JP5491450B2 - 高分子化合物、化学増幅レジスト材料、該化学増幅レジスト材料を用いたパターン形成方法。 - Google Patents
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Description
更に、弱酸のアニオンが樹脂中に結合した樹脂結合型のオニウム塩が開発されている(特許文献3、特許文献4)。これにより弱酸オニウム塩の移動、拡散を制御することが可能となったが、弱酸アニオンが添加されたレジストでしばしば観察されるレジストパターンの基板からの剥れ等の欠陥の克服には未だ課題が残る。
また、本発明では、前記化学増幅レジスト材料を基板上に塗布する工程と、加熱処理後、水に不溶でアルカリ現像液に可溶な保護膜を塗布する工程と、前記基板と投影レンズの間に水を挿入しフォトマスクを介して高エネルギー線で露光する工程と、現像液を用いて現像する工程とを含むことを特徴とするパターン形成方法を提供する。
置換もしくは非置換のアルケニル基としては、ビニル基、アリル基、プロペニル基、ブテニル基、ヘキセニル基、シクロヘキセニル基等が挙げられる。
置換もしくは非置換のオキソアルキル基としては、2−オキソシクロペンチル基、2−オキソシクロヘキシル基、2−オキソプロピル基、2−オキソエチル基、2−シクロペンチル−2−オキソエチル基、2−シクロヘキシル−2−オキソエチル基、2−(4−メチルシクロヘキシル)−2−オキソエチル基等を挙げることができる。
置換もしくは非置換のアラルキル基としてはベンジル基、1−フェニルエチル基、2−フェニルエチル基等が挙げられる。
置換もしくは非置換のアリールオキソアルキル基としては、2−フェニル−2−オキソエチル基、2−(1−ナフチル)−2−オキソエチル基、2−(2−ナフチル)−2−オキソエチル基等の2−アリール−2−オキソエチル基等が挙げられる。
また、R2、R3及びR4のうちのいずれか2つ以上が相互に結合して硫黄原子と共に環状構造を形成する場合には、具体的には下記のものを例示できるが、これらに限定されるものではない。
(式中、R1は水素原子、フッ素原子、メチル基及びトリフルオロメチル基のいずれかを示す。R2、R3及びR4は、それぞれ独立に、置換もしくは非置換の炭素数1〜10の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基、アルケニル基、及びオキソアルキル基のいずれか、又は置換もしくは非置換の炭素数6〜18のアリール基、アラルキル基、及びアリールオキソアルキル基のいずれかを示すか、或いはR2、R3及びR4のうちのいずれか2つ以上が相互に結合して式中の硫黄原子と共に環を形成してもよい。X1はO又はCH2を示す。A1は炭素数1〜10の直鎖状、分岐状又は環状の2価炭化水素基を示す。B1はフッ素を除くヘテロ原子を含んでいてもよい炭素数1〜10のアルキレン基又は炭素数6〜18のアリーレン基を示す。k1は0又は1の整数を示す。)
で示される置換基を表す。M+はリチウムイオン、ナトリウムイオン、カリウムイオン、置換もしくは未置換のアンモニウムイオンを示す。X3−はハライドイオン又はメチル硫酸イオンを示す。)
酸クロリド又は酸無水物を用いる場合は、無溶媒あるいは塩化メチレン、トルエン、ヘキサン、ジエチルエーテル、テトラヒドロフラン、アセトニトリル等の溶媒中、ヒドロキシラクトン化合物(2)と、アクリル酸クロリド、メタクリル酸クロリド、アクリル酸無水物、メタクリル酸無水物等の対応する酸クロリド又は酸無水物、及びトリエチルアミン、ピリジン、4−ジメチルアミノピリジン等の塩基とを順次又は同時に加え、必要に応じ、冷却あるいは加熱するなどして行うのがよい。
また、カルボン酸を用いる場合は、トルエン、ヘキサン等の溶媒中、ヒドロキシラクトン(2)及びアクリル酸、メタクリル酸等の対応するカルボン酸を酸触媒の存在下加熱し、必要に応じて生じる水を系外に除くなどして行うのがよい。用いる酸触媒としては例えば、塩酸、硫酸、硝酸、過塩素酸などの無機酸類、p−トルエンスルホン酸、ベンゼンスルホン酸などの有機酸等が挙げられる。
一般式(1)の単位に対応する単量体の総モル数をU1、
一般式(2A)〜(2E)の単位に対応する単量体の総モル数をそれぞれ、U2、U3、U4、U5、U6とし、U1+U2+U3+U4+U5+U6=1(100モル%)とした場合、各繰り返し単位の導入割合は、
0<U1<1、0<U2<0.9、0≦U3≦0.3、0≦U4<0.7、0≦U5≦0.3、0≦U6≦0.15、0≦U2+U3+U4+U5+U6≦0.7であることが好ましい。
後者は特に水に不溶でアルカリ現像液に溶解する1,1,1,3,3,3−ヘキサフルオロ−2−プロパノール残基を有する高分子化合物をベースとし、炭素数4以上のアルコール系溶剤、炭素数8〜12のエーテル系溶剤、及びこれらの混合溶媒に溶解させた材料が好ましい。
