JP2010230697A5 - - Google Patents
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- (A)下記一般式(I)で表される繰り返し構造単位を含有し、酸の作用により分解し、アルカリ現像液中での溶解度が増大する樹脂、(B)活性光線または放射線の照射により酸を発生する化合物、(C)下記(a)群から選択される少なくとも1種の溶剤と、下記(b)群〜(d)群から選択される少なくとも1種の溶剤とを含む混合溶剤を含有することを特徴とするポジ型レジスト組成物。
(a)群:アルキレングリコールモノアルキルエーテル
(b)群:アルキレングリコールモノアルキルエーテルカルボキシレート
(c)群:直鎖状ケトン、分岐鎖状ケトン、環状ケトン、ラクトン、アルキレンカーボネート
(d)群:乳酸エステル、酢酸エステル、アルコキシプロピオン酸エステル
一般式(I)において
R1は水素原子、ハロゲン原子、またはアルキル基を表す。
R2はアルキル基を表す。
R3は、ハロゲン原子、アルキル基、シクロアルキル基、シアノ基または水酸基を表す。R3は複数ある場合は互いに同じでも異なっていてもよい。
nは0または正の整数を表す。
Zは炭素数3〜8の環状アルキル基を表す。 - 一般式(I)におけるZの環状アルキル基が5員環であることを特徴とする請求項1に記載のポジ型レジスト組成物。
- さらに疎水性樹脂(HR)を含有し、液浸露光用であることを特徴とする請求項1または2に記載のポジ型レジスト組成物。
- (A)成分の樹脂が、更に、ラクトン構造を有する繰り返し単位を有することを特徴とする請求項1〜3のいずれか一項に記載のポジ型レジスト組成物。
- 式(2−1)におけるR10が、−C(R4’)(R5’)−OHで表される部分構造を表すことを特徴とする請求項7に記載のポジ型レジスト組成物。R4’、R5’は各々独立してアルキル基又はシクロアルキル基を表す。
- さらにレジスト組成物が
(D)界面活性剤、
(E)塩基性化合物
を含有することを特徴とする請求項1〜8のいずれか一項に記載のポジ型レジスト組成物。 - 請求項1〜9のいずれか一項に記載のポジ型レジスト組成物により形成されたレジスト膜。
- 請求項10に記載のレジスト膜を、露光、現像することを特徴とするパターン形成方法。
- 請求項11に記載の露光方法が、液浸露光であることを特徴とするパターン形成方法。
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