WO2021200179A1 - 感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、感活性光線性又は感放射線性膜、パターン形成方法、及び電子デバイスの製造方法 - Google Patents

感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、感活性光線性又は感放射線性膜、パターン形成方法、及び電子デバイスの製造方法 Download PDF

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太朗 三好
英治 福▲崎▼
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Abstract

本発明は、（Ａ）酸の作用により極性が増大する樹脂、及び（Ｂ）活性光線又は放射線の照射によって酸を発生する化合物であって、特定の一般式で表される、化合物を含有する感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物であって、上記樹脂（Ａ）が特定の一般式で表される繰り返し単位を含む、感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、上記感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物により形成された感活性光線性又は感放射線性膜、パターン形成方法、及び電子デバイスの製造方法を提供する。

Description

感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、感活性光線性又は感放射線性膜、パターン形成方法、及び電子デバイスの製造方法
　本発明は、感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、感活性光線性又は感放射線性膜、パターン形成方法、及び電子デバイスの製造方法に関する。より詳細には、本発明は、超ＬＳＩ（Ｌａｒｇｅ　Ｓｃａｌｅ　Ｉｎｔｅｇｒａｔｉｏｎ）及び高容量マイクロチップの製造プロセス、ナノインプリント用モールド作成プロセス並びに高密度情報記録媒体の製造プロセス等に適用可能な超マイクロリソグラフィプロセス、並びにその他のフォトファブリケーションプロセスに好適に用いられる感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、感活性光線性又は感放射線性膜、パターン形成方法、及び電子デバイスの製造方法に関する。
　従来、ＩＣ（Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ　Ｃｉｒｃｕｉｔ）、ＬＳＩなどの半導体デバイスの製造プロセスにおいては、フォトレジスト組成物を用いたリソグラフィーによる微細加工が行われている。近年、集積回路の高集積化に伴い、サブミクロン領域又はクオーターミクロン領域の超微細パターン形成が要求されるようになってきている。それに伴い、露光波長もｇ線からｉ線に、更にＫｒＦエキシマレーザー光に、というように短波長化の傾向が見られ、現在では１９３ｎｍ波長を有するＡｒＦエキシマレーザーを光源とする露光機が開発されている。また、更に解像力を高める技術として、従来から投影レンズと試料の間に高屈折率の液体（以下、「液浸液」ともいう）で満たす、所謂、液浸法の開発が進んでいる。
　また、現在では、エキシマレーザー光以外にも、電子線（ＥＢ）、Ｘ線及び極紫外線（ＥＵＶ）等を用いたリソグラフィーも開発が進んでいる。これに伴い、各種の放射線に有効に感応し、感度及び解像度に優れた化学増幅型レジスト組成物が開発されている。
　例えば、特許文献１には、（Ａ）酸の作用により分解し、極性基を生じる基を有する樹脂と、（Ｃ１）活性光線又は放射線の照射により第１の酸性官能基を発生する基と、活性光線又は放射線の照射により、上記第１の酸性官能基とは異なる第２の酸性官能基を発生する基とを有する化合物、及び、（Ｃ２）活性光線又は放射線の照射により特定の構造を発生する基を２種以上有する化合物の少なくとも１つと、を含有する、感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物が記載されている。
　また、特許文献２には、酸の作用により分解し、アルカリ現像液中での溶解度が増大する樹脂と、活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物であって、特定の式で表される化合物とを含有する感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物が記載されている。
日本国特開２０１４－１４９４０９号公報 国際公開第２０２０／０４５５３４号
　しかしながら、近年、形成されるパターンの更なる微細化などにより、超微細（特に、線幅又はスペース幅が３０ｎｍ以下）のパターン形成方法において、ＬＷＲ（ｌｉｎｅ　ｗｉｄｔｈ　ｒｏｕｇｈｎｅｓｓ）、解像力をより向上できる感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物が求められている。
　本発明の課題は、超微細（特に、線幅又はスペース幅が３０ｎｍ以下）のパターン形成において、ラフネス性能の向上、及び解像力の向上を高次元で両立可能な感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物を提供することにある。また、本発明の別の課題は、上記感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物を用いた感活性光線性又は感放射線性膜、パターン形成方法、及び電子デバイスの製造方法を提供することにある。
　本発明者らは、以下の構成により上記課題を達成することができることを見出した。
［１］
（Ａ）酸の作用により極性が増大する樹脂、及び
（Ｂ）活性光線又は放射線の照射によって酸を発生する化合物であって、下記一般式（Ｉ）で表される、化合物
を含有する感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物であって、
　上記樹脂（Ａ）が下記一般式（ＡＩ）で表される繰り返し単位を含む、感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000010
一般式（ＡＩ）中、
ＲＡ、ＲＢ、及びＲＣは、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、ハロゲン原子、シアノ基、又はアルコキシカルボニル基を表す。但し、ＲＣはＡｒＡと結合して環を形成していてもよく、その場合のＲＣは単結合又はアルキレン基を表す。
ＬＡは、単結合又は２価の連結基を表す。
ＡｒＡは、（ｎ＋１）価の芳香環基を表す。ＡｒＡがＲＣと結合して環を形成する場合には（ｎ＋２）価の芳香環基を表す。
ｎは、１～５の整数を表す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000011
一般式（Ｉ）中、
Ｍ１ ＋、及びＭ２ ＋は、それぞれ独立に、カチオンを表す。
Ｘは、単結合又は（ｍ＋１）価の連結基を表す。
Ａ１ －、及びＡ２ －は、それぞれ独立に、アニオン性基を表す。Ａ１ －は、Ａ２ －で表される酸アニオン基とは異なる構造を表す。
ｍは１又は２を表す。ｍが２を表す場合は、複数のＭ１ ＋は同一であっても異なっていてもよい。ｍが２を表す場合は、複数のＡ１ －は同一であっても異なっていてもよい。
　但し、一般式（Ｉ）で表される化合物のＭ１ ＋及びＭ２ ＋がそれぞれ水素原子で置換された化合物（ＰＩ）が、ＨＡ１で表される基の酸解離定数ａ１と、Ａ２Ｈで表される基の酸解離定数ａ２とを有し、酸解離定数ａ１は、酸解離定数ａ２よりも低く、酸解離定数ａ１は－１．５以上である。
［２］
　上記一般式（Ｉ）中、Ａ１ －、及びＡ２ －は、それぞれ独立に、下記一般式（Ｂ－１）～（Ｂ－２７）で表される基からなる群より選ばれる基である、［１］に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000012
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000013
一般式（Ｂ－１）中、
ＹＦ１は、フッ素原子、又はパーフルオロアルキル基を表す。
Ｙ１は、水素原子、又は、フッ素原子を有さない置換基を表す。
一般式（Ｂ－２）中、
Ｙ２は、それぞれ独立に、水素原子、又は、フッ素原子を有さない置換基を表す。
一般式（Ｂ－３）中、
ＹＦ２は、フッ素原子、又はパーフルオロアルキル基を表す。
Ｙ３は、水素原子、又は、フッ素原子を有さない置換基を表す。
Ｒａは、有機基を表す。
一般式（Ｂ－４）中、
Ｙ４は、それぞれ独立に、水素原子、又は、フッ素原子を有さない置換基を表す。
Ｒａ１は、有機基を表す。
一般式（Ｂ－５）中、
ＹＦ３は、フッ素原子、又はパーフルオロアルキル基を表す。
Ｙ５は、水素原子、又は、フッ素原子を有さない置換基を表す。
Ｒｂは、水素原子、又は有機基を表す。
一般式（Ｂ－６）中、
Ｙ６は、それぞれ独立に、水素原子、又は、フッ素原子を有さない置換基を表す。
Ｒｂ１は、水素原子、又は有機基を表す。
一般式（Ｂ－７）中、
ＹＦ４は、フッ素原子、又はパーフルオロアルキル基を表す。
Ｙ７は、水素原子、又は、フッ素原子を有さない置換基を表す。
Ｒｃは、有機基を表す。
一般式（Ｂ－８）中、
Ｙ８は、それぞれ独立に、水素原子、又は、フッ素原子を有さない置換基を表す。
Ｒｃ１は、有機基を表す。
一般式（Ｂ－９）中、
ＹＦ５は、フッ素原子、又はパーフルオロアルキル基を表す。
Ｙ９は、水素原子、又は、フッ素原子を有さない置換基を表す。
Ｒｄは、有機基を表す。
一般式（Ｂ－１０）中、
Ｙ１０は、それぞれ独立に、水素原子、又は、フッ素原子を有さない置換基を表す。
Ｒｄ１は、有機基を表す。
一般式（Ｂ－１２）中、
Ｒｅは、水素原子、有機基、又はハロゲン原子を表す。
ｏは１～４の整数を表す。
ｏが２以上の整数を表す場合は、複数のＲｅは同一であっても異なっていても良い。
一般式（Ｂ－１３）中、
ＹＦ６は、フッ素原子、又はパーフルオロアルキル基を表す。
Ｙ１１は、水素原子、又は、フッ素原子を有さない置換基を表す。
一般式（Ｂ－１４）中、
Ｙ１２は、それぞれ独立に、水素原子、又は、フッ素原子を有さない置換基を表す。
一般式（Ｂ－１５）中、
ＹＦ７は、フッ素原子、又はパーフルオロアルキル基を表す。
Ｙ１３は、水素原子、又は、フッ素原子を有さない置換基を表す。
Ｒｆは、有機基を表す。
一般式（Ｂ－１６）中、
Ｙ１４は、それぞれ独立に、水素原子、又は、フッ素原子を有さない置換基を表す。
Ｒｆ１は、有機基を表す。
一般式（Ｂ－１７）中、
ＹＦ８は、フッ素原子、又はパーフルオロアルキル基を表す。
Ｙ１５は、水素原子、又は、フッ素原子を有さない置換基を表す。
Ｒｇは、有機基を表す。
Ｒｈは、有機基を表す。
一般式（Ｂ－１８）中、
Ｙ１６は、それぞれ独立に、水素原子、又は、フッ素原子を有さない置換基を表す。
Ｒｇ１は、有機基を表す。
Ｒｈ１は、有機基を表す。
一般式（Ｂ－１９）中、
ＹＦ９は、フッ素原子、又はパーフルオロアルキル基を表す。
Ｙ１７は、水素原子、又は、フッ素原子を有さない置換基を表す。
一般式（Ｂ－２０）中、
Ｙ１８は、それぞれ独立に、水素原子、又は、フッ素原子を有さない置換基を表す。
一般式（Ｂ－２１）中、
ＹＦ１０は、フッ素原子、又はパーフルオロアルキル基を表す。
Ｙ１９は、水素原子、又は、フッ素原子を有さない置換基を表す。
Ｒｉは、有機基を表す。
Ｒｊは、有機基を表す。
一般式（Ｂ－２２）中、
Ｙ２０は、それぞれ独立に、水素原子、又は、フッ素原子を有さない置換基を表す。
Ｒｉ１は、有機基を表す。
Ｒｊ１は、有機基を表す。
一般式（Ｂ－２３）中、
Ｒｋは、水素原子、又は、フッ素原子を有さない置換基を表す。
ｐは１～４の整数を表す。
ｐが２以上の整数を表す場合は、複数のＲｋは同一であっても異なっていても良い。
一般式（Ｂ－２４）中、
Ｒｌは、水素原子、有機基、又は、ハロゲン原子を表す。
ｑは１～４の整数を表す。
ｑが２以上の整数を表す場合は、複数のＲｌは同一であっても異なっていても良い。
Ｒｃ２は、有機基を表す。
一般式（Ｂ－２５）中、
ＹＦ１１は、それぞれ独立に、フッ素原子、又はパーフルオロアルキル基を表す。
Ｒｃ３は、有機基を表す。
一般式（Ｂ－２６）中、
ＹＦ１２は、それぞれ独立に、フッ素原子、又はパーフルオロアルキル基を表す。
Ｒｄ２は、有機基を表す。
一般式（Ｂ－２７）中、
ＹＦ１３は、それぞれ独立に、フッ素原子、又はパーフルオロアルキル基を表す。
一般式（Ｂ－１）～（Ｂ－２７）において、
*は、結合位置を表す。
［３］
　上記化合物（ＰＩ）において、上記酸解離定数ａ１と上記酸解離定数ａ２との差が２．０以上である、［１］又は［２］に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。
［４］
　上記化合物（ＰＩ）において、上記酸解離定数ａ２が２．０以上である、［１］～［３］のいずれか一項に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。
［５］
　上記一般式（Ｉ）において、Ａ１ －が上記一般式（Ｂ－２）又は（Ｂ－２３）で表される基である、［２］～［４］のいずれか一項に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。
［６］
　上記一般式（Ｉ）において、Ａ１ －が上記一般式（Ｂ－２）で表される基である、［２］～［５］のいずれか一項に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。
［７］
　（Ａ）酸の作用により極性が増大する樹脂が、酸分解性基を有する繰り返し単位を含み、上記酸分解性基を有する繰り返し単位は、酸の作用により分解してカルボキシ基を生じる基、及び酸の作用により分解してフェノール性水酸基を生じる基からなる群より選ばれる繰り返し単位である、［１］～［６］のいずれか一項に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。
［８］
　上記酸分解性基を有する繰り返し単位が、下記一般式（３）～（７）で表される繰り返し単位から選ばれる１種以上を含む、［７］に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000014
　一般式（３）中、Ｒ５、Ｒ６、及びＲ７は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、ハロゲン原子、シアノ基、又はアルコキシカルボニル基を表す。
Ｌ２は、単結合、又は２価の連結基を表す。
Ｒ８～Ｒ１０は、それぞれ独立に、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アラルキル基、又はアルケニル基を表す。なお、Ｒ８～Ｒ１０のうち２つが互いに結合して環を形成してもよい。
　一般式（４）中、Ｒ１１～Ｒ１４は、それぞれ独立に、水素原子又は有機基を表す。但し、Ｒ１１及びＲ１２のうち少なくとも一方は、有機基を表す。
Ｘ１は、－ＣＯ－、－ＳＯ－、又は－ＳＯ２－を表す。
Ｙ１は、－Ｏ－、－Ｓ－、－ＳＯ－、－ＳＯ２－、又は－ＮＲ３４－を表す。Ｒ３４は、水素原子又は有機基を表す。
Ｌ３は、単結合、又は２価の連結基を表す。
Ｒ１５～Ｒ１７は、それぞれ独立に、アルキル基、フッ素原子を有していてもよいシクロアルキル基、アリール基、アラルキル基、又はアルケニル基を表す。なお、Ｒ１５～Ｒ１７のうち２つが互いに結合して環を形成してもよい。
　一般式（５）中、Ｒ１８及びＲ１９は、それぞれ独立に、水素原子又は有機基を表す。Ｒ２０及びＲ２１は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アラルキル基、又はアルケニル基を表す。なお、Ｒ２０とＲ２１とは、互いに結合して環を形成してもよい。
　一般式（６）中、Ｒ２２、Ｒ２３、及びＲ２４は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、ハロゲン原子、シアノ基、又はアルコキシカルボニル基を表す。
Ｌ４は、単結合又は２価の連結基を表す。
Ａｒ１は、芳香環基を表す。
Ｒ２５～Ｒ２７は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アラルキル基、又はアルケニル基を表す。なお、Ｒ２６とＲ２７とは、互いに結合して環を形成してもよい。また、Ａｒ１は、Ｒ２４又はＲ２５と結合して環を形成してもよい。
　一般式（７）中、Ｒ２８、Ｒ２９、及びＲ３０は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、ハロゲン原子、シアノ基、又はアルコキシカルボニル基を表す。
Ｌ５は、単結合、又は２価の連結基を表す。
Ｒ３１及びＲ３２は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アラルキル基、又はアルケニル基を表す。
Ｒ３３は、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アラルキル基、又はアルケニル基を表す。なお、Ｒ３２とＲ３３とは、互いに結合して環を形成してもよい。
［９］
　上記酸分解性基を有する繰り返し単位が、上記一般式（６）で表される繰り返し単位、及び上記一般式（７）で表される繰り返し単位から選ばれる１種以上を含む、［８］に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。
［１０］
　上記酸分解性基を有する繰り返し単位が、ハロゲン原子を含まない［７］～［９］のいずれか１項に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。
［１１］（Ａ）酸の作用により極性が増大する樹脂、及び（Ｂ）活性光線又は放射線の照射によって酸を発生する化合物であって、下記一般式（Ｉ）で表される、化合物を含有する感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物であって、
　上記樹脂（Ａ）が下記一般式（Ａ）で表される繰り返し単位を含む、感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000015
一般式（ＡＩ）中、
ＲＡ、ＲＢ、及びＲＣは、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、ハロゲン原子、シアノ基、又はアルコキシカルボニル基を表す。但し、ＲＣはＡｒＡと結合して環を形成していてもよく、その場合のＲＣは単結合又はアルキレン基を表す。
ＬＡは、単結合又は２価の連結基を表す。
ＡｒＡは、（ｎ＋１）価の芳香環基を表す。ＡｒＡがＲＣと結合して環を形成する場合には（ｎ＋２）価の芳香環基を表す。
ｎは、１～５の整数を表す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000016
一般式（Ｉ）中、
Ｍ１ ＋、及びＭ２ ＋は、それぞれ独立に、カチオンを表す。
Ｘは、（ｍ＋１）価の連結基を表す。
Ａ１ －、及びＡ２ －は、それぞれ独立に、下記一般式（Ｂ－１）～（Ｂ－２７）で表される基からなる群より選ばれる基である。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000017
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000018
一般式（Ｂ－１）中、
ＹＦ１は、フッ素原子、又はパーフルオロアルキル基を表す。
Ｙ１は、水素原子、又は、フッ素原子を有さない置換基を表す。
一般式（Ｂ－２）中、
Ｙ２は、それぞれ独立に、水素原子、又は、フッ素原子を有さない置換基を表す。
一般式（Ｂ－３）中、
ＹＦ２は、フッ素原子、又はパーフルオロアルキル基を表す。
Ｙ３は、水素原子、又は、フッ素原子を有さない置換基を表す。
Ｒａは、有機基を表す。
一般式（Ｂ－４）中、
Ｙ４は、それぞれ独立に、水素原子、又は、フッ素原子を有さない置換基を表す。
Ｒａ１は、有機基を表す。
一般式（Ｂ－５）中、
ＹＦ３は、フッ素原子、又はパーフルオロアルキル基を表す。
Ｙ５は、水素原子、又は、フッ素原子を有さない置換基を表す。
Ｒｂは、水素原子、又は有機基を表す。
一般式（Ｂ－６）中、
Ｙ６は、それぞれ独立に、水素原子、又は、フッ素原子を有さない置換基を表す。
Ｒｂ１は、水素原子、又は有機基を表す。
一般式（Ｂ－７）中、
ＹＦ４は、フッ素原子、又はパーフルオロアルキル基を表す。
Ｙ７は、水素原子、又は、フッ素原子を有さない置換基を表す。
Ｒｃは、有機基を表す。
一般式（Ｂ－８）中、
Ｙ８は、それぞれ独立に、水素原子、又は、フッ素原子を有さない置換基を表す。
Ｒｃ１は、有機基を表す。
一般式（Ｂ－９）中、
ＹＦ５は、フッ素原子、又はパーフルオロアルキル基を表す。
Ｙ９は、水素原子、又は、フッ素原子を有さない置換基を表す。
Ｒｄは、有機基を表す。
一般式（Ｂ－１０）中、
Ｙ１０は、それぞれ独立に、水素原子、又は、フッ素原子を有さない置換基を表す。
Ｒｄ１は、有機基を表す。
一般式（Ｂ－１２）中、
Ｒｅは、水素原子、有機基、又はハロゲン原子を表す。
ｏは１～４の整数を表す。
ｏが２以上の整数を表す場合は、複数のＲｅは同一であっても異なっていても良い。
一般式（Ｂ－１３）中、
ＹＦ６は、フッ素原子、又はパーフルオロアルキル基を表す。
Ｙ１１は、水素原子、又は、フッ素原子を有さない置換基を表す。
一般式（Ｂ－１４）中、
Ｙ１２は、それぞれ独立に、水素原子、又は、フッ素原子を有さない置換基を表す。
一般式（Ｂ－１５）中、
ＹＦ７は、フッ素原子、又はパーフルオロアルキル基を表す。
Ｙ１３は、水素原子、又は、フッ素原子を有さない置換基を表す。
Ｒｆは、有機基を表す。
一般式（Ｂ－１６）中、
Ｙ１４は、それぞれ独立に、水素原子、又は、フッ素原子を有さない置換基を表す。
Ｒｆ１は、有機基を表す。
一般式（Ｂ－１７）中、
ＹＦ８は、フッ素原子、又はパーフルオロアルキル基を表す。
Ｙ１５は、水素原子、又は、フッ素原子を有さない置換基を表す。
Ｒｇは、有機基を表す。
Ｒｈは、有機基を表す。
一般式（Ｂ－１８）中、
Ｙ１６は、それぞれ独立に、水素原子、又は、フッ素原子を有さない置換基を表す。
Ｒｇ１は、有機基を表す。
Ｒｈ１は、有機基を表す。
一般式（Ｂ－１９）中、
ＹＦ９は、フッ素原子、又はパーフルオロアルキル基を表す。
Ｙ１７は、水素原子、又は、フッ素原子を有さない置換基を表す。
一般式（Ｂ－２０）中、
Ｙ１８は、それぞれ独立に、水素原子、又は、フッ素原子を有さない置換基を表す。
一般式（Ｂ－２１）中、
ＹＦ１０は、フッ素原子、又はパーフルオロアルキル基を表す。
Ｙ１９は、水素原子、又は、フッ素原子を有さない置換基を表す。
Ｒｉは、有機基を表す。
Ｒｊは、有機基を表す。
一般式（Ｂ－２２）中、
Ｙ２０は、それぞれ独立に、水素原子、又は、フッ素原子を有さない置換基を表す。
Ｒｉ１は、有機基を表す。
Ｒｊ１は、有機基を表す。
一般式（Ｂ－２３）中、
Ｒｋは、水素原子、又は、フッ素原子を有さない置換基を表す。
ｐは１～４の整数を表す。
ｐが２以上の整数を表す場合は、複数のＲｋは同一であっても異なっていても良い。
一般式（Ｂ－２４）中、
Ｒｌは、水素原子、有機基、又は、ハロゲン原子を表す。
ｑは１～４の整数を表す。
ｑが２以上の整数を表す場合は、複数のＲｌは同一であっても異なっていても良い。
Ｒｃ２は、有機基を表す。
一般式（Ｂ－２５）中、
ＹＦ１１は、それぞれ独立に、フッ素原子、又はパーフルオロアルキル基を表す。
Ｒｃ３は、有機基を表す。
一般式（Ｂ－２６）中、
ＹＦ１２は、それぞれ独立に、フッ素原子、又はパーフルオロアルキル基を表す。
Ｒｄ２は、有機基を表す。
一般式（Ｂ－２７）中、
ＹＦ１３は、それぞれ独立に、フッ素原子、又はパーフルオロアルキル基を表す。
一般式（Ｂ－１）～（Ｂ－２７）において、
*は、結合位置を表す。
Ａ１ －は、Ａ２ －で表される基とは異なる構造を表す。
ｍは１又は２を表す。ｍが２を表す場合は、複数のＭ１ ＋は同一であっても異なっていてもよい。ｍが２を表す場合は、複数のＡ１ －は同一であっても異なっていてもよい。
［１２］
　［１］～［１１］のいずれか１項に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物により形成された感活性光線性又は感放射線性膜。
［１３］
　［１］～［１１］のいずれか１項に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物を用いてレジスト膜を形成するレジスト膜形成工程と、上記レジスト膜を露光する露光工程と、露光された上記レジスト膜を、現像液を用いて現像する現像工程と、を含むパターン形成方法。
［１４］
　［１３］に記載のパターン形成方法を含む、電子デバイスの製造方法。
　本発明により、超微細（特に、線幅又はスペース幅が３０ｎｍ以下）のパターン形成において、ラフネス性能の向上、及び解像力の向上とを高次元で両立可能な感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物を提供することができる。本発明により、上記感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物を用いた感活性光線性又は感放射線性膜、パターン形成方法、及び電子デバイスの製造方法を提供することができる。
　以下、本発明について詳細に説明する。
　以下に記載する構成要件の説明は、本発明の代表的な実施態様に基づいてなされることがあるが、本発明はそのような実施態様に限定されない。
　本明細書中における「活性光線」又は「放射線」とは、例えば、水銀灯の輝線スペクトル、エキシマレーザーに代表される遠紫外線、極紫外線（ＥＵＶ：Ｅｘｔｒｅｍｅ　Ｕｌｔｒａｖｉｏｌｅｔ）、Ｘ線、軟Ｘ線、及び電子線（ＥＢ：Ｅｌｅｃｔｒｏｎ　Ｂｅａｍ）等を意味する。本明細書中における「光」とは、活性光線又は放射線を意味する。本明細書中における「露光」とは、特に断らない限り、水銀灯の輝線スペクトル、エキシマレーザーに代表される遠紫外線、極紫外線、Ｘ線、及びＥＵＶ等による露光のみならず、電子線、及びイオンビーム等の粒子線による描画も含む。
　本明細書において、「～」とはその前後に記載される数値を下限値及び上限値として含む意味で使用される。
　本明細書において表記される二価の基の結合方向は、特に断らない限り制限されない。例えば、「Ｘ－Ｙ－Ｚ」なる一般式で表される化合物中の、Ｙが－ＣＯＯ－である場合、Ｙは、－ＣＯ－Ｏ－であってもよく、－Ｏ－ＣＯ－であってもよい。また、上記化合物は「Ｘ－ＣＯ－Ｏ－Ｚ」であってもよく「Ｘ－Ｏ－ＣＯ－Ｚ」であってもよい。
　本明細書において、（メタ）アクリレートはアクリレート及びメタクリレートの少なくとも１種を表す。また（メタ）アクリル酸はアクリル酸及びメタクリル酸の少なくとも１種を表す。
　本明細書において、樹脂の重量平均分子量（Ｍｗ）、数平均分子量（Ｍｎ）、及び分散度（分子量分布ともいう）（Ｍｗ／Ｍｎ）は、ＧＰＣ（Ｇｅｌ　Ｐｅｒｍｅａｔｉｏｎ　Ｃｈｒｏｍａｔｏｇｒａｐｈｙ）装置（東ソー株式会社製ＨＬＣ－８１２０ＧＰＣ）によるＧＰＣ測定（溶剤：テトラヒドロフラン、流量（サンプル注入量）：１０μＬ、カラム：東ソー株式会社製ＴＳＫ　ｇｅｌ　Ｍｕｌｔｉｐｏｒｅ　ＨＸＬ－Ｍ、カラム温度：４０℃、流速：１．０ｍＬ／分、検出器：示差屈折率検出器（Ｒｅｆｒａｃｔｉｖｅ　Ｉｎｄｅｘ　Ｄｅｔｅｃｔｏｒ））によるポリスチレン換算値として定義される。
　本明細書中における基（原子団）の表記について、置換及び無置換を記していない表記は、置換基を有さない基と共に置換基を有する基をも包含する。例えば、「アルキル基」とは、置換基を有さないアルキル基（無置換アルキル基）のみならず、置換基を有するアルキル基（置換アルキル基）をも包含する。また、本明細書中における「有機基」とは、少なくとも１個の炭素原子を含む基をいう。
　また、本明細書において、「置換基を有していてもよい」というときの置換基の種類、置換基の位置、及び、置換基の数は特に限定されない。置換基の数は例えば、１つ、２つ、３つ、又はそれ以上であってもよい。置換基の例としては水素原子を除く１価の非金属原子団を挙げることができ、例えば、以下の置換基Ｔから選択することができる。
（置換基Ｔ）
　置換基Ｔとしては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子及びヨウ素原子等のハロゲン原子；メトキシ基、エトキシ基及びｔｅｒｔ－ブトキシ基等のアルコキシ基；フェノキシ基及びｐ－トリルオキシ基等のアリールオキシ基；メトキシカルボニル基、ブトキシカルボニル基及びフェノキシカルボニル基等のアルコキシカルボニル基；アセトキシ基、プロピオニルオキシ基及びベンゾイルオキシ基等のアシルオキシ基；アセチル基、ベンゾイル基、イソブチリル基、アクリロイル基、メタクリロイル基及びメトキサリル基等のアシル基；メチルスルファニル基及びｔｅｒｔ－ブチルスルファニル基等のアルキルスルファニル基；フェニルスルファニル基及びｐ－トリルスルファニル基等のアリールスルファニル基；アルキル基（例えば、炭素数１～１０）；シクロアルキル基（例えば、炭素数３～２０）；アリール基（例えば、炭素数６～２０）；ヘテロアリール基；水酸基；カルボキシ基；ホルミル基；スルホ基；シアノ基；アルキルアミノカルボニル基；アリールアミノカルボニル基；スルホンアミド基；シリル基；アミノ基；モノアルキルアミノ基；ジアルキルアミノ基；アリールアミノ基、ニトロ基；ホルミル基；並びにこれらの組み合わせが挙げられる。
　本明細書において酸解離定数（ｐＫａ）とは、水溶液中でのｐＫａを表し、具体的には、下記ソフトウェアパッケージ１を用いて、ハメットの置換基定数及び公知文献値のデータベースに基づいた値を、計算により求められる値である。本明細書中に記載したｐＫａの値は、全て、このソフトウェアパッケージを用いて計算により求めた値を示す。
　ソフトウェアパッケージ１：　Ａｄｖａｎｃｅｄ　Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ　Ｄｅｖｅｌｏｐｍｅｎｔ　（ＡＣＤ／Ｌａｂｓ）　Ｓｏｆｔｗａｒｅ　Ｖ８．１４　ｆｏｒ　Ｓｏｌａｒｉｓ　（１９９４－２００７　ＡＣＤ／Ｌａｂｓ）。
　一方で、ｐＫａは、分子軌道計算法によっても求められる。この具体的な方法としては、熱力学サイクルに基づいて、溶媒中におけるＨ＋解離自由エネルギーを計算して算出する手法が挙げられる。（なお、本明細書において、上記溶媒としては、通常は水を使用し、水ではｐＫａを求められない場合にはＤＭＳＯ（ジメチルスルホキシド）を使用する。）
　Ｈ＋解離自由エネルギーの計算方法については、例えばＤＦＴ（密度汎関数法）により計算できるが、他にも様々な手法が文献等で報告されており、これに制限されるものではない。なお、ＤＦＴを実施できるソフトウェアは複数存在するが、例えば、Ｇａｕｓｓｉａｎ１６が挙げられる。
　本明細書中のｐＫａとは、上述した通り、ソフトウェアパッケージ１を用いて、ハメットの置換基定数及び公知文献値のデータベースに基づいた値を計算により求められる値を指すが、この手法によりｐＫａが算出できない場合には、ＤＦＴ（密度汎関数法）に基づいてＧａｕｓｓｉａｎ１６により得られる値を採用するものとする。
［感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物］
　本発明に係る感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物（以下、「本発明の組成物」ともいう）は、
（Ａ）酸の作用により極性が増大する樹脂、及び
（Ｂ）活性光線又は放射線の照射によって酸を発生する化合物であって、下記一般式（Ｉ）で表される、化合物
を含有する感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物であって、
　上記樹脂（Ａ）が下記一般式（ＡＩ）で表される繰り返し単位を含む、感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物である。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000019
一般式（ＡＩ）中、
ＲＡ、ＲＢ、及びＲＣは、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、ハロゲン原子、シアノ基、又はアルコキシカルボニル基を表す。但し、ＲＣはＡｒＡと結合して環を形成していてもよく、その場合のＲＣは単結合又はアルキレン基を表す。
