JP6209103B2 - 感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、それを用いたレジスト膜、レジスト塗布マスクブランクス、レジストパターン形成方法、及び、フォトマスク - Google Patents
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Description
このように、要求されるパターンの微細化に伴い、分散度、重量平均分子量、及び、ガラス転移温度が所定の範囲に制御された高分子化合物(A)を含有する、化学増幅型レジスト組成物が提案されている(特許文献1)。
本発明者らが、特許文献1に記載の化学増幅型レジスト組成物を用いて、その特性を評価したところ、従来の要求レベルは満たすものの、昨今の要求レベルを満たしておらず、更なる改良が必要であることが知見された。
すなわち、以下の構成により上記目的を達成することができることを見出した。
(a)重量平均分子量が3000以上6500以下
(b)ガラス転移温度(Tg)が140℃以上
(2) 高分子化合物(A)が、さらに下記(c)を満たす、(1)に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。
(c)分散度(Mw/Mn)が1.2以下
(3) 架橋剤(C)が、ヒドロキシメチル基及びアルコキシメチル基からなる群から選択される少なくとも1種の架橋性基を2個以上と、2個以上のベンゼン環と、環状脂肪族炭化水素基とを含み、架橋性基の数とベンゼン環の数との比(架橋性基の数/ベンゼン環の数)が1.0以下である架橋剤を含む、(1)又は(2)に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。
(4) 高分子化合物(A)が、フェノール性水酸基を有する繰り返し単位と、フェノール性水酸基における水酸基の水素原子が置換基で置換されてなる基を有する繰り返し単位とを有する、(1)〜(3)のいずれかに記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。
(5) 高分子化合物(A)が、後述する一般式(II)で表される繰り返し単位を、高分子化合物(A)の全繰り返し単位に対して、10モル%〜90モル%で有する、(1)〜(4)のいずれかに記載の化学増幅型レジスト組成物。
(6) (1)〜(5)のいずれかに記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物により形成されたレジスト膜。
(7) 膜厚が10〜150nmである、(6)に記載のレジスト膜。
(8) (6)又は(7)に記載のレジスト膜を塗布した、レジスト塗布マスクブランクス。
(9) (6)又は(7)に記載のレジスト膜を露光すること、及び、露光された膜を現像することを含む、レジストパターン形成方法。
(10) (8)に記載のレジスト塗布マスクブランクスを露光すること、及び、露光されたマスクブランクスを現像することを含む、レジストパターン形成方法。
(11) 露光が、電子線又は極紫外線を用いて行われる、(9)又は(10)に記載のレジストパターン形成方法。
(12) (8)に記載のレジスト塗布マスクブランクスを、露光及び現像して得られるフォトマスク。
なお、本明細書に於ける基(原子団)の表記に於いて、置換及び無置換を記していない表記は、置換基を有さないものと共に置換基を有するものをも包含するものである。例えば、「アルキル基」とは、置換基を有さないアルキル基(無置換アルキル基)のみならず、置換基を有するアルキル基(置換アルキル基)をも包含するものである。
また本明細書中における「活性光線」又は「放射線」とは、例えば、水銀灯の輝線スペクトル、エキシマレーザーに代表される遠紫外線、極紫外線(EUV光)、X線、電子線等を意味する。また本発明において光とは、活性光線又は放射線を意味する。本明細書中における「露光」とは、特に断らない限り、水銀灯、エキシマレーザーに代表される遠紫外線、X線、EUV光などによる露光のみならず、電子線、イオンビーム等の粒子線による描画も露光に含める。
本明細書において「〜」とはその前後に記載される数値を下限値及び上限値として含む意味で使用される。
高分子化合物(A)が後述する(a)を満たすことにより、すなわち、重量平均分子量が3000以上であることにより、充分なドライエッチング耐性を付与されるとともに、重量平均分子量が6500以下であることにより、未露光部において、現像液に溶解する高分子化合物(A)の溶解単位が小さくなり、これは、解像性の向上に寄与するものと考えられる。
また、高分子化合物(A)及び架橋剤(C)が所定のガラス転移温度を示すことにより、形成されるレジスト膜自体のTgが向上し、レジスト膜を構成する分子の運動性が低下し、露光により発生する酸の未露光部への酸の拡散が抑制され、結果として高解像性のパターンが得られる。また、得られるレジスト膜は非常に硬いものとなる。これにより、ドライエッチング耐性が向上するとともに、得られるパターンが倒れにくくなるため、解像性の向上にも寄与するものと考えられる。
さらに、高分子化合物(A)が後述する(c)を満たすことにより、パターン形成において高感度を達成できる。これは、分散度が低いことにより、高分子化合物(A)中において、アルカリ現像液に対する溶解速度が高い低分子量成分の量を少なくでき、結果、露光部のアルカリ現像液に対する溶解速度を低減できるためと考えられる。
本発明の組成物は、主に、ネガ型の現像(露光部がパターンとして残り、未露光部が除去される現像)に用いられる化学増幅型ネガ型レジスト組成物である。
本発明の組成物には、後述する高分子化合物(A)、活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物(B)、及び、ガラス転移温度(Tg)が200℃以上の架橋剤(C)が少なくとも含まれる。以下、組成物に含まれる各種成分について詳述する。
なお、以下では、まず、本発明の特徴点の一つでもある、架橋剤(C)について詳述する。
架橋剤(C)は、酸の作用により高分子化合物(A)を架橋する、ガラス転移温度(Tg)が200℃以上の化合物である。本架橋剤を使用することにより、後述する高分子化合物間を架橋させることができる。