上述した水に不溶でアルカリ現像液に可溶な界面活性剤を炭素数4以上のアルコール系溶剤、炭素数8〜12のエーテル系溶剤、又はこれらの混合溶媒に溶解させた材料とすることもできる。
窒素雰囲気としたフラスコに、4.94gのトリフェニルスルホニウム=2−(6−メタクリロイルオキシ−2−オキソヘキサヒドロ−3,5−メタノ−2H−シクロペンタ[b]フラン−7−カルボニルオキシ)エタンスルホネート、19.0gのメタクリル酸=1−イソプロピルシクロペンチル、6.61gのメタクリル酸=2−オキソテトラヒドロフラン−3−イル、12.09gのメタクリル酸=5−オキソ4、8−ジオキサトリシクロ[4.2.1.03,7]ノナ−2−イル、2.20gのV−601(和光純薬製)、2−メルカプトエタノール0.45gを68gのGBL(ガンマブチロラクトン)に溶解し、単量体―重合開始剤溶液を調製した。窒素雰囲気とした別のフラスコに、24gのGBLをとり、撹拌しながら80℃まで加熱した後、上記単量体溶液を4時間かけて滴下した。滴下終了後、重合液の温度を80℃に保ったまま2時間撹拌を続け、次いで室温まで冷却した。得られた重合液を、激しく撹拌した640gの水−メタノール溶液(重量比3:7)に滴下し、析出した共重合体を濾別した。共重合体を240gの水−メタノール溶液(重量比3:7)で2回洗浄した後、50℃で20時間真空乾燥して30.3gの白色粉末状の共重合体を得た。共重合体を13C−NMRで分析したところ、共重合組成比は上記の単量体順で2/50/20/28モル%であった。
各単量体の種類、配合比を変えた以外は、上記合成例1と同様の手順により、下記に示した高分子化合物を製造した。
上記合成例で示した高分子化合物を使用し、下記光酸発生剤、クエンチャー、アルカリ可溶型界面活性剤(SF−1)を下記表1に示す組成で下記界面活性剤A(オムノバ社製)0.01質量%を含む溶媒中に溶解してレジスト材料を調合し、さらにレジスト材料を0.2μmのテフロン(登録商標)製フィルターで濾過することにより、レジスト溶液(R−01〜R11)をそれぞれ調製した。
P−1〜P−7:上記polymer−1〜polymer−7
P−A〜P−D:上記polymer−A〜polymer−D
PAG−1:4−t−ブチルフェニルジフェニルスルホニウム=2−(アダマンタン−1−カルボニルオキシ)−1,1,3,3,3−ペンタフルオロプロパン−1−スルホネート
PAG−2:N−ノナフルオロブタンスルホニルオキシ−1,8−ナフタレンジカルボキシイミド
Q−1:1−ベンジルオキシカルボニル−2−フェニルベンズイミダゾール
Q−2:トリフェニルスルホニウム=10−カンファースルホネート
PGMEA:プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート
GBL:γ−ブチロラクトン
アルカリ可溶型界面活性剤(SF−1):下記式(特開2008−122932号公報に記載の化合物)
シリコン基板上に反射防止膜溶液(日産化学工業(株)製、ARC−29A)を塗布し、200℃で60秒間ベークして作製した反射防止膜(100nm膜厚)基板上にレジスト溶液をスピンコーティングし、ホットプレートを用いて100℃で60秒間ベークし、120nm膜厚のレジスト膜を作製した。これをArFエキシマレーザースキャナー((株)ニコン製、NSR−S610C、NA=1.30、二重極、Crマスク)を用いて液浸露光し、80℃で60秒間ベーク(PEB)を施し、2.38質量%のテトラメチルアンモニウムヒドロキシドの水溶液で60秒間現像を行った。
パターン形状の評価基準は以下のものとした。
矩形:ライン側壁が垂直であり、ボトム(基板付近)からトップまで寸法変化が少なく良好。
テーパー:ボトムからトップにかけてライン寸法が小さくなる形状。
レジストパターンの基板への密着性に関しては、電子顕微鏡にて上空観察を行い剥れ欠陥の有無を評価した。
Claims (5)
- 下記一般式(1)で示す繰り返し単位を含有する高分子化合物。
- 前記一般式(1)で示す繰り返し単位に加え、酸不安定基を有する繰り返し単位を含有するものであることを特徴とする請求項1に記載の高分子化合物。
- (A)請求項2に記載の高分子化合物、(B)有機溶剤、(C)光酸発生剤、及び(D)塩基性化合物を含有するものであることを特徴とする化学増幅レジスト材料。
- 請求項3に記載の化学増幅レジスト材料を基板上に塗布する工程と、加熱処理後フォトマスクを介して高エネルギー線で露光する工程と、現像液を用いて現像する工程とを含むことを特徴とするパターン形成方法。
- 請求項3に記載の化学増幅レジスト材料を基板上に塗布する工程と、加熱処理後、水に不溶でアルカリ現像液に可溶な保護膜を塗布する工程と、前記基板と投影レンズの間に水を挿入しフォトマスクを介して高エネルギー線で露光する工程と、現像液を用いて現像する工程とを含むことを特徴とするパターン形成方法。
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