ＬＡは、単結合又は２価の連結基を表す。
ＡｒＡは、（ｎ＋１）価の芳香環基を表す。ＡｒＡがＲＣと結合して環を形成する場合には（ｎ＋２）価の芳香環基を表す。
ｎは、１～５の整数を表す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000020
一般式（Ｉ）中、
Ｍ１ ＋、及びＭ２ ＋は、それぞれ独立に、カチオンを表す。
Ｘは、単結合又は（ｍ＋１）価の連結基を表す。
Ａ１ －、及びＡ２ －は、それぞれ独立に、アニオン性基を表す。Ａ１ －は、Ａ２ －で表される酸アニオン基とは異なる構造を表す。
ｍは１又は２を表す。ｍが２を表す場合は、複数のＭ１ ＋は同一であっても異なっていてもよい。ｍが２を表す場合は、複数のＡ１ －は同一であっても異なっていてもよい。
　但し、一般式（Ｉ）で表される化合物のＭ１ ＋及びＭ２ ＋がそれぞれ水素原子で置換された化合物（ＰＩ）が、ＨＡ１で表される基の酸解離定数ａ１と、Ａ２Ｈで表される基の酸解離定数ａ２とを有し、酸解離定数ａ１は、酸解離定数ａ２よりも低く、酸解離定数ａ１は－１．５以上である。
　本発明の組成物は、レジスト組成物であることが好ましく、ポジ型のレジスト組成物であっても、ネガ型のレジスト組成物であってもよい。また、アルカリ現像用のレジスト組成物であっても、有機溶剤現像用のレジスト組成物であってもよい。なかでも、ポジ型のレジスト組成物であり、アルカリ現像用のレジスト組成物であることが好ましい。
　また、本発明の組成物は、化学増幅型のレジスト組成物であることが好ましく、化学増幅ポジ型レジスト組成物であることがより好ましい。
　本発明の組成物が、超微細（特に、線幅又はスペース幅が３０ｎｍ以下）のパターン形成において、ラフネス性能の向上、及び解像力の向上を高次元で両立できる理由については、完全には明らかになってはいないが、本発明者らは以下のように推定している。
　先ず、従来より、光酸発生剤と酸拡散制御剤とをそれぞれ単独の化合物として含むレジスト組成物が広く知られている。このようなレジスト組成物から形成されたレジスト膜においては、未露光部における酸拡散制御剤が、露光部において光酸発生剤から発生した酸を捕捉して、酸の未露光部への過剰な拡散を抑制できるとされている。酸拡散制御剤として、光酸発生剤が発生する酸よりも酸強度が弱い酸の塩（いわゆる弱酸塩）が知られている。
　このように、レジスト組成物中に、光酸発生剤と、上記弱酸塩のような酸拡散制御剤とを含むことで、解像力に優れたパターンが形成されるものと考えられるが、近年の超微細のパターン形成の要請において、従来のレジスト組成物では、優れた解像力に加えて、優れたラフネス性能についても高次元で両立することが難しい等、求められる性能を得ることが難しくなってきている。
　本発明者らは鋭意検討した結果、従来の上記レジスト組成物により形成されたレジスト膜においては、それぞれ単独の化合物として含まれる光酸発生剤及び酸拡散制御剤が、厳密には、光酸発生剤同士、及び、酸拡散制御剤同士で凝集しやすく、換言すれば、形成されたレジスト膜中に、光酸発生剤の濃度が高い（又は低い）部分、及び酸拡散制御剤の濃度が高い（又は低い）部分が存在しやすく、その結果、光酸発生剤と酸拡散制御剤との濃度分布が不均一になっているものと考えた。このような不均一性は、レジスト膜が露光された際に、特に超微細のパターンの形成においては、ラフネス性能の低下等に繋がる原因となっていたものと考えられる。
　一方、本発明の感活性光線性又は感放射線性組成物は、（Ｂ）活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物であって、上記一般式（Ｉ）で表される、化合物を含有する。
　上記一般式（Ｉ）で表される化合物は、光酸発生剤に相当する機能を有する構造部位（Ａ１ －　Ｍ１ ＋）と、酸拡散制御剤に相当する機能を有する構造部位（Ａ２ －　Ｍ２ ＋（上記Ａ１ －　Ｍ１ ＋から発生する酸を捕捉する構造部位））との両方を一分子中に含むため、レジスト膜中において、光酸発生剤としても、また酸拡散制御剤としても機能する化合物をより均一に存在させることができる。
　そのため、優れた解像力が得られるとともに、現像後に得られるパターンの幅が安定しやすい。つまり、形成されるパターンのラフネス性能が更に改善されるものと考えられる。
　本発明の組成物における樹脂（Ａ）は、後述の一般式（Ａ）で表される繰り返し単位を有している。上記化合物（Ｂ）が、上記繰り返し単位の末端のヒドロキシ基と相互作用することで、化合物（Ｂ）の凝集を更に抑えることができ、形成されるパターンのラフネス性能が更に改善されたと考えられる。
　また、光酸発生剤から発生する酸の強度が強すぎる場合は、露光部にて発生した酸が露光部にとどまらず、未露光部への過度の拡散を起こす傾向にある。
　しかし、上記一般式（Ｉ）で表される化合物のＭ１ ＋及びＭ２ ＋がそれぞれ水素原子で置換された化合物（ＰＩ）における酸解離定数ａ１は－１．５以上となっている。言い換えると、上記化合物（Ｂ）において、光酸発生剤に相当する機能を有する構造部位（Ａ１ －　Ｍ１ ＋）から発生する酸の強度は、適度に強度を抑えた酸となっており、上記の未露光部への過度の拡散を抑制することができ、特に、超微細のパターン形成において、形成されるパターンのラフネス性能がさらに改善されるものと推測される。
［（Ｂ）活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物であって、下記一般式（１）で表される、化合物］
　上記したように、本発明の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物は、（Ｂ）活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物であって、下記一般式（Ｉ）で表される化合物（「化合物（Ｂ）」、「光酸発生剤（Ｂ）」ともいう）を含有する。
　化合物（Ｂ）は、活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物（光酸発生剤）である。
＜一般式（Ｉ）で表される化合物＞
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000021
一般式（Ｉ）中、
Ｍ１ ＋、及びＭ２ ＋は、それぞれ独立に、カチオンを表す。
Ｘは、単結合又は（ｍ＋１）価の連結基を表す。
Ａ１ －、及びＡ２ －は、それぞれ独立に、アニオン性基を表す。Ａ１ －は、Ａ２ －で表される酸アニオン基とは異なる構造を表す。
ｍは１又は２を表す。ｍが２を表す場合は、複数のＭ１ ＋は同一であっても異なっていてもよい。ｍが２を表す場合は、複数のＡ１ －は同一であっても異なっていてもよい。
　但し、一般式（Ｉ）で表される化合物のＭ１ ＋及びＭ２ ＋がそれぞれ水素原子で置換された化合物（ＰＩ）が、ＨＡ１で表される基の酸解離定数ａ１と、Ａ２Ｈで表される基の酸解離定数ａ２とを有し、酸解離定数ａ１は、酸解離定数ａ２よりも低く、酸解離定数ａ１は－１．５以上である。
　一般式（Ｉ）中、Ｍ１ ＋、及びＭ２ ＋で表されるカチオンについては、後述のとおりである。
　一般式（Ｉ）中、ｍが１である場合におけるＸで表される２価の連結基としては特に制限されず、－ＮＲ－、－ＣＯ－、－Ｏ－、アルキレン基（好ましくは炭素数１～８。直鎖状でも分岐鎖状でもよい）、シクロアルキレン基（好ましくは炭素数３～１５）、アルケニレン基（好ましくは炭素数２～６）、２価の脂肪族複素環基（少なくとも１つのＮ原子、Ｏ原子、Ｓ原子、又はＳｅ原子を環構造内に有する５～１０員環が好ましく、５～７員環がより好ましく、５～６員環が更に好ましい。）、２価の芳香族複素環基（少なくとも１つのＮ原子、Ｏ原子、Ｓ原子、又はＳｅ原子を環構造内に有する５～１０員環が好ましく、５～７員環がより好ましく、５～６員環が更に好ましい。）、２価の芳香族炭化水素環基（６～１０員環が好ましく、６員環が更に好ましい。）、及びこれらの複数を組み合わせた基等が挙げられる。上記Ｒは、水素原子又は１価の有機基が挙げられる。１価の有機基としては特に制限されないが、例えば、アルキル基（好ましくは炭素数１～６）が好ましい。
　これらの２価の連結基は、更に、－Ｓ－、－ＳＯ－、及び－ＳＯ２－からなる群から選択される基を含んでいてもよい。
　また、上記アルキレン基、上記シクロアルキレン基、上記アルケニレン基、及び上記２価の脂肪族複素環基、２価の芳香族複素環基、２価の芳香族炭化水素環基は、置換基を有していてもよい。置換基としては、特に限定されないが、例えば上述の置換基Ｔが挙げられる。
　ｍが２である場合における３価の連結基の具体例としては、２価の連結基の上記した具体例から、１個の任意の水素原子を除してなる基を好適に挙げることができる。
　Ａ１ －及びＡ２ －で表されるアニオン性基としては、酸解離定数ａ１は、酸解離定数ａ２よりも低く、酸解離定数ａ１は－１．５以上であるような基であれば特に限定されないが、例えば、それぞれ独立に、下記一般式（Ｂ－１）～（Ｂ－２７）で表される基からなる群より選ばれる基を挙げることができる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000022
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000023
一般式（Ｂ－１）中、
ＹＦ１は、フッ素原子、又はパーフルオロアルキル基を表す。
Ｙ１は、水素原子、又は、フッ素原子を有さない置換基を表す。
一般式（Ｂ－２）中、
Ｙ２は、それぞれ独立に、水素原子、又は、フッ素原子を有さない置換基を表す。
一般式（Ｂ－３）中、
ＹＦ２は、フッ素原子、又はパーフルオロアルキル基を表す。
Ｙ３は、水素原子、又は、フッ素原子を有さない置換基を表す。
Ｒａは、有機基を表す。
一般式（Ｂ－４）中、
Ｙ４は、それぞれ独立に、水素原子、又は、フッ素原子を有さない置換基を表す。
Ｒａ１は、有機基を表す。
一般式（Ｂ－５）中、
ＹＦ３は、フッ素原子、又はパーフルオロアルキル基を表す。
Ｙ５は、水素原子、又は、フッ素原子を有さない置換基を表す。
Ｒｂは、水素原子、又は有機基を表す。
一般式（Ｂ－６）中、
Ｙ６は、それぞれ独立に、水素原子、又は、フッ素原子を有さない置換基を表す。
Ｒｂ１は、水素原子、又は有機基を表す。
一般式（Ｂ－７）中、
ＹＦ４は、フッ素原子、又はパーフルオロアルキル基を表す。
Ｙ７は、水素原子、又は、フッ素原子を有さない置換基を表す。
Ｒｃは、有機基を表す。
一般式（Ｂ－８）中、
Ｙ８は、それぞれ独立に、水素原子、又は、フッ素原子を有さない置換基を表す。
Ｒｃ１は、有機基を表す。
一般式（Ｂ－９）中、
ＹＦ５は、フッ素原子、又はパーフルオロアルキル基を表す。
Ｙ９は、水素原子、又は、フッ素原子を有さない置換基を表す。
Ｒｄは、有機基を表す。
一般式（Ｂ－１０）中、
Ｙ１０は、それぞれ独立に、水素原子、又は、フッ素原子を有さない置換基を表す。
Ｒｄ１は、有機基を表す。
一般式（Ｂ－１２）中、
Ｒｅは、水素原子、有機基、又はハロゲン原子を表す。
ｏは１～４の整数を表す。
ｏが２以上の整数を表す場合は、複数のＲｅは同一であっても異なっていても良い。
一般式（Ｂ－１３）中、
ＹＦ６は、フッ素原子、又はパーフルオロアルキル基を表す。
Ｙ１１は、水素原子、又は、フッ素原子を有さない置換基を表す。
一般式（Ｂ－１４）中、
Ｙ１２は、それぞれ独立に、水素原子、又は、フッ素原子を有さない置換基を表す。
一般式（Ｂ－１５）中、
ＹＦ７は、フッ素原子、又はパーフルオロアルキル基を表す。
Ｙ１３は、水素原子、又は、フッ素原子を有さない置換基を表す。
Ｒｆは、有機基を表す。
一般式（Ｂ－１６）中、
Ｙ１４は、それぞれ独立に、水素原子、又は、フッ素原子を有さない置換基を表す。
Ｒｆ１は、有機基を表す。
一般式（Ｂ－１７）中、
ＹＦ８は、フッ素原子、又はパーフルオロアルキル基を表す。
Ｙ１５は、水素原子、又は、フッ素原子を有さない置換基を表す。
Ｒｇは、有機基を表す。
Ｒｈは、有機基を表す。
一般式（Ｂ－１８）中、
Ｙ１６は、それぞれ独立に、水素原子、又は、フッ素原子を有さない置換基を表す。
Ｒｇ１は、有機基を表す。
Ｒｈ１は、有機基を表す。
一般式（Ｂ－１９）中、
ＹＦ９は、フッ素原子、又はパーフルオロアルキル基を表す。
Ｙ１７は、水素原子、又は、フッ素原子を有さない置換基を表す。
一般式（Ｂ－２０）中、
Ｙ１８は、それぞれ独立に、水素原子、又は、フッ素原子を有さない置換基を表す。
一般式（Ｂ－２１）中、
ＹＦ１０は、フッ素原子、又はパーフルオロアルキル基を表す。
Ｙ１９は、水素原子、又は、フッ素原子を有さない置換基を表す。
Ｒｉは、有機基を表す。
Ｒｊは、有機基を表す。
一般式（Ｂ－２２）中、
Ｙ２０は、それぞれ独立に、水素原子、又は、フッ素原子を有さない置換基を表す。
Ｒｉ１は、有機基を表す。
Ｒｊ１は、有機基を表す。
一般式（Ｂ－２３）中、
Ｒｋは、水素原子、又は、フッ素原子を有さない置換基を表す。
ｐは１～４の整数を表す。
ｐが２以上の整数を表す場合は、複数のＲｋは同一であっても異なっていても良い。
一般式（Ｂ－２４）中、
Ｒｌは、水素原子、有機基、又は、ハロゲン原子を表す。
ｑは１～４の整数を表す。
ｑが２以上の整数を表す場合は、複数のＲｌは同一であっても異なっていても良い。
Ｒｃ２は、有機基を表す。
一般式（Ｂ－２５）中、
ＹＦ１１は、それぞれ独立に、フッ素原子、又はパーフルオロアルキル基を表す。
Ｒｃ３は、有機基を表す。
一般式（Ｂ－２６）中、
ＹＦ１２は、それぞれ独立に、フッ素原子、又はパーフルオロアルキル基を表す。
Ｒｄ２は、有機基を表す。
一般式（Ｂ－２７）中、
ＹＦ１３は、それぞれ独立に、フッ素原子、又はパーフルオロアルキル基を表す。
一般式（Ｂ－１）～（Ｂ－２７）において、
*は、結合位置を表す。
　一般式（Ｂ－１）中、ＹＦ１で表されるパーフルオロアルキル基の炭素数は１～１５が好ましく、１～１０がより好ましく、１～６が更に好ましい。
　Ｙ１で表されるフッ素原子を有さない置換基としては、フッ素原子を有さない置換基であれば特に限定されないが、フッ素原子を有さない有機基が好ましく、例えば、フッ素原子及びパーフルオロアルキル基以外の有機基が挙げられ、パーフルオロアルキル基以外のアルキル基（直鎖状、又は分岐鎖状のいずれでもよい）、シクロアルキル基が好ましい。
　上記アルキル基は、特に限定されないが、直鎖状又は分岐鎖状であってもよく、炭素数１～１５のアルキル基が好ましく、炭素数１～１０のアルキル基がより好ましい。
　シクロアルキル基は、単環型でも、多環型でもよく、特に限定されないが、炭素数３～１５のシクロアルキル基が好ましく、炭素数３～１０のシクロアルキル基がより好ましい。
　上記アルキル基、シクロアルキル基は、フッ素原子以外の置換基を有していてもよい。置換基としては、特に限定されないが、上記置換基Ｔ（フッ素原子を除く）が挙げられる。
　一般式（Ｂ－２）中、Ｙ２で表されるフッ素原子を有さない置換基としては、上記一般式（Ｂ－１）中のＹ１で表されるフッ素原子を有さない置換基と同義であり、好適態様も同じである。
　一般式（Ｂ－３）中、ＹＦ２で表されるパーフルオロアルキル基としては、上記一般式（Ｂ－１）中のＹＦ１で表されるパーフルオロアルキル基と同義であり、好適態様も同じである。
　Ｙ３で表されるフッ素原子を有さない置換基としては、上記一般式（Ｂ－１）中のＹ１で表されるフッ素原子を有さない置換基と同義であり、好適態様も同じである。
　Ｒａで表される有機基としては、特に限定されないが、例えば、炭素数１～３０の有機基を挙げることができる。有機基としては特に限定されないが、好ましくは、アルキル基、シクロアルキル基、又はアリール基が挙げられる。
　上記アルキル基は、特に限定されないが、直鎖状又は分岐鎖状であってもよく、炭素数１～１５のアルキル基が好ましく、炭素数１～１０のアルキル基がより好ましい。
　シクロアルキル基は、単環型でも、多環型でもよく、特に限定されないが、炭素数３～１５のシクロアルキル基が好ましく、炭素数３～１０のシクロアルキル基がより好ましい。
　アリール基は、特に限定されないが、炭素数６～２０のアリール基が好ましく、炭素数６～１０のアリール基がより好ましい。
　上記アルキル基、シクロアルキル基、アリール基は、置換基を有していてもよい。置換基としては、特に限定されないが、上記置換基Ｔが挙げられる。
　一般式（Ｂ－４）中、Ｙ４で表されるフッ素原子を有さない置換基としては、上記一般式（Ｂ－１）中のＹ１で表されるフッ素原子を有さない置換基と同義であり、好適態様も同じである。
　Ｒａ１で表される有機基としては、上記一般式（Ｂ－３）中のＲａで表される有機基と同義であり、好適態様も同じである。
　一般式（Ｂ－５）中、ＹＦ３で表されるパーフルオロアルキル基としては、上記一般式（Ｂ－１）中のＹＦ１で表されるパーフルオロアルキル基と同義であり、好適態様も同じである。
　Ｙ５で表されるフッ素原子を有さない置換基としては、上記一般式（Ｂ－１）中のＹ１で表されるフッ素原子を有さない置換基と同義であり、好適態様も同じである。
　Ｒｂで表される有機基としては、上記一般式（Ｂ－３）中のＲａで表される有機基と同義であり、好適態様も同じである。
　一般式（Ｂ－６）中、Ｙ６で表されるフッ素原子を有さない置換基としては、上記一般式（Ｂ－１）中のＹ１で表されるフッ素原子を有さない置換基と同義であり、好適態様も同じである。
　Ｒｂ１で表される有機基としては、上記一般式（Ｂ－３）中のＲａで表される有機基と同義であり、好適態様も同じである。
　一般式（Ｂ－７）中、ＹＦ４で表されるパーフルオロアルキル基としては、上記一般式（Ｂ－１）中のＹＦ１で表されるパーフルオロアルキル基と同義であり、好適態様も同じである。
　Ｙ７で表されるフッ素原子を有さない置換基としては、上記一般式（Ｂ－１）中のＹ１で表されるフッ素原子を有さない置換基と同義であり、好適態様も同じである。
　Ｒｃで表される有機基としては、上記一般式（Ｂ－３）中のＲａで表される有機基と同義であり、好適態様も同じである。
　一般式（Ｂ－８）中、Ｙ８で表されるフッ素原子を有さない置換基としては、上記一般式（Ｂ－１）中のＹ１で表されるフッ素原子を有さない置換基と同義であり、好適態様も同じである。
　Ｒｃ１で表される有機基としては、上記一般式（Ｂ－３）中のＲａで表される有機基と同義であり、好適態様も同じである。
　一般式（Ｂ－９）中、ＹＦ５で表されるパーフルオロアルキル基としては、上記一般式（Ｂ－１）中のＹＦ１で表されるパーフルオロアルキル基と同義であり、好適態様も同じである。
　Ｙ９で表されるフッ素原子を有さない置換基としては、上記一般式（Ｂ－１）中のＹ１で表されるフッ素原子を有さない置換基と同義であり、好適態様も同じである。
　Ｒｄで表される有機基としては、上記一般式（Ｂ－３）中のＲａで表される有機基と同義であり、好適態様も同じである。
　一般式（Ｂ－１０）中、Ｙ１０で表されるフッ素原子を有さない置換基としては、上記一般式（Ｂ－１）中のＹ１で表されるフッ素原子を有さない置換基と同義であり、好適態様も同じである。
　Ｒｄ１で表される有機基としては、上記一般式（Ｂ－３）中のＲａで表される有機基と同義であり、好適態様も同じである。
　一般式（Ｂ－１２）中、Ｒｅで表される有機基としては、上記一般式（Ｂ－３）中のＲａで表される有機基と同義であり、好適態様も同じである。
　Ｒｅで表されるハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、又はヨウ素原子が挙げられる。
　一般式（Ｂ－１３）中、ＹＦ６で表されるパーフルオロアルキル基としては、上記一般式（Ｂ－１）中のＹＦ１で表されるパーフルオロアルキル基と同義であり、好適態様も同じである。
　Ｙ１１で表されるフッ素原子を有さない置換基としては、上記一般式（Ｂ－１）中のＹ１で表されるフッ素原子を有さない置換基と同義であり、好適態様も同じである。
　一般式（Ｂ－１４）中、Ｙ１２で表されるフッ素原子を有さない置換基としては、上記一般式（Ｂ－１）中のＹ１で表されるフッ素原子を有さない置換基と同義であり、好適態様も同じである。
　一般式（Ｂ－１５）中、ＹＦ７で表されるパーフルオロアルキル基としては、上記一般式（Ｂ－１）中のＹＦ１で表されるパーフルオロアルキル基と同義であり、好適態様も同じである。
　Ｙ１３で表されるフッ素原子を有さない置換基としては、上記一般式（Ｂ－１）中のＹ１で表されるフッ素原子を有さない置換基と同義であり、好適態様も同じである。
　Ｒｆで表される有機基としては、上記一般式（Ｂ－３）中のＲａで表される有機基と同義であり、好適態様も同じである。
　一般式（Ｂ－１６）中、Ｙ１４で表されるフッ素原子を有さない置換基としては、上記一般式（Ｂ－１）中のＹ１で表されるフッ素原子を有さない置換基と同義であり、好適態様も同じである。
　Ｒｆ１で表される有機基としては、上記一般式（Ｂ－３）中のＲａで表される有機基と同義であり、好適態様も同じである。
　一般式（Ｂ－１７）中、ＹＦ８で表されるパーフルオロアルキル基としては、上記一般式（Ｂ－１）中のＹＦ１で表されるパーフルオロアルキル基と同義であり、好適態様も同じである。
　Ｙ１５で表されるフッ素原子を有さない置換基としては、上記一般式（Ｂ－１）中のＹ１で表されるフッ素原子を有さない置換基と同義であり、好適態様も同じである。
　Ｒｇ、Ｒｆで表される有機基としては、それぞれ上記一般式（Ｂ－３）中のＲａで表される有機基と同義であり、好適態様も同じである。
　一般式（Ｂ－１８）中、Ｙ１６で表されるフッ素原子を有さない置換基としては、上記一般式（Ｂ－１）中のＹ１で表されるフッ素原子を有さない置換基と同義であり、好適態様も同じである。
　Ｒｇ１、Ｒｆ１で表される有機基としては、それぞれ上記一般式（Ｂ－３）中のＲａで表される有機基と同義であり、好適態様も同じである。
　一般式（Ｂ－１９）中、ＹＦ９で表されるパーフルオロアルキル基としては、上記一般式（Ｂ－１）中のＹＦ１で表されるパーフルオロアルキル基と同義であり、好適態様も同じである。
　Ｙ１７で表されるフッ素原子を有さない置換基としては、上記一般式（Ｂ－１）中のＹ１で表されるフッ素原子を有さない置換基と同義であり、好適態様も同じである。
　一般式（Ｂ－２０）中、Ｙ１８で表されるフッ素原子を有さない置換基としては、上記一般式（Ｂ－１）中のＹ１で表されるフッ素原子を有さない置換基と同義であり、好適態様も同じである。
　一般式（Ｂ－２１）中、ＹＦ１０で表されるパーフルオロアルキル基としては、上記一般式（Ｂ－１）中のＹＦ１で表されるパーフルオロアルキル基と同義であり、好適態様も同じである。
　Ｙ１９で表されるフッ素原子を有さない置換基としては、上記一般式（Ｂ－１）中のＹ１で表されるフッ素原子を有さない置換基と同義であり、好適態様も同じである。
　Ｒｉ、Ｒｊで表される有機基としては、それぞれ上記一般式（Ｂ－３）中のＲａで表される有機基と同義であり、好適態様も同じである。
　一般式（Ｂ－２２）中、Ｙ２０で表されるフッ素原子を有さない置換基としては、上記一般式（Ｂ－１）中のＹ１で表されるフッ素原子を有さない置換基と同義であり、好適態様も同じである。
　Ｒｉ１、Ｒｊ１で表される有機基としては、それぞれ上記一般式（Ｂ－３）中のＲａで表される有機基と同義であり、好適態様も同じである。
　一般式（Ｂ－２３）中、Ｒｋで表されるフッ素原子を有さない置換基としては、上記一般式（Ｂ－１）中のＹ１で表されるフッ素原子を有さない置換基と同義であり、好適態様も同じである。
　一般式（Ｂ－２４）中、Ｒｌで表される有機基としては、それぞれ上記一般式（Ｂ－３）中のＲａで表される有機基と同義であり、好適態様も同じである。
　また、好ましい一態様として、Ｒｌで表される有機基は、フッ素原子を有さない有機基であることが好ましい。
　Ｒｌで表されるハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、又はヨウ素原子が挙げられる。
　Ｒｃ２で表される有機基としては、上記一般式（Ｂ－３）中のＲａで表される有機基と同義であり、好適態様も同じである。
　一般式（Ｂ－２５）中、ＹＦ１１で表されるパーフルオロアルキル基としては、上記一般式（Ｂ－１）中のＹＦ１で表されるパーフルオロアルキル基と同義であり、好適態様も同じである。
　Ｒｃ３で表される有機基としては、上記一般式（Ｂ－３）中のＲａで表される有機基と同義であり、好適態様も同じである。
　一般式（Ｂ－２６）中、ＹＦ１２で表されるパーフルオロアルキル基としては、上記一般式（Ｂ－１）中のＹＦ１で表されるパーフルオロアルキル基と同義であり、好適態様も同じである。
　Ｒｄ２で表される有機基としては、それぞれ上記一般式（Ｂ－３）中のＲａで表される有機基と同義であり、好適態様も同じである。
　一般式（Ｂ－２７）中、ＹＦ１３で表されるパーフルオロアルキル基としては、上記一般式（Ｂ－１）中のＹＦ１で表されるパーフルオロアルキル基と同義であり、好適態様も同じである。
　上記一般式（Ｉ）において、Ａ１ －が上記一般式（Ｂ－１）、（Ｂ－２）、（Ｂ－３）、（Ｂ－４）又は（Ｂ－２３）で表される基であることが好ましく、上記（Ｂ－２）又は（Ｂ－２３）で表される基であることがより好ましく、上記（Ｂ－２）で表される基であることが更に好ましい。
　上記一般式（Ｉ）において、Ａ２ －が上記一般式（Ｂ－６）、（Ｂ－８）、（Ｂ－１０）、（Ｂ－１１）、（Ｂ－１２）又は（Ｂ－２４）で表される基であることが好ましく、上記（Ｂ－１０）、（Ｂ－１１）、（Ｂ－１２）又は（Ｂ－２４）で表される基であることがより好ましく、上記（Ｂ－１１）又は（Ｂ－２４）で表される基であることが更に好ましい。
　上記一般式（Ｉ）において、Ａ１ －とＡ２ －の組み合わせは、Ａ１ －とＡ２ －それぞれが好ましい基の組み合わせであることがより好ましい。
　なお、酸解離定数ａ１及び酸解離定数ａ２は、上述した方法により求められる。
　化合物ＰＩの酸解離定数ａ１及び酸解離定数ａ２について、以下に具体的に説明する。
　一般式（Ｉ）においてｍが１を表す場合、化合物ＰＩの酸解離定数を求めた場合において、化合物ＰＩ（化合物ＰＩは、「ＨＡ１とＨＡ２を有する化合物」に該当する。）が「Ａ１ －とＨＡ２を有する化合物」となる際のｐＫａが酸解離定数ａ１であり、上記「Ａ１ －とＨＡ２を有する化合物」が「Ａ１ －とＡ２ －を有する化合物」となる際のｐＫａが酸解離定数ａ２である。
　一般式（Ｉ）において、ｍが２を表す場合、化合物ＰＩの酸解離定数を求めた場合化合物ＰＩは「２つのＨＡ１とＨＡ２を有する化合物」に該当する。この化合物ＰＩの酸解離定数を求めた場合、化合物ＰＩが「１つのＡ１ －と１つのＨＡ１とＨＡ２とを有する化合物」となる際のｐＫａが酸解離定数ａ１であり、「２つのＡ１ －とＨＡ２とを有する化合物」が「２つのＡ１ －とＡ２ －を有する化合物」となる際のｐＫａが酸解離定数ａ２である。つまり、化合物ＰＩが、ＨＡ１で表される酸性部位に由来する酸解離定数を２つ有する場合、その最も小さい値を酸解離定数ａ１とみなす。
　また、上記化合物ＰＩとは、一般式（Ｉ）で表される化合物に活性光線又は放射線を照射することにより発生する酸に該当する。
　形成されるパターンのラフネス性能がより優れる点で、上記化合物ＰＩにおいて、酸解離定数ａ１と上記酸解離定数ａ２との差は、２．０以上が好ましく、３．０以上がより好ましい。なお、酸解離定数ａ１と上記酸解離定数ａ２との差の上限値は特に制限されないが、例えば、１５．０以下である。
　また、酸の未露光部への過剰な拡散抑制がより優れる点で、上記化合物ＰＩにおいて、酸解離定数ａ２は、例えば、２．０以上が好ましく、３．０以上がより好ましく、４．０以上が更に好ましい。
　また、酸解離定数ａ２の上限値は、特に制限されないが、例えば、１０．０以下であり、７．０以下が好ましく、６．０以下がより好ましい。
　また、上記化合物ＰＩにおいて、酸解離定数ａ１は、－１．５以上であり、－１．２以上がより好ましく、－１．０以上が更に好ましい。なお、酸解離定数ａ１の上限値は、特に制限されないが、例えば、２．０以下であり、１．５以下が好ましい。
　一般式（Ｉ）中、Ｍ１ ＋、及びＭ２ ＋で表されるカチオンの好ましい形態について詳述する。
　ｍが１を表す場合は、Ｍ１ ＋とＭ２ ＋が、単結合又は連結基を介して結合して、２価のカチオンを形成していてもよい。
　また、ｍが２を表す場合は、２つのＭ１ ＋とＭ２ ＋における少なくとも２つが、単結合又は連結基を介して結合して、２価又は３価のカチオンを形成していてもよい。
　Ｍ１ ＋及びＭ２ ＋で表されるカチオンは、特に限定されないが、それぞれ独立に、オニウムカチオンが好ましく、下記一般式（ＺＩＡ）、又は一般式（ＺＩＩＡ）で表されるカチオンが好ましい。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000024
　上記一般式（ＺＩＡ）において、
　Ｒ２０１、Ｒ２０２及びＲ２０３は、各々独立に、水素原子又は置換基を表す。
　Ｒ２０１、Ｒ２０２及びＲ２０３としての置換基としては、有機基が好ましく、有機基の炭素数は、一般的に１～３０であり、好ましくは１～２０である。
　また、Ｒ２０１～Ｒ２０３のうち２つが互いに結合して環（環構造ともいう）を形成してもよく、環内に酸素原子、硫黄原子、エステル結合、アミド結合、又はカルボニル基を含んでいてもよい。Ｒ２０１～Ｒ２０３の内の２つが互いに結合して形成する基としては、アルキレン基（例えば、ブチレン基、ペンチレン基）及び－ＣＨ２－ＣＨ２－Ｏ－ＣＨ２－ＣＨ２－が挙げられる。
　一般式（ＺＩＡ）としてのカチオンの好適な態様としては、後述するカチオン（ＺＩ－１１）、カチオン（ＺＩ－１２）、一般式（ＺＩ－１３）で表されるカチオン（カチオン（ＺＩ－１３））及び一般式（ＺＩ－１４）で表されるカチオン（カチオン（ＺＩ－１４））が挙げられる。
　カチオンは、一般式（ＺＩＡ）で表される構造を複数有するカチオンであってもよい。このようなカチオンとしては、例えば、一般式（ＺＩＡ）で表されるカチオンのＲ２０１～Ｒ２０３の少なくとも１つと、一般式（ＺＩＡ）で表されるもうひとつのカチオンのＲ２０１～Ｒ２０３の少なくとも一つとが、単結合又は連結基を介して結合した構造を有する２価のカチオンなどを挙げることができる。
　まず、カチオン（ＺＩ－１１）について説明する。
　カチオン（ＺＩ－１１）は、上記一般式（ＺＩＡ）のＲ２０１～Ｒ２０３の少なくとも１つがアリール基である、カチオン、すなわち、アリールスルホニウムカチオンである。
　アリールスルホニウムカチオンは、Ｒ２０１～Ｒ２０３の全てがアリール基でもよいし、Ｒ２０１～Ｒ２０３の一部がアリール基であり、残りがアルキル基又はシクロアルキル基であってもよい。
　アリールスルホニウムカチオンとしては、例えば、トリアリールスルホニウムカチオン、ジアリールアルキルスルホニウムカチオン、アリールジアルキルスルホニウムカチオン、ジアリールシクロアルキルスルホニウムカチオン、及びアリールジシクロアルキルスルホニウムカチオンが挙げられる。
　アリールスルホニウムカチオンに含まれるアリール基としては、フェニル基、又はナフチル基が好ましく、フェニル基がより好ましい。アリール基は、酸素原子、窒素原子、又は硫黄原子等を有する複素環構造を有するアリール基であってもよい。複素環構造としては、ピロール残基、フラン残基、チオフェン残基、インドール残基、ベンゾフラン残基、及びベンゾチオフェン残基等が挙げられる。アリールスルホニウムカチオンが２つ以上のアリール基を有する場合に、２つ以上あるアリール基は同一であっても異なっていてもよい。
　アリールスルホニウムカチオンが必要に応じて有しているアルキル基又はシクロアルキル基は、炭素数１～１５の直鎖状アルキル基、炭素数３～１５の分岐鎖状アルキル基、又は炭素数３～１５のシクロアルキル基が好ましく、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、ｎ－ブチル基、ｓｅｃ－ブチル基、ｔ－ブチル基、シクロプロピル基、シクロブチル基、及びシクロヘキシル基等が挙げられる。
　Ｒ２０１～Ｒ２０３のアリール基、アルキル基、及びシクロアルキル基は、各々独立に、アルキル基（例えば炭素数１～１５）、シクロアルキル基（例えば炭素数３～１５）、アリール基（例えば炭素数６～１４）、アルコキシ基（例えば炭素数１～１５）、ハロゲン原子、水酸基、ラクトン環基又はフェニルチオ基を置換基として有してもよい。
　ラクトン環基としては、例えば、後述する（ＬＣ１－１）～（ＬＣ１－２１）のいずれかで表される構造から水素原子を除した基が挙げられる。
　次に、カチオン（ＺＩ－１２）について説明する。
　カチオン（ＺＩ－１２）は、式（ＺＩＡ）におけるＲ２０１～Ｒ２０３が、各々独立に、芳香環を有さない有機基を表す化合物である。ここで芳香環とは、ヘテロ原子を含む芳香族環も包含する。
　Ｒ２０１～Ｒ２０３としての芳香環を有さない有機基は、一般的に炭素数１～３０であり、炭素数１～２０が好ましい。