架橋剤(C)のガラス転移温度は、200℃以上であり、より高解像性(例えば、高い解像力、優れたパターン形状、小さいラインエッジラフネス(LER))、及び/又は、より良好なドライエッチング耐性を示すパターンを形成できる点(以後、単に「本発明の効果がより優れる点」とも称する)で、220℃以上が好ましい。上限は特に制限されないが、通常、350℃以下の場合が多く、300℃以下が好ましい。
ガラス転移温度が200℃未満の場合、解像性及びドライエッチング耐性の少なくともいずれか一方が劣る。
なお、ガラス転移温度(Tg)は、TA Instruments社製の示差走査型熱量計(DSC)Q2000を用いて、真空乾燥した試料(約2mg)をアルミニウムパン上で秤量し、該アルミニウムパンをDSC測定ホルダーにセットし、10℃〜200℃まで2℃/minで昇温したときの変曲点から求める。200℃までにガラス転移温度に相当するDTA曲線の変曲点が観察されない場合に、Tgは200℃以上と判断する。
架橋性基の数は特に制限されないが、通常、2個以上であり、本発明の効果がより優れる点で、4〜8個が好ましく、4個がより好ましい。
なお、本発明の効果がより優れる点で、架橋剤(C)の好ましい態様の一つとしては、分子内に、ヒドロキシメチル基及びアルコキシメチル基からなる群から選択される少なくとも1種の架橋性基を2個以上と、2個以上のベンゼン環とを含み、架橋性基の数とベンゼン環の数との比(架橋性基の数/ベンゼン環の数)が1.0以下である架橋剤Xが挙げられる。
架橋剤X中におけるベンゼン環の数は2個以上であればよいが、本発明の効果がより優れる点で、2〜8個が好ましく、4〜6個がより好ましい。
架橋剤X中における架橋性基の数は2個以上であればよいが、本発明の効果がより優れる点で、2〜8個が好ましく、4〜6個がより好ましい。
架橋剤X中における比(架橋性基の数/ベンゼン環の数)は1.0以下であればよいが、本発明の効果がより優れる点で、0.1〜1.0が好ましく、0.5〜0.8がより好ましい。
また、本発明の効果がより優れる点で、架橋剤Xには、さらに環状脂肪族炭化水素基(例えば、シクロヘキサン環基)が含まれることが好ましい。分子内における環状脂肪族炭化水素基の数は特に制限されないが、本発明の効果がより優れる点で、2個以上が好ましく、4〜8個がより好ましい。
脂肪族炭化水素基中の炭素数は特に制限されないが、本発明の効果がより優れる点で、3〜12が好ましく、6〜10がより好ましい。
一般式(A)中、Lは、それぞれ独立に、ヒドロキシメチル基、又は、アルコキシメチル基を表す。
ただし、Rが鎖状脂肪族炭化水素基の場合、Lはアルコキシメチル基を表す。
一般式(B)中、Lは、それぞれ独立に、ヒドロキシメチル基、又は、アルコキシメチル基を表す。
なお、固形分とはレジスト膜を構成する成分を意図し、溶媒は含まれない。
架橋剤(C)は単独で用いてもよいし、2種以上組み合わせて用いてもよい。
また、架橋剤(C)と後述する高分子化合物(A)との質量比(架橋剤(C)の質量/高分子化合物(A)の質量)は特に制限されないが、本発明の効果がより優れる点で、0.1〜10が好ましく、0.2〜5がより好ましい。
高分子化合物(A)は、フェノール性水酸基を有し、かつ、下記(a)及び(b)を満たす化合物である。
(a)重量平均分子量が3000以上6500以下
(b)ガラス転移温度(Tg)が140℃以上
高分子化合物(A)の重量平均分子量は、GPC(溶媒:THF、カラム:東ソー社製TSK gel Multipore HXL−M、カラム温度:40℃、流速:1.0mL/分、検出器:RI)測定によるポリスチレン換算値として定義される。
高分子化合物(A)のガラス転移温度(Tg)は140℃以上であり、本発明の効果がより優れる点で、145℃以上であることが好ましく、150℃以上であることがより好ましい。ガラス転移温度の上限値は特に限定されるものではないが、通常、250℃以下とされ、170℃以下であることが好ましい。
ガラス転移温度(Tg)は、TA Instruments社製の示差走査型熱量計(DSC)Q2000を用いて、真空乾燥した試料(約2mg)をアルミニウムパン上で秤量し、該アルミニウムパンをDSC測定ホルダーにセットし、10℃〜200℃まで2℃/minで昇温したときの変曲点から求める。200℃までにガラス転移温度に相当するDTA曲線の変曲点が観察されない場合に、Tgは200℃以上と判断する。
(c)分散度(Mw/Mn)が1.2以下
なかでも、より高感度である点で、分散度は、1.05〜1.18であることが好ましく、1.10〜1.16であることがより好ましい。
B’の2価の連結基としては、カルボニル基、アルキレン基(好ましくは炭素数1〜10、より好ましくは炭素数1〜5)、スルホニル基(−S(=O)2−)、−O−、−NH−又はこれらを組合せた2価の連結基が好ましい。B’は、単結合、カルボニルオキシ基(−C(=O)−O−)又は−C(=O)−NH−を表すことが好ましく、単結合又はカルボニルオキシ基(−C(=O)−O−)を表すことがより好ましく、単結合であることがドライエッチング耐性向上の観点で特に好ましい。
Ar’の芳香族環は、単環又は多環の芳香族環であり、例えば、ベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環、フルオレン環、フェナントレン環などの炭素数6〜18の置換基を有していてもよい芳香族炭化水素環、又は、例えば、チオフェン環、フラン環、ピロール環、ベンゾチオフェン環、ベンゾフラン環、ベンゾピロール環、トリアジン環、イミダゾール環、ベンゾイミダゾール環、トリアゾール環、チアジアゾール環、チアゾール環等のヘテロ環を含む芳香環ヘテロ環を挙げることができる。なかでも、ベンゼン環、ナフタレン環が解像性の観点で好ましく、ベンゼン環が感度の観点で最も好ましい。
mは1〜5の整数であることが好ましく、1が最も好ましい。mが1でAr’がベンゼン環の時、−OHの置換位置はベンゼン環のB’(B’が単結合である場合にはポリマー主鎖)との結合位置に対して、パラ位でもメタ位でもオルト位でもよいが、架橋反応性の観点から、パラ位、メタ位が好ましく、パラ位がより好ましい。
Ar’の芳香族環は、上記−OHで表される基以外にも置換基を有していてもよく、置換基としては、例えば、アルキル基、シクロアルキル基、ハロゲン原子、水酸基、アルコキシ基、カルボキシル基、アルコキシカルボニル基、アルキルカルボニル基、アルキルカルボニルオキシ基、アルキルスルホニルオキシ基、アリールカルボニル基が挙げられる。
