヘテロ環基を表す。Ｒ^２４〜Ｒ^２６の少なくとも２つは、互いに結合して環を形成しても良い。Ｒ^２４〜Ｒ^２６の少なくとも１つと、Ｒ_２とが結合して、環を形成していてもよい。
9. 前記樹脂（Ａ）が一般式（２）で表される繰り返し単位を更に含有し、
   前記一般式（１−１）で表される繰り返し単位の含有量が、樹脂（Ａ）の全繰り返し単位に対して３５〜８５モル％であり、
   前記一般式（１−２）で表される繰り返し単位の含有量が、樹脂（Ａ）の全繰り返し単位に対して１０〜４５モル％であり、かつ
   前記一般式（２）で表される繰り返し単位の含有量が、樹脂（Ａ）の全繰り返し単位に対して１〜４０モル％である、請求項１〜８のいずれか１項に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。
   

   

   
   
   上記一般式（２）中、
   Ｌ_３、Ｌ_４は、それぞれ独立に、単結合又は２価の連結基を表し、Ｙはラクトン構造を形成しうる原子団を表し、Ｒｂ_０は水素原子、アルキル基、シアノ基又はハロゲン原子を表す。
10. 請求項１〜９のいずれか１項に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物を用いて形成されるレジスト膜。
11. （ア）請求項１〜９のいずれか１項に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物により膜を形成する工程、
    （イ）該膜を露光する工程、及び
    （ウ）該露光された膜を、現像液を用いて現像してパターンを形成する工程を有するパターン形成方法。
12. （ア）請求項１〜９のいずれか１項に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物により膜を形成する工程、
    （イ）該膜を露光する工程、及び
    （ウ’）該露光された膜を、有機溶剤を含む現像液を用いて現像してネガ型のパターンを形成する工程を有するパターン形成方法。
13. 前記露光がＸ線、電子線又はＥＵＶを用いて行われる、請求項１１又は１２記載のパターン形成方法。
14. 請求項１３に記載のパターン形成方法を含む、電子デバイスの製造方法。
15. 請求項１４に記載の電子デバイスの製造方法により製造された電子デバイス。