　Ｒ２０１～Ｒ２０３は、各々独立に、好ましくはアルキル基、シクロアルキル基、アリル基、又はビニル基であり、より好ましくは直鎖状又は分岐鎖状の２－オキソアルキル基、２－オキソシクロアルキル基、又はアルコキシカルボニルメチル基、更に好ましくは直鎖状又は分岐鎖状の２－オキソアルキル基である。
　Ｒ２０１～Ｒ２０３のアルキル基及びシクロアルキル基としては、好ましくは、炭素数１～１０の直鎖状アルキル基又は炭素数３～１０の分岐鎖状アルキル基（例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、及びペンチル基）、及び、炭素数３～１０のシクロアルキル基（例えばシクロペンチル基、シクロヘキシル基、及びノルボルニル基）が挙げられる。
　Ｒ２０１～Ｒ２０３は、ハロゲン原子、アルコキシ基（例えば炭素数１～５）、水酸基、シアノ基、又はニトロ基によって更に置換されていてもよい。
　次に、カチオン（ＺＩ－１３）について説明する。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000025
　一般式（ＺＩ－１３）中、Ｍは、アルキル基、シクロアルキル基、又はアリール基を表し、環構造を有するとき、上記環構造は、酸素原子、硫黄原子、エステル結合、アミド結合、及び炭素－炭素二重結合の少なくとも１種を含んでいてもよい。Ｒ１ｃ及びＲ２ｃは、各々独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、ハロゲン原子、シアノ基又はアリール基を表す。Ｒ１ｃとＲ２ｃとが結合して環を形成してもよい。Ｒｘ及びＲｙは、各々独立に、アルキル基、シクロアルキル基、又はアルケニル基を表す。Ｒｘ及びＲｙが結合して環を形成してもよい。また、Ｍ、Ｒ１ｃ及びＲ２ｃから選ばれる少なくとも２つが結合して環構造を形成してもよく、上記環構造に炭素－炭素二重結合を含んでいてもよい。
　一般式（ＺＩ－１３）中、Ｍで表されるアルキル基及びシクロアルキル基としては、炭素数１～１５（好ましくは炭素数１～１０）の直鎖状アルキル基、炭素数３～１５（好ましくは炭素数３～１０）の分岐鎖状アルキル基、又は炭素数３～１５（好ましくは炭素数１～１０）のシクロアルキル基が好ましく、具体的には、メチル基、エチル基、プロピル基、ｎ－ブチル基、ｓｅｃ－ブチル基、ｔ－ブチル基、シクロプロピル基、シクロブチル基、及びシクロヘキシル基、及びノルボルニル基等が挙げられる。
　Ｍで表されるアリール基としては、フェニル基、又はナフチル基が好ましく、フェニル基がより好ましい。アリール基は、酸素原子又は硫黄原子等を有する複素環構造を有するアリール基であってもよい。複素環構造としては、フラン環、チオフェン環、ベンゾフラン環、及びベンゾチオフェン環等が挙げられる。
　上記Ｍは、更に置換基を有していてもよい。この態様として、例えば、Ｍとしてベンジル基などが挙げられる。
　なお、Ｍが環構造を有する場合、上記環構造は、酸素原子、硫黄原子、エステル結合、アミド結合、及び、炭素－炭素二重結合の少なくとも１種を含んでいてもよい。
　Ｒ１ｃ及びＲ２ｃで表されるアルキル基、シクロアルキル基、及びアリール基としては、上述したＭと同様のものが挙げられ、その好ましい態様も同じである。また、Ｒ１ｃとＲ２ｃは、結合して環を形成してもよい。
　Ｒ１ｃ及びＲ２ｃで表されるハロゲン原子としては、例えば、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、及びヨウ素原子が挙げられる。
　Ｒｘ及びＲｙで表されるアルキル基、及びシクロアルキル基としては、上述したＭと同様のものが挙げられ、その好ましい態様も同じである。
　Ｒｘ及びＲｙで表されるアルケニル基としては、アリル基又はビニル基が好ましい。
　上記Ｒｘ及びＲｙは、更に置換基を有していてもよい。この態様として、例えば、Ｒｘ及びＲｙとして２－オキソアルキル基又はアルコキシカルボニルアルキル基などが挙げられる。
　Ｒｘ及びＲｙで表される２－オキソアルキル基としては、例えば、炭素数１～１５（好ましくは炭素数１～１０）のものが挙げられ、具体的には、２－オキソプロピル基、及び２－オキソブチル基等が挙げられる。
　Ｒｘ及びＲｙで表されるアルコキシカルボニルアルキル基としては、例えば、炭素数１～１５（好ましくは炭素数１～１０）のものが挙げられる。また、ＲｘとＲｙは、結合して環を形成してもよい。
　ＲｘとＲｙとが互いに連結して形成される環構造は、酸素原子、硫黄原子、エステル結合、アミド結合、又は、炭素－炭素二重結合を含んでいてもよい。
　一般式（ＺＩ－１３）中、ＭとＲ１ｃとが結合して環構造を形成してもよく、形成される環構造は、炭素－炭素二重結合を含んでいてもよい。
　上記カチオン（ＺＩ－１３）は、なかでも、カチオン（ＺＩ－１３Ａ）であることが好ましい。
　カチオン（ＺＩ－１３Ａ）は、下記一般式（ＺＩ－１３Ａ）で表される、フェナシルスルフォニウムカチオンである。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000026
　一般式（ＺＩ－１３Ａ）中、
　Ｒ１ｃ～Ｒ５ｃは、各々独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アルコキシカルボニル基、アルキルカルボニルオキシ基、シクロアルキルカルボニルオキシ基、ハロゲン原子、水酸基、ニトロ基、アルキルチオ基又はアリールチオ基を表す。
　Ｒ６ｃ及びＲ７ｃとしては、上述した一般式（ＺＩ－１３）中のＲ１ｃ及びＲ２ｃと同義であり、その好ましい態様も同じである。
　Ｒｘ及びＲｙとしては、上述した一般式（ＺＩ－１３）中のＲｘ及びＲｙと同義であり、その好ましい態様も同じである。
　Ｒ１ｃ～Ｒ５ｃ中のいずれか２つ以上、ＲｘとＲｙは、各々結合して環構造を形成してもよく、この環構造は、各々独立に酸素原子、硫黄原子、エステル結合、アミド結合、又は、炭素－炭素二重結合を含んでいてもよい。また、Ｒ５ｃ及びＲ６ｃ、Ｒ５ｃ及びＲｘは、各々結合して環構造を形成してもよく、この環構造は、各々独立に炭素－炭素二重結合を含んでいてもよい。また、Ｒ６ｃとＲ７ｃは、各々結合して環構造を形成してもよい。
　上記環構造としては、芳香族又は非芳香族の炭化水素環、芳香族又は非芳香族の複素環、及びこれらの環が２つ以上組み合わされてなる多環縮合環が挙げられる。環構造としては、３～１０員環が挙げられ、４～８員環が好ましく、５又は６員環がより好ましい。
　Ｒ１ｃ～Ｒ５ｃ中のいずれか２つ以上、Ｒ６ｃとＲ７ｃ、及びＲｘとＲｙが結合して形成する基としては、ブチレン基、及びペンチレン基等が挙げられる。
　Ｒ５ｃとＲ６ｃ、及びＲ５ｃとＲｘが結合して形成する基としては、単結合又はアルキレン基が好ましい。アルキレン基としては、メチレン基、及びエチレン基等が挙げられる。
　次に、カチオン（ＺＩ－１４）について説明する。
　カチオン（ＺＩ－１４）は、下記一般式（ＺＩ－１４）で表される。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000027
　一般式（ＺＩ－１４）中、
　ｌは０～２の整数を表す。
　ｒは０～８の整数を表す。
　Ｒ１３は、水素原子、フッ素原子、水酸基、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、アルコキシカルボニル基、又は単環若しくは多環のシクロアルキル骨格を有する基を表す。これらの基は置換基を有してもよい。
　Ｒ１４は、複数存在する場合は各々独立して、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、アルキルスルホニル基、シクロアルキルスルホニル基、アルキルカルボニル基、アルコキシカルボニル基、又は単環若しくは多環のシクロアルキル骨格を有するアルコキシ基を表す。これらの基は置換基を有してもよい。
　Ｒ１５は、各々独立して、アルキル基、シクロアルキル基、又はナフチル基を表す。これらの基は置換基を有してもよい。２つのＲ１５が互いに結合して環を形成してもよい。２つのＲ１５が互いに結合して環を形成するとき、環骨格内に、酸素原子、又は窒素原子等のヘテロ原子を含んでもよい。一態様において、２つのＲ１５がアルキレン基であり、互いに結合して環構造を形成することが好ましい。
　一般式（ＺＩ－１４）において、Ｒ１３、Ｒ１４及びＲ１５のアルキル基は、直鎖状又は分岐鎖状である。アルキル基の炭素数は、１～１０が好ましい。アルキル基としては、メチル基、エチル基、ｎ－ブチル基、又はｔ－ブチル基等がより好ましい。
　次に、一般式（ＺＩＩＡ）について説明する。
　一般式（ＺＩＩＡ）中、Ｒ２０４及びＲ２０５は、各々独立に、アリール基、アルキル基又はシクロアルキル基を表す。
　Ｒ２０４及びＲ２０５のアリール基としてはフェニル基、又はナフチル基が好ましく、フェニル基がより好ましい。Ｒ２０４及びＲ２０５のアリール基は、酸素原子、窒素原子、又は硫黄原子等を有する複素環構造を有するアリール基であってもよい。複素環構造を有するアリール基の骨格としては、例えば、ピロール、フラン、チオフェン、インドール、ベンゾフラン、及びベンゾチオフェン等が挙げられる。
　Ｒ２０４及びＲ２０５のアルキル基及びシクロアルキル基としては、炭素数１～１０の直鎖状アルキル基又は炭素数３～１０の分岐鎖状アルキル基（例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、及びペンチル基）、又は、炭素数３～１０のシクロアルキル基（例えばシクロペンチル基、シクロヘキシル基、及びノルボルニル基）が好ましい。
　Ｒ２０４及びＲ２０５のアリール基、アルキル基、及びシクロアルキル基は、各々独立に、置換基を有していてもよい。Ｒ２０４～Ｒ２０７のアリール基、アルキル基、及びシクロアルキル基が有していてもよい置換基としては、例えば、アルキル基（例えば炭素数１～１５）、シクロアルキル基（例えば炭素数３～１５）、アリール基（例えば炭素数６～１５）、アルコキシ基（例えば炭素数１～１５）、ハロゲン原子、水酸基、ラクトン環基及びフェニルチオ基等が挙げられる。
　ラクトン環基としては、例えば、後述する（ＬＣ１－１）～（ＬＣ１－２１）のいずれかで表される構造から水素原子を除した基が挙げられる。
　Ｍ１ ＋、Ｍ２ ＋としてのカチオンの好ましい例を以下に示すが、本発明はこれらに限定されるものではない。Ｍｅは、メチル基を表す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000028
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000029
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000030
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000031
　一般式（１）で表される化合物におけるアニオン部分の好ましい例を以下に示すが、本発明はこれらに限定されるものではない。Ｍｅは、メチル基を表す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000032
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000033
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000034
　化合物（Ｂ）の好ましい例を以下に示すが、本発明はこれらに限定されるものではない。Ｍｅはメチル基を表す。また、化合物（Ｂ）の好ましい例としては、上記のアニオンと上記のカチオンを組み合わせた化合物も挙げることができる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000035
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000036
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000037
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000038
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000039
　上記化合物（Ｂ）の分子量は、３００～３０００が好ましく、３００～２０００がより好ましく、３００～１５００が更に好ましい。
　化合物（Ｂ）は、１種単独で使用してもよいし、２種以上を併用してもよい。
　本発明の組成物中、化合物（Ｂ）の含有量（複数種存在する場合はその合計）は、組成物の全固形分を基準として、０．１～３５質量％が好ましく、０．５～２５質量％がより好ましく、１～２０質量％が更に好ましく、５～２０質量％が特に好ましい。
［（Ｂ’）上記化合物（Ｂ）以外の活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物］
　本発明の組成物は、本発明の効果を損なわない範囲で、化合物（Ｂ）以外の活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物を含有することができる。
［（Ａ）酸の作用により極性が増大する樹脂］
　（Ａ）酸の作用により極性が増大する樹脂（以下、「酸分解性樹脂」又は「樹脂（Ａ）」ともいう）について説明する。
　なお、後述するように、樹脂（Ａ）は、光酸発生基を有する繰り返し単位を有していてもよい。
　樹脂（Ａ）を含むレジスト組成物を用いたパターン形成において、典型的には、現像液としてアルカリ現像液を採用した場合には、ポジ型パターンが好適に形成され、現像液として有機系現像液を採用した場合には、ネガ型パターンが好適に形成される。
　樹脂（Ａ）は、通常、酸の作用により分解し極性が増大する基（以下、「酸分解性基」ともいう）を含み、酸分解性基を有する繰り返し単位を含むことが好ましい。
　以下において、樹脂（Ａ）が含み得る繰り返し単位について説明する。
　上記樹脂（Ａ）は、下記一般式（ＡＩ）で表される繰り返し単位を含む。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000040
一般式（ＡＩ）中、
ＲＡ、ＲＢ、及びＲＣは、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、ハロゲン原子、シアノ基、又はアルコキシカルボニル基を表す。但し、ＲＣはＡｒＡと結合して環を形成していてもよく、その場合のＲＣは単結合又はアルキレン基を表す。
ＬＡは、単結合又は２価の連結基を表す。
ＡｒＡは、（ｎ＋１価）の芳香環基を表す。ＲＣと結合して環を形成する場合には（ｎ＋２）価の芳香環基を表す。
ｎは、１～５の整数を表す。
　一般式（ＡＩ）におけるＲＡ、ＲＢ、及びＲＣのアルキル基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｎ－ブチル基、ｓｅｃ－ブチル基、ヘキシル基、２－エチルヘキシル基、オクチル基、及びドデシル基等の炭素数２０以下のアルキル基が好ましく、炭素数８以下のアルキル基がより好ましく、炭素数３以下のアルキル基が更に好ましい。
　一般式（ＡＩ）におけるＲＡ、ＲＢ、及びＲＣのシクロアルキル基としては、単環型でも、多環型でもよい。なかでも、シクロプロピル基、シクロペンチル基、及びシクロヘキシル基等の炭素数３～８個で単環型のシクロアルキル基が好ましい。
　一般式（ＡＩ）におけるＲＡ、ＲＢ、及びＲＣのハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、及びヨウ素原子が挙げられ、フッ素原子が好ましい。
　一般式（ＡＩ）におけるＲＡ、ＲＢ、及びＲＣのアルコキシカルボニル基に含まれるアルキル基としては、上記ＲＡ、ＲＢ、及びＲＣにおけるアルキル基と同様のものが好ましい。
　上記各基は、置換基を有していてもよい。上記各基における好ましい置換基としては、特に限定されないが、例えば、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アミノ基、アミド基、ウレイド基、ウレタン基、水酸基、カルボキシ基、ハロゲン原子、アルコキシ基、チオエーテル基、アシル基、アシロキシ基、アルコキシカルボニル基、シアノ基、及びニトロ基が挙げられる。置換基の炭素数は８以下が好ましい。
　ＡｒＡは、（ｎ＋１）価の芳香環基を表す。ｎが１である場合における２価の芳香環基は、例えば、フェニレン基、トリレン基、ナフチレン基、及びアントラセニレン基等の炭素数６～１８のアリーレン基、又はチオフェン環、フラン環、ピロール環、ベンゾチオフェン環、ベンゾフラン環、ベンゾピロール環、トリアジン環、イミダゾール環、ベンゾイミダゾール環、トリアゾール環、チアジアゾール環、及びチアゾール環等のヘテロ環を含む２価の芳香環基が好ましい。なお、上記芳香環基は、置換基を有していてもよい。
　ｎが２以上の整数である場合における（ｎ＋１）価の芳香環基の具体例としては、２価の芳香環基の上記した具体例から、（ｎ－１）個の任意の水素原子を除してなる基が挙げられる。
　（ｎ＋１）価の芳香環基は、更に置換基を有していてもよい。
　上述したアルキル基、シクロアルキル基、アルコキシカルボニル基、及び（ｎ＋１）価の芳香環基が有し得る置換基としては、特に限定されないが、例えば、一般式（Ｉ）におけるＲＡ、ＲＢ、及びＲＣで挙げたアルキル基、メトキシ基、エトキシ基、ヒドロキシエトキシ基、プロポキシ基、ヒドロキシプロポキシ基、及びブトキシ基等のアルコキシ基；フェニル基等のアリール基；等が挙げられる。
　ＬＡの２価の連結基としては、特に限定されないが、－ＣＯＯ－、－ＣＯＮＲ６４－、アルキレン基、又はこれらの基の２種以上を組み合わせてなる基が挙げられる。Ｒ６４は、水素原子又はアルキル基を表す。
　アルキレン基としては、特に限定されないが、メチレン基、エチレン基、プロピレン基、ブチレン基、ヘキシレン基、及びオクチレン基等の炭素数１～８のアルキレン基が好ましい。
　Ｒ６４のアルキル基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｎ－ブチル基、ｓｅｃ－ブチル基、ヘキシル基、２－エチルヘキシル基、オクチル基、及びドデシル基等の炭素数２０以下のアルキル基が挙げられ、炭素数８以下のアルキル基が好ましい。
　ＡｒＡとしては、炭素数６～１８の芳香環基が好ましく、ベンゼン環基、ナフタレン環基、及びビフェニレン環基がより好ましい。
　一般式（ＡＩ）で表される繰り返し単位は、ヒドロキシスチレン構造を備えていることが好ましい。即ち、ＡｒＡは、ベンゼン環基であることが好ましい。
　ｎは、１～３の整数であることが好ましく、１又は２であることがより好ましい。
　以下、一般式（ＡＩ）で表される繰り返し単位を以下に例示する。式中、ａは１、２又は３を表す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000041
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000042
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000043
　なお、一般式（ＡＩ）で表される繰り返し単位は、以下に具体的に記載する繰り返し単位が好ましい。式中、Ｒは水素原子又はメチル基を表し、ａは１、２、又は３を表す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000044
　一般式（ＡＩ）で表される繰り返し単位の含有量は、樹脂（Ａ）中の全繰り返し単位に対し、３０モル％以上が好ましく、４０モル％以上がより好ましい。また、その上限値としては、９０モル％以下が好ましく、８５モル％以下がより好ましく、８０モル％以下が更に好ましい。
（酸分解性基を有する繰り返し単位）
　酸分解性基とは、酸の作用により分解して極性基を生じる基をいう。酸分解性基は、酸の作用により脱離する脱離基で極性基が保護された構造を有することが好ましい。つまり、樹脂（Ａ）は、酸の作用により分解し、極性基を生じる基を有する繰り返し単位を有する。この繰り返し単位を有する樹脂は、酸の作用により極性が増大してアルカリ現像液に対する溶解度が増大し、有機溶剤に対する溶解度が減少する。
　極性基としては、アルカリ可溶性基が好ましく、例えば、カルボキシ基、フェノール性水酸基、フッ素化アルコール基、スルホン酸基、リン酸基、スルホンアミド基、スルホニルイミド基、（アルキルスルホニル）（アルキルカルボニル）メチレン基、（アルキルスルホニル）（アルキルカルボニル）イミド基、ビス（アルキルカルボニル）メチレン基、ビス（アルキルカルボニル）イミド基、ビス（アルキルスルホニル）メチレン基、ビス（アルキルスルホニル）イミド基、トリス（アルキルカルボニル）メチレン基、及びトリス（アルキルスルホニル）メチレン基等の酸性基、並びにアルコール性水酸基等が挙げられる。
　なかでも、極性基としては、カルボキシ基、フェノール性水酸基、フッ素化アルコール基（好ましくはヘキサフルオロイソプロパノール基）、又はスルホン酸基が好ましい。特に、極性基としては、カルボキシ基、又はフェノール性水酸基がより好ましい。つまり、酸分解性基としては、酸の作用により分解してカルボキシ基を生じる基、又は酸の作用により分解してフェノール性水酸基を生じる基が好ましい。
　上記樹脂（Ａ）が、酸分解性基を有する繰り返し単位を含み、上記酸分解性基を有する繰り返し単位は、酸の作用により分解してカルボキシ基を生じる基、及び酸の作用により分解してフェノール性水酸基を生じる基からなる群より選ばれる繰り返し単位であることが好ましい。
　酸の作用により脱離する脱離基としては、例えば、式（Ｙ１）～（Ｙ４）で表される基が挙げられる。
式（Ｙ１）：－Ｃ（Ｒｘ１）（Ｒｘ２）（Ｒｘ３）
式（Ｙ２）：－Ｃ（＝Ｏ）ＯＣ（Ｒｘ１）（Ｒｘ２）（Ｒｘ３）
式（Ｙ３）：－Ｃ（Ｒ３６）（Ｒ３７）（ＯＲ３８）
式（Ｙ４）：－Ｃ（Ｒｎ）（Ｈ）（Ａｒ）
　式（Ｙ１）及び式（Ｙ２）中、Ｒｘ１～Ｒｘ３は、それぞれ独立に、アルキル基（直鎖状若しくは分岐鎖状）、シクロアルキル基（単環若しくは多環）、アリール基（単環若しくは多環）、アラルキル基（直鎖状若しくは分岐鎖状）、又はアルケニル基（直鎖状若しくは分岐鎖状）を表す。なお、Ｒｘ１～Ｒｘ３の全てがアルキル基（直鎖状若しくは分岐鎖状）である場合、Ｒｘ１～Ｒｘ３のうち少なくとも２つはメチル基であることが好ましい。
　なかでも、Ｒｘ１～Ｒｘ３は、それぞれ独立に、直鎖状又は分岐鎖状のアルキル基を表すことが好ましく、Ｒｘ１～Ｒｘ３は、それぞれ独立に、直鎖状のアルキル基を表すことがより好ましい。
　Ｒｘ１～Ｒｘ３の２つが互いに結合して環（単環及び多環のいずれであってもよい）を形成してもよい。
　Ｒｘ１～Ｒｘ３のアルキル基としては、メチル基、エチル基、ｎ－プロピル基、イソプロピル基、ｎ－ブチル基、イソブチル基、及びｔ－ブチル基等の炭素数１～５のアルキル基が好ましい。
　Ｒｘ１～Ｒｘ３のシクロアルキル基としては、シクロペンチル基、及びシクロヘキシル基等の単環のシクロアルキル基、並びにノルボルニル基、テトラシクロデカニル基、テトラシクロドデカニル基、及びアダマンチル基等の多環のシクロアルキル基が好ましい。
　Ｒｘ１～Ｒｘ３のアリール基としては、炭素数６～１０のアリール基が好ましく、例えば、フェニル基、ナフチル基、及びアントリル基等が挙げられる。
　Ｒｘ１～Ｒｘ３のアラルキル基としては、上述したＲｘ１～Ｒｘ３のアルキル基中の１個の水素原子を炭素数６～１０のアリール基（好ましくはフェニル基）で置換した基が好ましく、例えば、ベンジル基等が挙げられる。
　Ｒｘ１～Ｒｘ３のアルケニル基としては、ビニル基が好ましい。
　Ｒｘ１～Ｒｘ３の２つが結合して形成される環としては、シクロアルキル基が好ましい。Ｒｘ１～Ｒｘ３の２つが結合して形成されるシクロアルキル基としては、シクロペンチル基、若しくは、シクロヘキシル基等の単環のシクロアルキル基、又はノルボルニル基、テトラシクロデカニル基、テトラシクロドデカニル基、若しくは、アダマンチル基等の多環のシクロアルキル基が好ましく、炭素数５～６の単環のシクロアルキル基がより好ましい。
　Ｒｘ１～Ｒｘ３の２つが結合して形成されるシクロアルキル基は、例えば、環を構成するメチレン基の１つが、酸素原子等のヘテロ原子、カルボニル基等のヘテロ原子を有する基、又はビニリデン基で置き換わっていてもよい。また、これらのシクロアルキル基は、シクロアルカン環を構成するエチレン基の１つ以上が、ビニレン基で置き換わっていてもよい。
　式（Ｙ１）又は式（Ｙ２）で表される基は、例えば、Ｒｘ１がメチル基又はエチル基であり、Ｒｘ２とＲｘ３とが結合して上述のシクロアルキル基を形成している態様が好ましい。
　式（Ｙ３）中、Ｒ３６～Ｒ３８は、それぞれ独立に、水素原子又は１価の有機基を表す。Ｒ３７とＲ３８とは、互いに結合して環を形成してもよい。１価の有機基としては、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アラルキル基、及びアルケニル基等が挙げられる。Ｒ３６は水素原子であることも好ましい。
　なお、上記アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、及びアラルキル基には、酸素原子等のヘテロ原子及び／又はカルボニル基等のヘテロ原子を有する基が含まれていてもよい。例えば、上記アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、及びアラルキル基は、例えば、メチレン基の１つ以上が、酸素原子等のヘテロ原子及び／又はカルボニル基等のヘテロ原子を有する基で置き換わっていてもよい。
　また、Ｒ３８は、繰り返し単位の主鎖が有する別の置換基と互いに結合して、環を形成してもよい。Ｒ３８と繰り返し単位の主鎖が有する別の置換基とが互いに結合して形成する基は、メチレン基等のアルキレン基が好ましい。
　式（Ｙ３）としては、下記式（Ｙ３－１）で表される基が好ましい。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000045
　ここで、Ｌ１及びＬ２は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、又はこれらを組み合わせた基（例えば、アルキル基とアリール基とを組み合わせた基）を表す。
　Ｍは、単結合又は２価の連結基を表す。
　Ｑは、ヘテロ原子を含んでいてもよいアルキル基、ヘテロ原子を含んでいてもよいシクロアルキル基、ヘテロ原子を含んでいてもよいアリール基、アミノ基、アンモニウム基、メルカプト基、シアノ基、アルデヒド基、又はこれらを組み合わせた基（例えば、アルキル基とシクロアルキル基とを組み合わせた基）を表す。
　アルキル基及びシクロアルキル基は、例えば、メチレン基の１つが、酸素原子等のヘテロ原子、又はカルボニル基等のヘテロ原子を有する基で置き換わっていてもよい。
　なお、Ｌ１及びＬ２のうち一方は水素原子であり、他方はアルキル基、シクロアルキル基、アリール基、又はアルキレン基とアリール基とを組み合わせた基であることが好ましい。
　Ｑ、Ｍ、及びＬ１の少なくとも２つが結合して環（好ましくは、５員若しくは６員環）を形成してもよい。
　パターンの微細化の点では、Ｌ２が２級又は３級アルキル基であることが好ましく、３級アルキル基であることがより好ましい。２級アルキル基としては、イソプロピル基、シクロヘキシル基又はノルボルニル基が挙げられ、３級アルキル基としては、ｔｅｒｔ－ブチル基又はアダマンタン基が挙げられる。これらの態様では、Ｔｇ（ガラス転移温度）及び活性化エネルギーが高くなるため、膜強度の担保に加え、かぶりの抑制ができる。
　式（Ｙ４）中、Ａｒは、芳香環基を表す。Ｒｎは、アルキル基、シクロアルキル基、又はアリール基を表す。ＲｎとＡｒとは互いに結合して非芳香族環を形成してもよい。Ａｒはより好ましくはアリール基である。
　繰り返し単位の酸分解性が優れる点から、極性基を保護する脱離基において、極性基（又はその残基）に非芳香族環が直接結合している場合、上記非芳香族環中の、上記極性基（又はその残基）と直接結合している環員原子に隣接する環員原子は、置換基としてフッ素原子等のハロゲン原子を有さないことも好ましい。
　酸の作用により脱離する脱離基は、他にも、３－メチル－２－シクロペンテニル基のような置換基（アルキル基等）を有する２－シクロペンテニル基、及び、１，１，４，４－テトラメチルシクロヘキシル基のような置換基（アルキル基等）を有するシクロヘキシル基でもよい。
　酸分解性基を有する繰り返し単位が、下記一般式（３）～（７）で表される繰り返し単位から選ばれる１種以上を含むことが好ましく、下記一般式（６）で表される繰り返し単位、及び下記一般式（７）で表される繰り返し単位から選ばれる１種以上を含むことがより好ましい。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000046
　一般式（３）中、Ｒ５、Ｒ６、及びＲ７は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、ハロゲン原子、シアノ基、又はアルコキシカルボニル基を表す。
　Ｌ２は、単結合、又は２価の連結基を表す。
　Ｒ８～Ｒ１０は、それぞれ独立に、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アラルキル基、又はアルケニル基を表す。なお、Ｒ８～Ｒ１０のうち２つが互いに結合して環を形成してもよい。
　Ｒ５、Ｒ６、及びＲ７で表されるアルキル基としては、直鎖状及び分岐鎖状のいずれであってもよい。アルキル基の炭素数は特に制限されないが、１～５が好ましく、１～３がより好ましい。
　Ｒ５、Ｒ６、及びＲ７で表されるシクロアルキル基としては、シクロペンチル基、及びシクロヘキシル基等の単環のシクロアルキル基、並びにノルボルニル基、テトラシクロデカニル基、テトラシクロドデカニル基、及びアダマンチル基等の多環のシクロアルキル基が好ましい。
　Ｒ５、Ｒ６、及びＲ７で表されるハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、及びヨウ素原子が挙げられ、フッ素原子又はヨウ素原子が好ましい。
　Ｒ５、Ｒ６、及びＲ７で表されるアルコキシカルボニル基中に含まれるアルキル基としては直鎖状及び分岐鎖状のいずれであってもよい。アルコキシカルボニル基中に含まれるアルキル基の炭素数は特に制限されないが、１～５が好ましく、１～３がより好ましい。
　Ｌ２で表される２価の連結基としては、－ＣＯ－、－Ｏ－、－Ｓ－、－ＳＯ－、－ＳＯ２－、炭化水素基（例えば、アルキレン基、シクロアルキレン基、アルケニレン基、アリーレン基等）、及びこれらの複数が連結した連結基等が挙げられる。
　Ｒ８～Ｒ１０で表されるアルキル基としては、直鎖状及び分岐鎖状のいずれであってもよい。アルキル基の炭素数は特に制限されないが、１～５が好ましく、１～３がより好ましい。Ｒ８～Ｒ１０で表されるアルキル基は、メチレン基が、－ＣＯ－及び／又は－Ｏ－で置換されていてもよい。
　Ｒ８～Ｒ１０で表されるシクロアルキル基としては、シクロペンチル基、及びシクロヘキシル基等の単環のシクロアルキル基、並びにノルボルニル基、テトラシクロデカニル基、テトラシクロドデカニル基、及びアダマンチル基等の多環のシクロアルキル基が好ましい。
　Ｒ８～Ｒ１０で表されるアリール基としては、フェニル基が好ましい。
　Ｒ８～Ｒ１０で表されるアラルキル基としては、上述したＲ８～Ｒ１０で表されるアルキル基中の１個の水素原子を炭素数６～１０のアリール基（好ましくはフェニル基）で置換した基が好ましく、例えば、ベンジル基等が挙げられる。
　Ｒ８～Ｒ１０で表されるアルケニル基としては、ビニル基が好ましい。
　Ｒ８～Ｒ１０の２つが結合して形成される環としては、シクロアルキル基が好ましい。Ｒ８～Ｒ１０の２つが結合して形成されるシクロアルキル基としては、シクロペンチル基、若しくは、シクロヘキシル基等の単環のシクロアルキル基、又はノルボルニル基、テトラシクロデカニル基、テトラシクロドデカニル基、若しくは、アダマンチル基等の多環のシクロアルキル基が好ましく、炭素数５～６の単環のシクロアルキル基がより好ましい。
　Ｒ８～Ｒ１０の２つが結合して形成されるシクロアルキル基は、例えば、環を構成するメチレン基の１つが、酸素原子等のヘテロ原子、カルボニル基等のヘテロ原子を有する基、又はビニリデン基で置き換わっていてもよい。また、これらのシクロアルキル基は、シクロアルカン環を構成するエチレン基の１つ以上が、ビニレン基で置き換わっていてもよい。
　一般式（３）中の上記各基は置換基を有していてもよく、置換基としては、例えば、上記置換基Ｔが挙げられる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000047