フェノール性水酸基を有する繰り返し単位は、下記一般式(2)で表される繰り返し単位であることが架橋反応性、現像性、ドライエッチング耐性の理由でより好ましい。
R12は、水素原子又はメチル基を表し、水素原子であることが現像性の理由から好ましい。
一般式(2)におけるArは、上記一般式(II)におけるAr’と同義であり、好ましい範囲も同様である。一般式(2)で表される繰り返し単位は、ヒドロキシスチレンから誘導される繰り返し単位(すなわち、一般式(2)においてR12が水素原子であり、Arがベンゼン環である繰り返し単位)であることが感度の観点から好ましい。
高分子化合物(A)は、上記のようなフェノール性水酸基を有する繰り返し単位のみから構成されていてもよく、それ以外の繰り返し単位を有していてもよい。その場合、フェノール性水酸基を有する繰り返し単位の含有率は、高分子化合物(A)中の全繰り返し単位に対して、10モル%以上が好ましく、30モル%以上がより好ましく、40モル以上がさらに好ましく、98モル%以下が好ましく、97モル%以下がより好ましく、95モル%以下がさらに好ましく、90モル%以下が特に好ましい。これにより、特に、レジスト膜が薄膜である場合(例えば、レジスト膜の厚みが、10〜150nmである場合)、レジスト膜における露光部のアルカリ現像液に対する溶解速度をより確実に低減できる(即ち、高分子化合物(A)を用いたレジスト膜の溶解速度を、より確実に最適なものに制御できる)。その結果、感度をより確実に向上させることができる。
以下、フェノール性水酸基を有する繰り返し単位の例を記載するが、これに限定されるものではない。
「フェノール性水酸基における水酸基の水素原子が置換基で置換されてなる基」における該置換基は、環状炭化水素基を有する基であることが好ましい。環状炭化水素基を有する基は、総炭素数が5〜40であることが好ましく、7〜30であることがより好ましい。
環状炭化水素基は、単環型であっても多環型であってもよく、単環型の炭化水素基としては、炭素数3〜8のシクロアルキル基、炭素数6〜8のアリール基が好ましく、例えば、シクロプロピル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロブチル基、シクロオクチル基、フェニル基等を挙げることができる。多環型の炭化水素基としては、炭素数5以上のビシクロ、トリシクロ、テトラシクロ構造等を挙げることができ、炭素数6〜30の多環シクロ基や多環芳香族基が好ましく、例えば、インデン基、フルオレン基、アセタフタレン基、アダマンチル基、デカリン基、ノルボルニル基、イソボロニル基、カンファニル基、ジシクロペンチル基、α−ピネル基、トリシクロデカニル基、テトシクロドデシル基、又は、アンドロスタニル基、ナフチル基、アンタラセニル基、ビフェニル基、などを挙げることができる。なお、単環又は多環型の炭化水素基の炭素原子の一部が、酸素原子等のヘテロ原子によって置換されていてもよい。
上記環状炭化水素基の好ましいものとしては、インデン基、フルオレン基、アセタフタレン基、ナフチル基、アダマンチル基、デカリン基、ノルボルニル基、イソボロニル基、カンファニル基、ジシクロペンチル基が挙げられ、アダマンチル基がドライエッチング耐性の観点で最も好ましい。さらに、上記環状炭化水素基は、さらに置換基を有してもよく、このような更なる置換基としては、例えば、アルキル基、アリール基、ハロゲン原子、水酸基、アルコキシ基、カルボキシル基、アルコキシカルボニル基等が挙げられる。
Xは、環状炭化水素基を有する基を表す。m2は1以上の整数である。
一般式(3)におけるR13は水素原子又はメチル基を表すが、水素原子が特に好ましい。
一般式(3)のAr1の芳香族環としては、例えば、ベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環、フルオレン環、フェナントレン環などの炭素数6〜18の置換基を有していてもよい芳香族炭化水素環、又は、例えば、チオフェン環、フラン環、ピロール環、ベンゾチオフェン環、ベンゾフラン環、ベンゾピロール環、トリアジン環、イミダゾール環、ベンゾイミダゾール環、トリアゾール環、チアジアゾール環、チアゾール環等のヘテロ環を含む芳香環ヘテロ環を挙げることができる。中でも、ベンゼン環、ナフタレン環が解像性の観点で好ましく、ベンゼン環が最も好ましい。
Ar1の芳香族環は、上記−OXで表される基以外にも置換基を有していてもよく、置換基としては、例えば、アルキル基(好ましくは炭素数1〜6)、シクロアルキル基(好ましくは炭素数3〜10)、アリール基(好ましくは炭素数6〜15)、ハロゲン原子、水酸基、アルコキシ基(好ましくは炭素数1〜6)、カルボキシル基、アルコキシカルボニル基(好ましくは炭素数2〜7)が挙げられ、アルキル基、アルコキシ基、アルコキシカルボニル基が好ましく、アルコキシ基がより好ましい。
Xは、環状炭化水素基を有する基を表す。X中の環状炭化水素基の具体例及び好ましい範囲は上述のものと同様である。Xは、後述の一般式(4)における−Y−X2で表される基であることがより好ましい。
m2は1〜5の整数であることが好ましく、1が最も好ましい。m2が1でAr1がベンゼン環の時、−OXの置換位置はベンゼン環のポリマー主鎖との結合位置に対して、パラ位でもメタ位でもオルト位でもよいが、パラ位又はメタ位が好ましく、パラ位がより好ましい。
本発明において、一般式(3)で表される繰り返し単位が、下記一般式(4)で表される繰り返し単位であることが好ましい。
一般式(4)におけるR13は水素原子又はメチル基を表すが、水素原子が特に好ましい。
一般式(4)において、Yは2価の連結基であることが好ましい。Yの2価連結基として好ましい基は、カルボニル基、チオカルボニル基、アルキレン基(好ましくは炭素数1〜10、より好ましくは炭素数1〜5)、スルホニル基、−COCH2−、−NH−又はこれらを組合せた2価の連結基(好ましくは総炭素数1〜20、より好ましくは総炭素数1〜10)であり、より好ましくはカルボニル基、−COCH2−、スルホニル基、−CONH−、−CSNH−であり、さらに好ましくはカルボニル基、−COCH2−であり、特に好ましくはカルボニル基である。
X2は環状炭化水素基を表す。環状炭化水素基の定義及び好適態様は、上述した通りである。
