JP2012208432A5 - - Google Patents
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〔8〕 前記感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物が、活性光線又は放射線の照射により塩基性が低下する、塩基性化合物又はアンモニウム塩化合物(C)を更に含有する、上記〔1〕〜〔7〕のいずれか1項に記載のパターン形成方法。
〔9〕 前記感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物が、フッ素原子及び珪素原子の少なくともいずれかを有する疎水性樹脂を更に含有する、上記〔1〕〜〔8〕のいずれか1項に記載のパターン形成方法。
〔10〕 前記現像液が、ケトン系溶剤、エステル系溶剤、アルコール系溶剤、アミド系溶剤及びエーテル系溶剤からなる群より選択される少なくとも1種類の有機溶剤を含有する現像液である、上記〔1〕〜〔9〕のいずれか1項に記載のパターン形成方法。
〔11〕 更に、(エ)有機溶剤を含有するリンス液を用いて洗浄する工程を含む、上記〔1〕〜〔10〕のいずれか1項に記載のパターン形成方法。
〔12〕 前記工程(イ)における露光が液浸露光である、上記〔1〕〜〔11〕のいずれか1項に記載のパターン形成方法。
〔13〕 上記〔1〕〜〔12〕のいずれか1項に記載のパターン形成方法に供せられる感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。
〔14〕 上記〔13〕に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物により形成されるレジスト膜。
〔15〕 上記〔1〕〜〔12〕のいずれか1項に記載のパターン形成方法を含む、電子デバイスの製造方法。
〔16〕 上記〔15〕に記載の電子デバイスの製造方法により製造された電子デバイス。
〔9〕 前記感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物が、フッ素原子及び珪素原子の少なくともいずれかを有する疎水性樹脂を更に含有する、上記〔1〕〜〔8〕のいずれか1項に記載のパターン形成方法。
〔10〕 前記現像液が、ケトン系溶剤、エステル系溶剤、アルコール系溶剤、アミド系溶剤及びエーテル系溶剤からなる群より選択される少なくとも1種類の有機溶剤を含有する現像液である、上記〔1〕〜〔9〕のいずれか1項に記載のパターン形成方法。
〔11〕 更に、(エ)有機溶剤を含有するリンス液を用いて洗浄する工程を含む、上記〔1〕〜〔10〕のいずれか1項に記載のパターン形成方法。
〔12〕 前記工程(イ)における露光が液浸露光である、上記〔1〕〜〔11〕のいずれか1項に記載のパターン形成方法。
〔13〕 上記〔1〕〜〔12〕のいずれか1項に記載のパターン形成方法に供せられる感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。
〔14〕 上記〔13〕に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物により形成されるレジスト膜。
〔15〕 上記〔1〕〜〔12〕のいずれか1項に記載のパターン形成方法を含む、電子デバイスの製造方法。
〔16〕 上記〔15〕に記載の電子デバイスの製造方法により製造された電子デバイス。
Claims (16)
- (ア)下記一般式(I)で表される、酸によって分解しカルボキシル基を生じる繰り返し単位(a1)を有する樹脂(P)、及び、活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物(B)を含有する感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物によって膜を形成する工程、
(イ)該膜を露光する工程、及び
(ウ)有機溶剤を含む現像液を用いて現像してネガ型のパターンを形成する工程
を含む、パターン形成方法。
Ry1〜Ry3は、各々独立に、アルキル基又はシクロアルキル基を表す。Ry1〜Ry3の内の2つが連結して環を形成していてもよい。
Zは、n+1価の、環員としてヘテロ原子を有していてもよい多環式炭化水素構造を有する連結基を表す。ただし、Zは、多環を構成する原子団としてのエステル結合を含有しない。
L1及びL2は、各々独立に、単結合又は2価の連結基を表す。
nは1〜3の整数を表す。
nが2又は3のとき、複数のL2、複数のRy1、複数のRy2、及び、複数のRy3は、各々、同一であっても異なっていてもよい。 - 前記繰り返し単位(a1)において、Ry1〜Ry3が、各々独立に、アルキル基である、請求項1に記載のパターン形成方法。
- 前記繰り返し単位(a2)において、R1〜R3が、各々独立に、アルキル基である、請求項3に記載のパターン形成方法。
- 前記繰り返し単位(a1)の含有量が、前記樹脂(P)中の全繰り返し単位に対して60モル%以上である、請求項1〜4のいずれか1項に記載のパターン形成方法。
- 前記繰り返し単位(a1)の含有量、及び、前記繰り返し単位(a2)の含有量の和が、前記樹脂(P)中の全繰り返し単位に対して60モル%以上である、請求項3又は4に記載のパターン形成方法。
- 前記感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物が、活性光線又は放射線の照射により塩基性が低下する、塩基性化合物又はアンモニウム塩化合物(C)を更に含有する、請求項1〜7のいずれか1項に記載のパターン形成方法。
- 前記感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物が、フッ素原子及び珪素原子の少なくともいずれかを有する疎水性樹脂を更に含有する、請求項1〜8のいずれか1項に記載のパターン形成方法。
- 前記現像液が、ケトン系溶剤、エステル系溶剤、アルコール系溶剤、アミド系溶剤及びエーテル系溶剤からなる群より選択される少なくとも1種類の有機溶剤を含有する現像液である、請求項1〜9のいずれか1項に記載のパターン形成方法。
- 更に、(エ)有機溶剤を含有するリンス液を用いて洗浄する工程を含む、請求項1〜10のいずれか1項に記載のパターン形成方法。
- 前記工程(イ)における露光が液浸露光である、請求項1〜11のいずれか1項に記載のパターン形成方法。
- 請求項1〜12のいずれか1項に記載のパターン形成方法に供せられる感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。
- 請求項13に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物により形成されるレジスト膜。
- 請求項1〜12のいずれか1項に記載のパターン形成方法を含む、電子デバイスの製造方法。
- 請求項15に記載の電子デバイスの製造方法により製造された電子デバイス。
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