　一般式（４）中、Ｒ１１～Ｒ１４は、それぞれ独立に、水素原子又は有機基を表す。但し、Ｒ１１及びＲ１２のうち少なくとも一方は、有機基を表す。
　Ｘ１は、－ＣＯ－、－ＳＯ－、又は－ＳＯ２－を表す。
　Ｙ１は、－Ｏ－、－Ｓ－、－ＳＯ－、－ＳＯ２－、又は－ＮＲ３４－を表す。Ｒ３４は、水素原子又は有機基を表す。
　Ｌ３は、単結合、又は２価の連結基を表す。
　Ｒ１５～Ｒ１７は、それぞれ独立に、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アラルキル基、又はアルケニル基を表す。なお、Ｒ１５～Ｒ１７のうち２つが互いに結合して環を形成してもよい。
　Ｒ１１～Ｒ１４で表される有機基としては、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アラルキル基、又はアルケニル基を表す。
　Ｒ１１～Ｒ１４で表されるアルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アラルキル基、及びアルケニル基としては、上述した一般式（３）中のＲ８～Ｒ１０で表されるアルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アラルキル基、及びアルケニル基と同様の基が挙げられる。
　Ｘ１としては、なかでも、－ＣＯ－が好ましい。
　Ｒ３４で表される有機基としては、上述したＲ１１～Ｒ１４で表される有機基と同義であり、好適態様も同じである。
　Ｙ１としては、－Ｏ－が好ましい。
　Ｌ３で表される２価の連結基としては、上述した一般式（３）中のＬ２で表される２価の連結基と同義であり、好適態様も同じである。
　Ｒ１５～Ｒ１７で表されるアルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アラルキル基、及びアルケニル基としては、上述した一般式（３）中のＲ８～Ｒ１０で表されるアルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アラルキル基、及びアルケニル基と同様の基が挙げられる。
　Ｒ１５～Ｒ１７の２つが結合して形成される環としては、シクロアルキル基が好ましい。Ｒ１５～Ｒ１７の２つが結合して形成されるシクロアルキル基としては、シクロペンチル基、若しくは、シクロヘキシル基等の単環のシクロアルキル基、又はノルボルニル基、テトラシクロデカニル基、テトラシクロドデカニル基、若しくは、アダマンチル基等の多環のシクロアルキル基が好ましく、炭素数５～６の単環のシクロアルキル基がより好ましい。
　Ｒ１５～Ｒ１７の２つが結合して形成されるシクロアルキル基は、例えば、環を構成するメチレン基の１つが、酸素原子等のヘテロ原子、カルボニル基等のヘテロ原子を有する基、又はビニリデン基で置き換わっていてもよい。また、これらのシクロアルキル基は、シクロアルカン環を構成するエチレン基の１つ以上が、ビニレン基で置き換わっていてもよい。
　一般式（４）中の上記各基は置換基を有していてもよく、置換基としては、例えば、上記置換基Ｔが挙げられる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000048
　一般式（５）中、Ｒ１８及びＲ１９は、それぞれ独立に、水素原子又は有機基を表す。
　Ｒ２０及びＲ２１は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アラルキル基、又はアルケニル基を表す。なお、Ｒ２０とＲ２１とは、互いに結合して環を形成してもよい。
　Ｒ１８及びＲ１９で表される有機基としては、上述した一般式（４）中のＲ１１～Ｒ１４で表される有機基と同義であり、好適態様も同じである。
　Ｒ２０及びＲ２１で表されるアルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アラルキル基、及びアルケニル基としては、上述した一般式（３）中のＲ８～Ｒ１０で表されるアルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アラルキル基、及びアルケニル基と同様の基が挙げられる。
　Ｒ２０及びＲ２１で表される、上記アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アラルキル基、及びアルケニル基は置換基を有していてもよく、置換基としては、例えば、上記置換基Ｔが挙げられる。
　Ｒ２０及びＲ２１が結合して形成される環としては、シクロアルキル基が好ましい。Ｒ２０及びＲ２１が結合して形成されるシクロアルキル基としては、シクロペンチル基、若しくは、シクロヘキシル基等の単環のシクロアルキル基、又はノルボルニル基、テトラシクロデカニル基、テトラシクロドデカニル基、若しくは、アダマンチル基等の多環のシクロアルキル基が好ましく、炭素数５～６の単環のシクロアルキル基がより好ましい。
　Ｒ２０及びＲ２１が結合して形成されるシクロアルキル基は、例えば、環を構成するメチレン基の１つが、酸素原子等のヘテロ原子、カルボニル基等のヘテロ原子を有する基、又はビニリデン基で置き換わっていてもよい。また、これらのシクロアルキル基は、シクロアルカン環を構成するエチレン基の１つ以上が、ビニレン基で置き換わっていてもよい。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000049
　一般式（６）中、Ｒ２２、Ｒ２３、及びＲ２４は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、ハロゲン原子、シアノ基、又はアルコキシカルボニル基を表す。
　Ｌ４は、単結合、又は２価の連結基を表す。
　Ａｒ１は、芳香環基を表す。
　Ｒ２５～Ｒ２７は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アラルキル基、又はアルケニル基を表す。なお、Ｒ２６とＲ２７とは、互いに結合して環を形成してもよい。また、Ａｒ１は、Ｒ２４又はＲ２５と結合して環を形成してもよい。
　Ｒ２２、Ｒ２３、Ｒ２４、及びＬ４は、一般式（３）中のＲ５、Ｒ６、Ｒ７、及びＬ２と同義であり、好適態様も同じである。
　Ａｒ１で表される芳香環基としては特に制限されないが、例えばベンゼン環又はナフタレン環が挙げられ、ベンゼン環が好ましい。
　Ｒ２５～Ｒ２７で表されるアルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アラルキル基、及びアルケニル基としては、上述した一般式（３）中のＲ８～Ｒ１０で表されるアルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アラルキル基、及びアルケニル基と同様の基が挙げられる。
　Ｒ２５～Ｒ２７で表される、上記アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アラルキル基、及びアルケニル基は置換基を有していてもよく、置換基としては、例えば、上記置換基Ｔが挙げられる。
　Ｒ２６とＲ２７、Ａｒ１とＲ２４、及びＲ２５とＡｒ１が結合して形成される環としては、シクロアルキル基が好ましい。Ｒ２６とＲ２７、Ａｒ１とＲ２４、及びＲ２５とＡｒ１が結合して形成されるシクロアルキル基としては、シクロペンチル基、若しくは、シクロヘキシル基等の単環のシクロアルキル基、又はノルボルニル基、テトラシクロデカニル基、テトラシクロドデカニル基、若しくは、アダマンチル基等の多環のシクロアルキル基が好ましく、炭素数５～６の単環のシクロアルキル基がより好ましい。
　Ｒ２６とＲ２７、Ａｒ１とＲ２４、及びＲ２５とＡｒ１が結合して形成されるシクロアルキル基は、例えば、環を構成するメチレン基の１つが、酸素原子等のヘテロ原子、カルボニル基等のヘテロ原子を有する基、又はビニリデン基で置き換わっていてもよい。また、これらのシクロアルキル基は、シクロアルカン環を構成するエチレン基の１つ以上が、ビニレン基で置き換わっていてもよい。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000050
　一般式（７）中、Ｒ２８、Ｒ２９、及びＲ３０は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、ハロゲン原子、シアノ基、又はアルコキシカルボニル基を表す。
　Ｌ５は、単結合、又は２価の連結基を表す。
　Ｒ３１及びＲ３２は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アラルキル基、又はアルケニル基を表す。
　Ｒ３３は、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アラルキル基、又はアルケニル基を表す。なお、Ｒ３２とＲ３３とは、互いに結合して環を形成してもよい。
　Ｒ２８、Ｒ２９、及びＲ３０、及びＬ５は、一般式（３）中のＲ５、Ｒ６、Ｒ７、及びＬ２と同義であり、好適態様も同じである。
　Ｒ３１、Ｒ３２、及びＲ３３表されるアルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アラルキル基、及びアルケニル基としては、上述した一般式（３）中のＲ８～Ｒ１０で表されるアルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アラルキル基、及びアルケニル基と同様の基が挙げられる。
　Ｒ３１、Ｒ３２、及びＲ３３で表される、上記アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アラルキル基、及びアルケニル基は置換基を有していてもよく、置換基としては、例えば、上記置換基Ｔが挙げられる。
　Ｒ３２とＲ３３が結合して形成される環としては、シクロアルキル基が好ましい。Ｒ３２とＲ３３が結合して形成されるシクロアルキル基としては、シクロペンチル基、若しくは、シクロヘキシル基等の単環のシクロアルキル基、又はノルボルニル基、テトラシクロデカニル基、テトラシクロドデカニル基、若しくは、アダマンチル基等の多環のシクロアルキル基が好ましく、炭素数５～６の単環のシクロアルキル基がより好ましい。
　Ｒ３２とＲ３３が結合して形成されるシクロアルキル基は、例えば、環を構成するメチレン基の１つが、酸素原子等のヘテロ原子、カルボニル基等のヘテロ原子を有する基、又はビニリデン基で置き換わっていてもよい。また、これらのシクロアルキル基は、シクロアルカン環を構成するエチレン基の１つ以上が、ビニレン基で置き換わっていてもよい。
　酸分解性基を有する繰り返し単位は、ハロゲン原子を含んでいてもよく、含まなくてもよいが、ハロゲン原子を含まないことが好ましい。
　酸分解性基を有する繰り返し単位の含有量は、樹脂（Ａ）中の全繰り返し単位に対し、５モル％以上が好ましく、１０モル％以上がより好ましく、１５モル％以上が更に好ましい。また、その上限値としては、９５モル％以下が好ましく、９０モル％以下がより好ましく、８５モル％以下が特に好ましい。
　酸分解性基を有する繰り返し単位の具体例を以下に示すが、本発明は、これに限定されるものではない。なお、式中、Ｘａ１はＨ、ＣＨ３、ＣＦ３、及びＣＨ２ＯＨのいずれか、Ｒｘａ及びＲｘｂはそれぞれ炭素数１～５の直鎖状又は分岐鎖状のアルキル基を表す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000051
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000052
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000053
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000054
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000055
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000056
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000057
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000058
　樹脂（Ａ）は、上述した繰り返し単位以外の繰り返し単位を含んでいてもよい。
　例えば、樹脂（Ａ）は、以下のＡ群からなる群から選択される少なくとも１種の繰り返し単位、及び／又は以下のＢ群からなる群から選択される少なくとも１種の繰り返し単位を含んでいてもよい。
Ａ群：以下の（２０）～（２９）の繰り返し単位からなる群。
（２０）後述する、酸基を有する繰り返し単位
（２１）後述する、フッ素原子又はヨウ素原子を有し、酸分解性を示さない繰り返し単位
（２２）後述する、ラクトン基、スルトン基、又はカーボネート基を有する繰り返し単位
（２３）後述する、光酸発生基を有する繰り返し単位
（２４）後述する、一般式（Ｖ－１）又は下記一般式（Ｖ－２）で表される繰り返し単位
（２５）後述する、式（Ａ）で表される繰り返し単位
（２６）後述する、式（Ｂ）で表される繰り返し単位
（２７）後述する、式（Ｃ）で表される繰り返し単位
（２８）後述する、式（Ｄ）で表される繰り返し単位
（２９）後述する、式（Ｅ）で表される繰り返し単位
Ｂ群：以下の（３０）～（３２）の繰り返し単位からなる群。
（３０）後述する、ラクトン基、スルトン基、カーボネート基、水酸基、シアノ基、及びアルカリ可溶性基から選ばれる少なくとも１種類の基を有する繰り返し単位
（３１）後述する、脂環炭化水素構造を有し、酸分解性を示さない繰り返し単位
（３２）後述する、水酸基及びシアノ基のいずれも有さない、一般式（ＩＩＩ）で表される繰り返し単位
　本発明の組成物がＥＵＶ用の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物として用いられる場合、樹脂（Ａ）は上記Ａ群からなる群から選択される少なくとも１種の繰り返し単位を有することが好ましい。
　また、組成物がＥＵＶ用の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物として用いられる場合、樹脂（Ａ）は、フッ素原子及びヨウ素原子の少なくとも一方を含むことが好ましく、フッ素原子を含むことがより好ましい。樹脂（Ａ）がフッ素原子及びヨウ素原子の両方を含む場合、樹脂（Ａ）は、フッ素原子及びヨウ素原子の両方を含む１つの繰り返し単位を有していてもよいし、樹脂（Ａ）は、フッ素原子を有する繰り返し単位とヨウ素原子を含む繰り返し単位との２種を含んでいてもよい。
　また、組成物がＥＵＶ用の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物として用いられる場合、樹脂（Ａ）が、芳香族基を有する繰り返し単位を有することも好ましい。
（酸基を有する繰り返し単位）
　樹脂（Ａ）は、一般式（ＡＩ）で表される繰り返し単位とは異なる酸基を有する繰り返し単位を有していてもよい。
　酸基としては、例えば、カルボキシ基、フッ素化アルコール基（好ましくはヘキサフルオロイソプロパノール基）、スルホン酸基、スルホンアミド基、又はイソプロパノール基等が好ましい。
　また、上記ヘキサフルオロイソプロパノール基は、フッ素原子の１つ以上（好ましくは１～２つ）が、フッ素原子以外の基（アルコキシカルボニル基等）で置換されてもよい。このように形成された－Ｃ（ＣＦ３）（ＯＨ）－ＣＦ２－も、酸基として好ましい。また、フッ素原子の１つ以上がフッ素原子以外の基に置換されて、－Ｃ（ＣＦ３）（ＯＨ）－ＣＦ２－を含む環を形成してもよい。
　酸基を有する繰り返し単位は、上述の酸の作用により脱離する脱離基で極性基が保護された構造を有する繰り返し単位、及び後述するラクトン基、スルトン基、又はカーボネート基を有する繰り返し単位とは異なる繰り返し単位であることが好ましい。
　酸基を有する繰り返し単位は、置換基を有していてもよく、置換基としては、例えば、上記置換基Ｔが挙げられる。
　酸基を有する繰り返し単位としては、式（Ｂ）で表される繰り返し単位が好ましい。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000059
　Ｒ３は、水素原子、又は１価の有機基を表す。
　１価の有機基としては、－Ｌ４－Ｒ８で表される基が好ましい。Ｌ４は、単結合、又はエステル基を表す。Ｒ８は、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、又はこれらを組み合わせた基が挙げられる。
　Ｒ４及びＲ５は、それぞれ独立に、水素原子、フッ素原子、ヨウ素原子、又はアルキル基を表す。
　Ｌ２は、単結合、又はエステル基を表す。
　Ｌ３は、（ｎ＋ｍ＋１）価の脂環式炭化水素環基を表す。脂環式炭化水素環基としては、単環であっても、多環であってもよく、例えば、シクロアルキル環基が挙げられる。
　Ｒ６は、水酸基、又はフッ素化アルコール基（好ましくは、ヘキサフルオロイソプロパノール基）を表す。
　Ｒ７は、ハロゲン原子を表す。ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、又はヨウ素原子が挙げられる。
　ｍは、１以上の整数を表す。ｍは、１～３の整数が好ましく、１～２の整数がより好ましい。
　ｎは、０又は１以上の整数を表す。ｎは、１～４の整数が好ましい。
　なお、（ｎ＋ｍ＋１）は、１～５の整数が好ましい。
　式（Ｂ）中の上記各基は置換基を有していてもよく、置換基としては、例えば、上記置換基Ｔが挙げられる。
　以下、酸基を有する繰り返し単位を以下に例示する。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000060
　酸基を有する繰り返し単位の含有量は、樹脂（Ａ）中の全繰り返し単位に対し、５モル％以上が好ましく、１０モル％以上がより好ましい。また、その上限値としては、７０モル％以下が好ましく、６０モル％以下がより好ましく、５０モル％以下が更に好ましい。
（フッ素原子又はヨウ素原子を有し、酸分解性を示さない繰り返し単位）
　樹脂（Ａ）は、上述した「（酸分解性基を有する繰り返し単位）」及び「（酸基を有する繰り返し単位）」とは別に、フッ素原子又はヨウ素原子を有する繰り返し単位を有していてもよい。また、ここでいう「（フッ素原子又はヨウ素原子を有する繰り返し単位）」は、後述の「（ラクトン基、スルトン基、又はカーボネート基を有する繰り返し単位）」、及び「（光酸発生基を有する繰り返し単位）」等の、Ａ群に属する他の種類の繰り返し単位とは異なることが好ましい。
　なお、上述した「（フッ素原子又はヨウ素原子を有し、酸分解性を示さない繰り返し単位）」は、主鎖が環員原子（言い換えると、環構造を構成する原子）を含まないことが好ましい。
　フッ素原子又はヨウ素原子を有し、酸分解性を示さない繰り返し単位としては、式（Ｃ）で表される繰り返し単位が好ましい。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000061
　Ｌ５は、単結合、又はエステル基を表す。
　Ｒ９は、水素原子、又はフッ素原子若しくはヨウ素原子を有していてもよいアルキル基を表す。
　Ｒ１０は、水素原子、フッ素原子若しくはヨウ素原子を有していてもよいアルキル基、フッ素原子若しくはヨウ素原子を有していてもよいシクロアルキル基、フッ素原子若しくはヨウ素原子を有していてもよいアリール基、又はこれらを組み合わせた基を表す。
　フッ素原子又はヨウ素原子を有し、酸分解性を示さない繰り返し単位を以下に例示する。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000062
　フッ素原子又はヨウ素原子を有し、酸分解性を示さない繰り返し単位の含有量は、樹脂（Ａ）中の全繰り返し単位に対し、０モル％以上が好ましく、５モル％以上がより好ましく、１０モル％以上が更に好ましい。また、その上限値としては、５０モル％以下が好ましく、４５モル％以下がより好ましく、４０モル％以下が更に好ましい。
（ラクトン基、スルトン基、又はカーボネート基を有する繰り返し単位）
　樹脂（Ａ）は、ラクトン基、スルトン基、及びカーボネート基からなる群から選択される少なくとも１種を有する繰り返し単位（以下、総称して「ラクトン基、スルトン基、又はカーボネート基を有する繰り返し単位」とも言う）を有していてもよい。
　ラクトン基、スルトン基、又はカーボネート基を有する繰り返し単位は、ヘキサフルオロプロパノール基等の酸基を有さないものも好ましい。
　ラクトン基又はスルトン基としては、ラクトン構造又はスルトン構造を有していればよい。ラクトン構造又はスルトン構造は、５～７員環ラクトン構造又は５～７員環スルトン構造が好ましい。なかでも、ビシクロ構造若しくはスピロ構造を形成する形で５～７員環ラクトン構造に他の環構造が縮環しているもの、又はビシクロ構造若しくはスピロ構造を形成する形で５～７員環スルトン構造に他の環構造が縮環しているもの、がより好ましい。
　樹脂（Ａ）は、下記一般式（ＬＣ１－１）～（ＬＣ１－２１）のいずれかで表されるラクトン構造、又は下記一般式（ＳＬ１－１）～（ＳＬ１－３）のいずれかで表されるスルトン構造の環員原子から、水素原子を１つ以上引き抜いてなるラクトン基又はスルトン基を有する繰り返し単位を有することが好ましい。
　また、ラクトン基又はスルトン基が主鎖に直接結合していてもよい。例えば、ラクトン基又はスルトン基の環員原子が、樹脂（Ａ）の主鎖を構成してもよい。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000063
　上記ラクトン構造又はスルトン構造部分は、置換基（Ｒｂ２）を有していてもよい。好ましい置換基（Ｒｂ２）としては、炭素数１～８のアルキル基、炭素数４～７のシクロアルキル基、炭素数１～８のアルコキシ基、炭素数１～８のアルコキシカルボニル基、カルボキシ基、ハロゲン原子、水酸基、シアノ基、及び酸分解性基等が挙げられる。ｎ２は、０～４の整数を表す。ｎ２が２以上の時、複数存在するＲｂ２は、異なっていてもよく、また、複数存在するＲｂ２同士が結合して環を形成してもよい。
　一般式（ＬＣ１－１）～（ＬＣ１－２１）のいずれかで表されるラクトン構造又は一般式（ＳＬ１－１）～（ＳＬ１－３）のいずれかで表されるスルトン構造を有する基を有する繰り返し単位としては、例えば、下記一般式（ＡＩ）で表される繰り返し単位等が挙げられる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000064
　一般式（ＡＩ）中、Ｒｂ０は、水素原子、ハロゲン原子、又は炭素数１～４のアルキル基を表す。
　Ｒｂ０のアルキル基が有していてもよい好ましい置換基としては、水酸基、及びハロゲン原子が挙げられる。
　Ｒｂ０のハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、及びヨウ素原子が挙げられる。Ｒｂ０は、水素原子又はメチル基が好ましい。
　Ａｂは、単結合、アルキレン基、単環又は多環の脂環炭化水素構造を有する２価の連結基、エーテル基、エステル基、カルボニル基、カルボキシ基、又はこれらを組み合わせた２価の基を表す。なかでも、単結合、又は－Ａｂ１－ＣＯ２－で表される連結基が好ましい。Ａｂ１は、直鎖状若しくは分岐鎖状のアルキレン基、又は単環若しくは多環のシクロアルキレン基であり、メチレン基、エチレン基、シクロヘキシレン基、アダマンチレン基、又はノルボルニレン基が好ましい。
　Ｖは、一般式（ＬＣ１－１）～（ＬＣ１－２１）のいずれかで表されるラクトン構造の環員原子から水素原子を１つ引き抜いてなる基、又は一般式（ＳＬ１－１）～（ＳＬ１－３）のいずれかで表されるスルトン構造の環員原子から水素原子を１つ引き抜いてなる基を表す。
　ラクトン基又はスルトン基を有する繰り返し単位に、光学異性体が存在する場合、いずれの光学異性体を用いてもよい。また、１種の光学異性体を単独で用いても、複数の光学異性体を混合して用いてもよい。１種の光学異性体を主に用いる場合、その光学純度（ｅｅ）は９０以上が好ましく、９５以上がより好ましい。
　カーボネート基としては、環状炭酸エステル基が好ましい。
　環状炭酸エステル基を有する繰り返し単位としては、下記一般式（Ａ－１）で表される繰り返し単位が好ましい。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000065
　一般式（Ａ－１）中、ＲＡ １は、水素原子、ハロゲン原子、又は１価の有機基（好ましくはメチル基）を表す。
　ｎは０以上の整数を表す。
　ＲＡ ２は、置換基を表す。ｎが２以上の場合、複数存在するＲＡ ２は、それぞれ同一でも異なっていてもよい。
　Ａは、単結合又は２価の連結基を表す。上記２価の連結基としては、アルキレン基、単環又は多環の脂環炭化水素構造を有する２価の連結基、エーテル基、エステル基、カルボニル基、カルボキシ基、又はこれらを組み合わせた２価の基が好ましい。
　Ｚは、式中の－Ｏ－ＣＯ－Ｏ－で表される基と共に単環又は多環を形成する原子団を表す。
　ラクトン基、スルトン基、又はカーボネート基を有する繰り返し単位を以下に例示する。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000066
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000067
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000068
　ラクトン基、スルトン基、又はカーボネート基を有する繰り返し単位の含有量は、樹脂（Ａ）中の全繰り返し単位に対し、１モル％以上が好ましく、１０モル％以上がより好ましい。また、その上限値としては、８５モル％以下が好ましく、８０モル％以下がより好ましく、７０モル％以下が更に好ましく、６０モル％以下が特に好ましい。
（光酸発生基を有する繰り返し単位）
　樹脂（Ａ）は、上記以外の繰り返し単位として、活性光線又は放射線の照射により酸を発生する基（以下「光酸発生基」ともいう）を有する繰り返し単位を有していてもよい。
　この場合、この光酸発生基を有する繰り返し単位が、後述する活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物（「光酸発生剤」ともいう。）に相当すると考えることができる。
　このような繰り返し単位としては、例えば、下記一般式（４）で表される繰り返し単位が挙げられる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000069
　Ｒ４１は、水素原子又はメチル基を表す。Ｌ４１は、単結合、又は２価の連結基を表す。Ｌ４２は、２価の連結基を表す。Ｒ４０は、活性光線又は放射線の照射により分解して側鎖に酸を発生させる構造部位を表す。
　光酸発生基を有する繰り返し単位を以下に例示する。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000070
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000071
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000072
　そのほか、一般式（４）で表される繰り返し単位としては、例えば、特開２０１４－０４１３２７号公報の段落＜００９４＞～＜０１０５＞に記載された繰り返し単位が挙げられる。
　光酸発生基を有する繰り返し単位の含有量は、樹脂（Ａ）中の全繰り返し単位に対して、１モル％以上が好ましく、５モル％以上がより好ましい。また、その上限値としては、４０モル％以下が好ましく、３５モル％以下がより好ましく、３０モル％以下が更に好ましい。
（一般式（Ｖ－１）又は下記一般式（Ｖ－２）で表される繰り返し単位）
　樹脂（Ａ）は、下記一般式（Ｖ－１）、又は下記一般式（Ｖ－２）で表される繰り返し単位を有していてもよい。
　下記一般式（Ｖ－１）、及び下記一般式（Ｖ－２）で表される繰り返し単位は上述の繰り返し単位とは異なる繰り返し単位であることが好ましい。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000073
　式中、
　Ｒ６及びＲ７は、それぞれ独立に、水素原子、水酸基、アルキル基、アルコキシ基、アシロキシ基、シアノ基、ニトロ基、アミノ基、ハロゲン原子、エステル基（－ＯＣＯＲ又は－ＣＯＯＲ：Ｒは炭素数１～６のアルキル基又はフッ素化アルキル基）、又はカルボキシ基を表す。アルキル基としては、炭素数１～１０の直鎖状、分岐鎖状又は環状のアルキル基が好ましい。
　ｎ３は、０～６の整数を表す。
　ｎ４は、０～４の整数を表す。
　Ｘ４は、メチレン基、酸素原子、又は硫黄原子である。
　一般式（Ｖ－１）又は（Ｖ－２）で表される繰り返し単位を以下に例示する。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000074
（主鎖の運動性を低下させるための繰り返し単位）
　樹脂（Ａ）は、発生酸の過剰な拡散又は現像時のパターン崩壊を抑制できる観点から、ガラス転移温度（Ｔｇ）が高い方が好ましい。Ｔｇは、９０℃より大きいことが好ましく、１００℃より大きいことがより好ましく、１１０℃より大きいことが更に好ましく、１２５℃より大きいことが特に好ましい。なお、過度な高Ｔｇ化は現像液への溶解速度低下を招くため、Ｔｇは４００℃以下が好ましく、３５０℃以下がより好ましい。
　なお、本明細書において、樹脂（Ａ）等のポリマーのガラス転移温度（Ｔｇ）は、以下の方法で算出する。まず、ポリマー中に含まれる各繰り返し単位のみからなるホモポリマーのＴｇを、Ｂｉｃｅｒａｎｏ法によりそれぞれ算出する。以後、算出されたＴｇを、「繰り返し単位のＴｇ」という。次に、ポリマー中の全繰り返し単位に対する、各繰り返し単位の質量割合（％）を算出する。次に、Ｆｏｘの式（Ｍａｔｅｒｉａｌｓ　Ｌｅｔｔｅｒｓ　６２（２００８）３１５２等に記載）を用いて各質量割合におけるＴｇを算出して、それらを総和して、ポリマーのＴｇ（℃）とする。
　Ｂｉｃｅｒａｎｏ法はＰｒｅｄｉｃｔｉｏｎ　ｏｆ　ｐｏｌｙｍｅｒ　ｐｒｏｐｅｒｔｉｅｓ，　Ｍａｒｃｅｌ　Ｄｅｋｋｅｒ　Ｉｎｃ，　Ｎｅｗ　Ｙｏｒｋ（１９９３）等に記載されている。またＢｉｃｅｒａｎｏ法によるＴｇの算出は、ポリマーの物性概算ソフトウェアＭＤＬ　Ｐｏｌｙｍｅｒ（ＭＤＬ　Ｉｎｆｏｒｍａｔｉｏｎ　Ｓｙｓｔｅｍｓ，　Ｉｎｃ．）を用いて行うことができる。
　樹脂（Ａ）のＴｇを大きくする（好ましくは、Ｔｇを９０℃超とする）には、樹脂（Ａ）の主鎖の運動性を低下させることが好ましい。樹脂（Ａ）の主鎖の運動性を低下させる方法は、以下の（ａ）～（ｅ）の方法が挙げられる。
（ａ）主鎖への嵩高い置換基の導入
（ｂ）主鎖への複数の置換基の導入
（ｃ）主鎖近傍への樹脂（Ａ）間の相互作用を誘発する置換基の導入
（ｄ）環状構造での主鎖形成
（ｅ）主鎖への環状構造の連結
　なお、樹脂（Ａ）は、ホモポリマーのＴｇが１３０℃以上を示す繰り返し単位を有することが好ましい。
　なお、ホモポリマーのＴｇが１３０℃以上を示す繰り返し単位の種類は特に制限されず、Ｂｉｃｅｒａｎｏ法により算出されるホモポリマーのＴｇが１３０℃以上である繰り返し単位であればよい。なお、後述する式（Ａ）～式（Ｅ）で表される繰り返し単位中の官能基の種類によっては、ホモポリマーのＴｇが１３０℃以上を示す繰り返し単位に該当する。
（式（Ａ）で表される繰り返し単位）
　上記（ａ）の具体的な達成手段の一例としては、樹脂（Ａ）に式（Ａ）で表される繰り返し単位を導入する方法が挙げられる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000075
　式（Ａ）、ＲＡは、多環構造を有する基を表す。Ｒｘは、水素原子、メチル基、又はエチル基を表す。多環構造を有する基とは、複数の環構造を有する基であり、複数の環構造は縮合していても、縮合していなくてもよい。
　式（Ａ）で表される繰り返し単位の具体例としては、下記繰り返し単位が挙げられる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000076
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000077
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000078
　上記式中、Ｒは、水素原子、メチル基、又はエチル基を表す。