本発明において、一般式(3)で表される繰り返し単位が、下記一般式(4’)で表される繰り返し単位であることが最も好ましい。
一般式(4’)におけるR13は水素原子又はメチル基を表すが、水素原子が特に好ましい。
一般式(4’)におけるアダマンチルエステル基の置換位置はベンゼン環のポリマー主鎖との結合位置に対して、パラ位でもメタ位でもオルト位でもよいが、パラ位が好ましい。
一般式(3)で示される繰り返し単位の具体例としては、以下のものが挙げられる。
高分子化合物(A)が上記重合性モノマー由来の繰り返し単位を含有する場合、これらの繰り返し単位の含有量は、高分子化合物(A)中の全繰り返し単位に対して、1〜30モル%が好ましく、1〜20モル%がより好ましく、2〜10モル%がさらに好ましい。
活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物(B)(以下、「化合物(B)」、「酸発生剤」又は「光酸発生剤」ともいう)としては、公知の材料を使用することができる。酸発生剤の好ましい形態として、オニウム塩化合物を挙げることができる。そのようなオニウム塩化合物としては、例えば、スルホニウム塩、ヨードニウム塩、ホスホニウム塩などを挙げることができる。
また、酸発生剤の別の好ましい形態として、活性光線又は放射線の照射により、スルホン酸、イミド酸又はメチド酸を発生する化合物を挙げることができる。その形態における酸発生剤は、例えば、スルホニウム塩、ヨードニウム塩、ホスホニウム塩、オキシムスルホネート、イミドスルホネートなどを挙げることができる。
酸発生剤は、電子線又は極紫外線の照射により酸を発生する化合物であることが好ましい。
本発明において、好ましいオニウム塩化合物として、下記一般式(7)で表されるスルホニウム化合物、又は、一般式(8)で表されるヨードニウム化合物を挙げることができる。
以下、一般式(7)で表されるスルホニウム化合物及び一般式(8)で表されるヨードニウム化合物をさらに詳述する。
一般式(7)中のRa1、Ra2及びRa3、並びに、一般式(8)中のRa4及びRa5は、上記の通り、各々独立に有機基を表し、好ましくは、Ra1、Ra2及びRa3の少なくとも1つ、並びに、Ra4及びRa5の少なくとも1つがそれぞれアリール基である。アリール基としては、フェニル基、ナフチル基が好ましく、さらに好ましくはフェニル基である。
一般式(7)及び(8)におけるX−の有機アニオンは、例えばスルホン酸アニオン、カルボン酸アニオン、ビス(アルキルスルホニル)アミドアニオン、トリス(アルキルスルホニル)メチドアニオンなどが挙げられ、好ましくは、下記一般式(9)、(10)又は(11)で表される有機アニオンであり、より好ましくは下記一般式(9)で表される有機アニオンである。
上記X−の有機アニオンが、電子線や極紫外線などの活性光線又は放射線により発生する酸であるスルホン酸、イミド酸、メチド酸などに対応する。
上記Rc1、Rc2、Rc3及びRc4の有機基としては、例えば、アルキル基、アリール基又はこれらの複数が連結された基を挙げることができる。これら有機基のうち、より好ましくは1位がフッ素原子又はフロロアルキル基で置換されたアルキル基、フッ素原子又はフロロアルキル基で置換されたフェニル基である。フッ素原子又はフロロアルキル基を有することにより、光照射によって発生した酸性度が上がり、感度が向上する。ただし、末端基は置換基としてフッ素原子を含有しないことが好ましい。
そして、本発明においては、酸発生剤は、露光した酸の非露光部への拡散を抑制し、解像性やパターン形状を良好にする観点から、体積130Å3以上の大きさの酸(より好ましくはスルホン酸)を発生する化合物であることが好ましく、体積190Å3以上の大きさの酸(より好ましくはスルホン酸)を発生する化合物であることがより好ましく、体積270Å3以上の大きさの酸(より好ましくはスルホン酸)を発生する化合物であることがさらに好ましく、体積400Å3以上の大きさの酸(より好ましくはスルホン酸)を発生する化合物であることが特に好ましい。但し、感度や塗布溶剤溶解性の観点から、上記体積は2000Å3以下であることが好ましく、1500Å3以下であることがより好ましい。上記体積の値は、富士通株式会社製の「WinMOPAC」を用いて求める。すなわち、まず、各化合物に係る酸の化学構造を入力し、次に、この構造を初期構造としてMM3法を用いた分子力場計算により、各酸の最安定立体配座を決定し、その後、これら最安定立体配座についてPM3法を用いた分子軌道計算を行うことにより、各酸の「accessible volume」を計算することができる。
以下に本発明において、特に好ましい酸発生剤を示す。なお、例の一部には、体積の計算値を付記している(単位Å3)。なお、ここで求めた計算値は、アニオン部にプロトンが結合した酸の体積値である。
酸発生剤の組成物中の含有量は、組成物の全固形分を基準として、0.1〜25質量%が好ましく、0.5〜20質量%がより好ましく、1〜18質量%がさらに好ましい。
酸発生剤は、1種単独で、又は2種以上を組み合わせて使用することができる。
組成物は、塩基性化合物を酸捕捉剤として含有することが好ましい。塩基性化合物を用いることにより、露光から後加熱までの経時による性能変化を小さくすることができる。
塩基性化合物としては、有機塩基性化合物であることが好ましく、より具体的には、脂肪族アミン類、芳香族アミン類、複素環アミン類、カルボキシル基を有する含窒素化合物、スルホニル基を有する含窒素化合物、ヒドロキシ基を有する含窒素化合物、ヒドロキシフェニル基を有する含窒素化合物、アルコール性含窒素化合物、アミド誘導体、イミド誘導体、等が挙げられる。アミンオキサイド化合物(特開2008−102383号公報に記載)、アンモニウム塩(好ましくはヒドロキシド又はカルボキシレートである。より具体的にはテトラブチルアンモニウムヒドロキシドに代表されるテトラアルキルアンモニウムヒドロキシドがLERの観点で好ましい。)も適宜用いられる。
さらに、酸の作用により塩基性が増大する化合物も、塩基性化合物の1種として用いることができる。
これら塩基性化合物の中でも解像性向上の観点からアンモニウム塩が好ましい。
本発明の組成物は、塗布性を向上させるため界面活性剤を含有してもよい。