　Ｒａは、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アラルキル基、アルケニル基、水酸基、アルコキシ基、アシロキシ基、シアノ基、ニトロ基、アミノ基、ハロゲン原子、エステル基（－ＯＣＯＲ’’’又は－ＣＯＯＲ’’’：Ｒ’’’は炭素数１～２０のアルキル基又はフッ素化アルキル基）、又はカルボキシ基を表す。なお、上記アルキル基、上記シクロアルキル基、上記アリール基、上記アラルキル基、及び上記アルケニル基は、それぞれ、置換基を有してもよい。また、Ｒａで表される基中の炭素原子に結合している水素原子は、フッ素原子又はヨウ素原子で置換されていてもよい。
　また、Ｒ’及びＲ’’は、それぞれ独立に、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アラルキル基、アルケニル基、水酸基、アルコキシ基、アシロキシ基、シアノ基、ニトロ基、アミノ基、ハロゲン原子、エステル基（－ＯＣＯＲ’’’又は－ＣＯＯＲ’’’：Ｒ’’’は炭素数１～２０のアルキル基又はフッ素化アルキル基）、又はカルボキシ基を表す。なお、上記アルキル基、上記シクロアルキル基、上記アリール基、上記アラルキル基、及び上記アルケニル基は、それぞれ、置換基を有してもよい。また、Ｒ’及びＲ’’で表される基中の炭素原子に結合している水素原子は、フッ素原子又はヨウ素原子で置換されていてもよい。
　Ｌは、単結合又は２価の連結基を表す。２価の連結基としては、例えば、―ＣＯＯ－、－ＣＯ－、－Ｏ－、－Ｓ―、－ＳＯ－、－ＳＯ２－、アルキレン基、シクロアルキレン基、アルケニレン基、及びこれらの複数が連結した連結基等が挙げられる。
　ｍ及びｎは、それぞれ独立に、０以上の整数を表す。ｍ及びｎの上限は特に制限されないが、２以下の場合が多く、１以下の場合がより多い。
（式（Ｂ）で表される繰り返し単位）
　上記（ｂ）の具体的な達成手段の一例としては、樹脂（Ａ）に式（Ｂ）で表される繰り返し単位を導入する方法が挙げられる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000079
　式（Ｂ）中、Ｒｂ１～Ｒｂ４は、それぞれ独立に、水素原子又は有機基を表し、Ｒｂ１～Ｒｂ４のうち少なくとも２つ以上が有機基を表す。
　また、有機基の少なくとも１つが、繰り返し単位中の主鎖に直接環構造が連結している基である場合、他の有機基の種類は特に制限されない。
　また、有機基のいずれも繰り返し単位中の主鎖に直接環構造が連結している基ではない場合、有機基の少なくとも２つ以上は、水素原子を除く構成原子の数が３つ以上である置換基である。
　式（Ｂ）で表される繰り返し単位の具体例としては、下記繰り返し単位が挙げられる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000080
　上記式中、Ｒは、それぞれ独立に、水素原子又は有機基を表す。有機基としては、置換基を有してもよい、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アラルキル基、及びアルケニル基、等の有機基が挙げられる。
　Ｒ’は、それぞれ独立に、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アラルキル基、アルケニル基、水酸基、アルコキシ基、アシロキシ基、シアノ基、ニトロ基、アミノ基、ハロゲン原子、エステル基（－ＯＣＯＲ’’又は－ＣＯＯＲ’’：Ｒ’’は炭素数１～２０のアルキル基又はフッ素化アルキル基）、又はカルボキシ基を表す。なお、上記アルキル基、上記シクロアルキル基、上記アリール基、上記アラルキル基、及び上記アルケニル基は、それぞれ、置換基を有してもよい。また、Ｒ’で表される基中の炭素原子に結合している水素原子は、フッ素原子又はヨウ素原子で置換されていてもよい。
　ｍは０以上の整数を表す。ｍの上限は特に制限されないが、２以下の場合が多く、１以下の場合がより多い。
（式（Ｃ）で表される繰り返し単位）
　上記（ｃ）の具体的な達成手段の一例としては、樹脂（Ａ）に式（Ｃ）で表される繰り返し単位を導入する方法が挙げられる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000081
　式（Ｃ）中、Ｒｃ１～Ｒｃ４は、それぞれ独立に、水素原子又は有機基を表し、Ｒｃ１～Ｒｃ４のうち少なくとも１つが、主鎖炭素から原子数３以内に水素結合性の水素原子を有する基である。なかでも、樹脂（Ａ）の主鎖間の相互作用を誘発するうえで、原子数２以内（より主鎖近傍側）に水素結合性の水素原子を有することが好ましい。
　式（Ｃ）で表される繰り返し単位の具体例としては、下記繰り返し単位が挙げられる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000082
　上記式中、Ｒは有機基を表す。有機基としては、置換基を有してもよい、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アラルキル基、アルケニル基、及びエステル基（－ＯＣＯＲ又は－ＣＯＯＲ：Ｒは炭素数１～２０のアルキル基又はフッ素化アルキル基）等が挙げられる。
　Ｒ’は、水素原子又は有機基を表す。有機基としては、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アラルキル基、及びアルケニル基、等の有機基が挙げられる。なお、有機基中の水素原子は、フッ素原子又はヨウ素原子で置換されていてもよい。
（式（Ｄ）で表される繰り返し単位）
　上記（ｄ）の具体的な達成手段の一例としては、樹脂（Ａ）に式（Ｄ）で表される繰り返し単位を導入する方法が挙げられる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000083
　式（Ｄ）中、「Ｃｙｃｌｉｃ」は、環状構造で主鎖を形成している基を表す。環の構成原子数は特に制限されない。
　式（Ｄ）で表される繰り返し単位の具体例としては、下記繰り返し単位が挙げられる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000084
　上記式中、Ｒは、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アラルキル基、アルケニル基、水酸基、アルコキシ基、アシロキシ基、シアノ基、ニトロ基、アミノ基、ハロゲン原子、エステル基（－ＯＣＯＲ’’又は－ＣＯＯＲ’’：Ｒ’’は炭素数１～２０のアルキル基又はフッ素化アルキル基）、又はカルボキシ基を表す。なお、上記アルキル基、上記シクロアルキル基、上記アリール基、上記アラルキル基、及び上記アルケニル基は、それぞれ、置換基を有してもよい。また、Ｒで表される基中の炭素原子に結合している水素原子は、フッ素原子又はヨウ素原子で置換されていてもよい。
　上記式中、Ｒ’は、それぞれ独立に、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アラルキル基、アルケニル基、水酸基、アルコキシ基、アシロキシ基、シアノ基、ニトロ基、アミノ基、ハロゲン原子、エステル基（－ＯＣＯＲ’’又は－ＣＯＯＲ’’：Ｒ’’は炭素数１～２０のアルキル基又はフッ素化アルキル基）、又はカルボキシ基を表す。なお、上記アルキル基、上記シクロアルキル基、上記アリール基、上記アラルキル基、及び上記アルケニル基は、それぞれ、置換基を有してもよい。また、Ｒ’で表される基中の炭素原子に結合している水素原子は、フッ素原子又はヨウ素原子で置換されていてもよい。
　ｍは０以上の整数を表す。ｍの上限は特に制限されないが、２以下の場合が多く、１以下の場合がより多い。
（式（Ｅ）で表される繰り返し単位）
　上記（ｅ）の具体的な達成手段の一例としては、樹脂（Ａ）に式（Ｅ）で表される繰り返し単位を導入する方法が挙げられる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000085
　式（Ｅ）中、Ｒｅは、それぞれ独立に、水素原子又は有機基を表す。有機基としては、置換基を有してもよい、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アラルキル基、及びアルケニル基等が挙げられる。
　「Ｃｙｃｌｉｃ」は、主鎖の炭素原子を含む環状基である。環状基に含まれる原子数は特に制限されない。
　式（Ｅ）で表される繰り返し単位の具体例としては、下記繰り返し単位が挙げられる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000086
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000087
　また、式（Ｅ）で表される繰り返し単位の具体例としては、下記単量体に由来する繰り返し単位も好適に使用できる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000088
　上記式中、Ｒは、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アラルキル基、及びアルケニル基、水酸基、アルコキシ基、アシロキシ基、シアノ基、ニトロ基、アミノ基、ハロゲン原子、エステル基（－ＯＣＯＲ’’又は－ＣＯＯＲ’’：Ｒ’’は炭素数１～２０のアルキル基又はフッ素化アルキル基）、又はカルボキシ基を表す。なお、上記アルキル基、上記シクロアルキル基、上記アリール基、上記アラルキル基、及び上記アルケニル基は、それぞれ、置換基を有してもよい。また、Ｒで表される基中の炭素原子に結合している水素原子は、フッ素原子又はヨウ素原子で置換されていてもよい。
　Ｒ’は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アラルキル基、及びアルケニル基、水酸基、アルコキシ基、アシロキシ基、シアノ基、ニトロ基、アミノ基、ハロゲン原子、エステル基（－ＯＣＯＲ’’又は－ＣＯＯＲ’’：Ｒ’’は炭素数１～２０のアルキル基又はフッ素化アルキル基）、又はカルボキシ基を表す。なお、上記アルキル基、上記シクロアルキル基、上記アリール基、上記アラルキル基、及び上記アルケニル基は、それぞれ、置換基を有してもよい。また、Ｒ’で表される基中の炭素原子に結合している水素原子は、フッ素原子又はヨウ素原子で置換されていてもよい。
　ｍは０以上の整数を表す。ｍの上限は特に制限されないが、２以下の場合が多く、１以下の場合がより多い。
　また、式（Ｅ－２）、式（Ｅ－４）、式（Ｅ－６）、及び式（Ｅ－８）中、２つＲは互いに結合して環を形成していてもよい。
　式（Ａ）～式（Ｅ）で表される繰り返し単位の含有量は、樹脂（Ａ）中の全繰り返し単位に対して、５モル％以上が好ましく、１０モル％以上がより好ましい。また、その上限値としては、６０モル％以下が好ましく５５モル％以下がより好ましい。
（ラクトン基、スルトン基、カーボネート基、水酸基、シアノ基、及びアルカリ可溶性基から選ばれる少なくとも１種類の基を有する繰り返し単位）
　樹脂（Ａ）は、ラクトン基、スルトン基、カーボネート基、水酸基、シアノ基、及びアルカリ可溶性基から選ばれる少なくとも１種類の基を有する繰り返し単位を有していてもよい。
　樹脂（Ａ）が有するラクトン基、スルトン基、又はカーボネート基を有する繰り返し単位としては、上述した「（ラクトン基、スルトン基、又はカーボネート基を有する繰り返し単位）」で説明した繰り返し単位が挙げられる。好ましい含有量も上述した「（ラクトン基、スルトン基、又はカーボネート基を有する繰り返し単位）」で説明した通りである。
　樹脂（Ａ）は、水酸基又はシアノ基を有する繰り返し単位を有していてもよい。これにより基板密着性、現像液親和性が向上する。
　水酸基又はシアノ基を有する繰り返し単位は、水酸基又はシアノ基で置換された脂環炭化水素構造を有する繰り返し単位であることが好ましい。
　水酸基又はシアノ基を有する繰り返し単位は、酸分解性基を有さないことが好ましい。水酸基又はシアノ基を有する繰り返し単位としては、下記一般式（ＡＩＩａ）～（ＡＩＩｄ）で表される繰り返し単位が挙げられる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000089
　一般式（ＡＩＩａ）～（ＡＩＩｄ）において、
　Ｒ１ｃは、水素原子、メチル基、トリフルオロメチル基又はヒドロキシメチル基を表す。
　Ｒ２ｃ～Ｒ４ｃは、それぞれ独立に、水素原子、水酸基又はシアノ基を表す。ただし、Ｒ２ｃ～Ｒ４ｃのうちの少なくとも１つは、水酸基又はシアノ基を表す。好ましくは、Ｒ２ｃ～Ｒ４ｃの内の１つ又は２つが水酸基で、残りが水素原子である。より好ましくは、Ｒ２ｃ～Ｒ４ｃの内の２つが水酸基で、残りが水素原子である。
　水酸基又はシアノ基を有する繰り返し単位の含有量は、樹脂（Ａ）中の全繰り返し単位に対して、５モル％以上が好ましく、１０モル％以上がより好ましい。また、その上限値としては、４０モル％以下が好ましく、３５モル％以下がより好ましく、３０モル％以下が更に好ましい。
　水酸基又はシアノ基を有する繰り返し単位の具体例を以下に挙げるが、本発明はこれらに限定されない。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000090
　樹脂（Ａ）は、アルカリ可溶性基を有する繰り返し単位を有していてもよい。
　アルカリ可溶性基としては、カルボキシ基、スルホンアミド基、スルホニルイミド基、ビスルスルホニルイミド基、α位が電子求引性基で置換された脂肪族アルコール基（例えば、ヘキサフルオロイソプロパノール基）が挙げられ、カルボキシ基が好ましい。樹脂（Ａ）がアルカリ可溶性基を有する繰り返し単位を含むことにより、コンタクトホール用途での解像性が増す。
　アルカリ可溶性基を有する繰り返し単位としては、アクリル酸及びメタクリル酸による繰り返し単位のような樹脂の主鎖に直接アルカリ可溶性基が結合している繰り返し単位、又は連結基を介して樹脂の主鎖にアルカリ可溶性基が結合している繰り返し単位が挙げられる。なお、連結基は、単環又は多環の環状炭化水素構造を有していてもよい。
　アルカリ可溶性基を有する繰り返し単位としては、アクリル酸又はメタクリル酸による繰り返し単位が好ましい。
　アルカリ可溶性基を有する繰り返し単位の含有量は、樹脂（Ａ）中の全繰り返し単位に対して、０モル％以上が好ましく、３モル％以上がより好ましく、５モル％以上が更に好ましい。その上限値としては、２０モル％以下が好ましく、１５モル％以下がより好ましく、１０モル％以下が更に好ましい。
　アルカリ可溶性基を有する繰り返し単位の具体例を以下に示すが、本発明は、これに限定されるものではない。具体例中、ＲｘはＨ、ＣＨ３、ＣＨ２ＯＨ又はＣＦ３を表す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000091
　ラクトン基、水酸基、シアノ基、及びアルカリ可溶性基から選ばれる少なくとも１種類の基を有する繰り返し単位として、ラクトン基、水酸基、シアノ基、及びアルカリ可溶性基から選ばれる少なくとも２つを有する繰り返し単位が好ましく、シアノ基とラクトン基を有する繰り返し単位がより好ましく、一般式（ＬＣ１－４）で表されるラクトン構造にシアノ基が置換した構造を有する繰り返し単位が更に好ましい。
（脂環炭化水素構造を有し、酸分解性を示さない繰り返し単位）
　樹脂（Ａ）は、脂環炭化水素構造を有し、酸分解性を示さない繰り返し単位を有してもよい。これにより液浸露光時にレジスト膜から液浸液への低分子成分の溶出が低減できる。このような繰り返し単位として、例えば、１－アダマンチル（メタ）アクリレート、ジアダマンチル（メタ）アクリレート、トリシクロデカニル（メタ）アクリレート、又はシクロヘキシル（メタ）アクリレート由来の繰り返し単位等が挙げられる。
（水酸基及びシアノ基のいずれも有さない、一般式（ＩＩＩ）で表される繰り返し単位）
　樹脂（Ａ）は、水酸基及びシアノ基のいずれも有さない、一般式（ＩＩＩ）で表される繰り返し単位を有していてもよい。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000092
　一般式（ＩＩＩ）中、Ｒ５は少なくとも一つの環状構造を有し、水酸基及びシアノ基のいずれも有さない炭化水素基を表す。
　Ｒａは水素原子、アルキル基又は－ＣＨ２－Ｏ－Ｒａ２基を表す。式中、Ｒａ２は、水素原子、アルキル基又はアシル基を表す。
　Ｒ５が有する環状構造には、単環式炭化水素基及び多環式炭化水素基が含まれる。単環式炭化水素基としては、例えば、炭素数３～１２（より好ましくは炭素数３～７）のシクロアルキル基、又は炭素数３～１２のシクロアルケニル基が挙げられる。
　多環式炭化水素基としては、環集合炭化水素基及び架橋環式炭化水素基が挙げられる。架橋環式炭化水素環としては、２環式炭化水素環、３環式炭化水素環、及び４環式炭化水素環等が挙げられる。また、架橋環式炭化水素環としては、５～８員シクロアルカン環が複数個縮合した縮合環も含まれる。
　架橋環式炭化水素基として、ノルボルニル基、アダマンチル基、ビシクロオクタニル基、又はトリシクロ［５、２、１、０２，６］デカニル基が好ましく、ノルボルニル基又はアダマンチル基がより好ましい。
　脂環式炭化水素基は置換基を有していてもよく、置換基としてはハロゲン原子、アルキル基、保護基で保護されたヒドロキシル基、及び保護基で保護されたアミノ基が挙げられる。
　ハロゲン原子としては、臭素原子、塩素原子、又はフッ素原子が好ましい。
　アルキル基としては、メチル基、エチル基、ブチル基、又はｔ－ブチル基が好ましい。上記アルキル基は更に置換基を有していてもよく、置換基としては、ハロゲン原子、アルキル基、保護基で保護されたヒドロキシル基、又は保護基で保護されたアミノ基が挙げられる。
　保護基としては、例えば、アルキル基、シクロアルキル基、アラルキル基、置換メチル基、置換エチル基、アルコキシカルボニル基、及びアラルキルオキシカルボニル基が挙げられる。
　アルキル基としては、炭素数１～４のアルキル基が好ましい。
　置換メチル基としては、メトキシメチル基、メトキシチオメチル基、ベンジルオキシメチル基、ｔ－ブトキシメチル基、又は２－メトキシエトキシメチル基が好ましい。
　置換エチル基としては、１－エトキシエチル基、又は１－メチル－１－メトキシエチル基が好ましい。
　アシル基としては、ホルミル基、アセチル基、プロピオニル基、ブチリル基、イソブチリル基、バレリル基、及びピバロイル基等の炭素数１～６の脂肪族アシル基が好ましい。
　アルコキシカルボニル基としては、炭素数１～４のアルコキシカルボニル基が好ましい。
　水酸基及びシアノ基のいずれも有さない、一般式（ＩＩＩ）で表される繰り返し単位の含有量は、樹脂（Ａ）中の全繰り返し単位に対し、０～４０モル％が好ましく、０～２０モル％がより好ましい。
　一般式（ＩＩＩ）で表される繰り返し単位の具体例を以下に挙げるが、本発明はこれらに限定されない。式中、Ｒａは、Ｈ、ＣＨ３、ＣＨ２ＯＨ、又はＣＦ３を表す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000093
（その他の繰り返し単位）
　更に、樹脂（Ａ）は、上述した繰り返し単位以外の繰り返し単位を有してもよい。
　例えば樹脂（Ａ）は、オキサチアン環基を有する繰り返し単位、オキサゾロン環基を有する繰り返し単位、ジオキサン環基を有する繰り返し単位、及びヒダントイン環基を有する繰り返し単位からなる群から選択される繰り返し単位を有していてもよい。
　このような繰り返し単位を以下に例示する。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000094
　樹脂（Ａ）は、上記の繰り返し構造単位以外に、ドライエッチング耐性、標準現像液適性、基板密着性、レジストプロファイル、解像力、耐熱性、及び感度等を調節する目的で様々な繰り返し構造単位を有していてもよい。
　樹脂（Ａ）は、常法に従って（例えばラジカル重合）合成できる。
　ＧＰＣ法によりポリスチレン換算値として、樹脂（Ａ）の重量平均分子量は、１，０００～２００，０００が好ましく、２，０００～３０，０００がより好ましく、３，０００～２０，０００が更に好ましい。樹脂（Ａ）の重量平均分子量を、１，０００～２００，０００とすることにより、耐熱性及びドライエッチング耐性の劣化をより一層抑制できる。また、現像性の劣化、及び粘度が高くなって製膜性が劣化することもより一層抑制できる。
　樹脂（Ａ）の分散度（分子量分布）は、通常１．０～５．０であり、１．０～３．０が好ましく、１．０～２．５がより好ましく、１．０～２．０が更に好ましい。分散度が小さいものほど、解像度、及びレジスト形状がより優れ、更に、レジストパターンの側壁がよりスムーズであり、ラフネス性にもより優れる。
　本発明の組成物において、樹脂（Ａ）の含有量は、組成物の全固形分に対して、５０～９９．９質量％が好ましく、６０～９９．０質量％がより好ましい。
　なお、固形分とは、組成物中の溶剤を除いた成分を意図し、溶剤以外の成分であれば液状成分であっても固形分とみなす。
　また、樹脂（Ａ）は、１種で使用してもよいし、複数併用してもよい。
［酸拡散制御剤］
　本発明の組成物は、酸拡散制御剤を含有することが好ましい。酸拡散制御剤は、露光時に光酸発生剤等から発生する酸をトラップし、余分な発生酸による、未露光部における酸分解性樹脂の反応を抑制するクエンチャーとして作用する。
　酸拡散制御剤としては、例えば、塩基性化合物（ＤＡ）、活性光線又は放射線の照射により塩基性が低下又は消失する塩基性化合物（ＤＢ）、酸発生剤に対して相対的に弱酸となるオニウム塩（ＤＣ）、窒素原子を有し、酸の作用により脱離する基を有する低分子化合物（ＤＤ）、又はカチオン部に窒素原子を有するオニウム塩化合物（ＤＥ）等を酸拡散制御剤として使用できる。本発明の組成物においては、公知の酸拡散制御剤を適宜使用できる。例えば、米国特許出願公開２０１６／００７０１６７Ａ１号明細書の段落［０６２７］～［０６６４］、米国特許出願公開２０１５／０００４５４４Ａ１号明細書の段落［００９５］～［０１８７］、米国特許出願公開２０１６／０２３７１９０Ａ１号明細書の段落［０４０３］～［０４２３］、及び、米国特許出願公開２０１６／０２７４４５８Ａ１号明細書の段落［０２５９］～［０３２８］に開示された公知の化合物を酸拡散制御剤として好適に使用できる。
　塩基性化合物（ＤＡ）としては、下記一般式（Ａ）～（Ｅ）で示される構造を有する化合物が好ましい。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000095
　一般式（Ａ）及び（Ｅ）中、
　Ｒ２００、Ｒ２０１及びＲ２０２は、同一でも異なってもよく、各々独立に、水素原子、アルキル基（好ましくは炭素数１～２０）、シクロアルキル基（好ましくは炭素数３～２０）又はアリール基（炭素数６～２０）を表す。Ｒ２０１とＲ２０２は、互いに結合して環を形成してもよい。
　Ｒ２０３、Ｒ２０４、Ｒ２０５及びＲ２０６は、同一でも異なってもよく、各々独立に、炭素数１～２０のアルキル基を表す。
　一般式（Ａ）及び（Ｅ）中のアルキル基は、置換基を有していても無置換であってもよい。
　上記アルキル基について、置換基を有するアルキル基としては、炭素数１～２０のアミノアルキル基、炭素数１～２０のヒドロキシアルキル基、又は炭素数１～２０のシアノアルキル基が好ましい。
　一般式（Ａ）及び（Ｅ）中のアルキル基は、無置換であることがより好ましい。
　塩基性化合物（ＤＡ）としては、チアゾール、ベンゾチアゾール、オキサゾール、ベンゾオキサゾール、グアニジン、アミノピロリジン、ピラゾール、ピラゾリン、ピペラジン、アミノモルホリン、アミノアルキルモルフォリン、ピペリジン、又はこれらの構造を有する化合物が好ましく、チアゾール構造、ベンゾチアゾール構造、オキサゾール構造、ベンゾオキサゾール構造、イミダゾール構造、ジアザビシクロ構造、オニウムヒドロキシド構造、オニウムカルボキシレート構造、トリアルキルアミン構造、アニリン構造若しくはピリジン構造を有する化合物、水酸基及び／若しくはエーテル結合を有するアルキルアミン誘導体、又は、水酸基及び／若しくはエーテル結合を有するアニリン誘導体等がより好ましい。
　活性光線又は放射線の照射により塩基性が低下又は消失する塩基性化合物（ＤＢ）（以下、「化合物（ＤＢ）」ともいう。）は、プロトンアクセプター性官能基を有し、かつ、活性光線又は放射線の照射により分解して、プロトンアクセプター性が低下、消失、又はプロトンアクセプター性から酸性に変化する化合物である。
　プロトンアクセプター性官能基とは、プロトンと静電的に相互作用し得る基又は電子を有する官能基であって、例えば、環状ポリエーテル等のマクロサイクリック構造を有する官能基、又は、π共役に寄与しない非共有電子対をもった窒素原子を有する官能基を意味する。π共役に寄与しない非共有電子対を有する窒素原子とは、例えば、下記式に示す部分構造を有する窒素原子である。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000096
　プロトンアクセプター性官能基の好ましい部分構造として、例えば、クラウンエーテル構造、アザクラウンエーテル構造、１～３級アミン構造、ピリジン構造、イミダゾール構造、及びピラジン構造等が挙げられる。
　化合物（ＤＢ）は、活性光線又は放射線の照射により分解してプロトンアクセプター性が低下若しくは消失し、又はプロトンアクセプター性から酸性に変化した化合物を発生する。ここでプロトンアクセプター性の低下若しくは消失、又はプロトンアクセプター性から酸性への変化とは、プロトンアクセプター性官能基にプロトンが付加することに起因するプロトンアクセプター性の変化であり、具体的には、プロトンアクセプター性官能基を有する化合物（ＤＢ）とプロトンとからプロトン付加体が生成するとき、その化学平衡における平衡定数が減少することを意味する。
　プロトンアクセプター性は、ｐＨ測定を行うことによって確認することができる。
　活性光線又は放射線の照射により化合物（ＤＢ）が分解して発生する化合物の酸解離定数ｐＫａは、ｐＫａ＜－１を満たすことが好ましく、－１３＜ｐＫａ＜－１を満たすことがより好ましく、－１３＜ｐＫａ＜－３を満たすことが更に好ましい。
　本発明の組成物では、光酸発生剤に対して相対的に弱酸となるオニウム塩（ＤＣ）を酸拡散制御剤として使用できる。
　光酸発生剤と、光酸発生剤から生じた酸に対して相対的に弱酸である酸を発生するオニウム塩とを混合して用いた場合、活性光線性又は放射線の照射により光酸発生剤から生じた酸が未反応の弱酸アニオンを有するオニウム塩と衝突すると、塩交換により弱酸を放出して強酸アニオンを有するオニウム塩を生じる。この過程で強酸がより触媒能の低い弱酸に交換されるため、見かけ上、酸が失活して酸拡散の制御を行うことができる。
　光酸発生剤に対して相対的に弱酸となるオニウム塩としては、下記一般式（ｄ１－１）～（ｄ１－３）で表される化合物が好ましい。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000097
　式中、Ｒ５１は置換基を有していてもよい炭化水素基であり、Ｚ２ｃは置換基を有していてもよい炭素数１～３０の炭化水素基（但し、Ｓに隣接する炭素にはフッ素原子は置換されていないものとする）であり、Ｒ５２は有機基であり、Ｙ３は直鎖状、分岐鎖状若しくは環状のアルキレン基又はアリーレン基であり、Ｒｆはフッ素原子を含む炭化水素基であり、Ｍ＋は各々独立に、アンモニウムカチオン、スルホニウムカチオン又はヨードニウムカチオンである。
　Ｍ＋として表されるスルホニウムカチオン又はヨードニウムカチオンの好ましい例としては、一般式（ＺＩＡ）で例示したスルホニウムカチオン及び一般式（ＺＩＩＡ）で例示したヨードニウムカチオンが挙げられる。
　光酸発生剤に対して相対的に弱酸となるオニウム塩（ＤＣ）は、カチオン部位とアニオン部位を同一分子内に有し、かつ、カチオン部位とアニオン部位が共有結合により連結している化合物（以下、「化合物（ＤＣＡ）」ともいう。）であってもよい。
　化合物（ＤＣＡ）としては、下記一般式（Ｃ－１）～（Ｃ－３）のいずれかで表される化合物が好ましい。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000098
　一般式（Ｃ－１）～（Ｃ－３）中、
　Ｒ１、Ｒ２、及びＲ３は、各々独立に炭素数１以上の置換基を表す。
　Ｌ１は、カチオン部位とアニオン部位とを連結する２価の連結基又は単結合を表す。
　－Ｘ－は、－ＣＯＯ－、－ＳＯ３ －、－ＳＯ２ －、及び－Ｎ－－Ｒ４から選択されるアニオン部位を表す。Ｒ４は、隣接するＮ原子との連結部位に、カルボニル基（－Ｃ（＝Ｏ）－）、スルホニル基（－Ｓ（＝Ｏ）２－）、及びスルフィニル基（－Ｓ（＝Ｏ）－）のうち少なくとも１つを有する１価の置換基を表す。
　Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、及びＬ１は、互いに結合して環構造を形成してもよい。また、一般式（Ｃ－３）において、Ｒ１～Ｒ３のうち２つを合わせて１つの２価の置換基を表し、Ｎ原子と２重結合により結合していてもよい。
　Ｒ１～Ｒ３における炭素数１以上の置換基としては、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アルキルオキシカルボニル基、シクロアルキルオキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、アルキルアミノカルボニル基、シクロアルキルアミノカルボニル基、及びアリールアミノカルボニル基等が挙げられる。好ましくは、アルキル基、シクロアルキル基、又はアリール基である。
　２価の連結基としてのＬ１は、直鎖状若しくは分岐鎖状アルキレン基、シクロアルキレン基、アリーレン基、カルボニル基、エーテル結合、エステル結合、アミド結合、ウレタン結合、ウレア結合、及びこれらの２種以上を組み合わせてなる基等が挙げられる。Ｌ１は、好ましくは、アルキレン基、アリーレン基、エーテル結合、エステル結合、又はこれらの２種以上を組み合わせてなる基である。
　窒素原子を有し、酸の作用により脱離する基を有する低分子化合物（ＤＤ）（以下、「化合物（ＤＤ）」ともいう。）は、酸の作用により脱離する基を窒素原子上に有するアミン誘導体であることが好ましい。
　酸の作用により脱離する基としては、アセタール基、カルボネート基、カルバメート基、３級エステル基、３級水酸基、又はヘミアミナールエーテル基が好ましく、カルバメート基、又はヘミアミナールエーテル基がより好ましい。
　化合物（ＤＤ）の分子量は、１００～１０００が好ましく、１００～７００がより好ましく、１００～５００が更に好ましい。
　化合物（ＤＤ）は、窒素原子上に保護基を有するカルバメート基を有してもよい。カルバメート基を構成する保護基としては、下記一般式（ｄ－１）で表される。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000099
　一般式（ｄ－１）において、
　Ｒｂは、各々独立に、水素原子、アルキル基（好ましくは炭素数１～１０）、シクロアルキル基（好ましくは炭素数３～３０）、アリール基（好ましくは炭素数３～３０）、アラルキル基（好ましくは炭素数１～１０）、又はアルコキシアルキル基（好ましくは炭素数１～１０）を表す。Ｒｂは相互に結合して環を形成していてもよい。
　Ｒｂが示すアルキル基、シクロアルキル基、アリール基、及びアラルキル基は、各々独立にヒドロキシル基、シアノ基、アミノ基、ピロリジノ基、ピペリジノ基、モルホリノ基、オキソ基等の官能基、アルコキシ基、又はハロゲン原子で置換されていてもよい。Ｒｂが示すアルコキシアルキル基についても同様である。
　Ｒｂとしては、直鎖状若しくは分岐鎖状のアルキル基、シクロアルキル基、又はアリール基が好ましく、直鎖状若しくは分岐鎖状のアルキル基、又はシクロアルキル基がより好ましい。
　２つのＲｂが相互に連結して形成する環としては、脂環式炭化水素、芳香族炭化水素、複素環式炭化水素及びその誘導体等が挙げられる。
　一般式（ｄ－１）で表される基の具体的な構造としては、米国特許公報ＵＳ２０１２／０１３５３４８Ａ１号明細書の段落［０４６６］に開示された構造が挙げられるが、これに限定されない。
　化合物（ＤＤ）は、下記一般式（６）で表される構造を有することが好ましい。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000100
　一般式（６）において、
　ｌは０～２の整数を表し、ｍは１～３の整数を表し、ｌ＋ｍ＝３を満たす。
　Ｒａは、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基又はアラルキル基を表す。ｌが２のとき、２つのＲａは同じでも異なっていてもよく、２つのＲａは相互に連結して式中の窒素原子と共に複素環を形成していてもよい。この複素環には式中の窒素原子以外のヘテロ原子を含んでいてもよい。