界面活性剤としては、特に限定されるものではないが、ポリオキシエチレンアルキルエーテル類、ポリオキシエチレンアルキルアリルエーテル類、ポリオキシエチレンポリオキシプロピレンブロックコポリマー類、ソルビタン脂肪酸エステル類、ポリオキシエチレンソルビタン脂肪酸エステルなどのノニオン系界面活性剤、メガファックF171及びメガファックF176(DIC(株)製)やフロラードFC430(住友スリーエム製)やサーフィノールE1004(旭硝子製)、OMNOVA社製のPF656及びPF6320、等のフッ素系界面活性剤、オルガノシロキサンポリマー、ポリシロキサンポリマーが挙げられる。
本発明の組成物が界面活性剤を含有する場合、その含有量は、組成物の全固形分に対して、0.0001〜2質量%が好ましく、0.0005〜1質量%がより好ましい。
本発明の組成物は、有機カルボン酸を含有してもよい。
有機カルボン酸として、脂肪族カルボン酸、脂環式カルボン酸、不飽和脂肪族カルボン酸、オキシカルボン酸、アルコキシカルボン酸、ケトカルボン酸、安息香酸誘導体、フタル酸、テレフタル酸、イソフタル酸、2−ナフトエ酸、1−ヒドロキシ−2−ナフトエ酸、2−ヒドロキシ−3−ナフトエ酸などを挙げることができるが、電子線露光を真空下で行う際には、レジスト膜表面より揮発して描画チャンバー内を汚染してしまう恐れがあるので、好ましい化合物としては、芳香族有機カルボン酸、その中でも、例えば、安息香酸、1−ヒドロキシ−2−ナフトエ酸、2−ヒドロキシ−3−ナフトエ酸が好適である。
本発明の組成物が有機カルボン酸を含有する場合、その含有量は、組成物の全固形分に対して、0.5〜15質量%が好ましく、2〜10質量%がより好ましい。
本発明の組成物は、カルボン酸オニウム塩を含有してもよい。
カルボン酸オニウム塩としては、カルボン酸スルホニウム塩、カルボン酸ヨードニウム塩、カルボン酸アンモニウム塩などを挙げることができる。特に、カルボン酸オニウム塩としては、カルボン酸スルホニウム塩、カルボン酸ヨードニウム塩が好ましい。さらに、本発明においては、カルボン酸オニウム塩のカルボキシレート残基が芳香族基、炭素−炭素2重結合を含有しないことが好ましい。特に好ましいアニオン部としては、炭素数1〜30の直鎖、分岐、単環又は多環環状アルキルカルボン酸アニオンが好ましい。さらに好ましくはこれらのアルキル基の一部又は全てがフッ素置換されたカルボン酸のアニオンが好ましい。アルキル鎖中に酸素原子を含んでいてもよい。これにより220nm以下の光に対する透明性が確保され、感度、解像力が向上し、疎密依存性、露光マージンが改良される。
本発明の組成物がカルボン酸オニウム塩を含有する場合、その含有量は、組成物の全固形分に対して、1〜15質量%が好ましく、2〜10質量%がより好ましい。
本発明の組成物は、さらに、酸の作用により分解して酸を発生する化合物(以下、酸増殖剤とも表記する)を1種又は2種以上含んでいてもよい。
酸増殖剤が発生する酸は、スルホン酸、メチド酸又はイミド酸であることが好ましい。
本発明の組成物が酸増殖剤を含有する場合、その含有量は、組成物の全固形分を基準として、0.1〜50質量%であることが好ましく、0.5〜30質量%であることがより好ましく、1.0〜20質量%であることがさらに好ましい。
酸増殖剤と酸発生剤との量比(組成物中の全固形分を基準にした酸増殖剤の固形分量/組成物中の全固形分を基準にした酸発生剤の固形分量)としては、特に制限されないが、0.01〜50が好ましく、0.1〜20がより好ましく、0.2〜1.0がさらに好ましい。
以下に本発明に用いることができる酸増殖剤の例を示すが、これらに限定されるものではない。
本発明の組成物は、溶剤を含有してもよい。
溶剤としては、エチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、シクロヘキサノン、2−ヘプタノン、プロピレングリコールモノメチルエーテル(PGME、別名1−メトキシ−2−プロパノール)、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート(PGMEA、別名1−メトキシ−2−アセトキシプロパン)、プロピレングリコールモノメチルエーテルプロピオネート、プロピレングリコールモノエチルエーテルアセテート、3−メトキシプロピオン酸メチル、3−エトキシプロピオン酸エチル、β−メトキシイソ酪酸メチル、酪酸エチル、酪酸プロピル、メチルイソブチルケトン、酢酸エチル、酢酸イソアミル、乳酸エチル、トルエン、キシレン、酢酸シクロヘキシル、ジアセトンアルコール、N−メチルピロリドン、N,N−ジメチルホルムアミド、γ−ブチロラクトン、N,N−ジメチルアセトアミド、プロピレンカーボネート、エチレンカーボネートなどが好ましい。これらの溶剤は単独もしくは組み合わせて用いられる。
本発明の組成物の固形分は、上記溶剤に溶解し、固形分濃度として、1〜40質量%溶解することが好ましく、1〜30質量%がより好ましく、3〜20質量%がさらに好ましい。
本発明は、本発明の組成物により形成されたレジスト膜にも関し、このようなレジスト膜は、例えば、本発明の組成物が基板等の支持体上に塗布されることにより形成される。
レジスト膜の厚みは、10〜150nmであることが好ましく、10〜120nmであることがより好ましい。
基板上に塗布する方法としては、スピンコート、ロールコート、フローコート、ディップコート、スプレーコート、ドクターコート等の適当な塗布方法により基板上に塗布されるが、スピン塗布が好ましく、その回転数は1000〜3000rpmが好ましい。塗布膜は60〜150℃で1〜20分間、好ましくは80〜120℃で1〜10分間プリベークして薄膜を形成する。
また、本発明は、上記のようにして得られるレジスト膜を備えたマスクブランクスにも関する。このようなレジスト膜を具備するマスクブランクスを得るために、フォトマスク作製用のフォトマスクブランクス上にパターンを形成する場合、使用される透明基板としては、石英、フッ化カルシウム等の透明基板を挙げることができる。一般には、該基板上に、遮光膜、反射防止膜、さらに位相シフト膜、追加的にはエッチングストッパー膜、エッチングマスク膜といった機能性膜の必要なものを積層する。機能性膜の材料としては、ケイ素、又はクロム、モリブデン、ジルコニウム、タンタル、タングステン、チタン、ニオブ等の遷移金属を含有する膜が積層される。また、最表層に用いられる材料としては、ケイ素又はケイ素に酸素及び/又は窒素を含有する材料を主構成材料とするもの、さらにそれらに遷移金属を含有する材料を主構成材料とするケイ素化合物材料や、遷移金属、特にクロム、モリブデン、ジルコニウム、タンタル、タングステン、チタン、ニオブ等より選ばれる1種以上、又はさらにそれらに酸素、窒素、炭素より選ばれる元素を1以上含む材料を主構成材料とする遷移金属化合物材料が例示される。
これらの材料のうち、一般にクロムに酸素や窒素を含有する材料を最表層に具備するフォトマスクブランク上で、組成物を用いてパターン形成を行った場合、基板付近でくびれ形状が形成される、いわゆるアンダーカット形状となりやすいが、本発明を用いた場合、従来のものに比べてアンダーカット問題を改善することができる。
なお、本発明の組成物を用いて、インプリント用モールドを作製する場合のプロセスについては、例えば、特許第4109085号公報、特開2008−162101号公報、及び、「ナノインプリントの基礎と技術開発・応用展開―ナノインプリントの基板技術と最新の技術展開―編集:平井義彦(フロンティア出版)」に記載されている。
本発明の組成物は、以下に示すネガ型パターンの形成プロセスに好適に用いることができる。すなわち、本発明の組成物を基板上に塗布してレジスト膜を形成することと、レジスト膜に活性光線又は放射線を照射(すなわち露光)することと、露光した膜を現像液を用いて現像することによりネガ型パターンを得ることとを含むプロセスに好ましく用いることができる。このようなプロセスとしては、例えば、特開2008−292975号公報、特開2010−217884号公報などに記載されているプロセスを用いることができる。
本発明は、上記レジスト膜、又は、該膜を備えたマスクブランクスを露光すること、及び、該露光されたレジスト膜、又は、露光された該膜を具備するマスクブランクスを現像することを含む、パターン形成方法にも関する。本発明において、露光が電子線又は極紫外線を用いて行われることが好ましい。また、本発明は、レジスト塗布マスクブランクスを、露光及び現像して得られるフォトマスクにも関する。
次いで、ホットプレート上で、60〜150℃で1〜20分間、好ましくは80〜120℃で1〜10分間、露光後加熱(ポストエクスポージャーベーク)を行い、次いで、現像、リンス、乾燥することによりパターンを形成する。続いて、現像液を用いて、0.1〜3分間、好ましくは0.5〜2分間、浸漬(dip)法、パドル(puddle)法、スプレー(spray)法等の常法により現像する。
有機系現像液としては、エステル系溶剤(酢酸ブチル、酢酸エチルなど)、ケトン系溶剤(2−ヘプタノン、シクロヘキサノンなど)、アルコール系溶剤、アミド系溶剤、エーテル系溶剤等の極性溶剤及び炭化水素系溶剤を用いることができる。有機系現像液全体としての含水率は10質量%未満であることが好ましく、実質的に水分を含有しないことがより好ましい。
アルカリ現像液としては、通常、テトラメチルアンモニウムヒドロキシドに代表される4級アンモニウム塩が用いられるが、これ以外にも無機アルカリ、1級アミン、2級アミン、3級アミン、アルコールアミン、環状アミン等のアルカリ水溶液も使用可能である。さらに、上記アルカリ現像液にアルコール類、界面活性剤を適当量添加して使用することもできる。アルカリ現像液のアルカリ濃度は、通常0.1〜20質量%である。アルカリ現像液のpHは、通常10.0〜15.0である。
さらに、上記アルカリ性水溶液にアルコール類、界面活性剤を適当量添加して使用することもできる。
また、本発明は、上記した本発明のパターン形成方法を含む、電子デバイスの製造方法、及び、この製造方法により製造された電子デバイスにも関する。
本発明の電子デバイスは、電気電子機器(家電、OA・メディア関連機器、光学用機器及び通信機器等)に、好適に、搭載されるものである。
(高分子化合物(A)の合成例)
<合成例1:高分子化合物(A1)の合成>
日本曹達株式会社製、ポリ(p−ヒドロキシスチレン)(VP2500)20gをテトラヒドロフラン(THF)120mLに溶解し、4.96gの1−アダマンタンカルボニルクロリド、3.37gのトリエチルアミンを加え、50℃で4時間撹拌した。反応液を室温に戻した後、酢酸エチル100mLと蒸留水100mLを加え、反応液を氷水中で撹拌しながら、1NのHCl水溶液を少しずつ反応液に添加し中和した。反応液を分液ロートに移し、酢酸エチル100mLと蒸留水100mLをさらに加えて撹拌後、水層を除去した。その後有機層を200mLの蒸留水で5回洗浄後、有機層を濃縮し、ヘキサン2L中に滴下した。粉体をろ過後、分取し、真空乾燥することで高分子化合物(A1)20.6gが得られた。
得られた高分子化合物につき、1H−NMR測定により、高分子化合物の組成比(モル比)を算出した。また、GPC(溶媒:THF、カラム:東ソー社製TSK gel Multipore HXL−M、カラム温度:40℃、流速:1.0mL/分、検出器:RI)測定により、高分子化合物の重量平均分子量(Mw:ポリスチレン換算)、数平均分子量(Mn:ポリスチレン換算)及び分散度(Mw/Mn)を算出した。
ガラス転移温度(Tg)は、TA Instruments社製の示差走査型熱量計(DSC)Q2000を用いて、真空乾燥したポリマーサンプル約2mgをアルミニウムパン上で秤量し、該アルミニウムパンをDSC測定ホルダーにセットし、10℃〜200℃まで2℃/minで昇温したときの変曲点から求めた。200℃までにガラス転移温度に相当するDTA曲線の変曲点が観察されない場合に、Tgは200℃以上と判断した。
重量平均分子量、分散度及びTgについて、以下の表中に、高分子化合物の化学式及び組成比とともに示す。
<架橋剤:合成例1>
10重量%水酸化カリウム水溶液20mLとエタノール20mLからなる溶液に、下記式で表されるフェノール性化合物(X1)5.8g(10mmol)を加え、室温で攪拌、溶解した。この溶液に37%ホルマリン水溶液14.0mL(160mmoL)を室温下でゆっくりと加えた。さらに、窒素雰囲気下、40℃で24時間攪拌した後、ビーカー中の水200mLに投入した。これを氷浴にて冷却しながら2.0wt%酢酸水溶液をpH5.0になるまでゆっくりと加えた。析出物をろ別し、十分に水洗浄した後、乾燥した。精製は、高速液体クロマトグラフィーにて行い、下記式で表されるフェノール性化合物1(C1)を4.8g得た。
得られたフェノール性化合物1(C1)の構造確認は、1H‐NMRスペクトルにより行った。1H-NMR : 1.17-1.72(40H), 2.66(4H), 4.40-4.51(8H), 4.54(2H), 5.38(4H), 6.78-7.06(8H), 8.67(4H)