　Ｒｂは、上記一般式（ｄ－１）におけるＲｂと同義であり、好ましい例も同様である。
　一般式（６）において、Ｒａとしてのアルキル基、シクロアルキル基、アリール基、及びアラルキル基は、各々独立にＲｂとしてのアルキル基、シクロアルキル基、アリール基、及びアラルキル基が置換されていてもよい基として前述した基と同様な基で置換されていてもよい。
　上記Ｒａのアルキル基、シクロアルキル基、アリール基、及びアラルキル基（これらの基は、上記基で置換されていてもよい）の具体例としては、Ｒｂについて前述した具体例と同様な基が挙げられる。
　本発明における特に好ましい化合物（ＤＤ）の具体例としては、米国特許出願公開２０１２／０１３５３４８Ａ１号明細書の段落［０４７５］に開示された化合物が挙げられるが、これに限定されない。
　カチオン部に窒素原子を有するオニウム塩化合物（ＤＥ）（以下、「化合物（ＤＥ）」ともいう。）は、カチオン部に窒素原子を含む塩基性部位を有する化合物であることが好ましい。塩基性部位は、アミノ基であることが好ましく、脂肪族アミノ基であることがより好ましい。塩基性部位中の窒素原子に隣接する原子の全てが、水素原子又は炭素原子であることが更に好ましい。また、塩基性向上の観点から、窒素原子に対して、電子求引性の官能基（カルボニル基、スルホニル基、シアノ基、及びハロゲン原子等）が直結していないことが好ましい。
　化合物（ＤＥ）の好ましい具体例としては、米国特許出願公開２０１５／０３０９４０８Ａ１号明細書の段落［０２０３］に開示された化合物が挙げられるが、これに限定されない。
　酸拡散制御剤の好ましい例を以下に示すが、本発明はこれらに限定されるものではない。Ｍｅはメチル基を表す。
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　本発明の組成物において、酸拡散制御剤は１種単独で使用してもよいし、２種以上を併用してもよい。
　酸拡散制御剤の本発明の組成物中の含有量（複数種存在する場合はその合計）は、組成物の全固形分に対して、０．００１～２０質量％が好ましく、０．０１～５質量％がより好ましい。
［溶剤］
　本発明の組成物は、溶剤を含有することが好ましい。
　本発明の組成物においては、公知のレジスト溶剤を適宜使用できる。例えば、米国特許出願公開２０１６／００７０１６７Ａ１号明細書の段落［０６６５］～［０６７０］、米国特許出願公開２０１５／０００４５４４Ａ１号明細書の段落［０２１０］～［０２３５］、米国特許出願公開２０１６／０２３７１９０Ａ１号明細書の段落［０４２４］～［０４２６］、及び、米国特許出願公開２０１６／０２７４４５８Ａ１号明細書の段落［０３５７］～［０３６６］に開示された公知の溶剤を好適に使用できる。
　組成物を調製する際に使用できる溶剤としては、例えば、アルキレングリコールモノアルキルエーテルカルボキシレート、アルキレングリコールモノアルキルエーテル、乳酸アルキルエステル、アルコキシプロピオン酸アルキル、環状ラクトン（好ましくは炭素数４～１０）、環を有してもよいモノケトン化合物（好ましくは炭素数４～１０）、アルキレンカーボネート、アルコキシ酢酸アルキル、及びピルビン酸アルキル等の有機溶剤が挙げられる。
　有機溶剤として、構造中に水酸基を有する溶剤と、水酸基を有さない溶剤とを混合した混合溶剤を使用してもよい。
　水酸基を有する溶剤、及び水酸基を有さない溶剤としては、前述の例示化合物を適宜選択できるが、水酸基を含む溶剤としては、アルキレングリコールモノアルキルエーテル、又は乳酸アルキル等が好ましく、プロピレングリコールモノメチルエーテル（ＰＧＭＥ）、プロピレングリコールモノエチルエーテル（ＰＧＥＥ）、２－ヒドロキシイソ酪酸メチル、又は乳酸エチルがより好ましい。また、水酸基を有さない溶剤としては、アルキレングリコールモノアルキルエーテルアセテート、アルキルアルコキシプロピオネート、環を有していてもよいモノケトン化合物、環状ラクトン、又は酢酸アルキル等が好ましく、これらの中でも、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート（ＰＧＭＥＡ）、エチルエトキシプロピオネート、２－ヘプタノン、γ－ブチロラクトン、シクロヘキサノン、シクロペンタノン又は酢酸ブチルがより好ましく、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、γ－ブチロラクトン、エチルエトキシプロピオネート、シクロヘキサノン、シクロペンタノン又は２－ヘプタノンが更に好ましい。水酸基を有さない溶剤としては、プロピレンカーボネートも好ましい。
　水酸基を有する溶剤と水酸基を有さない溶剤との混合比（質量比）は、１／９９～９９／１であり、１０／９０～９０／１０が好ましく、２０／８０～６０／４０がより好ましい。水酸基を有さない溶剤を５０質量％以上含有する混合溶剤が、塗布均一性の点で好ましい。
　溶剤は、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートを含有することが好ましく、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート単独溶剤でもよいし、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートを含有する２種類以上の混合溶剤でもよい。
［界面活性剤］
　本発明の組成物は、界面活性剤を更に含んでいてもよい。界面活性剤を含有することにより、波長が２５０ｎｍ以下、特には２２０ｎｍ以下の露光光源を使用した場合に、良好な感度及び解像度で、密着性及び現像欠陥のより少ないパターンを形成することが可能となる。
　界面活性剤としては、フッ素系及び／又はシリコン系界面活性剤を用いることが特に好ましい。
　フッ素系及び／又はシリコン系界面活性剤としては、例えば、米国特許出願公開第２００８／０２４８４２５号明細書の［０２７６］に記載の界面活性剤が挙げられる。また、エフトップＥＦ３０１若しくはＥＦ３０３（新秋田化成（株）製）；フロラードＦＣ４３０、４３１若しくは４４３０（住友スリーエム（株）製）；メガファックＦ１７１、Ｆ１７３、Ｆ１７６、Ｆ１８９、Ｆ１１３、Ｆ１１０、Ｆ１７７、Ｆ１２０若しくはＲ０８（ＤＩＣ（株）製）；サーフロンＳ－３８２、ＳＣ１０１、１０２、１０３、１０４、１０５若しくは１０６（旭硝子（株）製）；トロイゾルＳ－３６６（トロイケミカル（株）製）；ＧＦ－３００若しくはＧＦ－１５０（東亜合成化学（株）製）、サーフロンＳ－３９３（セイミケミカル（株）製）；エフトップＥＦ１２１、ＥＦ１２２Ａ、ＥＦ１２２Ｂ、ＲＦ１２２Ｃ、ＥＦ１２５Ｍ、ＥＦ１３５Ｍ、ＥＦ３５１、ＥＦ３５２、ＥＦ８０１、ＥＦ８０２若しくはＥＦ６０１（（株）ジェムコ製）；ＰＦ６３６、ＰＦ６５６、ＰＦ６３２０若しくはＰＦ６５２０（ＯＭＮＯＶＡ社製）；又は、ＦＴＸ－２０４Ｇ、２０８Ｇ、２１８Ｇ、２３０Ｇ、２０４Ｄ、２０８Ｄ、２１２Ｄ、２１８Ｄ若しくは２２２Ｄ（（株）ネオス製）を用いてもよい。なお、ポリシロキサンポリマーＫＰ－３４１（信越化学工業（株）製）も、シリコン系界面活性剤として用いることができる。
　また、界面活性剤は、上記に示すような公知のものの他に、テロメリゼーション法（テロマー法ともいわれる）又はオリゴメリゼーション法（オリゴマー法ともいわれる）により製造されたフルオロ脂肪族化合物を用いて合成してもよい。具体的には、このフルオロ脂肪族化合物から導かれたフルオロ脂肪族基を備えた重合体を、界面活性剤として用いてもよい。このフルオロ脂肪族化合物は、例えば、特開２００２－９０９９１号公報に記載された方法によって合成することができる。
　また、米国特許出願公開第２００８／０２４８４２５号明細書の［０２８０］に記載されているフッ素系及び／又はシリコン系以外の界面活性剤を使用してもよい。
　これら界面活性剤は、１種類を単独で用いてもよく、２種類以上を組み合わせて用いてもよい。
　本発明の組成物が界面活性剤を含んでいる場合、その含有量は、組成物の全固形分を基準として、好ましくは０超～２質量％、より好ましくは０．０００１～２質量％、更に好ましくは０．０００５～１質量％である。
［その他の添加剤］
　本発明の組成物は、上記に説明した成分以外にも、カルボン酸、カルボン酸オニウム塩、Ｐｒｏｃｅｅｄｉｎｇ　ｏｆ　ＳＰＩＥ，　２７２４，３５５　（１９９６）等に記載の分子量３０００以下の溶解阻止化合物、染料、可塑剤、光増感剤、光吸収剤、酸化防止剤などを適宜含有することができる。
　特にカルボン酸は、性能向上のために好適に用いられることもできる。カルボン酸としては、安息香酸、ナフトエ酸などの、芳香族カルボン酸が好ましい。
　本発明の組成物がカルボン酸を含む場合、カルボン酸の含有量は、組成物の全固形分に対して０．０１～１０質量％が好ましく、より好ましくは０．０１～５質量％、更に好ましくは０．０１～３質量％である。
　本発明における感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物は、解像力向上の観点から、膜厚１０～２５０ｎｍで使用されることが好ましく、より好ましくは、膜厚２０～２００ｎｍで使用されることが好ましく、更に好ましくは３０～１００ｎｍで使用されることが好ましい。組成物中の固形分濃度を適切な範囲に設定して適度な粘度をもたせ、塗布性、製膜性を向上させることにより、このような膜厚とすることができる。
　本発明における感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物の固形分濃度は、通常１．０～１０質量％であり、好ましくは、１．５～５．７質量％、更に好ましくは１．８～５．３質量％である。固形分濃度を上記範囲とすることで、レジスト溶液を基板上に均一に塗布することができ、更にはラインウィズスラフネスに優れたレジストパターンを形成することが可能になる。
　固形分濃度とは、感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物の総質量に対する、溶剤を除く他の成分の質量の質量百分率である。
［用途］
　本発明の組成物は、活性光線又は放射線の照射により反応して性質が変化する感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物に関する。更に詳しくは、本発明の組成物は、ＩＣ（Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ　Ｃｉｒｃｕｉｔ）等の半導体製造工程、液晶若しくはサーマルヘッド等の回路基板の製造、インプリント用モールド構造体の作製、その他のフォトファブリケーション工程、又は平版印刷版、若しくは酸硬化性組成物の製造に使用される感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物に関する。本発明において形成されるパターンは、エッチング工程、イオンインプランテーション工程、バンプ電極形成工程、再配線形成工程、及びＭＥＭＳ（Ｍｉｃｒｏ　Ｅｌｅｃｔｒｏ　Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ　Ｓｙｓｔｅｍｓ）等において使用できる。
［感活性光線性又は感放射線性膜］
　本発明は、本発明の感活性光線又は感放射線性組成物により形成された感活性光線性又は感放射線性膜（好ましくはレジスト膜）にも関する。このような膜は、例えば、本発明の組成物が基板等の支持体上に塗布されることにより形成される。この膜の厚みは、０．０２～０．１μｍが好ましい。基板上に塗布する方法としては、スピンコート、ロールコート、フローコート、ディップコート、スプレーコート、ドクターコート等の適当な塗布方法により基板上に塗布されるが、スピン塗布が好ましく、その回転数は１０００～３０００ｒｐｍ（ｒｏｔａｔｉｏｎｓ　ｐｅｒ　ｍｉｎｕｔｅ）が好ましい。塗布膜は６０～１５０℃で１～２０分間、好ましくは８０～１２０℃で１～１０分間プリベークして薄膜を形成する。
　被加工基板及びその最表層を構成する材料は、例えば、半導体用ウエハの場合、シリコンウエハを用いることができ、最表層となる材料の例としては、Ｓｉ、ＳｉＯ２、ＳｉＮ、ＳｉＯＮ、ＴｉＮ、ＷＳｉ、ＢＰＳＧ、ＳＯＧ、有機反射防止膜等が挙げられる。
　レジスト膜を形成する前に、基板上に予め反射防止膜を塗設してもよい。
　反射防止膜としては、チタン、二酸化チタン、窒化チタン、酸化クロム、カーボン、アモルファスシリコン等の無機膜型と、吸光剤とポリマー材料からなる有機膜型のいずれも用いることができる。また、有機反射防止膜として、ブリューワーサイエンス社製のＤＵＶ３０シリーズや、ＤＵＶ－４０シリーズ、シプレー社製のＡＲ－２、ＡＲ－３、ＡＲ－５等の市販の有機反射防止膜を使用することもできる。
　なお、本発明のパターン形成方法においては、レジスト膜の上層にトップコートを形成してもよい。トップコートは、レジスト膜と混合せず、さらにレジスト膜上層に均一に塗布できることが好ましい。
　トップコートについては、特に限定されず、従来公知のトップコートを、従来公知の方法によって形成でき、例えば、特開２０１４－０５９５４３号公報の段落００７２～００８２の記載に基づいてトップコートを形成できる。
　例えば、特開２０１３－６１６４８号公報に記載されたような塩基性化合物を含有するトップコートをレジスト膜上に形成することが好ましい。トップコートが含み得る塩基性化合物の具体的な例は、上述の酸拡散抑制剤と同様である。
　また、トップコートは、エーテル結合、チオエーテル結合、ヒドロキシル基、チオール基、カルボニル結合及びエステル結合からなる群より選択される基又は結合を少なくとも一つ含む化合物を含むことが好ましい。
　また、トップコートは、樹脂を含有することが好ましい。トップコートが含有することができる樹脂としては、特に限定されないが、感活性光線性又は感放射線性組成物に含まれ得る疎水性樹脂と同様のものを使用することができる。
　疎水性樹脂に関しては、特開２０１３－６１６４７号公報の［００１７］～［００２３］（対応する米国公開特許公報２０１３／２４４４３８号の［００１７］～［００２３］）、及び特開２０１４－５６１９４号公報の［００１６］～［０１６５］の記載を参酌でき、これらの内容は本願明細書に組み込まれる。
　トップコートは、芳香環を有する繰り返し単位を含有する樹脂を含むことが好ましい。芳香環を有する繰り返し単位を含有することで、特に電子線またはＥＵＶ露光の際に、二次電子の発生効率、及び活性光線又は放射線により酸を発生する化合物からの酸発生効率が高くなり、パターン形成時に高感度化、高解像化の効果が期待できる。
　トップコートが複数の樹脂を含む場合、フッ素原子及び／又は珪素原子を有する樹脂（ＸＡ）を少なくとも１種含むことが好ましい。フッ素原子及び／又は珪素原子を有する樹脂（ＸＡ）を少なくとも１種、及び、フッ素原子及び／又は珪素原子の含有率が樹脂（ＸＡ）より小さい樹脂（ＸＢ）をトップコート組成物が含むことがより好ましい。これにより、トップコート膜を形成した際に、樹脂（ＸＡ）がトップコート膜の表面に偏在するため、現像特性や液浸液追随性などの性能を改良させることができる。
　また、トップコートは、酸発生剤、架橋剤を含有しても良い。
　トップコートは、典型的には、トップコート形成用組成物から形成される。
　トップコート形成用組成物は、各成分を溶剤に溶解し、フィルター濾過することが好ましい。フィルターとしては、ポアサイズ０．１μｍ以下、より好ましくは０．０５μｍ以下、更に好ましくは０．０３μｍ以下のポリテトラフロロエチレン製、ポリエチレン製、又はナイロン製のものが好ましい。また、組成物の固形分濃度が高い場合(例えば、２５質量％以上)は、フィルター濾過に用いるフィルターのポアサイズは３μｍ以下が好ましく、０．５μｍ以下がより好ましく、０．３μｍ以下が更に好ましい。このフィルターは、ポリテトラフロロエチレン製、ポリエチレン製、又はナイロン製のものが好ましい。フィルター濾過においては、例えば日本国特許出願公開第２００２－６２６６７号明細書（特開２００２－６２６６７）に開示されるように、循環的な濾過を行ってもよく、複数種類のフィルターを直列又は並列に接続して濾過を行ってもよい。また、組成物を複数回濾過してもよい。更に、フィルター濾過の前後で、組成物に対して脱気処理等を行ってもよい。
　トップコート形成用組成物は、金属等の不純物を含まないことが好ましい。これら材料に含まれる金属成分の含有量としては、１０ｐｐｍ以下が好ましく、５ｐｐｍ以下がより好ましく、１ｐｐｍ以下が更に好ましく、実質的に含まないこと（測定装置の検出限界以下であること）が特に好ましい。
　レジスト組成物の原料（樹脂及び光酸発生剤等）の製造工程（原料を合成する工程等）に用いられる装置の装置内を、一部または全部グラスライニング処理することも、レジスト組成物の金属不純物の含有量を少量（例えば、質量ｐｐｍオーダー）にするために好ましい。このような方法が、例えば、２０１７年１２月２１日の化学工業日報に記載されている。
　後述する露光を液浸露光とする場合、トップコートは、レジスト膜と液浸液との間に配置され、レジスト膜を直接、液浸液に接触させない層としても機能する。この場合、トップコート（トップコート形成用組成物）が有することが好ましい特性としては、レジスト膜への塗布適性、放射線、特に１９３ｎｍに対する透明性、液浸液（好ましくは水）に対する難溶性である。また、トップコートは、レジスト膜と混合せず、さらにレジスト膜の表面に均一に塗布できることが好ましい。
　なお、トップコート形成用組成物を、レジスト膜の表面に、レジスト膜を溶解せずに均一に塗布するために、トップコート形成用組成物は、レジスト膜を溶解しない溶剤を含有することが好ましい。レジスト膜を溶解しない溶剤としては、後に詳述する有機溶剤を含有する現像液（有機系現像液）とは異なる成分の溶剤を用いることがさらに好ましい。
　トップコート形成用組成物の塗布方法は、特に限定されず、従来公知のスピンコート法、スプレー法、ローラーコート法、浸漬法などを用いることができる。
　トップコートの膜厚は特に制限されないが、露光光源に対する透明性の観点から、通常５ｎｍ～３００ｎｍ、好ましくは１０ｎｍ～３００ｎｍ、より好ましくは２０ｎｍ～２００ｎｍ、更に好ましくは３０ｎｍ～１００ｎｍの厚みで形成される。
　トップコートを形成後、必要に応じて基板を加熱（ＰＢ）する。
　トップコートの屈折率は、解像性の観点から、レジスト膜の屈折率に近いことが好ましい。
　トップコートは液浸液に不溶であることが好ましく、水に不溶であることがより好ましい。
　トップコートの後退接触角は、液浸液追随性の観点から、トップコートに対する液浸液の後退接触角（２３℃）が５０～１００度であることが好ましく、８０～１００度であることがより好ましい。
　液浸露光においては、露光ヘッドが高速でウエハ上をスキャンし露光パターンを形成していく動きに追随して、液浸液がウエハ上を動く必要があることから、動的な状態におけるトップコートに対する液浸液の接触角が重要になり、より良好なレジスト性能を得るためには、上記範囲の後退接触角を有することが好ましい。
　トップコートを剥離する際は、有機系現像液を使用してもよいし、別途剥離剤を使用してもよい。剥離剤としては、レジスト膜への浸透が小さい溶剤が好ましい。トップコートの剥離がレジスト膜の現像と同時にできるという点では、トップコートは、有機系現像液により剥離できることが好ましい。剥離に用いる有機系現像液としては、レジスト膜の低露光部を溶解除去できるものであれば特に制限されない。
　有機系現像液で剥離するという観点からは、トップコートは有機系現像液に対する溶解速度が１～３００ｎｍ／ｓｅｃが好ましく、１０～１００ｎｍ／ｓｅｃがより好ましい。
　ここで、トップコートの有機系現像液に対する溶解速度とは、トップコートを成膜した後に現像液に暴露した際の膜厚減少速度であり、本発明においては２３℃の酢酸ブチルに浸漬させた際の速度とする。
　トップコートの有機系現像液に対する溶解速度を１／ｓｅｃ秒以上、好ましくは１０ｎｍ／ｓｅｃ以上とすることによって、レジスト膜を現像した後の現像欠陥発生が低減する効果がある。また、３００ｎｍ／ｓｅｃ以下、好ましくは１００ｎｍ／ｓｅｃとすることによって、おそらくは、液浸露光時の露光ムラが低減した影響で、レジスト膜を現像した後のパターンのラインエッジラフネスがより良好になるという効果がある。
　トップコートはその他の公知の現像液、例えば、アルカリ水溶液などを用いて除去してもよい。使用できるアルカリ水溶液として具体的には、テトラメチルアンモニウムヒドロキシドの水溶液が挙げられる。
［パターン形成方法］
　本発明は、本発明の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物を用いてレジスト膜を形成するレジスト膜形成工程と、レジスト膜を露光する露光工程と、露光されたレジスト膜を、現像液を用いて現像する現像工程と、を含むパターン形成方法にも関する。
　本発明において、上記露光は、電子線、ＡｒＦエキシマレーザー又は極紫外線を用いて行われることが好ましく、電子線又は極紫外線を用いて行われることがより好ましい。
　精密集積回路素子の製造などにおいてレジスト膜上への露光（パターン形成工程）は、まず、本発明のレジスト膜にパターン状に、ＡｒＦエキシマレーザー、電子線又は極紫外線（ＥＵＶ）照射を行うことが好ましい。露光量は、ＡｒＦエキシマレーザーの場合、１～１００ｍＪ／ｃｍ２程度、好ましくは２０～６０ｍＪ／ｃｍ２程度、電子線の場合、０．１～２０μＣ／ｃｍ２程度、好ましくは３～１０μＣ／ｃｍ２程度、極紫外線の場合、０．１～２０ｍＪ／ｃｍ２程度、好ましくは３～１５ｍＪ／ｃｍ２程度となるように露光する。
　次いで、ホットプレート上で、好ましくは６０～１５０℃で５秒～２０分間、より好ましくは８０～１２０℃で１５秒～１０分間、さらに好ましくは８０～１２０℃で１～１０分間、露光後加熱（ポストエクスポージャーベーク）を行い、次いで、現像、リンス、乾燥することによりパターンを形成する。ここで、露光後加熱は、樹脂（Ａ）における酸分解性基を有する繰り返し単位の酸分解性によって、適宜調整される。酸分解性が低い場合、露光後加熱の温度は１１０℃以上、加熱時間は４５秒以上であることも好ましい。
　現像液は適宜選択されるが、アルカリ現像液（代表的にはアルカリ水溶液）又は有機溶剤を含有する現像液（有機系現像液ともいう）を用いることが好ましい。現像液がアルカリ水溶液である場合には、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド（ＴＭＡＨ）、テトラブチルアンモニウムヒドロキシド（ＴＢＡＨ）等の、０．１～５質量％、好ましくは２～３質量％アルカリ水溶液で、０．１～３分間、好ましくは０．５～２分間、浸漬（ｄｉｐ）法、パドル（ｐｕｄｄｌｅ）法、スプレー（ｓｐｒａｙ）法等の常法により現像する。アルカリ現像液には、アルコール類及び／又は界面活性剤を、適当量添加してもよい。こうして、ネガ型パターンの形成おいては、未露光部分の膜は溶解し、露光された部分は現像液に溶解し難いことにより、またポジ型パターンの形成おいては、露光された部分の膜は溶解し、未露光部の膜は現像液に溶解し難いことにより、基板上に目的のパターンが形成される。
　本発明のパターン形成方法が、アルカリ現像液を用いて現像する工程を有する場合、アルカリ現像液としては、例えば、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸ナトリウム、ケイ酸ナトリウム、メタケイ酸ナトリウム、アンモニア水等の無機アルカリ類、エチルアミン、ｎ－プロピルアミン等の第一アミン類、ジエチルアミン、ジ－ｎ－ブチルアミン等の第二アミン類、トリエチルアミン、メチルジエチルアミン等の第三アミン類、ジメチルエタノールアミン、トリエタノールアミン等のアルコールアミン類、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、テトラエチルアンモニウムヒドロキシド、テトラプロピルアンモニウムヒドドキシド、テトラブチルアンモニウムヒドロキシド、テトラペンチルアンモニウムヒドロキシド、テトラヘキシルアンモニウムヒドロキシド、テトラオクチルアンモニウムヒドロキシド、エチルトリメチルアンモニウムヒドロキシド、ブチルトリメチルアンモニウムヒドロキシド、メチルトリアミルアンモニウムヒドロキシド、ジブチルジペンチルアンモニウムヒドロキシド等のテトラアルキルアンモニウムヒドロキシド、トリメチルフェニルアンモニウムヒドロキシド、トリメチルベンジルアンモニウムヒドロキシド、トリエチルベンジルアンモニウムヒドロキシド、ジメチルビス（２－ヒドロキシテチル）アンモニウムヒドロキシド等の第四級アンモニウム塩、ピロール、ピヘリジン等の環状アミン類等のアルカリ性水溶液を使用することができる。
　更に、上記アルカリ性水溶液にアルコール類、界面活性剤を適当量添加して使用することもできる。
　アルカリ現像液のアルカリ濃度は、通常０．１～２０質量％である。
　アルカリ現像液のｐＨは、通常１０．０～１５．０である。
　特に、テトラメチルアンモニウムヒドロキシドの２．３８質量％の水溶液が望ましい。
　アルカリ現像の後に行うリンス処理におけるリンス液としては、純水を使用し、界面活性剤を適当量添加して使用することもできる。
　また、現像処理又はリンス処理の後に、パターン上に付着している現像液又はリンス液を超臨界流体により除去する処理を行うことができる。
　本発明のパターン形成方法が、有機溶剤を含有する現像液を用いて現像する工程を有する場合、上記工程における上記現像液（以下、有機系現像液とも言う）としては、ケトン系溶剤、エステル系溶剤、アルコール系溶剤、アミド系溶剤、エーテル系溶剤等の極性溶剤及び炭化水素系溶剤を用いることができる。
　本発明において、エステル系溶剤とは分子内にエステル基を有する溶剤のことであり、ケトン系溶剤とは分子内にケトン基を有する溶剤のことであり、アルコール系溶剤とは分子内にアルコール性水酸基を有する溶剤のことであり、アミド系溶剤とは分子内にアミド基を有する溶剤のことであり、エーテル系溶剤とは分子内にエーテル結合を有する溶剤のことである。これらの中には、１分子内に上記官能基を複数種有する溶剤も存在するが、その場合は、その溶剤の有する官能基を含むいずれの溶剤種にも当てはまるものとする。例えば、ジエチレングリコールモノメチルエーテルは、上記分類中の、アルコール系溶剤、エーテル系溶剤いずれにも当てはまるものとする。また、炭化水素系溶剤とは置換基を有さない炭化水素溶剤のことである。
　特に、ケトン系溶剤、エステル系溶剤、アルコール系溶剤及びエーテル系溶剤から選択される少なくとも１種類の溶剤を含有する現像液であることが好ましい。
　現像液は、レジスト膜の膨潤を抑制できるという点から、炭素原子数が７以上（７～１４が好ましく、７～１２がより好ましく、７～１０がさらに好ましい）、かつヘテロ原子数が２以下のエステル系溶剤を用いることが好ましい。
　上記エステル系溶剤のヘテロ原子は、炭素原子および水素原子以外の原子であって、例えば、酸素原子、窒素原子、硫黄原子等が挙げられる。ヘテロ原子数は、２以下が好ましい。
　炭素原子数が７以上かつヘテロ原子数が２以下のエステル系溶剤の好ましい例としては、酢酸アミル、酢酸イソアミル、酢酸２－メチルブチル、酢酸１－メチルブチル、酢酸ヘキシル、プロピオン酸ペンチル、プロピオン酸ヘキシル、プロピオン酸ヘプチル、ブタン酸ブチル、イソブタン酸イソブチルなどが挙げられ、酢酸イソアミル、又はイソブタン酸イソブチルを用いることが特に好ましい。
　現像液は、上述した炭素原子数が７以上かつヘテロ原子数が２以下のエステル系溶剤に代えて、上記エステル系溶剤および上記炭化水素系溶剤の混合溶剤、又は、上記ケトン系溶剤および上記炭化水素溶剤の混合溶剤を用いてもよい。この場合においても、レジスト膜の膨潤の抑制に効果的である。
　エステル系溶剤と炭化水素系溶剤とを組み合わせて用いる場合には、エステル系溶剤として酢酸イソアミルを用いることが好ましい。また、炭化水素系溶剤としては、レジスト膜の溶解性を調製するという観点から、飽和炭化水素溶剤（例えば、オクタン、ノナン、デカン、ドデカン、ウンデカン、ヘキサデカンなど）を用いることが好ましい。
　ケトン系溶剤としては、例えば、１－オクタノン、２－オクタノン、１－ノナノン、２－ノナノン、アセトン、２－ヘプタノン（メチルアミルケトン）、４－ヘプタノン、１－ヘキサノン、２－ヘキサノン、ジイソブチルケトン、２，５－ジメチル－４－ヘキサノン、ジイソブチルケトン、シクロヘキサノン、メチルシクロヘキサノン、フェニルアセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、アセチルアセトン、アセトニルアセトン、イオノン、ジアセトニルアルコール、アセチルカービノール、アセトフェノン、メチルナフチルケトン、イソホロン、プロピレンカーボネート等を挙げることができ、ジイソブチルケトン、２，５－ジメチル－４－ヘキサノンを用いることが特に好ましい。
　エステル系溶剤としては、例えば、酢酸メチル、酢酸ブチル、酢酸エチル、酢酸イソプロピル、酢酸ペンチル、酢酸イソアミル、酢酸アミル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、エチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノブチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、エチル－３－エトキシプロピオネート、３－メトキシブチルアセテート、３－メチル－３－メトキシブチルアセテート、蟻酸メチル、蟻酸エチル、蟻酸ブチル、蟻酸プロピル、乳酸エチル、乳酸ブチル、乳酸プロピル、酪酸ブチル、２－ヒドロキシイソ酪酸メチル等を挙げることができる。
　アルコール系溶剤としては、例えば、メチルアルコール、エチルアルコール、ｎ－プロピルアルコール、イソプロピルアルコール、ｎ－ブチルアルコール、ｓｅｃ－ブチルアルコール、４－メチル－２－ペンタノール、ｔｅｒｔ－ブチルアルコール、イソブチルアルコール、ｎ－ヘキシルアルコール、ｎ－ヘプチルアルコール、ｎ－オクチルアルコール、ｎ－デカノール等のアルコールや、エチレングリコール、ジエチレングリコール、トリエチレングリコール等のグリコール系溶剤や、エチレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、トリエチレングリコールモノエチルエーテル、メトキシメチルブタノール等のグリコールエーテル系溶剤等を挙げることができる。
　エーテル系溶剤としては、例えば、上記グリコールエーテル系溶剤の他、アニソール、ジオキサン、テトラヒドロフラン等が挙げられる。
　アミド系溶剤としては、例えば、Ｎ－メチル－２－ピロリドン、Ｎ，Ｎ－ジメチルアセトアミド、Ｎ，Ｎ－ジメチルホルムアミド、ヘキサメチルホスホリックトリアミド、１，３－ジメチル－２－イミダゾリジノン等が使用できる。
　炭化水素系溶剤としては、例えば、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素系溶剤、ペンタン、ヘキサン、オクタン、デカン、ウンデカン等の脂肪族炭化水素系溶剤が挙げられる。
　なお、炭化水素系溶剤である脂肪族炭化水素系溶剤においては、同じ炭素数で異なる構造の化合物の混合物であってもよい。例えば、脂肪族炭化水素系溶媒としてデカンを使用した場合、同じ炭素数で異なる構造の化合物である２－メチルノナン、２，２－ジメチルオクタン、４－エチルオクタン、イソオクタンなどが脂肪族炭化水素系溶媒に含まれていてもよい。
　また、上記同じ炭素数で異なる構造の化合物は、１種のみが含まれていてもよいし、上記のように複数種含まれていてもよい。
　上記の溶剤は、複数混合してもよいし、上記以外の溶剤や水と混合し使用してもよい。但し、本発明の効果を十二分に奏するためには、現像液全体としての含水率が１０質量％未満であることが好ましく、実質的に水分を含有しないことがより好ましい。
　有機系現像液における有機溶剤（複数混合の場合は合計）の濃度は、好ましくは５０質量％以上、より好ましくは５０～１００質量％、さらに好ましくは８５～１００質量％、さらにより好ましくは９０～１００質量％、特に好ましくは９５～１００質量％である。最も好ましくは、実質的に有機溶剤のみからなる場合である。なお、実質的に有機溶剤のみからなる場合とは、微量の界面活性剤、酸化防止剤、安定剤、消泡剤などを含有する場合を含むものとする。
　特に、有機系現像液は、ケトン系溶剤、エステル系溶剤、アルコール系溶剤、アミド系溶剤及びエーテル系溶剤からなる群より選択される少なくとも１種類の有機溶剤を含有する現像液であるのが好ましい。