下記式で表わされるフェノール性化合物(X3)5.7g(1.0mmol)をメタノール250mLに加え、加熱攪拌して、溶解した。この溶液に濃硫酸0.25mLを加え、15時間加熱還流した。反応終了後、反応液を冷却し、炭酸カリウム1.0gを加えた。この溶液を濃縮した後、酢酸エチルを300mL加えた。この溶液を3回水洗した後、濃縮することにより、下記式で表されるフェノール性化合物(C3)の白色化合物を4.9g得た。
得られたフェノール性化合物(C3)の構造確認は、1H‐NMRスペクトルにより行った。1H-NMR : 1.98(12H), 3.2(12H), 4.29(8H), 6.87-7.00(8H), 8.05(4H)
なお、架橋剤のガラス転移温度(Tg)は、TA Instruments社製の示差走査型熱量計(DSC)Q2000を用いて、真空乾燥した試料(約2mg)をアルミニウムパン上で秤量し、該アルミニウムパンをDSC測定ホルダーにセットし、10℃〜200℃まで2℃/minで昇温したときの変曲点から求めた。200℃までにガラス転移温度に相当するDTA曲線の変曲点が観察されない場合に、Tgは200℃以上と判断した。
(1)支持体の準備
酸化Cr蒸着した6インチウェハー(通常のフォトマスクブランクスに使用する遮蔽膜処理を施した物)を準備した。
(2)組成物の準備
(組成物N1の組成)
高分子化合物(A1) 0.60g
光酸発生剤(構造式は下記) 0.12g
架橋剤(C1) 0.12g
テトラブチルアンモニウムヒドロキシド(塩基性化合物) 0.002g
2−ヒドロキシ−3−ナフトエ酸(有機カルボン酸) 0.012g
界面活性剤PF6320(OMNOVA(株)製) 0.001g
プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート(溶剤)4.0g
プロピレングリコールモノメチルエーテル(溶剤) 5.0g
上記6インチウェハー上に東京エレクトロン製スピンコーターMark8を用いて組成物N1を塗布し、110℃、90秒間ホットプレート上で乾燥して、膜厚100nmのレジスト膜を得た。すなわち、レジスト塗布マスクブランクスを得た。
このレジスト膜に、電子線描画装置((株)エリオニクス社製;ELS−7500、加速電圧50KeV)を用いて、パターン照射を行った。照射後に、120℃、90秒間ホットプレート上で加熱し、2.38質量%テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド(TMAH)水溶液を用いて60秒間浸漬した後、30秒間、水でリンスして乾燥した。
(5)レジストパタ−ンの評価
得られたパターンを下記の方法で、感度、解像力、パタ−ン形状、ラインエッジラフネス(LER)及びドライエッチング耐性について評価した。
得られたパターンの断面形状を走査型電子顕微鏡((株)日立製作所製S−4300)を用いて観察した。線幅100nm(ライン:スペース=1:1)のレジストパターンを解像するときの露光量(電子線照射量)を感度とした。この値が小さいほど、感度が高い。
上記の感度を示す露光量(電子線照射量)における限界解像力(ラインとスペース(ライン:スペース=1:1)が分離解像する最小の線幅)を解像力(nm)とした。
上記の感度を示す露光量(電子線照射量)における線幅100nmのラインパターン(L/S=1/1)の断面形状を走査型電子顕微鏡((株)日立製作所製S−4300)を用いて観察した。ラインパターンの断面形状において、[ラインパターンのトップ部(表面部)における線幅/ラインパターンの中部(ラインパターンの高さの半分の高さ位置)における線幅]で表される比率が1.5以上のものを「逆テーパー」とし、該比率が1.2以上1.5未満のものを「やや逆テーパー」とし、該比率が1.2未満のものを「矩形」として、評価を行った。「逆テーパー」でないことが望ましい。
上記の感度を示す照射量(電子線照射量)で、線幅100nmのラインパターン(L/S=1/1)を形成した。そして、その長さ方向50μmに含まれる任意の30点について、走査型電子顕微鏡((株)日立製作所製S−9220)を用いて、エッジがあるべき基準線からの距離を測定した。そして、この距離の標準偏差を求め、3σを算出した。値が小さいほど良好な性能であることを示す。
上記の感度を示す照射量(電子線照射量)で線幅100nm(ライン:スペース=1:1)のレジストパターンを形成したレジスト膜を、HITACHI U−621でAr/C4F6/O2ガス(体積比率100/4/2の混合ガス)を用いて60秒間ドライエッチングを行った。その後レジスト残膜率を測定し、ドライエッチング耐性の指標とした。
非常に良好:残膜率95%以上
良好:95%未満90%以上
不良:90%未満
使用した組成物N1中の高分子化合物、酸発生剤、塩基性化合物、架橋剤、及び、溶剤を以下の表3に示すように変更した組成物を使用した以外は、実施例1Eと同様の手順に従って、パターンを形成し、各種評価を実施した。
B1:テトラブチルアンモニウムヒドロキシド
B2:トリ(n−オクチル)アミン
S1:プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート(1−メトキシ−2−アセトキシプロパン)
S2:プロピレングリコールモノメチルエーテル(1−メトキシ−2−プロパノール)
S3:2−ヘプタノン
S4:乳酸エチル
S5:シクロヘキサノン
S6:γ−ブチロラクトン
S7:プロピレンカーボネート
〔実施例1F〜6F並びに比較例1F及び2F〕
(レジスト溶液の調製)
表3に示した組成物をポアサイズ0.04μmのポリテトラフルオロエチレンフィルターによりろ過して、ネガ型レジスト溶液を調製した。
調製したネガ型レジスト溶液を、スピンコーターを用いて、ヘキサメチルジシラザン処理を施したシリコン基板上に均一に塗布し、100℃で60秒間ホットプレート上で加熱乾燥を行って、0.05μmの膜厚を有したレジスト膜を形成させた。
得られたレジスト膜に関し、下記の方法で、感度、解像力、パタ−ン形状、ラインエッジラフネス(LER)及びドライエッチング耐性について評価した。