　有機系現像液の蒸気圧は、２０℃に於いて、５ｋＰａ以下が好ましく、３ｋＰａ以下が更に好ましく、２ｋＰａ以下が特に好ましい。有機系現像液の蒸気圧を５ｋＰａ以下にすることにより、現像液の基板上あるいは現像カップ内での蒸発が抑制され、ウェハ面内の温度均一性が向上し、結果としてウェハ面内の寸法均一性が良化する。
　５ｋＰａ以下の蒸気圧を有する具体的な例としては、１－オクタノン、２－オクタノン、１－ノナノン、２－ノナノン、２－ヘプタノン（メチルアミルケトン）、４－ヘプタノン、２－ヘキサノン、ジイソブチルケトン、シクロヘキサノン、メチルシクロヘキサノン、フェニルアセトン、メチルイソブチルケトン等のケトン系溶剤、酢酸ブチル、酢酸ペンチル、酢酸イソアミル、酢酸アミル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、エチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノブチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、エチル－３－エトキシプロピオネート、３－メトキシブチルアセテート、３－メチル－３－メトキシブチルアセテート、蟻酸ブチル、蟻酸プロピル、乳酸エチル、乳酸ブチル、乳酸プロピル等のエステル系溶剤、ｎ－プロピルアルコール、イソプロピルアルコール、ｎ－ブチルアルコール、ｓｅｃ－ブチルアルコール、ｔｅｒｔ－ブチルアルコール、イソブチルアルコール、ｎ－ヘキシルアルコール、ｎ－ヘプチルアルコール、ｎ－オクチルアルコール、ｎ－デカノール等のアルコール系溶剤、エチレングリコール、ジエチレングリコール、トリエチレングリコール等のグリコール系溶剤や、エチレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、トリエチレングリコールモノエチルエーテル、メトキシメチルブタノール等のグリコールエーテル系溶剤、テトラヒドロフラン等のエーテル系溶剤、Ｎ－メチル－２－ピロリドン、Ｎ，Ｎ－ジメチルアセトアミド、Ｎ，Ｎ－ジメチルホルムアミドのアミド系溶剤、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素系溶剤、オクタン、デカン等の脂肪族炭化水素系溶剤が挙げられる。
　特に好ましい範囲である２ｋＰａ以下の蒸気圧を有する具体的な例としては、１－オクタノン、２－オクタノン、１－ノナノン、２－ノナノン、２－ヘプタノン、４－ヘプタノン、２－ヘキサノン、ジイソブチルケトン、シクロヘキサノン、メチルシクロヘキサノン、フェニルアセトン等のケトン系溶剤、酢酸ブチル、酢酸アミル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、エチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノブチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、エチル－３－エトキシプロピオネート、３－メトキシブチルアセテート、３－メチル－３－メトキシブチルアセテート、乳酸エチル、乳酸ブチル、乳酸プロピル等のエステル系溶剤、ｎ－ブチルアルコール、ｓｅｃ－ブチルアルコール、ｔｅｒｔ－ブチルアルコール、イソブチルアルコール、ｎ－ヘキシルアルコール、ｎ－ヘプチルアルコール、ｎ－オクチルアルコール、ｎ－デカノール等のアルコール系溶剤、エチレングリコール、ジエチレングリコール、トリエチレングリコール等のグリコール系溶剤や、エチレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、トリエチレングリコールモノエチルエーテル、メトキシメチルブタノール等のグリコールエーテル系溶剤、Ｎ－メチル－２－ピロリドン、Ｎ，Ｎ－ジメチルアセトアミド、Ｎ，Ｎ－ジメチルホルムアミドのアミド系溶剤、キシレン等の芳香族炭化水素系溶剤、オクタン、デカン、ウンデカン等の脂肪族炭化水素系溶剤が挙げられる。
　有機系現像液は、塩基性化合物を含んでいてもよい。本発明で用いられる現像液が含みうる塩基性化合物の具体例及び好ましい例としては、前述した感活性光線又は感放射線性組成物が含みうる塩基性化合物におけるものと同様である。
　有機系現像液には、必要に応じて界面活性剤を適当量添加することができる。
　界面活性剤としては特に限定されないが、例えば、イオン性や非イオン性のフッ素系及び／又はシリコン系界面活性剤等を用いることができる。これらのフッ素及び／又はシリコン系界面活性剤として、例えば特開昭６２－３６６６３号公報、特開昭６１－２２６７４６号公報、特開昭６１－２２６７４５号公報、特開昭６２－１７０９５０号公報、特開昭６３－３４５４０号公報、特開平７－２３０１６５号公報、特開平８－６２８３４号公報、特開平９－５４４３２号公報、特開平９－５９８８号公報、米国特許第５４０５７２０号明細書、同５３６０６９２号明細書、同５５２９８８１号明細書、同５２９６３３０号明細書、同５４３６０９８号明細書、同５５７６１４３号明細書、同５２９４５１１号明細書、同５８２４４５１号明細書記載の界面活性剤を挙げることができ、好ましくは、非イオン性の界面活性剤である。非イオン性の界面活性剤としては特に限定されないが、フッ素系界面活性剤又はシリコン系界面活性剤を用いることが更に好ましい。
　界面活性剤の使用量は現像液の全量に対して、好ましくは０．０００１～２質量％、さらに好ましくは０．０００１～１質量％、特に好ましくは０．０００１～０．１質量％である。
　現像方法としては、たとえば、現像液が満たされた槽中に基板を一定時間浸漬する方法（ディップ法）、基板表面に現像液を表面張力によって盛り上げて一定時間静止することで現像する方法（パドル法）、基板表面に現像液を噴霧する方法（スプレー法）、一定速度で回転している基板上に一定速度で現像液吐出ノズルをスキャンしながら現像液を吐出しつづける方法（ダイナミックディスペンス法）などを適用することができる。
　上記各種の現像方法が、現像装置の現像ノズルから現像液をレジスト膜に向けて吐出する工程を含む場合、吐出される現像液の吐出圧（吐出される現像液の単位面積あたりの流速）は好ましくは２ｍＬ／ｓｅｃ／ｍｍ２以下、より好ましくは１．５ｍＬ／ｓｅｃ／ｍｍ２以下、更に好ましくは１ｍＬ／ｓｅｃ／ｍｍ２以下である。流速の下限は特に無いが、スループットを考慮すると０．２ｍＬ／ｓｅｃ／ｍｍ２以上が好ましい。
　吐出される現像液の吐出圧を上記の範囲とすることにより、現像後のレジスト残渣に由来するパターンの欠陥を著しく低減することができる。
　このメカニズムの詳細は定かではないが、恐らくは、吐出圧を上記範囲とすることで、現像液がレジスト膜に与える圧力が小さくなり、レジスト膜・パターンが不用意に削られたり崩れたりすることが抑制されるためと考えられる。
　なお、現像液の吐出圧（ｍＬ／ｓｅｃ／ｍｍ２）は、現像装置中の現像ノズル出口における値である。
　現像液の吐出圧を調整する方法としては、例えば、ポンプなどで吐出圧を調整する方法や、加圧タンクからの供給で圧力を調整することで変える方法などを挙げることができる。
　また、有機溶剤を含む現像液を用いて現像する工程の後に、他の溶媒に置換しながら、現像を停止する工程を実施してもよい。
　有機溶剤を含む現像液を用いて現像する工程の後には、リンス液を用いて洗浄する工程を含んでいてもよいが、スループット（生産性）、リンス液使用量等の観点から、リンス液を用いて洗浄する工程を含まなくてもよい。
　有機溶剤を含む現像液を用いて現像する工程の後のリンス工程に用いるリンス液としては、レジストパターンを溶解しなければ特に制限はなく、一般的な有機溶剤を含む溶液を使用することができる。上記リンス液としては、炭化水素系溶剤、ケトン系溶剤、エステル系溶剤、アルコール系溶剤、アミド系溶剤及びエーテル系溶剤からなる群より選択される少なくとも１種類の有機溶剤を含有するリンス液を用いることが好ましい。
　炭化水素系溶剤、ケトン系溶剤、エステル系溶剤、アルコール系溶剤、アミド系溶剤及びエーテル系溶剤の具体例としては、有機溶剤を含む現像液において説明したものと同様のものを挙げることができ、特に、酢酸ブチル及びメチルイソブチルカルビノールを好適に挙げることができる。
　有機溶剤を含む現像液を用いて現像する工程の後に、より好ましくは、エステル系溶剤、アルコール系溶剤、炭化水素系溶剤からなる群より選択される少なくとも１種類の有機溶剤を含有するリンス液を用いて洗浄する工程を行い、更に好ましくは、アルコール系溶剤又は炭化水素系溶剤を含有するリンス液を用いて洗浄する工程を行うことが好ましい。
　リンス液に含まれる有機溶剤としては、有機溶剤の中でも炭化水素系溶剤を用いることも好ましく、脂肪族炭化水素系溶剤を用いることがより好ましい。リンス液に用いられる脂肪族炭化水素系溶剤としては、その効果がより向上するという観点から、炭素数５以上の脂肪族炭化水素系溶剤（例えば、ペンタン、ヘキサン、オクタン、デカン、ウンデカン、ドデカン、ヘキサデカン等）が好ましく、炭素原子数が８以上の脂肪族炭化水素系溶剤が好ましく、炭素原子数が１０以上の脂肪族炭化水素系溶剤がより好ましい。
　なお、上記脂肪族炭化水素系溶剤の炭素原子数の上限値は特に限定されないが、例えば、１６以下が挙げられ、１４以下が好ましく、１２以下がより好ましい。
　上記脂肪側炭化水素系溶剤の中でも、特に好ましくは、デカン、ウンデカン、ドデカンであり、最も好ましくはウンデカンである。
　このようにリンス液に含まれる有機溶剤として炭化水素系溶剤（特に脂肪族炭化水素系溶剤）を用いることで、現像後にわずかにレジスト膜に染み込んでいた現像液が洗い流されて、膨潤がより抑制され、パターン倒れが抑制されるという効果が一層発揮される。
　上記各成分は、複数混合してもよいし、上記以外の有機溶剤と混合し使用してもよい。
　リンス液中の含水率は、１０質量％以下が好ましく、より好ましくは５質量％以下、特に好ましくは３質量％以下である。含水率を１０質量％以下にすることで、良好な現像特性を得ることができる。
　有機溶剤を含む現像液を用いて現像する工程の後に用いるリンス液の蒸気圧は、２０℃に於いて０．０５ｋＰａ以上、５ｋＰａ以下が好ましく、０．１ｋＰａ以上、５ｋＰａ以下が更に好ましく、０．１２ｋＰａ以上、３ｋＰａ以下が最も好ましい。リンス液の蒸気圧を０．０５ｋＰａ以上、５ｋＰａ以下にすることにより、ウェハ面内の温度均一性が向上し、更にはリンス液の浸透に起因した膨潤が抑制され、ウェハ面内の寸法均一性が良化する。
　リンス液には、界面活性剤を適当量添加して使用することもできる。
　リンス工程においては、有機溶剤を含む現像液を用いる現像を行ったウェハを上記の有機溶剤を含むリンス液を用いて洗浄処理する。洗浄処理の方法は特に限定されないが、たとえば、一定速度で回転している基板上にリンス液を吐出しつづける方法（回転塗布法）、リンス液が満たされた槽中に基板を一定時間浸漬する方法（ディップ法）、基板表面にリンス液を噴霧する方法（スプレー法）、などを適用することができ、この中でも回転塗布方法で洗浄処理を行い、洗浄後に基板を２０００ｒｐｍ～４０００ｒｐｍの回転数で回転させ、リンス液を基板上から除去することが好ましい。また、リンス工程の後に加熱工程（ＰｏｓｔＢａｋｅ）を含むことも好ましい。ベークによりパターン間及びパターン内部に残留した現像液及びリンス液が除去される。リンス工程の後の加熱工程は、通常４０～１６０℃、好ましくは７０～９５℃で、通常１０秒～３分、好ましくは３０秒から９０秒間行う。
　リンス液を用いて洗浄する工程を有さない場合、例えば、特開２０１５－２１６４０３の段落〔００１４〕～〔００８６〕に記載の現像処理方法を採用できる。
　また、本発明のパターン形成方法は、有機系現像液を用いた現像工程と、アルカリ現像液を用いた現像工程とを有していてもよい。有機系現像液を用いた現像によって露光強度の弱い部分が除去され、アルカリ現像液を用いた現像を行うことによって露光強度の強い部分も除去される。このように現像を複数回行う多重現像プロセスにより、中間的な露光強度の領域のみを溶解させずにパターン形成が行えるので、通常より微細なパターンを形成できる（特開２００８－２９２９７５号公報の段落［００７７］と同様のメカニズム）。
　本発明における感活性光線又は感放射線性組成物、及び、本発明のパターン形成方法において使用される各種材料（例えば、レジスト溶剤、現像液、リンス液、反射防止膜形成用組成物、トップコート形成用組成物など）は、金属、ハロゲンを含む金属塩、酸、アルカリ、硫黄原子又はリン原子を含む成分等の不純物を含まないことが好ましい。ここで、金属原子を含む不純物としては、Ｎａ、Ｋ、Ｃａ、Ｆｅ、Ｃｕ、Ｍｎ、Ｍｇ、Ａｌ、Ｃｒ、Ｎｉ、Ｚｎ、Ａｇ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ｌｉ、またはこれらの塩などを挙げることができる。
　これら材料に含まれる不純物の含有量としては、１ｐｐｍ以下が好ましく、１ｐｐｂ以下がより好ましく、１００ｐｐｔ（ｐａｒｔｓ　ｐｅｒ　ｔｒｉｌｌｉｏｎ）以下が更に好ましく、１０ｐｐｔ以下が特に好ましく、実質的に含まないこと（測定装置の検出限界以下であること）が最も好ましい。
　各種材料から金属等の不純物を除去する方法としては、例えば、フィルターを用いた濾過を挙げることができる。フィルター孔径としては、ポアサイズ１０ｎｍ以下が好ましく、５ｎｍ以下がより好ましく、３ｎｍ以下が更に好ましい。フィルターの材質としては、ポリテトラフロロエチレン製、ポリエチレン製、ナイロン製のフィルターが好ましい。フィルターは、これらの材質とイオン交換メディアを組み合わせた複合材料であってもよい。フィルターは、有機溶剤であらかじめ洗浄したものを用いてもよい。フィルター濾過工程では、複数種類のフィルターを直列又は並列に接続して用いてもよい。複数種類のフィルターを使用する場合は、孔径及び／又は材質が異なるフィルターを組み合わせて使用しても良い。また、各種材料を複数回濾過してもよく、複数回濾過する工程が循環濾過工程であっても良い。
　また、各種材料に含まれる金属等の不純物を低減する方法としては、各種材料を構成する原料として金属含有量が少ない原料を選択する、各種材料を構成する原料に対してフィルター濾過を行う、装置内をテフロン（登録商標）でライニングする等してコンタミネーションを可能な限り抑制した条件下で蒸留を行う等の方法を挙げることができる。各種材料を構成する原料に対して行うフィルター濾過における好ましい条件は、上記した条件と同様である。
　フィルター濾過の他、吸着材による不純物の除去を行っても良く、フィルター濾過と吸着材を組み合わせて使用しても良い。吸着材としては、公知の吸着材を用いることができ、例えば、シリカゲル、ゼオライトなどの無機系吸着材、活性炭などの有機系吸着材を使用することができる。
　また、本発明の有機系処理液に含まれる金属等の不純物を低減する方法としては、各種材料を構成する原料として金属含有量が少ない原料を選択する、各種材料を構成する原料に対してフィルター濾過を行う、装置内をテフロン（登録商標）でライニングする等してコンタミネーションを可能な限り抑制した条件下で蒸留を行う等の方法を挙げることができる。各種材料を構成する原料に対して行うフィルター濾過における好ましい条件は、上記した条件と同様である。
　フィルター濾過の他、吸着材による不純物の除去を行ってもよく、フィルター濾過と吸着材を組み合わせて使用してもよい。吸着材としては、公知の吸着材を用いることができ、例えば、シリカゲル、ゼオライトなどの無機系吸着材、活性炭などの有機系吸着材を使用することができる。
［収容容器］
　現像液及びリンス液に使用し得る有機溶剤（「有機系処理液」ともいう）としては、収容部を有する、化学増幅型又は非化学増幅型レジスト膜のパターニング用有機系処理液の収容容器に保存されたものを使用することが好ましい。この収容容器としては、例えば、収容部の、有機系処理液に接触する内壁が、ポリエチレン樹脂、ポリプロピレン樹脂、及び、ポリエチレン－ポリプロピレン樹脂のいずれとも異なる樹脂、又は、防錆・金属溶出防止処理が施された金属から形成された、レジスト膜のパターニング用有機系処理液の収容容器であることが好ましい。この収容容器の上記収容部に、レジスト膜のパターニング用有機系処理液として使用される予定の有機溶剤を収容し、レジスト膜のパターニング時において、上記収容部から排出したものを使用することができる。
　上記の収容容器が、更に、上記の収容部を密閉するためのシール部を有している場合、このシール部も、ポリエチレン樹脂、ポリプロピレン樹脂、及び、ポリエチレン－ポリプロピレン樹脂からなる群より選択される１種以上の樹脂とは異なる樹脂、又は、防錆・金属溶出防止処理が施された金属から形成されることが好ましい。
　ここで、シール部とは、収容部と外気とを遮断可能な部材を意味し、パッキンやＯリングなどを好適に挙げることができる。
　ポリエチレン樹脂、ポリプロピレン樹脂、及び、ポリエチレン－ポリプロピレン樹脂からなる群より選択される１種以上の樹脂とは異なる樹脂は、パーフルオロ樹脂であることが好ましい。
　パーフルオロ樹脂としては、四フッ化エチレン樹脂（ＰＴＦＥ）、四フッ化エチレン・パーフルオロアルキルビニルエーテル共重合体（ＰＦＡ）、四フッ化エチレン－六フッ化プロピレン共重合樹脂（ＦＥＰ）、四フッ化エチレン－エチレン共重合体樹脂（ＥＴＦＥ）、三フッ化塩化エチレン－エチレン共重合樹脂（ＥＣＴＦＥ）、フッ化ビニリデン樹脂（ＰＶＤＦ）、三フッ化塩化エチレン共重合樹脂（ＰＣＴＦＥ）、フッ化ビニル樹脂（ＰＶＦ）等を挙げることができる。
　特に好ましいパーフルオロ樹脂としては、四フッ化エチレン樹脂、四フッ化エチレン・パーフルオロアルキルビニルエーテル共重合体、四フッ化エチレン－六フッ化プロピレン共重合樹脂を挙げることができる。
　防錆・金属溶出防止処理が施された金属における金属としては、炭素鋼、合金鋼、ニッケルクロム鋼、ニッケルクロムモリブデン鋼、クロム鋼、クロムモリブデン鋼、マンガン鋼等を挙げることができる。
　防錆・金属溶出防止処理としては、皮膜技術を適用することが好ましい。
　皮膜技術には、金属被覆（各種メッキ），無機被覆（各種化成処理，ガラス，コンクリート，セラミックスなど）および有機被覆（さび止め油，塗料，ゴム，プラスチックス）の３種に大別されている。
　好ましい皮膜技術としては、錆止め油、錆止め剤、腐食抑制剤、キレート化合物、可剥性プラスチック、ライニング剤による表面処理が挙げられる。
　中でも、各種のクロム酸塩、亜硝酸塩、ケイ酸塩、燐酸塩、オレイン酸、ダイマー酸、ナフテン酸等のカルボン酸、カルボン酸金属石鹸、スルホン酸塩、アミン塩、エステル（高級脂肪酸のグリセリンエステルや燐酸エステル）などの腐食抑制剤、エチレンジアンテトラ酢酸、グルコン酸、ニトリロトリ酢酸、ヒドロキシエチルエチオレンジアミン三作酸、ジエチレントリアミン五作酸などのキレート化合物及びフッ素樹脂ライニングが好ましい。特に好ましいのは、燐酸塩処理とフッ素樹脂ライニングである。
　また、直接的な被覆処理と比較して、直接、錆を防ぐわけではないが、被覆処理による防錆期間の延長につながる処理方法として、防錆処理にかかる前の段階である「前処理」を採用することも好ましい。
　このような前処理の具体例としては、金属表面に存在する塩化物や硫酸塩などの種々の腐食因子を、洗浄や研磨によって除去する処理を好適に挙げることができる。
　収容容器としては具体的に以下を挙げることができる。
　・Ｅｎｔｅｇｒｉｓ社製　ＦｌｕｏｒｏＰｕｒｅＰＦＡ複合ドラム（接液内面；ＰＦＡ樹脂ライニング）
　・ＪＦＥ社製　鋼製ドラム缶（接液内面；燐酸亜鉛皮膜）
　また、本発明において用いることができる収容容器としては、特開平１１－０２１３９３号公報［００１３］～［００３０］、及び特開平１０－４５９６１号公報［００１２］～［００２４］に記載の容器も挙げることができる。
　本発明の有機系処理液は、静電気の帯電、引き続き生じる静電気放電に伴う薬液配管や各種パーツ（フィルター、Ｏ－リング、チューブなど）の故障を防止する為、導電性の化合物を添加しても良い。導電性の化合物としては特に制限されないが、例えば、メタノールが挙げられる。添加良は特に制限されないが、好ましい現像特性を維持する観点で、１０質量％以下が好ましく、更に好ましくは、５質量％以下である。薬液配管の部材に関しては、ＳＵＳ（ステンレス鋼）、或いは帯電防止処理の施されたポリエチレン、ポリプロピレン、又はフッ素樹脂（ポリテトラフルオロエチレン、パーフロオロアルコキシ樹脂など）で被膜された各種配管を用いることができる。フィルターやＯ－リングに関しても同様に、帯電防止処理の施されたポリエチレン、ポリプロピレン、又はフッ素樹脂（ポリテトラフルオロエチレン、パーフロオロアルコキシ樹脂など）を用いることができる。
　なお、一般的に、現像液およびリンス液は、使用後に配管を通して廃液タンクに収容される。その際、リンス液として炭化水素系溶媒を使用すると、現像液中に溶解したレジストが析出し、ウエハ背面や、配管側面などに付着することを防ぐために、再度、レジストが溶解する溶媒を配管に通す方法がある。配管に通す方法としては、リンス液での洗浄後に基板の背面や側面などをレジストが溶解する溶媒で洗浄して流す方法や、レジストに接触させずにレジストが溶解する溶剤を配管を通るように流す方法が挙げられる。
　配管に通す溶剤としては、レジストを溶解し得るものであれば特に限定されず、例えば上述した有機溶媒が挙げられ、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート（ＰＧＭＥＡ）、プロピレングリコールモノエチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノプロピルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノブチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテルプロピオネート、プロピレングリコールモノエチルエーテルプロピオネート、エチレングリコールモノメチルエーテルアセテート、エチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテル（ＰＧＭＥ）、プロピレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノプロピルエーテル、プロピレングリコールモノブチルエーテル、エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、２－ヘプタノン、乳酸エチル、１－プロパノール、アセトン、等を用いることができる。中でも好ましくは、ＰＧＭＥＡ，ＰＧＭＥ，シクロヘキサノンを用いることができる。
［電子デバイスの製造方法］
　また、本発明は、上記したパターン形成方法を含む、電子デバイスの製造方法にも関する。本発明の電子デバイスの製造方法により製造された電子デバイスは、電気電子機器（例えば、家電、ＯＡ（Ｏｆｆｉｃｅ　Ａｕｔｏｍａｔｉｏｎ）関連機器、メディア関連機器、光学用機器、及び通信機器等）に、好適に搭載される。
　また、本発明は、下記の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物にも関する。
（Ａ）酸の作用により極性が増大する樹脂、及び
（Ｂ）活性光線又は放射線の照射によって酸を発生する化合物であって、下記一般式（Ｉ）で表される、化合物
を含有する感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物であって、
　上記樹脂（Ａ）が下記一般式（Ａ）で表される繰り返し単位を含む、感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000108
一般式（ＡＩ）中、
ＲＡ、ＲＢ、及びＲＣは、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、ハロゲン原子、シアノ基、又はアルコキシカルボニル基を表す。但し、ＲＣはＡｒＡと結合して環を形成していてもよく、その場合のＲＣは単結合又はアルキレン基を表す。
ＬＡは、単結合又は２価の連結基を表す。
ＡｒＡは、（ｎ＋１）価の芳香環基を表す。ＡｒＡがＲＣと結合して環を形成する場合には（ｎ＋２）価の芳香環基を表す。
ｎは、１～５の整数を表す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000109
一般式（Ｉ）中、
Ｍ１ ＋、及びＭ２ ＋は、それぞれ独立に、カチオンを表す。
Ｘは、（ｍ＋１）価の連結基を表す。
Ａ１ －、及びＡ２ －は、それぞれ独立に、下記式（Ｂ－１）～（Ｂ－２７）で表される基からなる群より選ばれる基である。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000110
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000111
一般式（Ｂ－１）中、
ＹＦ１は、フッ素原子、又はパーフルオロアルキル基を表す。
Ｙ１は、水素原子、又は、フッ素原子を有さない置換基を表す。
一般式（Ｂ－２）中、
Ｙ２は、それぞれ独立に、水素原子、又は、フッ素原子を有さない置換基を表す。
一般式（Ｂ－３）中、
ＹＦ２は、フッ素原子、又はパーフルオロアルキル基を表す。
Ｙ３は、水素原子、又は、フッ素原子を有さない置換基を表す。
Ｒａは、有機基を表す。
一般式（Ｂ－４）中、
Ｙ４は、それぞれ独立に、水素原子、又は、フッ素原子を有さない置換基を表す。
Ｒａ１は、有機基を表す。
一般式（Ｂ－５）中、
ＹＦ３は、フッ素原子、又はパーフルオロアルキル基を表す。
Ｙ５は、水素原子、又は、フッ素原子を有さない置換基を表す。
Ｒｂは、水素原子、又は有機基を表す。
一般式（Ｂ－６）中、
Ｙ６は、それぞれ独立に、水素原子、又は、フッ素原子を有さない置換基を表す。
Ｒｂ１は、水素原子、又は有機基を表す。
一般式（Ｂ－７）中、
ＹＦ４は、フッ素原子、又はパーフルオロアルキル基を表す。
Ｙ７は、水素原子、又は、フッ素原子を有さない置換基を表す。
Ｒｃは、有機基を表す。
一般式（Ｂ－８）中、
Ｙ８は、それぞれ独立に、水素原子、又は、フッ素原子を有さない置換基を表す。
Ｒｃ１は、有機基を表す。
一般式（Ｂ－９）中、ＹＦ５は、フッ素原子、又はパーフルオロアルキル基を表す。
Ｙ９は、水素原子、又は、フッ素原子を有さない置換基を表す。
Ｒｄは、有機基を表す。
一般式（Ｂ－１０）中、
Ｙ１０は、それぞれ独立に、水素原子、又は、フッ素原子を有さない置換基を表す。
Ｒｄ１は、有機基を表す。
一般式（Ｂ－１２）中、
Ｒｅは、水素原子、有機基、又はハロゲン原子を表す。
ｏは１～４の整数を表す。
ｏが２以上の整数を表す場合は、複数のＲｅは同一であっても異なっていても良い。
一般式（Ｂ－１３）中、
ＹＦ６は、フッ素原子、又はパーフルオロアルキル基を表す。
Ｙ１１は、水素原子、又は、フッ素原子を有さない置換基を表す。
一般式（Ｂ－１４）中、
Ｙ１２は、それぞれ独立に、水素原子、又は、フッ素原子を有さない置換基を表す。
一般式（Ｂ－１５）中、
ＹＦ７は、フッ素原子、又はパーフルオロアルキル基を表す。
Ｙ１３は、水素原子、又は、フッ素原子を有さない置換基を表す。
Ｒｆは、有機基を表す。
一般式（Ｂ－１６）中、
Ｙ１４は、それぞれ独立に、水素原子、又は、フッ素原子を有さない置換基を表す。
Ｒｆ１は、有機基を表す。
一般式（Ｂ－１７）中、
ＹＦ８は、フッ素原子、又はパーフルオロアルキル基を表す。
Ｙ１５は、水素原子、又は、フッ素原子を有さない置換基を表す。
Ｒｇは、有機基を表す。
Ｒｈは、有機基を表す。
一般式（Ｂ－１８）中、
Ｙ１６は、それぞれ独立に、水素原子、又は、フッ素原子を有さない置換基を表す。
Ｒｇ１は、有機基を表す。
Ｒｈ１は、有機基を表す。
一般式（Ｂ－１９）中、
ＹＦ９は、フッ素原子、又はパーフルオロアルキル基を表す。
Ｙ１７は、水素原子、又は、フッ素原子を有さない置換基を表す。
一般式（Ｂ－２０）中、
Ｙ１８は、それぞれ独立に、水素原子、又は、フッ素原子を有さない置換基を表す。
一般式（Ｂ－２１）中、
ＹＦ１０は、フッ素原子、又はパーフルオロアルキル基を表す。
Ｙ１９は、水素原子、又は、フッ素原子を有さない置換基を表す。
Ｒｉは、有機基を表す。
Ｒｊは、有機基を表す。
一般式（Ｂ－２２）中、
Ｙ２０は、それぞれ独立に、水素原子、又は、フッ素原子を有さない置換基を表す。
Ｒｉ１は、有機基を表す。
Ｒｊ１は、有機基を表す。
一般式（Ｂ－２３）中、
Ｒｋは、水素原子、又は、フッ素原子を有さない置換基を表す。
ｐは１～４の整数を表す。
ｐが２以上の整数を表す場合は、複数のＲｋは同一であっても異なっていても良い。
一般式（Ｂ－２４）中、
Ｒｌは、水素原子、有機基、又は、ハロゲン原子を表す。
ｑは１～４の整数を表す。
ｑが２以上の整数を表す場合は、複数のＲｌは同一であっても異なっていても良い。
Ｒｃ２は、有機基を表す。
一般式（Ｂ－２５）中、
ＹＦ１１は、それぞれ独立に、フッ素原子、又はパーフルオロアルキル基を表す。
Ｒｃ３は、有機基を表す。
一般式（Ｂ－２６）中、
ＹＦ１２は、それぞれ独立に、フッ素原子、又はパーフルオロアルキル基を表す。
Ｒｄ２は、有機基を表す。
一般式（Ｂ－２７）中、
ＹＦ１３は、それぞれ独立に、フッ素原子、又はパーフルオロアルキル基を表す。
一般式（Ｂ－１）～（Ｂ－２７）において、
*は、結合位置を表す。
Ａ１ －は、Ａ２ －で表される基とは異なる構造を表す。
ｍは１又は２を表す。ｍが２を表す場合は、複数のＭ１ ＋は同一であっても異なっていてもよい。ｍが２を表す場合は、複数のＡ１ －は同一であっても異なっていてもよい。
　一般式（ＡＩ）中のＲＡ、ＲＢ、ＲＣ、ＬＡ、ＡｒＡ、及びｎは、上記樹脂（Ａ）における一般式（Ａ１）中のＲＡ、ＲＢ、ＲＣ、ＬＡ、ＡｒＡ、及びｎとそれぞれ同様である。
　一般式（Ｉ）中のＭ１ ＋、Ｍ２ ＋、Ｘ、及び一般式（Ｂ－１）～（Ｂ－２７）における各基は、上記化合物（Ｂ）における一般式（Ｉ）中のＭ１ ＋、Ｍ２ ＋、Ｘ、及び一般式（Ｂ－１）～（Ｂ－２７）における各基とそれぞれ同様である。
　以下に実施例に基づいて本発明を更に詳細に説明する。以下の実施例に示す材料、使用量、割合、処理内容、及び処理手順等は、本発明の趣旨を逸脱しない限り適宜変更することができる。したがって、本発明の範囲は以下に示す実施例により限定的に解釈されるべきものではない。
＜樹脂（Ａ）＞
　使用した樹脂（Ａ）の繰り返し単位の構造及びその含有量（モル比率）、重量平均分子量（Ｍｗ）、及び分散度（Ｍｗ／Ｍｎ）を以下に示す。
　なお、樹脂Ａ’－１は、樹脂（Ａ）ではないが、便宜上、以下に記載した。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000112
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000113
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000114
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000115
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000116
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000117
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000118
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000119
　樹脂（Ａ－３０）における、右側の繰り返し単位に付されている数字は、上記繰り返し単位の含有量（モル比率）を表す。
＜光酸発生剤（Ｂ）＞
　化合物（Ｂ－１）～（Ｂ－２７）は、表１に記載のカチオンと表１に記載のアニオンを組み合わせてなるものである。なお、カチオンについては、化合物中に含まれるカチオンの数についても併記した。
　比較例には、下記の化合物（Ｂ’－１）を用いた。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000120
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000121
　表１に記載のカチオンの構造を以下に示す。Ｍｅはメチル基を表し、Ｂｕは、ｎ－ブチル基を表す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000122
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000123
　表１に記載のアニオンの構造を以下に示す。Ｍｅはメチル基を表し、Ｂｕは、ｎ－ブチル基を表す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000124
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000125
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000126
（光酸発生剤から発生する酸の酸解離定数ｐＫａ）
　表２に、光酸発生剤から発生する酸の酸解離定数ｐＫａを示す。
　なお、光酸発生剤から発生する酸の酸解離定数ｐＫａの測定に当たっては、具体的には、化合物Ｂ－１～Ｂ－２７における各カチオン部位をＨ＋に置き換えて形成される化合物（例えば、化合物Ｂ－１の場合、トリフェニルスルホニウムカチオンをＨ＋に置き換えて形成される化合物）を対象として、上述した通り、ＡＣＤ／Ｌａｂｓ社のソフトウェアパッケージ１を用いて、ハメットの置換基定数及び公知文献値のデータベースに基づいた値を計算により求めた。また、上記手法によりｐＫａが算出できない場合には、ＤＦＴ（密度汎関数法）に基づいてＧａｕｓｓｉａｎ１６により得られる値を採用した。
　下記表中、「ｐＫａ１」とは第一段階目の酸解離定数を示し、「ｐＫａ２」とは第二段階目の酸解離定数を示し、「ｐＫａ３」とは第三段階目の酸解離定数を示す。ｐＫａの値が小さいほど、酸性度が高いことを意味する。
　上述したとおり、化合物Ｂ－１～Ｂ－１４、Ｂ－１６～Ｂ－２７は、上述した化合物（Ｂ）に該当する。ここで、ｐＫａ１が、上述した酸解離定数ａ１に該当し、ｐＫａ２が、上述した酸解離定数ａ２に該当する。
　また、上述したとおり、化合物Ｂ－１５も、上述した化合物（Ｂ）に該当する。ここで、ｐＫａ１が、上述した酸解離定数ａ１に該当し、ｐＫａ３が、上述した酸解離定数ａ２に該当する。
　化合物Ｂ－１５から発生する酸（化合物Ｂ－１５のスルホニウムカチオンをＨ＋に置き換えて形成される化合物）は対称構造であるため、２つの第１の酸性部位（ＨＡ１）の酸解離定数ｐＫａは、理論上では同じ値となる。しかしながら、上述した算出方法では、２つの第１の酸性部位（ＨＡ１）の酸解離定数が、第一段階目の酸解離定数ｐＫａ１と第二段階目の酸解離定数ｐＫａ２として求められる。化合物Ｂ－１５から発生する酸については、２つの第１の酸性部位（ＨＡ１）の酸解離定数ｐＫａのうち最も小さい値（つまり酸解離定数ｐＫａ１）が上述した酸解離定数ａ１に該当する。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000127
＜酸拡散制御剤＞
　使用した酸拡散制御剤の構造を以下に示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000128
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000129
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000130
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000131
＜光酸発生剤（Ｂ’）＞
　使用した光酸発生剤（Ｂ’）の構造を以下に示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000132
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000133
＜界面活性剤＞
　界面活性剤としては、下記Ｗ－１～Ｗ－４を用いた。
　Ｗ－１：メガファックＲ０８（大日本インキ化学工業（株）製；フッ素及びシリコン系）
　Ｗ－２：ポリシロキサンポリマーＫＰ－３４１（信越化学工業（株）製；シリコン系）
　Ｗ－３：トロイゾルＳ－３６６（トロイケミカル（株）製；フッ素系）
　Ｗ－４：ＰＦ６３２０（ＯＭＮＯＶＡ社製；フッ素系）
＜溶剤＞
　使用した溶剤を以下に示す。
　Ｓ－１：プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート（ＰＧＭＥＡ）
　Ｓ－２：プロピレングリコールモノメチルエーテル（ＰＧＭＥ）
　Ｓ－３：乳酸エチル（ＥＬ）
　Ｓ－４：３－エトキシプロピオン酸エチル（ＥＥＰ）
　Ｓ－５：２－ヘプタノン（ＭＡＫ）
　Ｓ－６：３－メトキシプロピオン酸メチル（ＭＭＰ）
　Ｓ－７：酢酸３－メトキシブチル
［レジスト組成物の塗液調製及び塗設］
（１）支持体の準備
　酸化窒化Ｃｒを蒸着した８インチウェハー（通常のフォトマスクブランクスに使用する遮蔽膜処理を施した物）を準備した。
（２）レジスト組成物の調製
　表３に示す成分を同表に示す溶剤に溶解させて溶液を調製し、これを０．０３μｍのポアサイズを有するポリエチレンフィルターで濾過してレジスト組成物を調製した。
（３）レジスト膜の作製
　上記８インチウェハー上に東京エレクトロン製スピンコーターＭａｒｋ８を用いてレジスト組成物を塗布し、１２０℃、６００秒間ホットプレート上で乾燥して、膜厚１００ｎｍのレジスト膜を得た。すなわち、レジスト塗布ウェハーを得た。
［ＥＢ露光及び現像］
（４）レジストパターンの作製
　上記（３）で得られたレジスト膜に電子線描画装置（（株）アドバンテスト製；Ｆ７０００Ｓ、加速電圧５０ＫｅＶ）を用いて、パターン照射を行った。照射後に、１００℃、６００秒ホットプレート上で加熱し、２．３８質量％テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド（ＴＭＡＨ）水溶液を用いて６０秒間浸漬した後、３０秒間、水でリンスして乾燥した。
［評価］
（５）レジストパタ－ンの評価
　得られたパターンを下記の方法で、解像性、ラフネス性能について評価した。結果を後掲の表４に示す。
　線幅５０ｎｍの１：１ラインアンドスペースパターンを解像する時の照射エネルギーを感度（Ｅｏｐ）とした。
　＜Ｌ／Ｓ解像性＞
　上記感度（Ｅｏｐ）を示す露光量における限界解像力（ラインとスペース（ライン：スペース＝１：１）が分離解像する最小の線幅）を解像力（ｎｍ）とした。
　＜孤立スペースパターン（ＩＳ）解像性＞
　上記感度（Ｅｏｐ）における孤立スペース（ライン：スペース＝１００：１）の限界解像力（ラインとスペースが分離解像する最小のスペース幅）を求めた。そして、この値を「孤立スペースパターン解像力（ｎｍ）」とした。この値が小さいほど性能が良好であることを示す。
＜ラフネス性能（ＬＷＲ）＞
　ライン幅が平均３０ｎｍのラインパターンを解像する時の最適露光量にて解像した２０ｎｍ（１：１）のラインアンドスペースのパターンに対して、測長走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ（（株）日立製作所Ｓ－９３８０ＩＩ））を使用してパターン上部から観察する際、線幅を任意のポイントで観測し、その測定ばらつきを３σ（ｎｍ）で評価した。値が小さいほど良好な性能であることを示す。
　なお、下記表３において、溶剤以外の各成分の含有量（質量％）は、全固形分に対する含有比率を意味する。また、下記表３には用いた溶剤の全溶剤に対する含有比率（質量％）を記載した。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000134
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000135
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000136
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000137
　表４の結果より、本発明のパターン形成方法により得られるパターンは、解像性、ラフネス性能に優れていることがわかる。
［極紫外線（ＥＵＶ）露光及び現像］
（４）レジストパターンの作製
　上記（３）で得られたレジスト膜の塗布されたウェハを、ＥＵＶ露光装置（Ｅｘｉｔｅｃｈ社製　Ｍｉｃｒｏ　Ｅｘｐｏｓｕｒｅ　Ｔｏｏｌ、ＮＡ（開口数）０．３、Ｑｕａｄｒｕｐｏｌｅ、アウターシグマ０．６８、インナーシグマ０．３６）を用い、露光マスク（ライン／スペース＝１／１）を使用して、パターン露光を行った。露光後、ホットプレート上で、１００℃で９０秒間加熱した後、２．３８質量％のテトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド（ＴＭＡＨ）水溶液を用いて６０秒間浸漬した後、３０秒間、水でリンスした。その後、４０００ｒｐｍの回転数で３０秒間ウェハを回転させた後、９５℃で６０秒間ベークを行い乾燥した。
［評価］
（５）レジストパタ－ンの評価
　得られたパターンを下記の方法で、解像性、ラフネス性能について評価した。結果を後掲の表５に示す。
　線幅５０ｎｍの１：１ラインアンドスペースパターンを解像する時の照射エネルギーを感度（Ｅｏｐ）とした。
　＜Ｌ／Ｓ解像性＞
　上記感度（Ｅｏｐ）を示す露光量における限界解像力（ラインとスペース（ライン：スペース＝１：１）が分離解像する最小の線幅）を解像力（ｎｍ）とした。
　＜孤立スペースパターン（ＩＳ）解像性＞
　上記感度（Ｅｏｐ）における孤立スペース（ライン：スペース＝１００：１）の限界解像力（ラインとスペースが分離解像する最小のスペース幅）を求めた。そして、この値を「孤立スペースパターン解像力（ｎｍ）」とした。この値が小さいほど性能が良好であることを示す。
＜ラフネス性能（ＬＷＲ）＞
　ライン幅が平均３０ｎｍのラインパターンを解像する時の最適露光量にて解像した２０ｎｍ（１：１）のラインアンドスペースのパターンに対して、測長走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ（（株）日立製作所Ｓ－９３８０ＩＩ））を使用してパターン上部から観察する際、線幅を任意のポイントで観測し、その測定ばらつきを３σ（ｎｍ）で評価した。値が小さいほど良好な性能であることを示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000138
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000139
　表５の結果より、本発明のパターン形成方法により得られるパターンは、解像性、ラフネス性能に優れていることがわかる。
　本発明によれば、超微細（特に、線幅又はスペース幅が３０ｎｍ以下）のパターン形成において、ラフネス性能の向上、及び解像力の向上とを高次元で両立可能な感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物を提供することができる。本発明によれば、上記感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物を用いた感活性光線性又は感放射線性膜、パターン形成方法、及び電子デバイスの製造方法を提供することができる。
　本発明を詳細にまた特定の実施態様を参照して説明したが、本発明の精神と範囲を逸脱することなく様々な変更や修正を加えることができることは当業者にとって明らかである。
　なお、本出願は、２０２０年３月３１日出願の日本特許出願（特願２０２０－６５１９１）に基づくものであり、その内容はここに参照として取り込まれる。
 

Claims (14)

  1. （Ａ）酸の作用により極性が増大する樹脂、及び
    （Ｂ）活性光線又は放射線の照射によって酸を発生する化合物であって、下記一般式（Ｉ）で表される、化合物
    を含有する感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物であって、
    　前記樹脂（Ａ）が下記一般式（ＡＩ）で表される繰り返し単位を含む、感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。
    Figure JPOXMLDOC01-appb-C000001
    一般式（ＡＩ）中、
    ＲＡ、ＲＢ、及びＲＣは、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、ハロゲン原子、シアノ基、又はアルコキシカルボニル基を表す。但し、ＲＣはＡｒＡと結合して環を形成していてもよく、その場合のＲＣは単結合又はアルキレン基を表す。
    ＬＡは、単結合又は２価の連結基を表す。
    ＡｒＡは、（ｎ＋１）価の芳香環基を表す。ＡｒＡがＲＣと結合して環を形成する場合には（ｎ＋２）価の芳香環基を表す。
    ｎは、１～５の整数を表す。
    Figure JPOXMLDOC01-appb-C000002
    一般式（Ｉ）中、
    Ｍ１ ＋、及びＭ２ ＋は、それぞれ独立に、カチオンを表す。
    Ｘは、単結合又は（ｍ＋１）価の連結基を表す。
    Ａ１ －、及びＡ２ －は、それぞれ独立に、アニオン性基を表す。Ａ１ －は、Ａ２ －で表される酸アニオン基とは異なる構造を表す。
    ｍは１又は２を表す。ｍが２を表す場合は、複数のＭ１ ＋は同一であっても異なっていてもよい。ｍが２を表す場合は、複数のＡ１ －は同一であっても異なっていてもよい。
    　但し、一般式（Ｉ）で表される化合物のＭ１ ＋及びＭ２ ＋がそれぞれ水素原子で置換された化合物（ＰＩ）が、ＨＡ１で表される基の酸解離定数ａ１と、Ａ２Ｈで表される基の酸解離定数ａ２とを有し、酸解離定数ａ１は、酸解離定数ａ２よりも低く、酸解離定数ａ１は－１．５以上である。
  2. 　前記一般式（Ｉ）中、Ａ１ －、及びＡ２ －は、それぞれ独立に、下記一般式（Ｂ－１）～（Ｂ－２７）で表される基からなる群より選ばれる基である、請求項１に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。
    Figure JPOXMLDOC01-appb-C000003
    Figure JPOXMLDOC01-appb-C000004
    一般式（Ｂ－１）中、
    ＹＦ１は、フッ素原子、又はパーフルオロアルキル基を表す。
    Ｙ１は、水素原子、又は、フッ素原子を有さない置換基を表す。
    一般式（Ｂ－２）中、
    Ｙ２は、それぞれ独立に、水素原子、又は、フッ素原子を有さない置換基を表す。
    一般式（Ｂ－３）中、
    ＹＦ２は、フッ素原子、又はパーフルオロアルキル基を表す。
    Ｙ３は、水素原子、又は、フッ素原子を有さない置換基を表す。
    Ｒａは、有機基を表す。
    一般式（Ｂ－４）中、
    Ｙ４は、それぞれ独立に、水素原子、又は、フッ素原子を有さない置換基を表す。
    Ｒａ１は、有機基を表す。
    一般式（Ｂ－５）中、
    ＹＦ３は、フッ素原子、又はパーフルオロアルキル基を表す。
    Ｙ５は、水素原子、又は、フッ素原子を有さない置換基を表す。
    Ｒｂは、水素原子、又は有機基を表す。
    一般式（Ｂ－６）中、
    Ｙ６は、それぞれ独立に、水素原子、又は、フッ素原子を有さない置換基を表す。
    Ｒｂ１は、水素原子、又は有機基を表す。
    一般式（Ｂ－７）中、
    ＹＦ４は、フッ素原子、又はパーフルオロアルキル基を表す。
    Ｙ７は、水素原子、又は、フッ素原子を有さない置換基を表す。
    Ｒｃは、有機基を表す。
    一般式（Ｂ－８）中、
    Ｙ８は、それぞれ独立に、水素原子、又は、フッ素原子を有さない置換基を表す。
    Ｒｃ１は、有機基を表す。
    一般式（Ｂ－９）中、
    ＹＦ５は、フッ素原子、又はパーフルオロアルキル基を表す。
    Ｙ９は、水素原子、又は、フッ素原子を有さない置換基を表す。
    Ｒｄは、有機基を表す。
    一般式（Ｂ－１０）中、
    Ｙ１０は、それぞれ独立に、水素原子、又は、フッ素原子を有さない置換基を表す。
    Ｒｄ１は、有機基を表す。
    一般式（Ｂ－１２）中、
    Ｒｅは、水素原子、有機基、又はハロゲン原子を表す。
    ｏは１～４の整数を表す。
    ｏが２以上の整数を表す場合は、複数のＲｅは同一であっても異なっていても良い。
    一般式（Ｂ－１３）中、
    ＹＦ６は、フッ素原子、又はパーフルオロアルキル基を表す。
    Ｙ１１は、水素原子、又は、フッ素原子を有さない置換基を表す。
    一般式（Ｂ－１４）中、
    Ｙ１２は、それぞれ独立に、水素原子、又は、フッ素原子を有さない置換基を表す。
    一般式（Ｂ－１５）中、
    ＹＦ７は、フッ素原子、又はパーフルオロアルキル基を表す。
    Ｙ１３は、水素原子、又は、フッ素原子を有さない置換基を表す。
    Ｒｆは、有機基を表す。
    一般式（Ｂ－１６）中、
    Ｙ１４は、それぞれ独立に、水素原子、又は、フッ素原子を有さない置換基を表す。
    Ｒｆ１は、有機基を表す。
    一般式（Ｂ－１７）中、
    ＹＦ８は、フッ素原子、又はパーフルオロアルキル基を表す。
    Ｙ１５は、水素原子、又は、フッ素原子を有さない置換基を表す。
    Ｒｇは、有機基を表す。
    Ｒｈは、有機基を表す。
    一般式（Ｂ－１８）中、
    Ｙ１６は、それぞれ独立に、水素原子、又は、フッ素原子を有さない置換基を表す。
    Ｒｇ１は、有機基を表す。
    Ｒｈ１は、有機基を表す。
    一般式（Ｂ－１９）中、
    ＹＦ９は、フッ素原子、又はパーフルオロアルキル基を表す。
    Ｙ１７は、水素原子、又は、フッ素原子を有さない置換基を表す。
    一般式（Ｂ－２０）中、
    Ｙ１８は、それぞれ独立に、水素原子、又は、フッ素原子を有さない置換基を表す。
    一般式（Ｂ－２１）中、
    ＹＦ１０は、フッ素原子、又はパーフルオロアルキル基を表す。
    Ｙ１９は、水素原子、又は、フッ素原子を有さない置換基を表す。
    Ｒｉは、有機基を表す。
    Ｒｊは、有機基を表す。
    一般式（Ｂ－２２）中、
    Ｙ２０は、それぞれ独立に、水素原子、又は、フッ素原子を有さない置換基を表す。
    Ｒｉ１は、有機基を表す。
    Ｒｊ１は、有機基を表す。
    一般式（Ｂ－２３）中、
    Ｒｋは、水素原子、又は、フッ素原子を有さない置換基を表す。
    ｐは１～４の整数を表す。
    ｐが２以上の整数を表す場合は、複数のＲｋは同一であっても異なっていても良い。
    一般式（Ｂ－２４）中、
    Ｒｌは、水素原子、有機基、又は、ハロゲン原子を表す。
    ｑは１～４の整数を表す。
    ｑが２以上の整数を表す場合は、複数のＲｌは同一であっても異なっていても良い。
    Ｒｃ２は、有機基を表す。
    一般式（Ｂ－２５）中、
    ＹＦ１１は、それぞれ独立に、フッ素原子、又はパーフルオロアルキル基を表す。
    Ｒｃ３は、有機基を表す。
    一般式（Ｂ－２６）中、
    ＹＦ１２は、それぞれ独立に、フッ素原子、又はパーフルオロアルキル基を表す。
    Ｒｄ２は、有機基を表す。
    一般式（Ｂ－２７）中、
    ＹＦ１３は、それぞれ独立に、フッ素原子、又はパーフルオロアルキル基を表す。
    一般式（Ｂ－１）～（Ｂ－２７）において、
    *は、結合位置を表す。
  3. 　前記化合物（ＰＩ）において、前記酸解離定数ａ１と前記酸解離定数ａ２との差が２．０以上である、請求項１又は２に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。
  4. 　前記化合物（ＰＩ）において、前記酸解離定数ａ２が２．０以上である、請求項１～３のいずれか一項に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。
  5. 　前記一般式（Ｉ）において、Ａ１ －が前記一般式（Ｂ－２）又は（Ｂ－２３）で表される基である、請求項２～４のいずれか一項に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。
  6. 　前記一般式（Ｉ）において、Ａ１ －が前記一般式（Ｂ－２）で表される基である、請求項２～５のいずれか一項に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。
  7. 　（Ａ）酸の作用により極性が増大する樹脂が、酸分解性基を有する繰り返し単位を含み、前記酸分解性基を有する繰り返し単位は、酸の作用により分解してカルボキシ基を生じる基、及び酸の作用により分解してフェノール性水酸基を生じる基からなる群より選ばれる繰り返し単位である、請求項１～６のいずれか一項に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。
  8. 　前記酸分解性基を有する繰り返し単位が、下記一般式（３）～（７）で表される繰り返し単位から選ばれる１種以上を含む、請求項７に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。
    Figure JPOXMLDOC01-appb-C000005
    　一般式（３）中、Ｒ５、Ｒ６、及びＲ７は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、ハロゲン原子、シアノ基、又はアルコキシカルボニル基を表す。
    Ｌ２は、単結合、又は２価の連結基を表す。
    Ｒ８～Ｒ１０は、それぞれ独立に、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アラルキル基、又はアルケニル基を表す。なお、Ｒ８～Ｒ１０のうち２つが互いに結合して環を形成してもよい。
    　一般式（４）中、Ｒ１１～Ｒ１４は、それぞれ独立に、水素原子又は有機基を表す。但し、Ｒ１１及びＲ１２のうち少なくとも一方は、有機基を表す。
    Ｘ１は、－ＣＯ－、－ＳＯ－、又は－ＳＯ２－を表す。
    Ｙ１は、－Ｏ－、－Ｓ－、－ＳＯ－、－ＳＯ２－、又は－ＮＲ３４－を表す。Ｒ３４は、水素原子又は有機基を表す。
    Ｌ３は、単結合、又は２価の連結基を表す。
    Ｒ１５～Ｒ１７は、それぞれ独立に、アルキル基、フッ素原子を有していてもよいシクロアルキル基、アリール基、アラルキル基、又はアルケニル基を表す。なお、Ｒ１５～Ｒ１７のうち２つが互いに結合して環を形成してもよい。
    　一般式（５）中、Ｒ１８及びＲ１９は、それぞれ独立に、水素原子又は有機基を表す。
    Ｒ２０及びＲ２１は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アラルキル基、又はアルケニル基を表す。なお、Ｒ２０とＲ２１とは、互いに結合して環を形成してもよい。
    　一般式（６）中、Ｒ２２、Ｒ２３、及びＲ２４は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、ハロゲン原子、シアノ基、又はアルコキシカルボニル基を表す。
    Ｌ４は、単結合又は２価の連結基を表す。
    Ａｒ１は、芳香環基を表す。
    Ｒ２５～Ｒ２７は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アラルキル基、又はアルケニル基を表す。なお、Ｒ２６とＲ２７とは、互いに結合して環を形成してもよい。また、Ａｒ１は、Ｒ２４又はＲ２５と結合して環を形成してもよい。
    　一般式（７）中、Ｒ２８、Ｒ２９、及びＲ３０は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、ハロゲン原子、シアノ基、又はアルコキシカルボニル基を表す。
    Ｌ５は、単結合、又は２価の連結基を表す。
    Ｒ３１及びＲ３２は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アラルキル基、又はアルケニル基を表す。
    Ｒ３３は、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アラルキル基、又はアルケニル基を表す。なお、Ｒ３２とＲ３３とは、互いに結合して環を形成してもよい。
  9. 　前記酸分解性基を有する繰り返し単位が、前記一般式（６）で表される繰り返し単位、及び前記一般式（７）で表される繰り返し単位から選ばれる１種以上を含む、請求項８に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。
  10. 　前記酸分解性基を有する繰り返し単位が、ハロゲン原子を含まない請求項７～９のいずれか１項に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。
  11. （Ａ）酸の作用により極性が増大する樹脂、及び
    （Ｂ）活性光線又は放射線の照射によって酸を発生する化合物であって、下記一般式（Ｉ）で表される、化合物
    を含有する感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物であって、
    　前記樹脂（Ａ）が下記一般式（Ａ）で表される繰り返し単位を含む、感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。
    Figure JPOXMLDOC01-appb-C000006
    一般式（ＡＩ）中、
    ＲＡ、ＲＢ、及びＲＣは、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、ハロゲン原子、シアノ基、又はアルコキシカルボニル基を表す。但し、ＲＣはＡｒＡと結合して環を形成していてもよく、その場合のＲＣは単結合又はアルキレン基を表す。
    ＬＡは、単結合又は２価の連結基を表す。
    ＡｒＡは、（ｎ＋１）価の芳香環基を表す。ＡｒＡがＲＣと結合して環を形成する場合には（ｎ＋２）価の芳香環基を表す。
    ｎは、１～５の整数を表す。
    Figure JPOXMLDOC01-appb-C000007
    一般式（Ｉ）中、
    Ｍ１ ＋、及びＭ２ ＋は、それぞれ独立に、カチオンを表す。
    Ｘは、（ｍ＋１）価の連結基を表す。
    Ａ１ －、及びＡ２ －は、それぞれ独立に、下記一般式（Ｂ－１）～（Ｂ－２７）で表される基からなる群より選ばれる基である。
    Figure JPOXMLDOC01-appb-C000008
    Figure JPOXMLDOC01-appb-C000009
    一般式（Ｂ－１）中、
    ＹＦ１は、フッ素原子、又はパーフルオロアルキル基を表す。
    Ｙ１は、水素原子、又は、フッ素原子を有さない置換基を表す。
    一般式（Ｂ－２）中、
    Ｙ２は、それぞれ独立に、水素原子、又は、フッ素原子を有さない置換基を表す。
    一般式（Ｂ－３）中、
    ＹＦ２は、フッ素原子、又はパーフルオロアルキル基を表す。
    Ｙ３は、水素原子、又は、フッ素原子を有さない置換基を表す。
    Ｒａは、有機基を表す。
    一般式（Ｂ－４）中、
    Ｙ４は、それぞれ独立に、水素原子、又は、フッ素原子を有さない置換基を表す。
    Ｒａ１は、有機基を表す。
    一般式（Ｂ－５）中、
    ＹＦ３は、フッ素原子、又はパーフルオロアルキル基を表す。
    Ｙ５は、水素原子、又は、フッ素原子を有さない置換基を表す。
    Ｒｂは、水素原子、又は有機基を表す。
    一般式（Ｂ－６）中、
    Ｙ６は、それぞれ独立に、水素原子、又は、フッ素原子を有さない置換基を表す。
    Ｒｂ１は、水素原子、又は有機基を表す。
    一般式（Ｂ－７）中、
    ＹＦ４は、フッ素原子、又はパーフルオロアルキル基を表す。
    Ｙ７は、水素原子、又は、フッ素原子を有さない置換基を表す。
    Ｒｃは、有機基を表す。
    一般式（Ｂ－８）中、
    Ｙ８は、それぞれ独立に、水素原子、又は、フッ素原子を有さない置換基を表す。
    Ｒｃ１は、有機基を表す。
    一般式（Ｂ－９）中、
    ＹＦ５は、フッ素原子、又はパーフルオロアルキル基を表す。
    Ｙ９は、水素原子、又は、フッ素原子を有さない置換基を表す。
    Ｒｄは、有機基を表す。
    一般式（Ｂ－１０）中、
    Ｙ１０は、それぞれ独立に、水素原子、又は、フッ素原子を有さない置換基を表す。
    Ｒｄ１は、有機基を表す。
    一般式（Ｂ－１２）中、
    Ｒｅは、水素原子、有機基、又はハロゲン原子を表す。
    ｏは１～４の整数を表す。
    ｏが２以上の整数を表す場合は、複数のＲｅは同一であっても異なっていても良い。
    一般式（Ｂ－１３）中、
    ＹＦ６は、フッ素原子、又はパーフルオロアルキル基を表す。
    Ｙ１１は、水素原子、又は、フッ素原子を有さない置換基を表す。
    一般式（Ｂ－１４）中、
    Ｙ１２は、それぞれ独立に、水素原子、又は、フッ素原子を有さない置換基を表す。
    一般式（Ｂ－１５）中、
    ＹＦ７は、フッ素原子、又はパーフルオロアルキル基を表す。
    Ｙ１３は、水素原子、又は、フッ素原子を有さない置換基を表す。
    Ｒｆは、有機基を表す。
    一般式（Ｂ－１６）中、
    Ｙ１４は、それぞれ独立に、水素原子、又は、フッ素原子を有さない置換基を表す。
    Ｒｆ１は、有機基を表す。
    一般式（Ｂ－１７）中、
    ＹＦ８は、フッ素原子、又はパーフルオロアルキル基を表す。
    Ｙ１５は、水素原子、又は、フッ素原子を有さない置換基を表す。
    Ｒｇは、有機基を表す。
    Ｒｈは、有機基を表す。
    一般式（Ｂ－１８）中、
    Ｙ１６は、それぞれ独立に、水素原子、又は、フッ素原子を有さない置換基を表す。
    Ｒｇ１は、有機基を表す。
    Ｒｈ１は、有機基を表す。
    一般式（Ｂ－１９）中、
    ＹＦ９は、フッ素原子、又はパーフルオロアルキル基を表す。
    Ｙ１７は、水素原子、又は、フッ素原子を有さない置換基を表す。
    一般式（Ｂ－２０）中、
    Ｙ１８は、それぞれ独立に、水素原子、又は、フッ素原子を有さない置換基を表す。
    一般式（Ｂ－２１）中、
    ＹＦ１０は、フッ素原子、又はパーフルオロアルキル基を表す。
    Ｙ１９は、水素原子、又は、フッ素原子を有さない置換基を表す。
    Ｒｉは、有機基を表す。
    Ｒｊは、有機基を表す。
    一般式（Ｂ－２２）中、
    Ｙ２０は、それぞれ独立に、水素原子、又は、フッ素原子を有さない置換基を表す。
    Ｒｉ１は、有機基を表す。
    Ｒｊ１は、有機基を表す。
    一般式（Ｂ－２３）中、
    Ｒｋは、水素原子、又は、フッ素原子を有さない置換基を表す。
    ｐは１～４の整数を表す。
    ｐが２以上の整数を表す場合は、複数のＲｋは同一であっても異なっていても良い。
    一般式（Ｂ－２４）中、
    Ｒｌは、水素原子、有機基、又は、ハロゲン原子を表す。
    ｑは１～４の整数を表す。
    ｑが２以上の整数を表す場合は、複数のＲｌは同一であっても異なっていても良い。
    Ｒｃ２は、有機基を表す。
    一般式（Ｂ－２５）中、
    ＹＦ１１は、それぞれ独立に、フッ素原子、又はパーフルオロアルキル基を表す。
    Ｒｃ３は、有機基を表す。
    一般式（Ｂ－２６）中、
    ＹＦ１２は、それぞれ独立に、フッ素原子、又はパーフルオロアルキル基を表す。
    Ｒｄ２は、有機基を表す。
    一般式（Ｂ－２７）中、
    ＹＦ１３は、それぞれ独立に、フッ素原子、又はパーフルオロアルキル基を表す。
    一般式（Ｂ－１）～（Ｂ－２７）において、
    *は、結合位置を表す。
    Ａ１ －は、Ａ２ －で表される基とは異なる構造を表す。
    ｍは１又は２を表す。ｍが２を表す場合は、複数のＭ１ ＋は同一であっても異なっていてもよい。ｍが２を表す場合は、複数のＡ１ －は同一であっても異なっていてもよい。
  12. 　請求項１～１１のいずれか１項に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物により形成された感活性光線性又は感放射線性膜。
  13. 　請求項１～１１のいずれか１項に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物を用いてレジスト膜を形成するレジスト膜形成工程と、前記レジスト膜を露光する露光工程と、露光された前記レジスト膜を、現像液を用いて現像する現像工程と、を含むパターン形成方法。
  14. 　請求項１３に記載のパターン形成方法を含む、電子デバイスの製造方法。
     
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