得られたレジスト膜に、EUV光(波長13nm)を用いて、露光量を0〜20.0mJ/cm2の範囲で0.1mJ/cm2ずつ変えながら、線幅100nmの1:1ラインアンドスペースパターンの反射型マスクを介して、露光を行った後、110℃で90秒間ベークした。その後、2.38質量%テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド(TMAH)水溶液を用いて現像した。
線幅100nmのラインアンドスペース(L/S=1/1)のマスクパターンを再現する露光量を感度とした。この値が小さいほど、感度が高い。
上記の感度を示す露光量における限界解像力(ラインとスペース(ライン:スペース=1:1)とが分離解像する最小の線幅)をLS解像力(nm)とした。
上記の感度を示す露光量における線幅100nmのラインパターン(L/S=1/1)の断面形状を走査型電子顕微鏡((株)日立製作所製S−4300)を用いて観察した。ラインパターンの断面形状において、[ラインパターンのトップ部(表面部)における線幅/ラインパターンの中部(ラインパターンの高さの半分の高さ位置)における線幅]で表される比率が1.5以上のものを「逆テーパー」とし、該比率が1.2以上1.5未満のものを「やや逆テーパー」とし、該比率が1.2未満のものを「矩形」として、評価を行った。
上記の感度を示す露光量で、線幅100nmのラインパターン(L/S=1/1)を形成した。そして、その長さ方向50μmにおける任意の30点について、走査型電子顕微鏡((株)日立製作所製S−9220)を用いて、エッジがあるべき基準線からの距離を測定した。そして、この距離の標準偏差を求め、3σを算出した。値が小さいほど良好な性能であることを示す。
上記の感度を示す露光量で全面照射を行うことにより形成したレジスト膜を、HITACHI U−621でAr/C4F6/O2ガス(体積比率100/4/2の混合ガス)を用いて60秒間ドライエッチングを行った。その後レジスト残膜率を測定し、ドライエッチング耐性の指標とした。
非常に良好:残膜率95%以上
良好:95%未満90%以上
不良:90%未満
〔実施例1G〜6G並びに比較例1G及び2G〕
(レジスト溶液の調製)
表3に示した組成物を0.04μmの孔径を有するメンブレンフィルターで精密ろ過して、レジスト塗布溶液を得た。
酸化Cr蒸着した6インチウェハー(通常のフォトマスクブランクスに使用する遮蔽膜処理を施した物)上に東京エレクトロン製Mark8を用いてレジスト塗布溶液を塗布し、130℃、90秒間ホットプレート上で乾燥して、膜厚100nmのレジスト膜を得た。すなわち、レジスト塗布マスクブランクスを得た。
このレジスト膜に、電子線描画装置((株)エリオニクス社製;ELS−7500、加速電圧50KeV)を用いて、パターン照射を行った。照射後に、120℃、90秒間ホットプレート上で加熱し、良溶媒としての酢酸ブチル(沸点=126℃)と、貧溶媒としてのデカン(沸点=174℃)を85/15質量比で混合した溶剤を用いて、30秒間スプレー現像した後、スピンコーターにて30秒間3000回転で回転して十分に乾燥させた。
得られたパターンを上記(I)ネガ型の化学増幅型レジストとしての例(電子線露光、アルカリ現像)における評価と同様の方法で、感度、解像力、パタ−ン形状、ラインエッジラフネス(LER)及びドライエッチング耐性について評価した。
評価結果を表5に示す。
Claims (10)
- フェノール性水酸基を有し、かつ、下記(a)及び(b)を満たす高分子化合物(A)、活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物(B)、及び、酸の作用により前記高分子化合物(A)を架橋する、ガラス転移温度(Tg)が200℃以上の架橋剤(C)を含有する、感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物であって、前記架橋剤(C)が、ヒドロキシメチル基及びアルコキシメチル基からなる群から選択される少なくとも1種の架橋性基を2個以上と、2個以上のベンゼン環と、環状脂肪族炭化水素基とを含み、前記架橋性基の数と前記ベンゼン環の数との比(架橋性基の数/ベンゼン環の数)が1.0以下である架橋剤を含む、感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。
(a)重量平均分子量が3000以上6500以下
(b)ガラス転移温度(Tg)が140℃以上 - 前記高分子化合物(A)が、さらに下記(c)を満たす、請求項1に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。
(c)分散度(Mw/Mn)が1.2以下 - 前記高分子化合物(A)が、フェノール性水酸基を有する繰り返し単位と、フェノール性水酸基における水酸基の水素原子が置換基で置換されてなる基を有する繰り返し単位とを有する、請求項1又は2に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。
- 前記高分子化合物(A)が、下記一般式(II)で表される繰り返し単位を、前記高分子化合物(A)の全繰り返し単位に対して、10モル%〜90モル%で有する、請求項1〜3のいずれか1項に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。
(式中、R2は、水素原子、置換基を有していてもよいメチル基、又はハロゲン原子を表す。B’は、単結合又は2価の有機基を表す。Ar’は、芳香環基を表す。mは1以上の整数を表す。) - 請求項1〜4のいずれか1項に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物により形成されたレジスト膜。
- 膜厚が10〜150nmである、請求項5に記載のレジスト膜。
- 請求項5又は6に記載のレジスト膜を塗布した、レジスト塗布マスクブランクス。
- 請求項5又は6に記載のレジスト膜を露光すること、及び、前記露光された膜を現像することを含む、レジストパターン形成方法。
- 請求項7に記載のレジスト塗布マスクブランクスを露光すること、及び、前記露光されたマスクブランクスを現像することを含む、レジストパターン形成方法。
- 前記露光が、電子線又は極紫外線を用いて行われる、請求項8又は9に記載のレジストパターン形成方法。
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